JPS62118545A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS62118545A JPS62118545A JP25886485A JP25886485A JPS62118545A JP S62118545 A JPS62118545 A JP S62118545A JP 25886485 A JP25886485 A JP 25886485A JP 25886485 A JP25886485 A JP 25886485A JP S62118545 A JPS62118545 A JP S62118545A
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- JP
- Japan
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- polycrystalline silicon
- film
- silicon film
- oxide film
- silicon oxide
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- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、多結晶シリコン膜を使用する半導体装置の製
造方法に関（−５特に多結晶シリコン膜−にに均一な絶
縁体膜を形成する方法に関する。
造方法に関（−５特に多結晶シリコン膜−にに均一な絶
縁体膜を形成する方法に関する。
従来、不純物添加された多結晶シリコン膜を容量部電極
、ゲート引き出１〜電極等の電極配線として使用する製
造方法が用いられている。従来の製法によると、シリコ
ン基板上に形成されたシリコン酸化膜上に多結晶シリコ
ン膜を形成し、所望の導電性としｆｃｔに、フォトプロ
セス法を用いて所望の形状に食刻し、残存多結茜シリコ
ン膜表面を熱酸化し、シリコン酸化膜を形成する。そし
て。
、ゲート引き出１〜電極等の電極配線として使用する製
造方法が用いられている。従来の製法によると、シリコ
ン基板上に形成されたシリコン酸化膜上に多結晶シリコ
ン膜を形成し、所望の導電性としｆｃｔに、フォトプロ
セス法を用いて所望の形状に食刻し、残存多結茜シリコ
ン膜表面を熱酸化し、シリコン酸化膜を形成する。そし
て。
このシリコン酸化膜を、前記多結晶シリコン膜と、その
後に形成される多結晶シリコン膜配線、ＡＩ膜配線との
絶縁体膜として使用する製造方法が用いられている。
後に形成される多結晶シリコン膜配線、ＡＩ膜配線との
絶縁体膜として使用する製造方法が用いられている。
従来の製法によると、多結晶シリコン膜に熱拡散法によ
り不純物添加１−だ彼に所望の形状に負刻し、その後に
熱酸化により、シリコン酸化膜全形成し、絶縁膜として
用いている。この従来の製法によると、多結晶シリコン
膜に、拡散法により、不純物添加する工程で多結晶シリ
コン膜のシリコン結晶粒子径の増大、及び、同時に、結
晶粒子界面での不純物の析出が生じる。この現像は、ｎ
形不純物、特にリン（Ｐ）を拡散する場合に顕著である
。これらにより、多結晶シリコン膜表面に結晶粒子によ
る凹凸及び不純物析出による不純物分布の不均一な部分
が形成されており、その後に熱酸化を行なうと、シリコ
ン酸化膜の膜厚が大きく不均一となる欠点を有【７てい
る。その結果、多結晶シリコン膜上に形成されたシリコ
ン酸化膜の絶縁特性れ［悪くなり、ｐｆｒ望の絶縁特性
を得る為に膜厚を、通常よりも厚くする必要が生じてい
る。しかし、このシリコン酸化膜の膜厚を厚くすると、
微細コンタクト孔の形成が難かしくなるし、又。
り不純物添加１−だ彼に所望の形状に負刻し、その後に
熱酸化により、シリコン酸化膜全形成し、絶縁膜として
用いている。この従来の製法によると、多結晶シリコン
膜に、拡散法により、不純物添加する工程で多結晶シリ
コン膜のシリコン結晶粒子径の増大、及び、同時に、結
晶粒子界面での不純物の析出が生じる。この現像は、ｎ
形不純物、特にリン（Ｐ）を拡散する場合に顕著である
。これらにより、多結晶シリコン膜表面に結晶粒子によ
る凹凸及び不純物析出による不純物分布の不均一な部分
が形成されており、その後に熱酸化を行なうと、シリコ
ン酸化膜の膜厚が大きく不均一となる欠点を有【７てい
る。その結果、多結晶シリコン膜上に形成されたシリコ
ン酸化膜の絶縁特性れ［悪くなり、ｐｆｒ望の絶縁特性
を得る為に膜厚を、通常よりも厚くする必要が生じてい
る。しかし、このシリコン酸化膜の膜厚を厚くすると、
微細コンタクト孔の形成が難かしくなるし、又。
微細ゲート幅の形成及び再現性が恕くなる等の。
新らたな問題を化することとなる。
本発明の目的は、第１の多結晶シリコン膜上に形成され
るシリコン酸化膜の膜質が、第１の多結晶シリコン膜に
不純物添加する時の拡散条件に無関係に選定でき、それ
により均一で再現相の良い膜質と１２、その結果、素子
間絶縁特性が大幅に改善きれ、また、素子製造工程の自
由度も大幅に向上させることができる半導体装置の製造
方法を提供することにある。
るシリコン酸化膜の膜質が、第１の多結晶シリコン膜に
不純物添加する時の拡散条件に無関係に選定でき、それ
により均一で再現相の良い膜質と１２、その結果、素子
間絶縁特性が大幅に改善きれ、また、素子製造工程の自
由度も大幅に向上させることができる半導体装置の製造
方法を提供することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上にシリ
コン酸化膜を形成し該シリコン酸化膜」二に第１の多結
晶シリコン膜を形成する工程と、該第１の多結晶シリコ
ン膜に不純物を添加する工程と、該不純物の添加された
第１の多結晶シリコン膜上に第２の多結晶シリコン膜を
形成する工程と、前記第１及び第２の多結晶シリコン膜
をフォトプロセス法を用いて所望の形状に加工する工程
と、熱酸化しシリコン酸化膜を形成する工程と、該シリ
コン酸化膜上に第３の多結晶シリコン膜を形成する工程
とを含んで構成さｔする。
コン酸化膜を形成し該シリコン酸化膜」二に第１の多結
晶シリコン膜を形成する工程と、該第１の多結晶シリコ
ン膜に不純物を添加する工程と、該不純物の添加された
第１の多結晶シリコン膜上に第２の多結晶シリコン膜を
形成する工程と、前記第１及び第２の多結晶シリコン膜
をフォトプロセス法を用いて所望の形状に加工する工程
と、熱酸化しシリコン酸化膜を形成する工程と、該シリ
コン酸化膜上に第３の多結晶シリコン膜を形成する工程
とを含んで構成さｔする。
次に、本発明の実施例について図面を参照【７て説明す
る。第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明す
るための工程順に示した半導体素子の縦断面上にシリコ
ン酸化膜１２を約５０ＯＡの膜厚で形成し、次いで第１
の多結晶シリコン膜１３を約４０００Ａの膜厚で形成し
、その多結晶シリコン膜１３に拡散法によりリン拡散を
行ない、リン原子を約１０Ｃｍ の濃度で添加する。
る。第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例を説明す
るための工程順に示した半導体素子の縦断面上にシリコ
ン酸化膜１２を約５０ＯＡの膜厚で形成し、次いで第１
の多結晶シリコン膜１３を約４０００Ａの膜厚で形成し
、その多結晶シリコン膜１３に拡散法によりリン拡散を
行ない、リン原子を約１０Ｃｍ の濃度で添加する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、リン原子を添加した
第１の多結晶シリコン膜上に第２の多結晶シリコン膜１
４を約１０００Ａの膜厚で形成する。次に、第１図（Ｃ
）に示すように、フォトプロセス法とＣＦ４系ガスによ
るドライエッチ法を用いて、多結晶シリコン膜１３．１
４をエツチングし、所望ノ形状の多結晶シリコン膜パタ
ーン１４，１３ｔ＝形成する。
第１の多結晶シリコン膜上に第２の多結晶シリコン膜１
４を約１０００Ａの膜厚で形成する。次に、第１図（Ｃ
）に示すように、フォトプロセス法とＣＦ４系ガスによ
るドライエッチ法を用いて、多結晶シリコン膜１３．１
４をエツチングし、所望ノ形状の多結晶シリコン膜パタ
ーン１４，１３ｔ＝形成する。
次に、第１図（ｄ）に示すように、熱酸化法により、酸
化し、シリコン酸化膜１５を所望の膜厚で形成する。こ
のと良、第２．第１の多結晶シリコン膜１４．１３にイ
オン注入法により、不純物添加を行なっても良く、この
場合、酸化速度が速くで八る。又、第２の多結晶シリコ
ン膜の膜厚は任意の膜厚を使用して良い。
化し、シリコン酸化膜１５を所望の膜厚で形成する。こ
のと良、第２．第１の多結晶シリコン膜１４．１３にイ
オン注入法により、不純物添加を行なっても良く、この
場合、酸化速度が速くで八る。又、第２の多結晶シリコ
ン膜の膜厚は任意の膜厚を使用して良い。
しかる後に、第１図（ｅ）に示すように、シリコン酸化
膜１５上に１ｍ３の多結晶シリコン膜１６を形成し、そ
れ以抜、所望の工程を経て、半導体装置が完成する。
膜１５上に１ｍ３の多結晶シリコン膜１６を形成し、そ
れ以抜、所望の工程を経て、半導体装置が完成する。
以上説明したように本発明は、第１の多結晶シリコン膜
に拡散法により不純物添加した彼に、その第１の多結晶
シリコン膜表面を熱酸化する前に、第２の多結晶シリコ
ン膜を形成する。これにより、第１の多結晶シリコン膜
上に形成されるシリコン酸化膜の膜質が、第１の多結晶
シリコン膜に不純物添加する時の拡散条件及びその再現
性、均−性等に影響されること無く、均一で再現性の良
い膜質とすることが可能となる。その結果、素子間絶縁
特性が大幅に改善され、又、素子製造工程の自由度も大
幅に向上するという効果がある。
に拡散法により不純物添加した彼に、その第１の多結晶
シリコン膜表面を熱酸化する前に、第２の多結晶シリコ
ン膜を形成する。これにより、第１の多結晶シリコン膜
上に形成されるシリコン酸化膜の膜質が、第１の多結晶
シリコン膜に不純物添加する時の拡散条件及びその再現
性、均−性等に影響されること無く、均一で再現性の良
い膜質とすることが可能となる。その結果、素子間絶縁
特性が大幅に改善され、又、素子製造工程の自由度も大
幅に向上するという効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）１ま本発明の一実施例を説明する
ために工程ｊ１に示した半導体素子の縦断面図である。 ］ １ ＝−−°シリコン基板、 ｌ ２ ゛−°−
シリコン酸化膜、１３・・・・・・第１の多結晶シリコ
ン膜、１４・・・・・第２の多結晶シリコン膜、１５・
・・・・・シリコン酸化膜、ｌ ６−−−−＝第３の多
結晶シリコン膜。 ＄ＩＴｆＡ
ために工程ｊ１に示した半導体素子の縦断面図である。 ］ １ ＝−−°シリコン基板、 ｌ ２ ゛−°−
シリコン酸化膜、１３・・・・・・第１の多結晶シリコ
ン膜、１４・・・・・第２の多結晶シリコン膜、１５・
・・・・・シリコン酸化膜、ｌ ６−−−−＝第３の多
結晶シリコン膜。 ＄ＩＴｆＡ
Claims (1)
- 半導体基板上にシリコン酸化膜を形成し該シリコン酸化
膜上に第１の多結晶シリコン膜を形成する工程と、該第
１の多結晶シリコン膜に不純物を添加する工程と、該不
純物の添加された第１の多結晶シリコン膜上に第２の多
結晶シリコン膜を形成する工程と、前記第１及び第２の
多結晶シリコン膜をフォトプロセス法を用いて所望の形
状に加工する工程と、熱酸化しシリコン酸化膜を形成す
る工程と、該シリコン酸化膜上に第３の多結晶シリコン
膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25886485A JPS62118545A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25886485A JPS62118545A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62118545A true JPS62118545A (ja) | 1987-05-29 |
Family
ID=17326092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25886485A Pending JPS62118545A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62118545A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8978580B2 (en) | 2009-05-11 | 2015-03-17 | Abb K.K. | Electrostatic coating apparatus |
-
1985
- 1985-11-18 JP JP25886485A patent/JPS62118545A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8978580B2 (en) | 2009-05-11 | 2015-03-17 | Abb K.K. | Electrostatic coating apparatus |
| US9687865B2 (en) | 2009-05-11 | 2017-06-27 | Abb K.K. | Electrostatic coating apparatus |
| US9770727B2 (en) | 2009-05-11 | 2017-09-26 | Abb K.K. | Electrostatic coating apparatus |
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