JPS62118530A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPS62118530A JPS62118530A JP25885985A JP25885985A JPS62118530A JP S62118530 A JPS62118530 A JP S62118530A JP 25885985 A JP25885985 A JP 25885985A JP 25885985 A JP25885985 A JP 25885985A JP S62118530 A JPS62118530 A JP S62118530A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- protective film
- protective
- integrated circuit
- protective films
- Prior art date
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は半導体集積回路に関し、特に樹脂封止型の半導
体集積回路に関する。
体集積回路に関する。
（従来の技術〕
従来、樹脂封止型の半導体集積回路は、素子領域と言わ
れる電気的に活性な領域では、素子の基本的な特性値が
外界の条件により変動するのを鼓車に留めなければなら
ない必要上、第３図に示すように、素子領域及び配線領
域の上部に保護膜３０７と言われる絶縁性の被膜が形成
される事がある。
れる電気的に活性な領域では、素子の基本的な特性値が
外界の条件により変動するのを鼓車に留めなければなら
ない必要上、第３図に示すように、素子領域及び配線領
域の上部に保護膜３０７と言われる絶縁性の被膜が形成
される事がある。
保護膜３０７は外界からの機械的破壊や水分の流入、ご
み等の異物からの保護、さらに、不純物イオンからの素
子の保護などを目的としていた。
み等の異物からの保護、さらに、不純物イオンからの素
子の保護などを目的としていた。
そして、保護膜３０７を覆って樹脂膜３０９が半導体集
積回路の保護を目的として形成されていた。
積回路の保護を目的として形成されていた。
上述した従来の半導体集積回路は、保護膜と樹脂膜とは
互いに接しているが、これらの２種の膜は物性上で非常
に異なっている。
互いに接しているが、これらの２種の膜は物性上で非常
に異なっている。
例えば、保護膜としてシリコン酸化物、樹脂膜としてエ
ポキシ樹脂を用いた場合、両者の熱Ｗ３張係数はそれぞ
れ４Ｘ１０−’、７〜８×１０−５になる。
ポキシ樹脂を用いた場合、両者の熱Ｗ３張係数はそれぞ
れ４Ｘ１０−’、７〜８×１０−５になる。
従って、装置か温度変化の大きい環境で使用された場合
、互いに接している保護膜と樹脂膜との熱膨張係数が２
桁も違うため大きな熱応力が生じる事になる。例えば、
周囲の温度変化が３０℃程度でもシリコン酸化物の保護
膜とエポキシ樹脂の樹脂膜との間には１０００ｋｇ／ｃ
ｍ２程度の熱応力が生じる事がある。
、互いに接している保護膜と樹脂膜との熱膨張係数が２
桁も違うため大きな熱応力が生じる事になる。例えば、
周囲の温度変化が３０℃程度でもシリコン酸化物の保護
膜とエポキシ樹脂の樹脂膜との間には１０００ｋｇ／ｃ
ｍ２程度の熱応力が生じる事がある。
その結果、保護膜に割れ（クラック）が発生したり、程
度のひどいものではグー１〜電極や配線電極の破壊が生
じたり、拡散領域からの漏電流の増大などを生じ装置の
動作不良の原因になるという問題点がある。
度のひどいものではグー１〜電極や配線電極の破壊が生
じたり、拡散領域からの漏電流の増大などを生じ装置の
動作不良の原因になるという問題点がある。
本発明の目的は、保護膜と樹脂膜との接合面に大きな熱
応力が発生しない半導体集積回路を提供することにある
。
応力が発生しない半導体集積回路を提供することにある
。
本発明の半導体集積回路は、半導体入（板と、該半導体
基板に設けられた素子領域及び配線領域を覆って前記半
導体１．（板の全面に形成される絶縁性の第１の保護膜
と、前記半導体基板の周辺部において前記第１の保護膜
の１一部に形成される絶縁性の第２の保護膜と、前記第
１及び第２の保護膜び）上部に形成される（Ｍ脂膜とを
含んで構成される。
基板に設けられた素子領域及び配線領域を覆って前記半
導体１．（板の全面に形成される絶縁性の第１の保護膜
と、前記半導体基板の周辺部において前記第１の保護膜
の１一部に形成される絶縁性の第２の保護膜と、前記第
１及び第２の保護膜び）上部に形成される（Ｍ脂膜とを
含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
第１図に示すように、半導体集積回路は半導体基板ｌ
０１ Ｊ−に形成されたフィールド酸化膜１０２上に設
けたケー１−１ （’） ３を含むトランジスタ及び下
層の配線電極１ ｏ−ｉを覆って層間膜１０５が形成さ
れる。層間膜１０５＋には上層の配線電極１０６が設け
られ、層間膜１Ｃ）５及び配線電極１０６を覆って半導
体チップ全面に第１の保護膜１０７が形成される。さら
に、周辺部１２１の保護膜１０７」−に第２の保護膜１
０８か形成され、保護１１り１０７及び１０８上に樹脂
膜１０９が形成されている。
０１ Ｊ−に形成されたフィールド酸化膜１０２上に設
けたケー１−１ （’） ３を含むトランジスタ及び下
層の配線電極１ ｏ−ｉを覆って層間膜１０５が形成さ
れる。層間膜１０５＋には上層の配線電極１０６が設け
られ、層間膜１Ｃ）５及び配線電極１０６を覆って半導
体チップ全面に第１の保護膜１０７が形成される。さら
に、周辺部１２１の保護膜１０７」−に第２の保護膜１
０８か形成され、保護１１り１０７及び１０８上に樹脂
膜１０９が形成されている。
第２図（ａ）〜（ｄ）は第１図の実施例の製造工程を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
第２図（ａ）に示すように、半導体基板１０１上にフィ
ールド酸化膜１０２を熱酸化法により形成し、フィール
ド酸化膜１０２上に層間膜１０５（例えば、リンガラス
）を化学気相成長法（以下、ＣＶＤ法と称す）により形
成し、眉間膜１０５上に配線電極１０６を形成し、配線
電極１０６を覆って眉間膜１０５上に第１の保護膜１０
７（例えば、リンガラス）をＣＶ’Ｄ法により形成し、
第１の保護膜１０７上に第２の保護膜１０８（例えば、
鉛ガラス）をＣＶＤ法により形成する。
ールド酸化膜１０２を熱酸化法により形成し、フィール
ド酸化膜１０２上に層間膜１０５（例えば、リンガラス
）を化学気相成長法（以下、ＣＶＤ法と称す）により形
成し、眉間膜１０５上に配線電極１０６を形成し、配線
電極１０６を覆って眉間膜１０５上に第１の保護膜１０
７（例えば、リンガラス）をＣＶ’Ｄ法により形成し、
第１の保護膜１０７上に第２の保護膜１０８（例えば、
鉛ガラス）をＣＶＤ法により形成する。
続いて、第２図（ｂ）に示すように、４００〜５００℃
の熱処理を行い第２の保護膜１０８のリフローを行う。
の熱処理を行い第２の保護膜１０８のリフローを行う。
次に、第２図（ｃ）に示すように、フォトレジスト２１
１で半導体チップ周辺部に対応する保護膜１０８の上部
を覆い、フォトリソグラフィ技術−５＝ によってフォ１〜レジスｌ−２１１で覆われていない保
護膜１０８を選択的に除去する。
１で半導体チップ周辺部に対応する保護膜１０８の上部
を覆い、フォトリソグラフィ技術−５＝ によってフォ１〜レジスｌ−２１１で覆われていない保
護膜１０８を選択的に除去する。
続いて、フォトレジス１〜２１１を除去した後、第２図
（ｄ）に示すように、半導体チップ全面にエポキシ樹脂
の樹脂膜１０９を形成する。
（ｄ）に示すように、半導体チップ全面にエポキシ樹脂
の樹脂膜１０９を形成する。
以上説明したように本発明の半導体集積回路は、半導体
チップの周辺領域にリフローを行った第２の保護膜を形
成することにより、熱応力による不良発生の生じ易い半
導体チップの周辺部において保護膜と樹脂膜との接合面
を平坦化できるので、第１の保護膜と樹脂膜との間に発
生する熱応力を低減できるという効果がある。
チップの周辺領域にリフローを行った第２の保護膜を形
成することにより、熱応力による不良発生の生じ易い半
導体チップの周辺部において保護膜と樹脂膜との接合面
を平坦化できるので、第１の保護膜と樹脂膜との間に発
生する熱応力を低減できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図（ａ）乃至
（ｄ＞は第１図の実施例の製造工程を説明するための断
面図、第３図は従来の半導体集積回路の一例の断面図で
ある。 １０１・・・半導体基板、１０２・・・フィールド酸化
膜、１０３・・ゲー１〜．１０４・・・配線電極、１０
５・・・層間膜、１０６・・・配線電極、１０７・・・
第１の保護膜、１０８・・第２の保護膜、１０９・・・
樹脂膜、１１、０・・拡散層。
（ｄ＞は第１図の実施例の製造工程を説明するための断
面図、第３図は従来の半導体集積回路の一例の断面図で
ある。 １０１・・・半導体基板、１０２・・・フィールド酸化
膜、１０３・・ゲー１〜．１０４・・・配線電極、１０
５・・・層間膜、１０６・・・配線電極、１０７・・・
第１の保護膜、１０８・・第２の保護膜、１０９・・・
樹脂膜、１１、０・・拡散層。
Claims (2)
- （１）半導体基板と、該半導体基板に設けられた素子領
域及び配線領域を覆って前記半導体基板の全面に形成さ
れる絶縁性の第１の保護膜と、前記半導体基板の周辺部
において前記第１の保護膜の上部に形成される絶縁性の
第２の保護膜と、前記第１及び第２の保護膜の上部に形
成される樹脂膜とを含むことを特徴とする半導体集積回
路。 - （２）第１の保護膜はリンガラスであり第２の保護膜は
鉛ガラスである特許請求の範囲第（１）項記載の半導体
集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25885985A JPS62118530A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25885985A JPS62118530A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62118530A true JPS62118530A (ja) | 1987-05-29 |
Family
ID=17326024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25885985A Pending JPS62118530A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62118530A (ja) |
-
1985
- 1985-11-18 JP JP25885985A patent/JPS62118530A/ja active Pending
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