JPH02275656A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH02275656A JPH02275656A JP9792089A JP9792089A JPH02275656A JP H02275656 A JPH02275656 A JP H02275656A JP 9792089 A JP9792089 A JP 9792089A JP 9792089 A JP9792089 A JP 9792089A JP H02275656 A JPH02275656 A JP H02275656A
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Links
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- 239000011347 resin Substances 0.000 title abstract description 8
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置に関する。
樹脂封止型半導体装置は、ＩＣチップの周囲をモールド
樹脂で封止している構造のために、温度や湿度などの影
響により、ＩＣチップの表面、特に隅部や周辺部は集中
してモールド樹脂からのストレスを受ける。特にチップ
周辺に形成される反転層防止の為の導体膜からなるガー
ドリング、あるいは電源ラインなどでは、最上部のカバ
ー膜と、その直下のガードリングとが広範囲に平坦に重
なっている為に、モールド樹脂からのストレスがカバー
膜に加っな際に、下層のガードリングにはストレスがあ
まり伝達されず、カバー膜がストレスに耐えられなくな
り、クラックを発生して耐湿不良などＩＣの欠陥を引起
こすという問題がある。
樹脂で封止している構造のために、温度や湿度などの影
響により、ＩＣチップの表面、特に隅部や周辺部は集中
してモールド樹脂からのストレスを受ける。特にチップ
周辺に形成される反転層防止の為の導体膜からなるガー
ドリング、あるいは電源ラインなどでは、最上部のカバ
ー膜と、その直下のガードリングとが広範囲に平坦に重
なっている為に、モールド樹脂からのストレスがカバー
膜に加っな際に、下層のガードリングにはストレスがあ
まり伝達されず、カバー膜がストレスに耐えられなくな
り、クラックを発生して耐湿不良などＩＣの欠陥を引起
こすという問題がある。
この対策として第３図（ａ）、（ｂ）に示すように、ガ
ードリング７の一部にスリット１１を設け、カバー膜９
に段差を形成し、この上に被覆されるモールド樹脂から
のカバー膜９に加わるストレスをこのガードリング７と
スリット１１で分散させ、カバー膜９に発生するクラッ
クを抑制する試みがなされている。（例えば特開昭６２
−２０２５２５公報）。
ードリング７の一部にスリット１１を設け、カバー膜９
に段差を形成し、この上に被覆されるモールド樹脂から
のカバー膜９に加わるストレスをこのガードリング７と
スリット１１で分散させ、カバー膜９に発生するクラッ
クを抑制する試みがなされている。（例えば特開昭６２
−２０２５２５公報）。
上述した従来の樹脂封止型半導体装置はガードリンク７
にスリット１１を形成するために、ガードリング７を電
源配線と共用させる場合などにおいては、スリット１１
の部分において抵抗値が増加し、ＩＣの電気的特性が悪
化するという欠点を有している。
にスリット１１を形成するために、ガードリング７を電
源配線と共用させる場合などにおいては、スリット１１
の部分において抵抗値が増加し、ＩＣの電気的特性が悪
化するという欠点を有している。
本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体基板の周辺部
に絶縁膜を介して形成された導体膜よりなるガードリン
グと該ガードリング上に形成されたカバー膜とを有する
樹脂封止型半導体装置において、前記絶縁膜には前記ガ
ードリングとカバー膜とに段差を形成するための開口部
が設けられているものである。
に絶縁膜を介して形成された導体膜よりなるガードリン
グと該ガードリング上に形成されたカバー膜とを有する
樹脂封止型半導体装置において、前記絶縁膜には前記ガ
ードリングとカバー膜とに段差を形成するための開口部
が設けられているものである。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面図
及びＡ−Ａ’線断面図であり、特に平面図では絶縁膜を
除いた場合を示している。
及びＡ−Ａ’線断面図であり、特に平面図では絶縁膜を
除いた場合を示している。
第１図（ａ）、（ｂ）において、半導体基板１の一生面
に、不純物拡散などにより回路素子２と、酸化などによ
り基板絶縁領域３が形成されている。次に半導体基板と
配線領域とを隔離する絶縁膜４が形成され、ここに電極
のコンタクト孔５が開けられて電極配線６が形成されて
いる。更に半導体基板１の周辺部にはＡρ等の導体膜よ
りなるガードリンク７が形成されているが、このガード
リング７は絶縁膜４に設けられた開口部８により、基板
絶縁領域３に接続した構造となっている。更にこのガー
ドリング７を含む全面にはカバー膜９が形成されている
。通常ガードリング７と電極配線６は同一材質、同一工
程で形成されるので、開口部８も電極のコンタクト孔５
と同一工程で形成されるため、製造工程が増すことはな
い。
に、不純物拡散などにより回路素子２と、酸化などによ
り基板絶縁領域３が形成されている。次に半導体基板と
配線領域とを隔離する絶縁膜４が形成され、ここに電極
のコンタクト孔５が開けられて電極配線６が形成されて
いる。更に半導体基板１の周辺部にはＡρ等の導体膜よ
りなるガードリンク７が形成されているが、このガード
リング７は絶縁膜４に設けられた開口部８により、基板
絶縁領域３に接続した構造となっている。更にこのガー
ドリング７を含む全面にはカバー膜９が形成されている
。通常ガードリング７と電極配線６は同一材質、同一工
程で形成されるので、開口部８も電極のコンタクト孔５
と同一工程で形成されるため、製造工程が増すことはな
い。
このように構成された第１の実施例によれば、基板絶縁
領域３に形成された開口部８により、ガードリング７及
びカバー膜９に段差を生じる。従って、段切れを生じな
い様に絶縁膜４とガードリング７の膜厚を決める事で開
口部８の形成によりガードリング７の配線抵抗値の増加
を防ぐことができる。更に開口部８によりガードリング
７とカバー膜９に生じた段差により、モールド樹脂など
から半導体基板の周辺部に加わるストレスの集中を多方
向に分散させる事が出来るので、ガードリング７やカバ
ー膜９に発生するクラックを防止出来る。
領域３に形成された開口部８により、ガードリング７及
びカバー膜９に段差を生じる。従って、段切れを生じな
い様に絶縁膜４とガードリング７の膜厚を決める事で開
口部８の形成によりガードリング７の配線抵抗値の増加
を防ぐことができる。更に開口部８によりガードリング
７とカバー膜９に生じた段差により、モールド樹脂など
から半導体基板の周辺部に加わるストレスの集中を多方
向に分散させる事が出来るので、ガードリング７やカバ
ー膜９に発生するクラックを防止出来る。
なお、開口部８の形状は長方形や正方形等任意に選ぶこ
とが出来、またガードリンク７の形状についても何ら限
定条件を必要としない。
とが出来、またガードリンク７の形状についても何ら限
定条件を必要としない。
第２図＜ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例の平面図
及びＢ−Ｂ’線断面図であり、平面図では絶縁膜を除い
た場合を示している。
及びＢ−Ｂ’線断面図であり、平面図では絶縁膜を除い
た場合を示している。
第１図に示した第１の実施例では、ガードリング下の基
板構造は基板絶縁領域３を設けてガードリング７を電気
的に絶縁させていたが、本第２の実施例では、ガードリ
ング下の半導体基板１に不純物拡散等により導電性を高
めた基板ガードリング１０を形成し、開口部８を通して
ガードリンク７と基板ガードリング１０とを電気的に導
通させている。半導体基板１の電位とガードリング７の
電位との関係により、基板ガードリンク］０の材質が決
まる。もし、ガードリング７と半導体基板１とが同電位
となる仕様で、両者がオーミックコンタクト可能な材質
の組合せであれば、基板ガードリング１０の形成は不要
で、半導体基板１そのもとが基板ガートリングとなる。
板構造は基板絶縁領域３を設けてガードリング７を電気
的に絶縁させていたが、本第２の実施例では、ガードリ
ング下の半導体基板１に不純物拡散等により導電性を高
めた基板ガードリング１０を形成し、開口部８を通して
ガードリンク７と基板ガードリング１０とを電気的に導
通させている。半導体基板１の電位とガードリング７の
電位との関係により、基板ガードリンク］０の材質が決
まる。もし、ガードリング７と半導体基板１とが同電位
となる仕様で、両者がオーミックコンタクト可能な材質
の組合せであれば、基板ガードリング１０の形成は不要
で、半導体基板１そのもとが基板ガートリングとなる。
本第２の実施例でも開口部８により、ガードリング７と
カバー膜９に段差が形成され、カバー膜のクラック発生
等の欠陥を防止する効果は変わらないが、絶縁膜４に形
成した開口部８によ′って、ガードリンク７と基板ガー
トリング１０とが導通するため、ガードリングの配線抵
抗を従来より低く出来るという効果がある。
カバー膜９に段差が形成され、カバー膜のクラック発生
等の欠陥を防止する効果は変わらないが、絶縁膜４に形
成した開口部８によ′って、ガードリンク７と基板ガー
トリング１０とが導通するため、ガードリングの配線抵
抗を従来より低く出来るという効果がある。
以上説明したように本発明は、絶縁膜に開口部を形成し
この絶縁膜上に形成されるガードリングとカバー膜とに
段差を形成することにより、ガードリングの抵抗値を高
めることなくモールド樹脂からのストレスを分散できる
なめ、カバー膜に発生するクラックを少くすることがで
きる。このため樹脂封止型半導体装置の耐湿性を向上さ
せることかできる。
この絶縁膜上に形成されるガードリングとカバー膜とに
段差を形成することにより、ガードリングの抵抗値を高
めることなくモールド樹脂からのストレスを分散できる
なめ、カバー膜に発生するクラックを少くすることがで
きる。このため樹脂封止型半導体装置の耐湿性を向上さ
せることかできる。
第１図＜ａ）、（ｂ）及び第２図（ａ）、 （ｂ）は
本発明の第１及び第２の実施例の平面図及び断面図、第
３図（ａ＞、（ｂ）は従来例の平面図及び断面図である
。 １・・・半導体基板、２・・・回路素子、３・・・基板
絶縁領域、４・・・絶縁膜、５・・・コンタクト孔、６
・・・電極配線、７・・・ガードリング、８・・・開口
部、９・・・カバー膜、１０・・・基板ガードリング。
本発明の第１及び第２の実施例の平面図及び断面図、第
３図（ａ＞、（ｂ）は従来例の平面図及び断面図である
。 １・・・半導体基板、２・・・回路素子、３・・・基板
絶縁領域、４・・・絶縁膜、５・・・コンタクト孔、６
・・・電極配線、７・・・ガードリング、８・・・開口
部、９・・・カバー膜、１０・・・基板ガードリング。
Claims (1)
- 半導体基板の周辺部に絶縁膜を介して形成された導体膜
よりなるガードリングと該ガードリング上に形成された
カバー膜とを有する樹脂封止型半導体装置において、前
記絶縁膜には前記ガードリングとカバー膜とに段差を形
成するための開口部が設けられていることを特徴とする
樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9792089A JPH02275656A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9792089A JPH02275656A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02275656A true JPH02275656A (ja) | 1990-11-09 |
Family
ID=14205132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9792089A Pending JPH02275656A (ja) | 1989-04-17 | 1989-04-17 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02275656A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9741634B2 (en) | 2014-10-03 | 2017-08-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
-
1989
- 1989-04-17 JP JP9792089A patent/JPH02275656A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9741634B2 (en) | 2014-10-03 | 2017-08-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| US10147661B2 (en) | 2014-10-03 | 2018-12-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| US10242928B2 (en) | 2014-10-03 | 2019-03-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
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