JPS62114238A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPS62114238A JPS62114238A JP60255254A JP25525485A JPS62114238A JP S62114238 A JPS62114238 A JP S62114238A JP 60255254 A JP60255254 A JP 60255254A JP 25525485 A JP25525485 A JP 25525485A JP S62114238 A JPS62114238 A JP S62114238A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000003491 array Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/118—Masterslice integrated circuits
- H01L27/11801—Masterslice integrated circuits using bipolar technology
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はセルアレイ方式でなるセミカスタム半導体集積
回路に関し、特に容量素子の構造に関する。
回路に関し、特に容量素子の構造に関する。
従来、集積論理回路において、論理と関わりなく、遅延
時間を調節する手段として1例えば、注目する信号ライ
ンに単純にゲー)?挿入し、その段数を違えることで、
異なる遅延時間會得る方法や、容量素子を付加し、その
時定数により、遅延時間を所望の値に設定する方法等が
一般に使用される。
時間を調節する手段として1例えば、注目する信号ライ
ンに単純にゲー)?挿入し、その段数を違えることで、
異なる遅延時間會得る方法や、容量素子を付加し、その
時定数により、遅延時間を所望の値に設定する方法等が
一般に使用される。
近年セミカスタム方式の集積論理回路の要求が高まり、
それらの効率的な実現手段として、一般に、セルアレイ
方式でなる、例えば、ゲートアレイの如き半導体集積回
路が使用されている。
それらの効率的な実現手段として、一般に、セルアレイ
方式でなる、例えば、ゲートアレイの如き半導体集積回
路が使用されている。
しかるにゲートアレイ特に、ディジタル論理上実現する
ゲートアレイでは、単一の又は複数のセルで構成さn1
論理の構成のみを主目的とする基本論理ブロックが配線
されるだけである。従って。
ゲートアレイでは、単一の又は複数のセルで構成さn1
論理の構成のみを主目的とする基本論理ブロックが配線
されるだけである。従って。
論理ブロックの遅延時間の微妙なコントロールおよび、
複数信号間の遅延時間の相対的な関係を設定するために
は、必要な部分に人手によってセル内で使用されている
トランジスタや配線層等の寄生容量を利用する形で、個
々に容量素子を付加する方法がとられる。一般に、セル
アレイ方式のセミカスタム集積回路は、個々の回路に固
有な部分は、配線工程だけで、トランジスタ、抵抗等の
素子の配列および配線チャンネルは共通である。このた
め前記の目的で使用さf、る容量素子はそれぞnの回路
での不使用のトランジスタや、配線長を利用して実現さ
れる。
複数信号間の遅延時間の相対的な関係を設定するために
は、必要な部分に人手によってセル内で使用されている
トランジスタや配線層等の寄生容量を利用する形で、個
々に容量素子を付加する方法がとられる。一般に、セル
アレイ方式のセミカスタム集積回路は、個々の回路に固
有な部分は、配線工程だけで、トランジスタ、抵抗等の
素子の配列および配線チャンネルは共通である。このた
め前記の目的で使用さf、る容量素子はそれぞnの回路
での不使用のトランジスタや、配線長を利用して実現さ
れる。
第3図は従来の配線長を利用した容量体の構成方法金示
す。セル列4.6の間に配線領域5が設けられておシ、
図の斜線部分1,2.3が意図的に容量素子として使用
された配線部でめシ、端子Ta Tbに適量の遅延時間
を付加することを目的としたものである。本図から明ら
かな如く、こnらの容量体として使用さn几配線領域の
部分は、他の論理ブロックの接続線を通すことは不可能
である。また、これらの容量体は、回路仕様毎に固有の
値を有するため、異なる回路仕様に共通に用いることは
できない。
す。セル列4.6の間に配線領域5が設けられておシ、
図の斜線部分1,2.3が意図的に容量素子として使用
された配線部でめシ、端子Ta Tbに適量の遅延時間
を付加することを目的としたものである。本図から明ら
かな如く、こnらの容量体として使用さn几配線領域の
部分は、他の論理ブロックの接続線を通すことは不可能
である。また、これらの容量体は、回路仕様毎に固有の
値を有するため、異なる回路仕様に共通に用いることは
できない。
以上述べ几様に、従来は1例えば配線長の差を利用して
異なる容量値を得ようとするような場合、ソフトウェア
による自動配線の配線領域が減少し。
異なる容量値を得ようとするような場合、ソフトウェア
による自動配線の配線領域が減少し。
場合にLっては、その配縁性が極夏に低下することかめ
る。ま友、このような方法では、回路特性に関する要求
仕様が異なる度に新たに容量値の設定、および部分的な
配線の人手設計が余儀なくさn、設計工数の増大、設計
期間の増大といった大きな問題を惹起する欠点がめる。
る。ま友、このような方法では、回路特性に関する要求
仕様が異なる度に新たに容量値の設定、および部分的な
配線の人手設計が余儀なくさn、設計工数の増大、設計
期間の増大といった大きな問題を惹起する欠点がめる。
本発明の目的は、従来方式のかかる問題点全解決すべく
、新しい容量素子の構成手段を提供するものである。
、新しい容量素子の構成手段を提供するものである。
本発明の半導体集積回路は、内部論理回路部がプレイ状
に配列され、各々が同一の構造を有する基本セルと、該
基本セル内の配線および、該基本セル間の配線とで構成
される半導体集積回路において、一つ又は、相接して配
列された複数の基本セル上に配線層でなる一種類又は二
種類以上の容量体を設けたことを特徴とする。
に配列され、各々が同一の構造を有する基本セルと、該
基本セル内の配線および、該基本セル間の配線とで構成
される半導体集積回路において、一つ又は、相接して配
列された複数の基本セル上に配線層でなる一種類又は二
種類以上の容量体を設けたことを特徴とする。
本発明における特徴的な容量体はブロック化が可能でソ
フトウェアによる自動配線で使用される配縁頭載を侵す
ことがなく、かつ基本セルで構成さnる通常の論理ブロ
ックと同様に自動配縁ソフトウェアで処理可能でるる。
フトウェアによる自動配線で使用される配縁頭載を侵す
ことがなく、かつ基本セルで構成さnる通常の論理ブロ
ックと同様に自動配縁ソフトウェアで処理可能でるる。
従って予め必要な種類だけ、こnらの容量体を準備して
おくことによシ、後自動配線ソフトウェアによって個々
の回路設計に対応して、こ1らの容量体を任意に組み合
わせた構成をとることができ、結果として工数の削減、
TATowMAt−実現することができる。
おくことによシ、後自動配線ソフトウェアによって個々
の回路設計に対応して、こ1らの容量体を任意に組み合
わせた構成をとることができ、結果として工数の削減、
TATowMAt−実現することができる。
以下図面によシ、説細な説明を行う。
faz図は、値の異なる容量素子C,,C,,C。
を使用することによシa1から”1 e”l m”
4に至るパスに異なる遅延時間を期待する回路を示す0 本回路において、SELはセレクタを示し%S1゜S、
によって”1 m”* #”4の信号のいずれか一
つが選択されてblに出力される。
4に至るパスに異なる遅延時間を期待する回路を示す0 本回路において、SELはセレクタを示し%S1゜S、
によって”1 m”* #”4の信号のいずれか一
つが選択されてblに出力される。
ここで使用されるC1 s C1t ”*の実現に従
来方法と対処するとすれば第3図に示す方法で3本の長
さの異なる配線を付加することになるわけで、その近傍
の配線性が低下することは容易に推察できる。
来方法と対処するとすれば第3図に示す方法で3本の長
さの異なる配線を付加することになるわけで、その近傍
の配線性が低下することは容易に推察できる。
第1図は本発明の一実施例でlり、第2図の回路を構成
した例を示す。
した例を示す。
基本セルが並んでいるセル列7,8.9の間に配線領域
10.11が設けられている。図中の斜緘部で表わした
部分はセル上に配線HIt−利用して実現した容量体で
るff、1つのセル上に、Ca。
10.11が設けられている。図中の斜緘部で表わした
部分はセル上に配線HIt−利用して実現した容量体で
るff、1つのセル上に、Ca。
cbおよびCc、Cdのように二種類の異なる容量値t
−Wしている。このように、セル内の配線層管使用して
容量体を構成し、七nらの各々に論理ブロックと同様に
T1〜T、の如き端子を配することで、容量セル自身の
端子間、および他の論理ブロック間の接続を自動的に行
うことが可能となる。
−Wしている。このように、セル内の配線層管使用して
容量体を構成し、七nらの各々に論理ブロックと同様に
T1〜T、の如き端子を配することで、容量セル自身の
端子間、および他の論理ブロック間の接続を自動的に行
うことが可能となる。
本図のセル列7.8に記されたG1 、G、。
Gs 、G、、SELはいずれも第2図に同名で記さf
”L7’j論理回路がセル内素子によって実現さルてい
ること全意味する。
”L7’j論理回路がセル内素子によって実現さルてい
ること全意味する。
第2図における配線al 、a3 、a4は第1図
においてもaRya$ *”4で記さnているが、第
1図の如く論理回路金配することによって、a8゜a3
+34間の長さの差t″最小抑えることができる。
においてもaRya$ *”4で記さnているが、第
1図の如く論理回路金配することによって、a8゜a3
+34間の長さの差t″最小抑えることができる。
一般に自動配線では第1図のような配線を強制的に行な
えば、図中の配線に近い結果が得られることが多い。た
とえば、自動配線における配線結果が期待通シにならな
かったとしても、要求を満足しない部分についてのみ人
手による修正を施せばよいため、徒らに工数が増大する
ことを防ぐことするとCa+Cbの容量値は端子T、と
Ts t”接続することで得られるから Q、、G、、
G4の出力がSELに至る各々の接続経路全図の如くす
ることと併わせて、それぞnの信号ライン間に。
えば、図中の配線に近い結果が得られることが多い。た
とえば、自動配線における配線結果が期待通シにならな
かったとしても、要求を満足しない部分についてのみ人
手による修正を施せばよいため、徒らに工数が増大する
ことを防ぐことするとCa+Cbの容量値は端子T、と
Ts t”接続することで得られるから Q、、G、、
G4の出力がSELに至る各々の接続経路全図の如くす
ることと併わせて、それぞnの信号ライン間に。
Ct 、C2、CaO差に対応した遅延時間の差が得
らnることが理解さnよう。
らnることが理解さnよう。
以上述べたように、本発明は、ゲートアレイおスタンダ
ードセルの自動配線に使用さnる論理ブロックのハード
ウェアマクロブロックと同等のハードウェアブロックと
して、自動配豫の配線性を損うことなく1回路構成に容
量素子を導入すること金回能とし、遅延時間の調節口′
R1r等の実現に効果を発揮する。この遅g時間の調節
機能は高速半環体デバイスの自動テスターで、タイミン
グ測定に関する微調整回路等にしばしば用いられるIz
。
ードセルの自動配線に使用さnる論理ブロックのハード
ウェアマクロブロックと同等のハードウェアブロックと
して、自動配豫の配線性を損うことなく1回路構成に容
量素子を導入すること金回能とし、遅延時間の調節口′
R1r等の実現に効果を発揮する。この遅g時間の調節
機能は高速半環体デバイスの自動テスターで、タイミン
グ測定に関する微調整回路等にしばしば用いられるIz
。
今後更に各種機能のLSI化が進むことが予想さrL%
本発明の利用機会が増えるものと考えられる。
本発明の利用機会が増えるものと考えられる。
第1図は本発明の一実施例のレイアウト図%第2図にお
いて%7,8.9・・・・・・セル列%10.11・・
・・・・配線領域、Ca、Cb、Cc、Cd・・・・・
・容量素子、T1.〜T9・・・・・・容量セル端子。 第2図は異なる遅延時間を必要とする機能の等価回路図
。 第3図は従来の配線層を利用した容量素子のレイアウト
図、第3図において、1,2.3・・・・・・容量素子
、4,6・・・・・・セル列、5・・・・・・配線領域
。 $ 2 図 第 ノ 図
いて%7,8.9・・・・・・セル列%10.11・・
・・・・配線領域、Ca、Cb、Cc、Cd・・・・・
・容量素子、T1.〜T9・・・・・・容量セル端子。 第2図は異なる遅延時間を必要とする機能の等価回路図
。 第3図は従来の配線層を利用した容量素子のレイアウト
図、第3図において、1,2.3・・・・・・容量素子
、4,6・・・・・・セル列、5・・・・・・配線領域
。 $ 2 図 第 ノ 図
Claims (1)
- 内部論理回路部が、アレイ状に配列され、各々が同一の
構造を有する基本セルと、該基本セル内の配線および該
基本セル間の配線とで構成される半導体集積回路におい
て、一つ又は、相接して配列された複数の基本セル上に
、配線層からなる一種類又は二種類以上の容量体を有す
ることを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60255254A JPH061823B2 (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 半導体集積回路 |
US07/206,996 US4841352A (en) | 1985-11-13 | 1988-06-14 | Semi-custom integrated circuit provided with standardized capacitor cells |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60255254A JPH061823B2 (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62114238A true JPS62114238A (ja) | 1987-05-26 |
JPH061823B2 JPH061823B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=17276186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60255254A Expired - Lifetime JPH061823B2 (ja) | 1985-11-13 | 1985-11-13 | 半導体集積回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4841352A (ja) |
JP (1) | JPH061823B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5869852A (en) * | 1997-04-08 | 1999-02-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit having layout designed by cell base system |
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---|---|---|---|---|
JP2712079B2 (ja) * | 1988-02-15 | 1998-02-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
EP0387812A3 (en) * | 1989-03-14 | 1992-08-05 | Fujitsu Limited | Bipolar integrated circuit having a unit block structure |
US5650346A (en) * | 1994-08-29 | 1997-07-22 | United Microelectronics Corporation | Method of forming MOSFET devices with buried bitline capacitors |
US5554545A (en) * | 1994-09-01 | 1996-09-10 | United Microelectronics Corporation | Method of forming neuron mosfet with different interpolysilicon oxide thickness |
US5895945A (en) * | 1995-11-14 | 1999-04-20 | United Microelectronics Corporation | Single polysilicon neuron MOSFET |
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JPS59181643A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-16 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
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JPS6068662U (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-15 | 三洋電機株式会社 | 集積化コンデンサ |
JPH0622336A (ja) * | 1992-06-30 | 1994-01-28 | Canon Inc | 静止画像記録装置 |
JP3135992B2 (ja) * | 1992-07-14 | 2001-02-19 | マツダ株式会社 | 自動変速機の油圧制御装置 |
JPH0666446A (ja) * | 1992-08-19 | 1994-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パーソナルスペース用温度環境調整装置 |
-
1985
- 1985-11-13 JP JP60255254A patent/JPH061823B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-06-14 US US07/206,996 patent/US4841352A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH061823B2 (ja) | 1994-01-05 |
US4841352A (en) | 1989-06-20 |
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