JPS62108576A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS62108576A JPS62108576A JP24953985A JP24953985A JPS62108576A JP S62108576 A JPS62108576 A JP S62108576A JP 24953985 A JP24953985 A JP 24953985A JP 24953985 A JP24953985 A JP 24953985A JP S62108576 A JPS62108576 A JP S62108576A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- impurity
- semiconductor device
- silicon
- source
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置のトランジスタ接合の形成方法
に関するものである。
に関するものである。
第２図（ａｌは例えば従来の半導体装置を示す断面側面
図であり、図において、１はシリコン基板結晶、２はこ
のシリコン基板結晶１に形成されたチャネル領域、３は
分離酸化膜、４はゲート酸化膜、５は多結晶シリコンゲ
ートである。
図であり、図において、１はシリコン基板結晶、２はこ
のシリコン基板結晶１に形成されたチャネル領域、３は
分離酸化膜、４はゲート酸化膜、５は多結晶シリコンゲ
ートである。
次に従来の半導体装置の製造方法について説明する。
第、２図（ｂｌはシリコン基板結晶ｌ中にチャネル領域
を形成する過程を示しており、多結晶ポリシリコン５を
、レジスト７でバターニングした後の断面側面図である
。従来の製造方法では１．この工程でイオン注入６を行
ない、不純物をシリコン基板１中に添加することによっ
て、第２図＋８＞の様にチャネル領域２を形成していた
。
を形成する過程を示しており、多結晶ポリシリコン５を
、レジスト７でバターニングした後の断面側面図である
。従来の製造方法では１．この工程でイオン注入６を行
ない、不純物をシリコン基板１中に添加することによっ
て、第２図＋８＞の様にチャネル領域２を形成していた
。
従来の半導体装置の製造方法は以上のようなものであっ
たので、イオン注入のチャンネリング現象のためにソー
ス／ドレイン接合が深くなり過ぎてしまい、短チヤネル
効果が起こり易くなってしまうといった問題点があった
。更に半導体装置の集積化が進むにつれて、ゲート電極
幅が狭くなるため、ゲートエツジ部からの不純物拡散の
割合が増加し、パンチスルーを起こし易くなるといった
問題点も生ずる。
たので、イオン注入のチャンネリング現象のためにソー
ス／ドレイン接合が深くなり過ぎてしまい、短チヤネル
効果が起こり易くなってしまうといった問題点があった
。更に半導体装置の集積化が進むにつれて、ゲート電極
幅が狭くなるため、ゲートエツジ部からの不純物拡散の
割合が増加し、パンチスルーを起こし易くなるといった
問題点も生ずる。
この発明は上記のような問題点を解ン肖するためになさ
れたもので、短チヤネル効果や、＜ンチスル−を生じや
すいということのない半導体装置をｌ尋ることを目的と
する。
れたもので、短チヤネル効果や、＜ンチスル−を生じや
すいということのない半導体装置をｌ尋ることを目的と
する。
この発明に係る半導体装置の製造方法は、チャネル領域
の不純物添加を、その添加不純物を含んだ超高圧ガス雰
囲気中にシリコン基板結晶を設置することによって行な
うものである。
の不純物添加を、その添加不純物を含んだ超高圧ガス雰
囲気中にシリコン基板結晶を設置することによって行な
うものである。
この発明においては、チャネル領域の不純物添加をその
添加不純物を含んだ超高圧ガス雰囲気中にシリコン基板
結晶を設置することによって行なうから、高濃度の不純
物添加を、シリコン基板結晶表面層に浅く行なうことが
出来る。
添加不純物を含んだ超高圧ガス雰囲気中にシリコン基板
結晶を設置することによって行なうから、高濃度の不純
物添加を、シリコン基板結晶表面層に浅く行なうことが
出来る。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例により製造された半導
体装置を示し２図において、１はシリコン基板結晶、２
はこのシリコン基板結晶１中に浅く形成したチャネル領
域、３は分離酸化膜、４はゲート酸化絶縁膜、５は多結
晶シリコンゲートである。
体装置を示し２図において、１はシリコン基板結晶、２
はこのシリコン基板結晶１中に浅く形成したチャネル領
域、３は分離酸化膜、４はゲート酸化絶縁膜、５は多結
晶シリコンゲートである。
次にこの発明の半導体装置の製造方法を第１図（ｂ）〜
（ｄ）を参照して説明する。第１図（ｂ）は、ポリシリ
コンゲート電極５をレジスト７でバターニングした直後
の断面側面図である。従来の方法では、この工程後、不
純物イオンの注入を行っていたが、本発明では、第１図
（Ｃ）の様にゲート酸化膜４を取り除いた後、シリコン
基板結晶１に添加すべき不純物を含むガス９雰囲気中に
ウェハを設置し、該ガス９に超高圧を印加する方法を用
いている。するとこの不純物元素は、第１図（ｄ）の様
に、シリコン基板表面層に浅い接合で、かつ高濃度のチ
ャネル２を形成することになる０次にこの図中のレジス
ト７を除去してやると、第１図（８）の様な半導体装置
が製造される。
（ｄ）を参照して説明する。第１図（ｂ）は、ポリシリ
コンゲート電極５をレジスト７でバターニングした直後
の断面側面図である。従来の方法では、この工程後、不
純物イオンの注入を行っていたが、本発明では、第１図
（Ｃ）の様にゲート酸化膜４を取り除いた後、シリコン
基板結晶１に添加すべき不純物を含むガス９雰囲気中に
ウェハを設置し、該ガス９に超高圧を印加する方法を用
いている。するとこの不純物元素は、第１図（ｄ）の様
に、シリコン基板表面層に浅い接合で、かつ高濃度のチ
ャネル２を形成することになる０次にこの図中のレジス
ト７を除去してやると、第１図（８）の様な半導体装置
が製造される。
なお、上記実施例ではゲート電極にポリシリコンを用い
たが、これは金属であってもよい。また特にイオン注入
では下地シリコンの結晶性によってはイオン注入の方向
によって注入の深さが変化するという問題がある訳であ
るが、この方法を用いるとこのような問題は生じない。
たが、これは金属であってもよい。また特にイオン注入
では下地シリコンの結晶性によってはイオン注入の方向
によって注入の深さが変化するという問題がある訳であ
るが、この方法を用いるとこのような問題は生じない。
また、上記実施例では、本発明をトランジスタのソース
／ドレイン形成に適用したが、本発明はトレンチキャパ
シタ構造の半導体装置にも通用が可能であり、この場合
トレンチ側壁へのボロン注入に高圧ガス印加法を用いる
ことによって等方的な不純物添加が可能であり、上記実
施例と同様の効果が得られる。
／ドレイン形成に適用したが、本発明はトレンチキャパ
シタ構造の半導体装置にも通用が可能であり、この場合
トレンチ側壁へのボロン注入に高圧ガス印加法を用いる
ことによって等方的な不純物添加が可能であり、上記実
施例と同様の効果が得られる。
以上のように、この発明によれば、不純物添加に高圧ガ
ス印加法を用いることにより、ソース／ドレイン接合を
浅くし、かつチャネル領域の不純物濃度を増加させたの
で、短チヤネル効果やパンチスルーを防ぐことが出来、
装置の信頼性を向上できる。また、ゲート幅をより短か
くすることが可能で、より微細な高集積度装置にも適用
できる効果がある。
ス印加法を用いることにより、ソース／ドレイン接合を
浅くし、かつチャネル領域の不純物濃度を増加させたの
で、短チヤネル効果やパンチスルーを防ぐことが出来、
装置の信頼性を向上できる。また、ゲート幅をより短か
くすることが可能で、より微細な高集積度装置にも適用
できる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置およびそ
の製造工程を示す断面図、第２図は従来の半導体装置お
よびその製造工程を示す断面図である。 １はシリコン結晶基板、２はソース／ドレインチャネル
領域、３は分離酸化膜、４はゲート酸化膜、５はポリシ
リコンゲート、７はレジスト、９は添加不純物ガスであ
る。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
の製造工程を示す断面図、第２図は従来の半導体装置お
よびその製造工程を示す断面図である。 １はシリコン結晶基板、２はソース／ドレインチャネル
領域、３は分離酸化膜、４はゲート酸化膜、５はポリシ
リコンゲート、７はレジスト、９は添加不純物ガスであ
る。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）半導体装置のトランジスタ接合を形成するための
半導体装置の製造方法において、 トランジスタのソース／ドレイン領域に添加すべき不純
物を含んだ超高圧ガス雰囲気中にシリコン基板結晶を設
置することにより上記ソース／ドレイン接合を浅く形成
するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24953985A JPS62108576A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24953985A JPS62108576A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62108576A true JPS62108576A (ja) | 1987-05-19 |
Family
ID=17194489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24953985A Pending JPS62108576A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62108576A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0585653A (ja) * | 1990-03-20 | 1993-04-06 | Stork Screens Bv | ローラ製造方法及び該方法により得られるローラ |
| US5784950A (en) * | 1996-03-26 | 1998-07-28 | Kabushiki Kaisha Toyoda Jidoshokki Seisakusho | Single headed swash plate type compressor having a piston with an oil communication hole on a side of the piston remote from the cylinder bore and crank chamber |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5375758A (en) * | 1976-12-16 | 1978-07-05 | Nec Corp | Heat processing method of semiconductor device |
-
1985
- 1985-11-06 JP JP24953985A patent/JPS62108576A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5375758A (en) * | 1976-12-16 | 1978-07-05 | Nec Corp | Heat processing method of semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0585653A (ja) * | 1990-03-20 | 1993-04-06 | Stork Screens Bv | ローラ製造方法及び該方法により得られるローラ |
| US5784950A (en) * | 1996-03-26 | 1998-07-28 | Kabushiki Kaisha Toyoda Jidoshokki Seisakusho | Single headed swash plate type compressor having a piston with an oil communication hole on a side of the piston remote from the cylinder bore and crank chamber |
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