JPH02159035A - 集積回路装置 - Google Patents
集積回路装置Info
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- JPH02159035A JPH02159035A JP31411788A JP31411788A JPH02159035A JP H02159035 A JPH02159035 A JP H02159035A JP 31411788 A JP31411788 A JP 31411788A JP 31411788 A JP31411788 A JP 31411788A JP H02159035 A JPH02159035 A JP H02159035A
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- oxide film
- silicon layer
- silicon substrate
- gettering
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Links
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Landscapes
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＭＯ８型集積回路のゲッタリング方法に関し、
特にＭＯ８型集積回路製造時に使用されるレジストに含
まれる金属イオンなゲッタリングする為の方法に関する
。
特にＭＯ８型集積回路製造時に使用されるレジストに含
まれる金属イオンなゲッタリングする為の方法に関する
。
従来、ＭＯ８型集積回路に於ける、ＭＯ３型集積回路製
造時に使用されるレジストに含まれる金属イオンなゲッ
タリングする為の技術としては、シリコン基板内部にゲ
ッタリング効果をもたせたイントリイシックゲッタリン
グ技術、シリコン基板裏面にゲッタリング効果をもたせ
たエクストリンシックゲッタリング技術がある。
造時に使用されるレジストに含まれる金属イオンなゲッ
タリングする為の技術としては、シリコン基板内部にゲ
ッタリング効果をもたせたイントリイシックゲッタリン
グ技術、シリコン基板裏面にゲッタリング効果をもたせ
たエクストリンシックゲッタリング技術がある。
レジストに含まれる金属イオンは、ＭＯ３型集積回路の
ＰＮ接合部に存在する場合にはＰＮ接合部のリーク電流
が増加したり、抵抗として用いられる不純物拡散層に存
在する場合には、抵抗値が変動する等ＭＯ３型集積回路
に非常に有害である。
ＰＮ接合部に存在する場合にはＰＮ接合部のリーク電流
が増加したり、抵抗として用いられる不純物拡散層に存
在する場合には、抵抗値が変動する等ＭＯ３型集積回路
に非常に有害である。
この為、従来、レジストに含まれる金属イオンをゲッタ
リングする為に、ゲッタリングサイトをシリコン基板内
部に有するイントリンシ、り技術、ゲッタリングサイト
をシリコン基板裏面に有するエクストリンシック技術が
用いられてきた。
リングする為に、ゲッタリングサイトをシリコン基板内
部に有するイントリンシ、り技術、ゲッタリングサイト
をシリコン基板裏面に有するエクストリンシック技術が
用いられてきた。
しかしながら、これまで行なわれてきたゲッタリング技
術では、ゲッタリングサイトがシリコン基板内部や裏面
にあり、レジストが塗布されるシリコン基板表面から離
れている為、ゲッタリングサイトに到達しない金属イオ
ンが不純物拡散層やＰＮ接合部に残り、上述した様に抵
抗値の変動やＰＮ接合部のリーク電流の増加を生ずると
いう欠点がある。
術では、ゲッタリングサイトがシリコン基板内部や裏面
にあり、レジストが塗布されるシリコン基板表面から離
れている為、ゲッタリングサイトに到達しない金属イオ
ンが不純物拡散層やＰＮ接合部に残り、上述した様に抵
抗値の変動やＰＮ接合部のリーク電流の増加を生ずると
いう欠点がある。
上述した従来のレジストに含まれる金属イオンのゲッタ
リング技術に対し、本発明は、シリコン基板の酸化膜表
面にゲッタリングサイトとなる多結晶シリコン層を有す
るという相違点を有する。
リング技術に対し、本発明は、シリコン基板の酸化膜表
面にゲッタリングサイトとなる多結晶シリコン層を有す
るという相違点を有する。
この為、レジストが塗布される酸化膜上にゲッタリング
サイトを有することにより、レジストに含まれる金属イ
オンが基板内部に入り込む前に、金属イオンをゲッタリ
ングすることが可能となる。
サイトを有することにより、レジストに含まれる金属イ
オンが基板内部に入り込む前に、金属イオンをゲッタリ
ングすることが可能となる。
又、ゲッタリングサイトとなる多結晶シリコン層にリン
或はヒ素をドーピングする事によりゲッタリング能力を
更に向上させることが出来る。
或はヒ素をドーピングする事によりゲッタリング能力を
更に向上させることが出来る。
本発明のレジストに含まれる金属イオンをゲッタリング
する方法では、多結晶シリコン層をシリコン基板上の素
子分離領域であるフィールド酸化膜上或は、ＭＯＳ）ラ
ンジスタが形成されないゲート酸化膜上に有している。
する方法では、多結晶シリコン層をシリコン基板上の素
子分離領域であるフィールド酸化膜上或は、ＭＯＳ）ラ
ンジスタが形成されないゲート酸化膜上に有している。
次に、本発明について図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す。集積回路の素子分離
領域であるフィールド酸化膜■の上にゲッタリング効果
をもたせた高濃度のリンを含む多結晶シリコン層３を形
成するプロセスを描いた断面図である。まず、第１図（
ａ）に示す様に、通常行なわれている選択酸化法により
活性領域を分離する為の数百ｎｍ以上のフィールド酸化
膜１をシリコン基板２に形成する。
領域であるフィールド酸化膜■の上にゲッタリング効果
をもたせた高濃度のリンを含む多結晶シリコン層３を形
成するプロセスを描いた断面図である。まず、第１図（
ａ）に示す様に、通常行なわれている選択酸化法により
活性領域を分離する為の数百ｎｍ以上のフィールド酸化
膜１をシリコン基板２に形成する。
その後、第１図（ｂ）に示す様にシリコン基板１の表面
に４００〜５００ｎｍ程度の多結晶シリコン層３を堆積
させた後、高濃度のリン４を拡散する。この時の層抵抗
は２０Ω／口以下になる様にする。
に４００〜５００ｎｍ程度の多結晶シリコン層３を堆積
させた後、高濃度のリン４を拡散する。この時の層抵抗
は２０Ω／口以下になる様にする。
その後、第１図（ｃ）に示す様に所定の多結晶シリコン
層３を残す為にレジスト５をパターンニングし、ドライ
エッチ技術により不用な多結晶シリコン層３を除去した
後、レジスト５を除去すればゲッタリングサイト６が形
成される（第１図（ｄ））。
層３を残す為にレジスト５をパターンニングし、ドライ
エッチ技術により不用な多結晶シリコン層３を除去した
後、レジスト５を除去すればゲッタリングサイト６が形
成される（第１図（ｄ））。
以上述べたプロセスは、多結晶シリコン層をゲート電極
とする集積回路で通常用いられている為、ゲッタリング
サイトを形成する為の特別なプロセスの導入は必要ない
。
とする集積回路で通常用いられている為、ゲッタリング
サイトを形成する為の特別なプロセスの導入は必要ない
。
第２図は本発明の他の実施例であり、（ａ）が断面図、
（ｂ）が平面図である。
（ｂ）が平面図である。
この実施例は、ゲッタリングサイト６を活性領域７に形
成した例である。
成した例である。
ゲッタリングサイト６を活性領域７に形成した場合、ソ
ースドレイン８形成時、不純物がゲッタリングサイト６
の直下に導入されない為、寄生ＭＯ８）ランジスタが形
成される。この為、ゲッタリングサイト６を形成する以
前にゲッタリングサイト６の直下にソースドレイン８に
導入される不純物と同タイプの不純物９を導入し、不純
物が導入されていない領域が無い様にする。
ースドレイン８形成時、不純物がゲッタリングサイト６
の直下に導入されない為、寄生ＭＯ８）ランジスタが形
成される。この為、ゲッタリングサイト６を形成する以
前にゲッタリングサイト６の直下にソースドレイン８に
導入される不純物と同タイプの不純物９を導入し、不純
物が導入されていない領域が無い様にする。
通常、ＭＯ８集積回路ではマスクＲＯＭを作成する為に
多結晶シリコン層堆積前に、イオン注入技術によって、
リン或はボロンを導入しているのが一般的である為、ゲ
ッタリングサイト６の直下に導入される不純物９は特別
なリソグラフィー工程、イオン注入工程を必要とせず導
入可能である。
多結晶シリコン層堆積前に、イオン注入技術によって、
リン或はボロンを導入しているのが一般的である為、ゲ
ッタリングサイト６の直下に導入される不純物９は特別
なリソグラフィー工程、イオン注入工程を必要とせず導
入可能である。
以上説明したように、本発明によるゲッタリングサイト
を用いることにより、レジストに含まれる金属イオンが
シリコン基板内部に入り込む前にゲッタリング出来る為
、ＰＮ接合部のリーク電流の減少或は抵抗値を安定化で
きる効果がある。
を用いることにより、レジストに含まれる金属イオンが
シリコン基板内部に入り込む前にゲッタリング出来る為
、ＰＮ接合部のリーク電流の減少或は抵抗値を安定化で
きる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
第２図は本発明の他の実施例を示す断面図及び平面図で
ある。第１図、第２図に於いて、数字は次の項目をさす
。 ■・・・・・・フィールド酸化膜、２・・・・・・シリ
コン基板、３・・・・・・多結晶シリコン層、４・・・
・・・高濃度のリン拡散、 ５・・・・・・レジスト、 ６・・・・・ゲッタリングサイ ト、 ７・・・・・・活性領域、 ８・・・・・ ソースドレイン、 ９・・・・・・ 不純物。
ある。第１図、第２図に於いて、数字は次の項目をさす
。 ■・・・・・・フィールド酸化膜、２・・・・・・シリ
コン基板、３・・・・・・多結晶シリコン層、４・・・
・・・高濃度のリン拡散、 ５・・・・・・レジスト、 ６・・・・・ゲッタリングサイ ト、 ７・・・・・・活性領域、 ８・・・・・ ソースドレイン、 ９・・・・・・ 不純物。
Claims (1)
- 多結晶シリコン層をシリコン基板上の素子分離領域であ
る厚いフィールド酸化膜上ないし、素子形成領域上に形
成される薄い酸化膜上に有し、かつ同多結晶シリコン層
が全ての回路素子に対して電気的に絶縁されている事を
特徴とする集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31411788A JPH02159035A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31411788A JPH02159035A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02159035A true JPH02159035A (ja) | 1990-06-19 |
Family
ID=18049449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31411788A Pending JPH02159035A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02159035A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6646306B2 (en) | 2000-11-21 | 2003-11-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
-
1988
- 1988-12-12 JP JP31411788A patent/JPH02159035A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6646306B2 (en) | 2000-11-21 | 2003-11-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| US6914307B2 (en) | 2000-11-21 | 2005-07-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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