JPS62108555A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS62108555A JPS62108555A JP24707585A JP24707585A JPS62108555A JP S62108555 A JPS62108555 A JP S62108555A JP 24707585 A JP24707585 A JP 24707585A JP 24707585 A JP24707585 A JP 24707585A JP S62108555 A JPS62108555 A JP S62108555A
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は耐湿性に優れた半導体装置に係り、特に密着性
と耐湿性に優れた保護被覆を施された樹脂封止半導体装
置に関する。
と耐湿性に優れた保護被覆を施された樹脂封止半導体装
置に関する。
半導体装置の耐湿信頼性等の向上あるいは高密度化のた
めに、半導体素子の表面にポリイミド樹脂やシリコーン
ゲルなどの保護被覆を施された半導体装置、並びにポリ
イミドなどの樹脂材料を配線導体層間に絶縁膜として用
いた多層配線構造を有する半導体装置は、従来から知ら
れている。
めに、半導体素子の表面にポリイミド樹脂やシリコーン
ゲルなどの保護被覆を施された半導体装置、並びにポリ
イミドなどの樹脂材料を配線導体層間に絶縁膜として用
いた多層配線構造を有する半導体装置は、従来から知ら
れている。
しかし、保護被覆としてのポリイミド樹脂やシリコーン
ゲルには一般に、吸湿率や透湿率が大きく、そのうえ素
子との接着性が悪いという問題があった。特に、ポリイ
ミド樹脂は、吸湿すると剥離しやすくなり耐湿性の低下
を来すために、本質的には水の透過を避けられない樹脂
封止型半導体装置における弱点となっていた。また、多
層配線構造を有する半導体装置においては、それが高温
高温雰囲気中に放置された場合に、パッシベーション膜
（二酸化ケイ素、リン入り二酸化ケイ素。
ゲルには一般に、吸湿率や透湿率が大きく、そのうえ素
子との接着性が悪いという問題があった。特に、ポリイ
ミド樹脂は、吸湿すると剥離しやすくなり耐湿性の低下
を来すために、本質的には水の透過を避けられない樹脂
封止型半導体装置における弱点となっていた。また、多
層配線構造を有する半導体装置においては、それが高温
高温雰囲気中に放置された場合に、パッシベーション膜
（二酸化ケイ素、リン入り二酸化ケイ素。
窒化ケイ素など）とポリイミド樹脂膜との接着強度が、
著しく減少する。その結果、侵入した湿気によって、例
えばアルミニウムなどの配線導体金属が腐食されて、終
には断線し装置に僅隙を来たす。
著しく減少する。その結果、侵入した湿気によって、例
えばアルミニウムなどの配線導体金属が腐食されて、終
には断線し装置に僅隙を来たす。
〔発明の目的〕
本発明は上記の状況に鑑みてなされたもので、その目的
は、高温高温雰囲気中に長期間放置しても、半導体素子
上の金属配線（Ａｆｉ）の腐食による断線不良を抑え、
信頼性のすぐれた樹脂封止型の半導体装置を提供するこ
とにある。
は、高温高温雰囲気中に長期間放置しても、半導体素子
上の金属配線（Ａｆｉ）の腐食による断線不良を抑え、
信頼性のすぐれた樹脂封止型の半導体装置を提供するこ
とにある。
本発明は上記目的を達成するために成されたもので、そ
の要旨は、半導体素子上に、線膨張係数の小さいポリイ
ミドを被覆することにより、素子と樹脂組成物との線膨
張係数の差によって生ずる界面の応力を低減することが
可能となる。このため、素子と樹脂組成物（被覆材）と
の接着性、密着性の状態も良好となり、剥離などが生じ
て、ε２に水分が浸入し素子表面のＡΩ配線を腐食する
などの問題を著しく低減できる。また、近年、樹脂封止
型半導体に限らずセラミックス封止型半導体においても
、耐熱性領域での被覆材の線膨張係数の大小が、ワイヤ
ボンディング線の断線を引き起こしたり、あるいは又、
Ａｎ配線層のズレによる断線を引き起こすなどの問題が
生じている。
の要旨は、半導体素子上に、線膨張係数の小さいポリイ
ミドを被覆することにより、素子と樹脂組成物との線膨
張係数の差によって生ずる界面の応力を低減することが
可能となる。このため、素子と樹脂組成物（被覆材）と
の接着性、密着性の状態も良好となり、剥離などが生じ
て、ε２に水分が浸入し素子表面のＡΩ配線を腐食する
などの問題を著しく低減できる。また、近年、樹脂封止
型半導体に限らずセラミックス封止型半導体においても
、耐熱性領域での被覆材の線膨張係数の大小が、ワイヤ
ボンディング線の断線を引き起こしたり、あるいは又、
Ａｎ配線層のズレによる断線を引き起こすなどの問題が
生じている。
特に、パッケージ材料中から発生するα線を遮蔽する目
的で素子上に設けられているα線遮蔽用被覆材に於いて
は、パッシベーション材である、Ｐ−８ｉＯｚやＰＳＧ
、Ｐ−８ｉａＮ＋などの線膨張係数の違いが従来のポリ
イミドでは大きく、その界面に剥離が生ずるなどの問題
があり、α線の防止と耐湿信頼性の両立が極めて業かし
い問題となっている。これに対処する方策として、特公
昭６０−１２７４４号に記載されているポリイミドを被
覆するなどの方法が考案されているが、必ずしも接着性
を目標レベルまで向上したとは云えず、更にすぐれた耐
熱性、接着性、密着性、可撓性にすぐれた被覆材の開発
が強く望まれている。
的で素子上に設けられているα線遮蔽用被覆材に於いて
は、パッシベーション材である、Ｐ−８ｉＯｚやＰＳＧ
、Ｐ−８ｉａＮ＋などの線膨張係数の違いが従来のポリ
イミドでは大きく、その界面に剥離が生ずるなどの問題
があり、α線の防止と耐湿信頼性の両立が極めて業かし
い問題となっている。これに対処する方策として、特公
昭６０−１２７４４号に記載されているポリイミドを被
覆するなどの方法が考案されているが、必ずしも接着性
を目標レベルまで向上したとは云えず、更にすぐれた耐
熱性、接着性、密着性、可撓性にすぐれた被覆材の開発
が強く望まれている。
本発明は、
１、半導体素子及びリード線上に、少なくとも、一般式
（１） ％式％ 一＋−ｔ Ｓｉ−〇＋（Ｒｘ ｔ Ｒｚ ；アルキル
基。
（１） ％式％ 一＋−ｔ Ｓｉ−〇＋（Ｒｘ ｔ Ｒｚ ；アルキル
基。
フェニル基のいずれか）、のいずれかである。）わされ
る繰り返し単位を有する重合体、あるいは又は、式。
る繰り返し単位を有する重合体、あるいは又は、式。
で表わされる繰り返し単位を有するポリイミドと、一般
式（１）との共重合体を含む樹脂組成物で被覆してなる
半導体装置。
式（１）との共重合体を含む樹脂組成物で被覆してなる
半導体装置。
２、半導体封止及びリード線上に、少なくとも、一般式
（Ｉ） Ｃ（ＣＨａ）ｚ−ｙ Ｃ（ＣＦａ）ｚ ＃ ’Ｏ
＊−８−，５Ｏ２−ｔ−ｃｏ＋、−ｃｏ〇−２ニル基の
いずれがであり、同じであっても異なっされる繰り週単
位を有する重合体、あるいは、又は式 〔式中、Ａｒは前記と同じである〕で表わされる繰り返
し単位を有するポリイミドと、一般式（１）との共重合
体を含む樹脂組成物で被覆し、ついで無機質充填材を含
む樹脂組成物、又はセラミックスで封止してなることを
特徴とする半導体装置。
（Ｉ） Ｃ（ＣＨａ）ｚ−ｙ Ｃ（ＣＦａ）ｚ ＃ ’Ｏ
＊−８−，５Ｏ２−ｔ−ｃｏ＋、−ｃｏ〇−２ニル基の
いずれがであり、同じであっても異なっされる繰り週単
位を有する重合体、あるいは、又は式 〔式中、Ａｒは前記と同じである〕で表わされる繰り返
し単位を有するポリイミドと、一般式（１）との共重合
体を含む樹脂組成物で被覆し、ついで無機質充填材を含
む樹脂組成物、又はセラミックスで封止してなることを
特徴とする半導体装置。
３、無機質充填材を含む樹脂組成物が、少なくとも多官
能エポキシ化合物を含むことを特徴とする特許請求の範
囲第２項記載の半導体装置である。
能エポキシ化合物を含むことを特徴とする特許請求の範
囲第２項記載の半導体装置である。
本発明において、一般式（１）で表わされるイミド系重
合体は、公知のポリイミドの合成法により、作成される
ものである。
合体は、公知のポリイミドの合成法により、作成される
ものである。
すなわち、３．３’ 、４．４’ −テトラカルボン酸
ビフェニルエーテル無水物１モルに対し、パラフェニレ
ンジアミン、４．４’ −ジアミノジフェニルなどの芳
香族ジアミン系化合物を０．９５〜１．２モルの範囲で
、脱水剤の共存下、極性溶媒中でポリアミド酸化、更に
脱水縮合することにより得られる。
ビフェニルエーテル無水物１モルに対し、パラフェニレ
ンジアミン、４．４’ −ジアミノジフェニルなどの芳
香族ジアミン系化合物を０．９５〜１．２モルの範囲で
、脱水剤の共存下、極性溶媒中でポリアミド酸化、更に
脱水縮合することにより得られる。
本発明において、半導体素子及びリード線上に塗布処理
する際には、ポリアミド酸フェスの状態で塗布した後、
焼付は工程でポリイミド化することも出来る。被覆法の
膜厚については特に限定されるものではない０例えば、
多層絶縁の層間膜として用いる場合には、１〜数μｍの
オーダであり、α線遮蔽を目的とする場合には５〜数１
００μｍの厚さが有効である。
する際には、ポリアミド酸フェスの状態で塗布した後、
焼付は工程でポリイミド化することも出来る。被覆法の
膜厚については特に限定されるものではない０例えば、
多層絶縁の層間膜として用いる場合には、１〜数μｍの
オーダであり、α線遮蔽を目的とする場合には５〜数１
００μｍの厚さが有効である。
本発明において被覆に用いられる組成物は、その塗布、
焼付けのための条件を特に限定されることはないが、一
般に約１００〜３００℃の温度で３０秒〜１時間程度加
熱処理することによって、所望の効果を発揮する保護被
覆を形成できる。
焼付けのための条件を特に限定されることはないが、一
般に約１００〜３００℃の温度で３０秒〜１時間程度加
熱処理することによって、所望の効果を発揮する保護被
覆を形成できる。
本発明においては、前記一般式（Ｉ）で表わされる重合
体、あるいは又は、前記一般式（１）を含む共重合体か
らなる保護被覆とともに分子骨格にペテロ環を含む有機
重合体等からなる保護膜が付加的に使用されてよい。そ
のような重合体としては、例えばポリイミド、ポリベン
ズイミダゾール、ポリベンズオキサゾール、ポリベンズ
チアゾール、ポリオキサジアゾール、ポリピラゾール。
体、あるいは又は、前記一般式（１）を含む共重合体か
らなる保護被覆とともに分子骨格にペテロ環を含む有機
重合体等からなる保護膜が付加的に使用されてよい。そ
のような重合体としては、例えばポリイミド、ポリベン
ズイミダゾール、ポリベンズオキサゾール、ポリベンズ
チアゾール、ポリオキサジアゾール、ポリピラゾール。
ポリキノキサリン、ポリキナゾリンジオン、ボリベンズ
オキサジノン、ポリインドロン、ポリキナゾロン、ポリ
インドキシル、ポリキナゾリンジオンなどがある。ポリ
アミドイミド、ポリエステルイミドやポリエーテルイミ
ドフェノキシ樹脂なども、有機保護膜としてもちろん有
用である。
オキサジノン、ポリインドロン、ポリキナゾロン、ポリ
インドキシル、ポリキナゾリンジオンなどがある。ポリ
アミドイミド、ポリエステルイミドやポリエーテルイミ
ドフェノキシ樹脂なども、有機保護膜としてもちろん有
用である。
また、上記へテロ環ポリマの骨格中に、アミド結合、エ
ステル結合、エーテル結合、スルフィド結合、スルホン
結合、ウレタン結合、シロキサン結合などを含むことも
出来る。
ステル結合、エーテル結合、スルフィド結合、スルホン
結合、ウレタン結合、シロキサン結合などを含むことも
出来る。
上記のへテロ環ポリマの中でも、特に閉環状態で溶媒へ
の溶解性の大きなポリマ、例えば付加型ポリイミドなど
は、半導体素子上への被覆処理時に、反応（例えば脱水
縮合反応）に伴う副生物が殆どなく、素子表面への応力
を少なくなることから、ＡＩ２配線の腐食を抑制する上
で好ましい。
の溶解性の大きなポリマ、例えば付加型ポリイミドなど
は、半導体素子上への被覆処理時に、反応（例えば脱水
縮合反応）に伴う副生物が殆どなく、素子表面への応力
を少なくなることから、ＡＩ２配線の腐食を抑制する上
で好ましい。
また、本発明において用いうる、カップリング剤として
は、エポキシシラン、アミノシラン、メルカプトシラン
、フルオロシラン、ビニルシランなど公知のシラン系カ
ップリング剤、アルミニウム、チタン、ジルコニウムな
どの金属アルコキサイドあるいはキレート系の公知のカ
ップリング剤などがある。
は、エポキシシラン、アミノシラン、メルカプトシラン
、フルオロシラン、ビニルシランなど公知のシラン系カ
ップリング剤、アルミニウム、チタン、ジルコニウムな
どの金属アルコキサイドあるいはキレート系の公知のカ
ップリング剤などがある。
本発明において、該被覆を施された半導体素子を封止す
る方法としては、樹脂防止の他、キャン、半田融着セラ
ミック、ガラス融着セラミックなどを用いた封止が採用
出来る。
る方法としては、樹脂防止の他、キャン、半田融着セラ
ミック、ガラス融着セラミックなどを用いた封止が採用
出来る。
上記の封止方法の中でも特にセラミックス封止並びに樹
脂封止された半導体装置に於いて、本発明の効果が著し
い。封止用樹脂組成物としては、熱硬化性樹脂、例えば
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹
脂、ジアリルフタレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂
、ウレタン樹脂、付加型ポリイミド樹脂、シリコーン樹
脂、ポリパラビニルフェノール樹脂などを用いた組成物
であり、また熱可塑性樹脂、例えばポリエチレン。
脂封止された半導体装置に於いて、本発明の効果が著し
い。封止用樹脂組成物としては、熱硬化性樹脂、例えば
エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、尿素樹
脂、ジアリルフタレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂
、ウレタン樹脂、付加型ポリイミド樹脂、シリコーン樹
脂、ポリパラビニルフェノール樹脂などを用いた組成物
であり、また熱可塑性樹脂、例えばポリエチレン。
ポリスチレン、ポリブタジェン、パーフルオロエチレン
、ポリアミド、ポリエーテル、ポリエステル、ポリアミ
ドエーテル、ポリアミドエステル。
、ポリアミド、ポリエーテル、ポリエステル、ポリアミ
ドエーテル、ポリアミドエステル。
ポリイミドエーテル、ポリイミドエステルなどがある。
上記の中でも、エポキシ樹脂組成物は特に好ましい。
エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡのジグ
リシジルエーテル、ブタジエンジエボキサイド、３，４
−エポキシシクロヘキシルメチル−（３，４−エポキシ
）シクロヘキサンカルボキシレート、ビニルシクロヘキ
サンジオキシド、４゜４′−ジ（１，２−エポキシエチ
ル）ジフェニルエーテル、４．４’ −（１，２−エポ
キシエチル）ビフェニル、２．２−ビス（３，４−エポ
キシシクロヘキシル）プロパン、レゾルシンのグリシジ
ルエーテル、フロログルシンのジグリシジルエーテル、
メチルフロログルシンのジグリシジルエーテル、ビス−
（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル、２−（
３，４−エポキシ）シクロヘキサン−５，５−スピロ（
３，４−エポキシ）−シクロヘキサン−ｍ−ジオキサン
、ビス−（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシ
ル）アジペート、Ｎ、Ｎ’−ｍ−フェニレンビス（４，
５−エポキシ−１，２−シクロヘキサン）ジカルボキシ
イミドなどの２官能のエポキシ化合物、パラアミノフェ
ノールのトリグリシジルエーテル、ポリアリルグリシジ
ルエーテル、１，３．５−トリ（１，２−エポキシエチ
ル）ベンゼン、２．２’ 。
リシジルエーテル、ブタジエンジエボキサイド、３，４
−エポキシシクロヘキシルメチル−（３，４−エポキシ
）シクロヘキサンカルボキシレート、ビニルシクロヘキ
サンジオキシド、４゜４′−ジ（１，２−エポキシエチ
ル）ジフェニルエーテル、４．４’ −（１，２−エポ
キシエチル）ビフェニル、２．２−ビス（３，４−エポ
キシシクロヘキシル）プロパン、レゾルシンのグリシジ
ルエーテル、フロログルシンのジグリシジルエーテル、
メチルフロログルシンのジグリシジルエーテル、ビス−
（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル、２−（
３，４−エポキシ）シクロヘキサン−５，５−スピロ（
３，４−エポキシ）−シクロヘキサン−ｍ−ジオキサン
、ビス−（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシ
ル）アジペート、Ｎ、Ｎ’−ｍ−フェニレンビス（４，
５−エポキシ−１，２−シクロヘキサン）ジカルボキシ
イミドなどの２官能のエポキシ化合物、パラアミノフェ
ノールのトリグリシジルエーテル、ポリアリルグリシジ
ルエーテル、１，３．５−トリ（１，２−エポキシエチ
ル）ベンゼン、２．２’ 。
４．４′−テトラグリシドキシベンゾフェノン、テトラ
グリシドキシテトラフェニルエタン、フェノールホルム
アルデヒドノボラックのポリグリシジルエーテル、グリ
セリンのトリグリシジルエーテル、トリメチロールプロ
パンのトリグリシジルエーテルなど３官能以上のエポキ
シ化合物が用いられる。
グリシドキシテトラフェニルエタン、フェノールホルム
アルデヒドノボラックのポリグリシジルエーテル、グリ
セリンのトリグリシジルエーテル、トリメチロールプロ
パンのトリグリシジルエーテルなど３官能以上のエポキ
シ化合物が用いられる。
また、次の一般式
で表わされるトリス（ヒドロキシフェニル）メタンベー
スのポリグリシジルエーテルも、本発明のル （１，１−ビス（４−（２，３−エポキシプロパキシ）
３−メチルフェニルコシクロヘキサン）ビスベータート
リフルオロメチルジグリシジルビスフェノールＡ系エポ
キシ樹脂の二級水酸基をジケテンと反応させて得られる
化合物は、アミンによる硬化反応が、アセトアセテート
基とエポキシ基の両方で進行するので、急速硬化が可能
でＣＨｓ Ｃ）Ｉｓ Ｏ チバガイギー社では、難熱性と耐熱性を兼備した、イミ
ダゾリトン誘導体 Ｒ＝Ｃｈ−ＣＨ−ＣＨｚ を試作している。これは、融点９２〜９５℃の結晶であ
り、４２％の臭素と４．２ ％の窒素を含有している。
スのポリグリシジルエーテルも、本発明のル （１，１−ビス（４−（２，３−エポキシプロパキシ）
３−メチルフェニルコシクロヘキサン）ビスベータート
リフルオロメチルジグリシジルビスフェノールＡ系エポ
キシ樹脂の二級水酸基をジケテンと反応させて得られる
化合物は、アミンによる硬化反応が、アセトアセテート
基とエポキシ基の両方で進行するので、急速硬化が可能
でＣＨｓ Ｃ）Ｉｓ Ｏ チバガイギー社では、難熱性と耐熱性を兼備した、イミ
ダゾリトン誘導体 Ｒ＝Ｃｈ−ＣＨ−ＣＨｚ を試作している。これは、融点９２〜９５℃の結晶であ
り、４２％の臭素と４．２ ％の窒素を含有している。
表 特殊エポキシ樹脂１３種の特徴
ＤＧＥＢＧ →（ｈ＜Ｈｒｏ
１３２ １７．５Ｉｒｏ− ＴＧｍｌＰ −０−Ｃｈ−Ｃ−ＣＨｒ（）−１４
０１４０Ｃ）１８ その硬化剤としては、各種のフェノール系化合物とアル
デヒド化合物とを、酸性もしくは塩基性触媒の存在にお
いて、付加縮合反応させることにより生成される樹脂類
が使用され、特にフェノール、クレゾールなどとホルム
アルデヒドとを用いて、酸性触媒反応によって合成され
るノボラック樹脂が有用である。
１３２ １７．５Ｉｒｏ− ＴＧｍｌＰ −０−Ｃｈ−Ｃ−ＣＨｒ（）−１４
０１４０Ｃ）１８ その硬化剤としては、各種のフェノール系化合物とアル
デヒド化合物とを、酸性もしくは塩基性触媒の存在にお
いて、付加縮合反応させることにより生成される樹脂類
が使用され、特にフェノール、クレゾールなどとホルム
アルデヒドとを用いて、酸性触媒反応によって合成され
るノボラック樹脂が有用である。
さらに、エポキシ樹脂組成物の硬化反応を促進する目的
で各種の触媒を添加することができ、この触媒としては
、例えばトリエタノールアミン。
で各種の触媒を添加することができ、この触媒としては
、例えばトリエタノールアミン。
テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタンジ
アミン、テトラメチルヘキサンジアミン。
アミン、テトラメチルヘキサンジアミン。
トリエチレンジアミン及びジメチルアニリン等の第３級
アミン、ジメチルアミノエタノール及びジメチルアミノ
ペンタノール等のオキシアルキルアミンならびにトリス
（ジメチルアミノメチル）フェノール及びメチルモリホ
リン等のアミン類を適用することができる。
アミン、ジメチルアミノエタノール及びジメチルアミノ
ペンタノール等のオキシアルキルアミンならびにトリス
（ジメチルアミノメチル）フェノール及びメチルモリホ
リン等のアミン類を適用することができる。
又、同じ目的で、触媒として、例えばセチルトリメチル
アンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムアイオ
ダイド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライド、
ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド
、ベンジルメチルパルミチルアンモニウムクロライド、
アリルドデシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベ
ンジルジメチルステアリルアンモニウムブロマイド、ス
テアリルトリメチルアンモニウムクロライド及びベンジ
ルジメチルテトラデシルアンモニウムアセテート等の第
４級アンモニウム塩を適用することができ、更には、２
−ウンデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、
２−エチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾー
ル、２−メチル−４−工妻ルイミダゾール、１−ブチル
イミダゾール、１−プロピル−２−メチルイミダゾール
、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール。
アンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムアイオ
ダイド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライド、
ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド
、ベンジルメチルパルミチルアンモニウムクロライド、
アリルドデシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベ
ンジルジメチルステアリルアンモニウムブロマイド、ス
テアリルトリメチルアンモニウムクロライド及びベンジ
ルジメチルテトラデシルアンモニウムアセテート等の第
４級アンモニウム塩を適用することができ、更には、２
−ウンデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、
２−エチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾー
ル、２−メチル−４−工妻ルイミダゾール、１−ブチル
イミダゾール、１−プロピル−２−メチルイミダゾール
、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール。
ｌ−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シア
ノエチル、−２−エンデシルイミダゾール。
ノエチル、−２−エンデシルイミダゾール。
１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール。
１−アジン−２−メチルイミダゾール及び１−アジン−
２−ウンデシルイミダゾール等のイミダゾール化合物あ
るいは又は、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボ
レート、トリエチルアミンテトラフェニルボレート、Ｎ
−メチルモルホリンテトラフェニルボレート、ピリジン
テトラフェニルボレート−２−エチル−４−メチルイミ
ダゾールテトラフェニルボレート及び２−エチル−１，
４−ジメチルイミダゾールテトラフェニルボレート等の
テトラフェニルボロン塩等が有用である。
２−ウンデシルイミダゾール等のイミダゾール化合物あ
るいは又は、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボ
レート、トリエチルアミンテトラフェニルボレート、Ｎ
−メチルモルホリンテトラフェニルボレート、ピリジン
テトラフェニルボレート−２−エチル−４−メチルイミ
ダゾールテトラフェニルボレート及び２−エチル−１，
４−ジメチルイミダゾールテトラフェニルボレート等の
テトラフェニルボロン塩等が有用である。
上記の触媒はその２種以上を併用することもでき、その
量は、多官能エポキシ化合物（Ａ） １００に対して、
重量比で、０．０１〜２０の範囲で用いればよい。
量は、多官能エポキシ化合物（Ａ） １００に対して、
重量比で、０．０１〜２０の範囲で用いればよい。
また、本発明のエポキシ樹脂組成物には、その用途、使
用目的に応じて、例えば炭酸カルシウム。
用目的に応じて、例えば炭酸カルシウム。
シリカ、アルミナ、チタニア、水酸化アルミニウム、ケ
イ酸アルミニウム、ケイ酸ジルコニウム。
イ酸アルミニウム、ケイ酸ジルコニウム。
ジルコン、ガラス、タルク、マイカ、黒鉛、アルミニウ
ム、銅、鉄などの粉末や短繊維状充填剤。
ム、銅、鉄などの粉末や短繊維状充填剤。
脂肪酸及びワックス類等の離型剤、エポキシシラン、ビ
ニルシラン、ボラン系化合物及びアルキルチタネート系
化合物等のカップリング剤、そしてさらに、アンチモン
やリンの化合物及びハロゲン含有化合物のような難燃剤
を加えることができる。
ニルシラン、ボラン系化合物及びアルキルチタネート系
化合物等のカップリング剤、そしてさらに、アンチモン
やリンの化合物及びハロゲン含有化合物のような難燃剤
を加えることができる。
本発明の封止用樹脂組成物は、上記した成分をロール、
ニーダ−、ユニーダー、またはヘンシェルミキサー等を
用いて加熱（約７０〜８０℃）混練することによって調
製される。また、成分化合物が固体である場合には、微
粒化した後混合するトライブレンド法によって配合する
こともできる。
ニーダ−、ユニーダー、またはヘンシェルミキサー等を
用いて加熱（約７０〜８０℃）混練することによって調
製される。また、成分化合物が固体である場合には、微
粒化した後混合するトライブレンド法によって配合する
こともできる。
得られた組成物は約１５０〜２００℃の温度で短時間に
硬化できる。
硬化できる。
以下、本発明を実施例により説明する。
実施例１〜５
一般式（１）で表わされる繰り返し単位を有する重合体
として、次の３種類のポリイミド前駆体を、Ｎ−メチル
−２−ピロリドンに固形分が１０〜１５重量％になるよ
うに溶解した。該３種類の被覆用溶液には適宜カップリ
ング剤も添加された（第１表）。
として、次の３種類のポリイミド前駆体を、Ｎ−メチル
−２−ピロリドンに固形分が１０〜１５重量％になるよ
うに溶解した。該３種類の被覆用溶液には適宜カップリ
ング剤も添加された（第１表）。
次いで、２５６にビットＤ−ＲＡＭメモリＬＳＩ（１６
ピン）の素子及びリード線上（Ａ’ ｕワイヤボンディ
ングを含む）上に、上記の被覆用溶液を適下した。その
後、１００”Ｃで１時間、２００℃で１時間、２５０℃
で、３０分間加熱処理をして、イミド閉環させ、２０−
５０μｍの厚さの被膜層を得た。
ピン）の素子及びリード線上（Ａ’ ｕワイヤボンディ
ングを含む）上に、上記の被覆用溶液を適下した。その
後、１００”Ｃで１時間、２００℃で１時間、２５０℃
で、３０分間加熱処理をして、イミド閉環させ、２０−
５０μｍの厚さの被膜層を得た。
次いで、上記メ毛り用ＬＳＩ素子は、下記のエポキシ樹
脂組成物で、トランスファ成形（１８０’Ｃ／７０ｋｇ
ｆ／ｄ、１．５ 分成形）により封止された。
脂組成物で、トランスファ成形（１８０’Ｃ／７０ｋｇ
ｆ／ｄ、１．５ 分成形）により封止された。
次にそれぞれ１００ケのＬＳＩについて、耐湿信頼性が
評価された。結果を第１表に示した。
評価された。結果を第１表に示した。
なお、いずれのＬＳＩ封止品も、α線による誤動作の発
生率は１００Ｆｉｔ以下であり、耐湿信頼性とα線によ
る誤動作に対してバランスのとれた、信頼性の高い樹脂
封止型ＬＳＩが得られた。
生率は１００Ｆｉｔ以下であり、耐湿信頼性とα線によ
る誤動作に対してバランスのとれた、信頼性の高い樹脂
封止型ＬＳＩが得られた。
−封止用エポキシ樹脂組成物の作成−
トリス（ヒドロキシフェニル）メタンのポリグリシジル
エーテルＸＤ−９０５３（ダウケミカル社。
エーテルＸＤ−９０５３（ダウケミカル社。
エポキシ当量：２２５）１００重量部、硬化剤として、
ノボラック型フェノール樹脂（日立化成社；平均分子量
：４３０）３０重量部と、ポリーＰ−ヒドロキシスチレ
ン重合体（丸善石油：Ｍレジン、平均分子量、 ４８０
０） ２５重量部、触媒として。
ノボラック型フェノール樹脂（日立化成社；平均分子量
：４３０）３０重量部と、ポリーＰ−ヒドロキシスチレ
ン重合体（丸善石油：Ｍレジン、平均分子量、 ４８０
０） ２５重量部、触媒として。
トリエチルアミンテトラフェニルボレート、２重量部、
カップリング剤として、エポキシシランＫＢＭ３０３
（信越化学社）２重量部１Ｍ燻材として、イミドコート
赤リン（燐化学社）３．６重量部、充填材として溶融石
英ガラス粉、４６５重量部、着色剤として、カーボンブ
ラック（キャボット社）２重量部、添加剤として、シロ
キサン変性エポキシオリゴマ、４重量部を配合した。
カップリング剤として、エポキシシランＫＢＭ３０３
（信越化学社）２重量部１Ｍ燻材として、イミドコート
赤リン（燐化学社）３．６重量部、充填材として溶融石
英ガラス粉、４６５重量部、着色剤として、カーボンブ
ラック（キャボット社）２重量部、添加剤として、シロ
キサン変性エポキシオリゴマ、４重量部を配合した。
次いで、７５−８５℃、８インチ径の２本のロールで８
分間混線を行った後、冷却して粗粉砕した。
分間混線を行った後、冷却して粗粉砕した。
次に一般式〔１〕で表わされる重合体の前駆体である
ポリアミド酸ワニス（粘度＝１３０ポイズ（ａｔ２５℃
）、Ｎ−メチル−２−ピロリドンの１５重量％溶液）を
、トルエンに溶解して、１重量％樹脂（固形分）溶液と
した。該溶液を、多層（２層）酸線絶縁膜として用いた
場合の素子構造を第２図、第３図に示した。
）、Ｎ−メチル−２−ピロリドンの１５重量％溶液）を
、トルエンに溶解して、１重量％樹脂（固形分）溶液と
した。該溶液を、多層（２層）酸線絶縁膜として用いた
場合の素子構造を第２図、第３図に示した。
素子の構成は、Ｓｉ素子基板上に、Ｓｉｘ絶縁層、ポリ
シリコン層、更に第一層目のアルミニウム配線（２−１
）を形成した後に、上記樹脂被膜材料を塗布（スピンナ
ー使用）、焼付け（２５０℃、６０分間）した（５−１
）のち、ポジレジストを塗布して、マルホールのパター
ニングを行った。次いで、ＣＦ４−Ｏ２を反応ガスとし
てプラズマエッチした。次いでＯ８を反応ガスとするプ
ラズマアッシャ−によってポジレジストを除去した。
シリコン層、更に第一層目のアルミニウム配線（２−１
）を形成した後に、上記樹脂被膜材料を塗布（スピンナ
ー使用）、焼付け（２５０℃、６０分間）した（５−１
）のち、ポジレジストを塗布して、マルホールのパター
ニングを行った。次いで、ＣＦ４−Ｏ２を反応ガスとし
てプラズマエッチした。次いでＯ８を反応ガスとするプ
ラズマアッシャ−によってポジレジストを除去した。
次いで、第２層目のアルミニウム配線（２−１１）を形
成した後、さらに、上記樹脂液を塗布、焼付け（前記条
件と同じ）した（３−■層）。
成した後、さらに、上記樹脂液を塗布、焼付け（前記条
件と同じ）した（３−■層）。
なお、第２図は、第２層目の被覆樹脂として、ポリイミ
ド樹脂を用いた場合（４層）を示した。
ド樹脂を用いた場合（４層）を示した。
本発明によれば、高温高湿雰囲気中に長期間放置しても
、半導体素子上の金属配線（ＡＱ）の腐食による断線不
良を抑え、信頼性にすぐれた樹脂封止型の半導体装置を
うろことができる。
、半導体素子上の金属配線（ＡＱ）の腐食による断線不
良を抑え、信頼性にすぐれた樹脂封止型の半導体装置を
うろことができる。
第１図は、本発明の一施例になる半導体装置の断面図、
第２図、第３図は１本発明に係わる半導体装置の素子の
一部断面図である。 １・・・リード線、２・・・半導体素子、３・・・保護
被覆樹脂、３−Ｉ−第１層保護被覆樹脂、３−１１・・
・第２層保護被覆樹脂、４−１・・・第１層配線、４−
１１・・・第２層配線、５・・・ポリイミド系樹脂、６
・・・モールド樹脂、７・・・熱酸化膜。
第２図、第３図は１本発明に係わる半導体装置の素子の
一部断面図である。 １・・・リード線、２・・・半導体素子、３・・・保護
被覆樹脂、３−Ｉ−第１層保護被覆樹脂、３−１１・・
・第２層保護被覆樹脂、４−１・・・第１層配線、４−
１１・・・第２層配線、５・・・ポリイミド系樹脂、６
・・・モールド樹脂、７・・・熱酸化膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子及びリード線上に、少なくとも、一般式
〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 〔式中、Ａｒは▲数式、化学式、表等があります▼、▲
数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼（式中、Ｘは−ＣＨ
＿２−、 −Ｃ（ＣＨ＿３）＿２−、−Ｃ（ＣＦ＿３）＿２−、−
Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ＿２−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−な
どで表わされる。）、▲数式、化学式、表等があります
▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼のいずれかである。 〕 で表わされる繰り返し単位を有する重合体、あるいは又
は、式、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 〔式中、Ａｒは前記と同じである。〕で表わされる繰り
返し単位を有するポリイミドと、一般式〔 I 〕との共
重合体を含む樹脂組成物で被覆してなることを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24707585A JPS62108555A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24707585A JPS62108555A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62108555A true JPS62108555A (ja) | 1987-05-19 |
Family
ID=17158055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24707585A Pending JPS62108555A (ja) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62108555A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01118527A (ja) * | 1987-07-15 | 1989-05-11 | Usa Government | 低誘電性ポリイミドの製造方法 |
| JPH01225142A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 混成集積回路装置 |
| JPH02251565A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-09 | Daicel Chem Ind Ltd | 耐熱性金属被覆材及びそれを用いた物品とその製法 |
| JPH02253551A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電子顕微鏡検体調整法及び電子顕微鏡検体調整器具 |
| JPH03100053A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-25 | Daicel Chem Ind Ltd | 貯蔵安定性の優れたポリアミド酸溶液 |
| JPH03100054A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-25 | Daicel Chem Ind Ltd | ポリアミド酸溶液 |
| FR2755538A1 (fr) * | 1996-11-07 | 1998-05-07 | Gec Alsthom Transport Sa | Procede d'enrobage de fils de connexion de pastilles a semi-conducteurs de puissance, fil de connexion de pastilles a semi-conducteurs de puissance ainsi enrobe et pastille a semi-conducteurs de puissance connectee a de tels fils |
| JPWO2021153558A1 (ja) * | 2020-01-30 | 2021-08-05 |
-
1985
- 1985-11-06 JP JP24707585A patent/JPS62108555A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01118527A (ja) * | 1987-07-15 | 1989-05-11 | Usa Government | 低誘電性ポリイミドの製造方法 |
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| JPH02253551A (ja) * | 1989-03-27 | 1990-10-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 電子顕微鏡検体調整法及び電子顕微鏡検体調整器具 |
| JPH03100053A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-25 | Daicel Chem Ind Ltd | 貯蔵安定性の優れたポリアミド酸溶液 |
| JPH03100054A (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-25 | Daicel Chem Ind Ltd | ポリアミド酸溶液 |
| FR2755538A1 (fr) * | 1996-11-07 | 1998-05-07 | Gec Alsthom Transport Sa | Procede d'enrobage de fils de connexion de pastilles a semi-conducteurs de puissance, fil de connexion de pastilles a semi-conducteurs de puissance ainsi enrobe et pastille a semi-conducteurs de puissance connectee a de tels fils |
| EP0841696A1 (fr) * | 1996-11-07 | 1998-05-13 | Gec Alsthom Transport Sa | Procédé d'enrobage de fils de connexion de pastilles à semi-conducteurs de puissance |
| JPWO2021153558A1 (ja) * | 2020-01-30 | 2021-08-05 | ||
| WO2021153558A1 (ja) * | 2020-01-30 | 2021-08-05 | 富士フイルム株式会社 | α線遮蔽膜形成用組成物、α線遮蔽膜、積層体、半導体装置 |
| CN115023475A (zh) * | 2020-01-30 | 2022-09-06 | 富士胶片株式会社 | α射线屏蔽膜形成用组合物、α射线屏蔽膜、层叠体、半导体装置 |
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