JPS59213150A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は耐湿性に優れた半導体装置に係り、特に密着性
と耐湿性に優れた保護被覆を施された樹脂刺止半導体装
置に関する。

〔発明の背景〕

半導体装置の耐湿信頼性等の向上あるいは高密度化のた
めに、半導体素子の表面にポリイミド樹脂やシリコーン
ゲルなどの保護被覆を施された半導体装置、並びにポリ
イミドなどの樹脂材料を配線導体層間に絶縁膜として用
いた多層配線構造を有する半導体装置は、従来から知ら
れている。

しかし、保護被覆としてのポリイミド樹脂やシリコーン
ゲルには一般に、吸湿率や透湿率が大きく、そのうえ素
子との接着性が悪いという問題があった。特に、ポリイ
ミド樹脂は、吸湿すると剥離しやすくなり耐湿性の低下
を来すために、本質的には水の透過を避けられない樹脂
刺止型半導体装置における弱点となっていた。また、多
層配線構造を有する半導体装置においては、それが高温
高湿雰囲気中に放置された場合に、パッシベーション膜
（二酸化ケイ素、リン入り二酸化ケイ素。

窒化ケイ素など）とポリイミド樹脂膜との接着強度が、
著るしく減少する。その結果、侵入した湿気によって、
例えばアルミニウムなどの配線導体金属が腐食されて、
終には断線し装置に故障を来す。

そのため、改善策が種々検討され、アルミニウムアルコ
レートなど金属アルコレート系化合物ｄ−うなる被覆が
有用なことが見出された。しかし、金属アルコレートに
は、加水分解されやすく塗布用溶液にしても短期間に白
濁する性質があり、それが作業および保管上の欠点であ
った。

〔発明の目的〕

本発明は、前記の状況に鑑み、塗布溶液としては良好な
耐加水分解性を有し、基材に密着して優れた耐湿性を示
す保護被覆を形成し得る成膜材料を提供し、その適用に
よって耐湿・高信頼性半導体装置を提供することを目的
としている。

アルミニウムアルコレートなどの加水分解性が、アセチ
ルアセトン等と少量添加することによシ抑制されること
は既に報告され（例えばＦ。

Ｓｃｈｍｉｄｔ　：　Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ、　　Ｃｈ
ｅｍｉｅ　　１９５２年。

６４８．５３８頁）その際該プルコレートのアルコキシ
基とβ−ジケトンとの交換反応によって、例えば２．４
−ペンタンジオノアルミニウムシアルコレートなどが生
成すると考えられており（Ｖ、ｌ（ｕｇｌｅｒ　　Ｊ、
　ｐｏｌｙｍｅｒ　　５ｃｉｅｎｃｅ１９５８年、２９
巻、６３７頁）、また、そのような化合物の分解９重合
にはかなシの高温を要するとも言われている。

本発明は、次に述烙たように、金属キレート化合物を主
要成分として比較的大量に用いる点において、前記した
既往の知見とは七の範囲を異にしている。すなわち、 〔発明の要点〕 本発明は、半導体素子およびリード線等を含む回路がそ
の一部または全部の表面を成膜材料によって被覆された
のち、有機樹脂組成物によって封止成形されてなる半導
体装置において、成膜材料が、（Ｉ）（ａ）アルミニウ
ム、チタン、スズ、亜鉛。

鉛、およびジルコニウムのうちから選ばれる金属と、（
ｂ）β−ジケトンおよびβ−ケト酸エステルのうちから
選ばれた配位子とからなる金属キレート化合物の少なく
とも１種、およびＥｌ）アルミニウム、チタン、スズ、
亜鉛、鉛およびジルコニウムのなかから選ばれた少なく
とも１種の金属アルコレート系化合物を含む組成物の焼
付膜であることを特徴とする。

ここで、金属キレート化合物と金属アルコレート系化合
物とを成分とする組成物は、該成分化合物の均質な混合
体および、それらの反応物を包含することができる。

本発明は、該金属キレート化合物と金属アルコレート系
化合物を成分とする組成物の被膜が、２層以上重複して
も形成されること、あるいは該組成物被膜の上層もしく
は下層に異種の皮膜が形成されることを妨げない。

該組成物は集積回路の多層配線構造における層間絶縁膜
などとしても適用嘔れることかでき、その具体例を図に
示す。

第１図および第２図は多層配線を有するＬＳＩの断面図
であって、半導体素子１の上に２層のアルミニウム配線
（第１層・・・２ａ、第２層・・・２ｂ）が設けられて
いる。第１図では、本発明の金属キレート化合物と金属
アルコレート系化合物とを成分とする組成物からなる皮
膜が層間絶縁膜３ａと光面皮膜３ｂとに用いられた例、
また第２図では、表面皮膜３ｂの上に更に、膜厚３０〜
７０μｍのポリイミド皮膜３Ｃを用いた例を示す。この
方法によれば、高温高湿状態での半導体素子とポリイミ
ド皮膜との接着性保持に効果がある。

本発明においては、成膜材料の成分として、アルミニウ
ム、チタン、スズ、亜鉛、鉛およびジルコニウムのなか
から選ばれた少なくとも１種の金属と、β−ジケトンお
よびβ−ケト酸エステルのなかから選ばれた配位子とか
らなる金属キレート化合物が使用さ扛る。例えばトリス
（２，４−ペンタンジオナート）アルミニウム、（２，
４−ペンタンジオナート）ビス（エチルアセトアセター
ト）アルミニウム、トリス（エチルアセトアセタート）
アルミニウム、ビス（エチルアセトアセタート）チタン
、テトラキス（２，４−ペンタンジオナート）チタン、
ジブチルビス（２１４−ペンタンジオナート）スズ、ジ
メチルビス（エチルアセトアセタート）スズ、ビス（２
，４−ペンタンジオナート）亜鉛、ビス（エチルアセト
アセタート）鉛、テトラキス（エチルアセトアセタート
）ジルコニウムなどがある。

該成膜材料には、また、アルミニウム、チタン。

スズ、亜鉛、鉛およびジルコニウムのなかから選ばれた
少なくとも１種の金属のアルコレート系化合物が、成分
として用いられる。そのようなアルコレート系化合物と
しては、例えばアルミニウムメチレート、アルミニウム
メチレート、アルミニウムーｉ−グロビレート、アルミ
ニウムーｎ−ブチレート、モノ−５ｅｃ−ブトキシアル
ミニウム、ジーｉ−グロビレート、エチルアルミニウム
、シエチレート、エチルアルミニウム、ジーｉ−グロピ
レート、チタン、テトラ−１−グロビレート、スズ、テ
トラ−１−プロピレント、亜鉛、ジーｉ−グロビレート
、鉛、ジーｉ−グロビレート、ジルコニウム、テトラ−
１−グロピレートなどがあり、それらは１種もしくは２
棟以上使用されることができ、また、その一部もしくは
全部が重縮合してなるグレボリマーとして使用されても
、おるいは予めコポリマーに調製されて使用されてもよ
い。

本発明において、前記金属キレート化合物と金属アルコ
レート系化合物とは、重量比で後者１に対し前者０．５
以上、好ましくは１〜９の範囲に配合され、混合物もし
くは反応物として使用される、両者の重量比が０．５以
下である場合には、該組成物は保存時の安定性に乏しく
大気中の水分や、使用溶媒に吸収された水分によって容
易に加水分解する。また、両者の重量比が９以上である
場合には、該組成物の適用によって得られる半導体装置
の耐湿性向上の効果が少なくなる。

本発明の金属キレート化合物と金属アルコレート系化合
物とを成分とする組成物は、溶媒によって希釈されて塗
布、焼付けされることが好ましい、溶媒としては低級ア
ルコール、脂肪族鎖式もしくは環式炭化水素、芳香族炭
化水素等が望ましく、単独または混合して用いられる。

その際の適当な溶液濃度は０．０１〜２．０重量％であ
る。２．０重量％以上の濃度では、得られた膜に亀裂の
発生が著るしくな５．０．０１重量％よシ希薄な濃度で
は、得られる被膜が−く耐湿性向上に対し十分な効果を
示さない。

本発明において被覆に用いられる組成物は、その塗布、
焼付けのための条件を特に限定されることはないが、一
般に約１００〜３００Ｃの温度で１時間程度加熱処理す
ることによって、所望の効果を発揮する保論被膜を形成
できる。

本発明においては、前記金属キレート化合物と金属アル
コレート系化合物を成分とする組成物からなる保護被膜
とともに、分子骨格にヘテロ環を含む有機重合体等から
なる保護膜が付加的に使用されてよい。そのような重合
体としては、例えばポリイミド、ポリベンズイミダゾー
ル、ポリベンズオキサゾール、ポリベンズチアゾール、
ポリオキサジアゾール、ポリピラゾール、ポリキノキサ
リン、ポリキナゾリンジオン、ポリベンズオキサジノ／
、ポリインドロ／、ポリキナゾロン、ポリインドキシル
、ポリキナゾリンジオンなどがある。

ポリアミドイミド、ポリエステルイミドやポリエ−チル
イミドなども、有機保護膜としてもちろん有用である。

本発明において、所要の保護被膜を形成された半導体装
置は、その外側から有機樹脂組成物を用いて封止成形さ
れる。使用可能な樹脂組成物としては例えばエポキシ樹
脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ウレタ
ン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、尿素樹脂、メラミン
樹脂、付加型イミド樹脂、ポリサルファイド樹脂などの
組成物などが挙げられる。

なかでもエポキシ樹脂組成物は、封止用として特に好ま
しい。エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡ
のジグリシジルエーテル、ブタジエンジエボキサイド、
３．４−エポキシシクロヘキシルメチル−（３，４−エ
ポキシ）シクロヘキサンカルボキシレート、ビニルシク
ロヘキサンジオキサイド、４，４′−ジ（１，２−エポ
キシエチル）ジフェニルエーテル、４．４’−（１，２
−エポキシエチル）ビフェニル、２．２−ビス（３，４
−エポキシシクロヘキシル）プロパン、レゾルシンのグ
リシジルエーテル、フロログルシンのジグリシジルエー
テル、メチルフロログルシンのジグリシジルエーテル、
ビス−（２，３’−エポキシシクロペンチル）エーテル
、２−（３゜４−エポキシ）シクロヘキサン−５，５−
スピロ（３，４−エポキシ）−シクロヘキサン−ｍ−ジ
オキサン、ビス−（３，４−エポキシ−６−メチルシク
ロヘキシル）アジペート、Ｎ、Ｎ’　−ｍ−フェニレン
ビス（４，５−エポキシ−１，２−シクロヘキサン）ジ
カルボキシイミドなどの官能のエポキシ化合物、バラア
ミノフェノールのトリグリシジルエーテル、ポリアリル
グリシジルエーテル、１，３．５−）す（１，２−エポ
キシエチル）ベンゼンＱ　２，２’　、４．４’−テト
ラグリシドキシベンゾフェノン、フェノールホルムルデ
ヒドノボラックのポリグリシジルエーテル、グリセリン
のトリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンの
トリグリシジルエーテルなど３官能以上のエポキシ化合
物が用いられる。上記化合物は、用途、目的に応じて１
種以上併用して使用することも出来る。これらのエポキ
シ樹脂には硬化剤が併用される。それらは、垣内弘著：
エボキシ樹脂（昭和４５年９月発行）１０９〜１４９ペ
ージ、１、ｅｅ、　Ｎｅｖｉｌｌｅ著：　Ｅｐｏｘｙ　
　Ｒｅ５ｉｎｓ　（ＭｃＧｒａｗ　−Ｈｉｌｌ　　Ｂｏ
ｏｋ　　Ｃｏｍｐａｎｙ　　Ｉｎｃ　：Ｎｅｗ　Ｙｏｒ
ｋ、１９５７年発行）６３〜１４１ベージ、　Ｐ、　Ｅ
、　Ｂｒｕｎｉｓ著：　Ｅｐｏｘｙ　　ＲｅｓｉｎｓＴ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　　（Ｉｎｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅ　
　Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ。

Ｎｅｗ　　Ｙｏｒｋ、　１９６８　　年発行３４５〜１
１１ページなどに、記載の化合物であシ、例えば脂肪族
ポリアミン、芳香族ポリアミン、第２および第３アミン
を含むアミン類、カルボン酸類、カルボン酸無水物類、
脂肪族および芳香族ポリアミドオリゴマーおよびポリマ
ー類、三フッ化ホク素−アミンコンプレックス類、フェ
ノール樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ウレタン樹脂
などの合成樹脂初期縮合物類、その他、ジシアンジアミ
ド、カルボン酸ヒドラジド、ポリアミノマレイミド類な
どがある。

上記硬化剤は、用途、目的に応じて１種以上使用するこ
とが出来る。

特ニ、フェノールノボラック樹脂は、硬化樹脂の金属イ
ンサートに対する密着性、成形時の作業性などの点から
、上記半導体制止用材料の硬化剤成分として、好適であ
る。

該樹脂組成物には、エポキシ化合物とノボラック型フェ
ノール樹脂の硬化反応を促進する効果が知られている公
知の触媒を使用することが出来る。

かかる触媒としては、例えば、トリエタノールアミン、
テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルブタンジア
ミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレンジ
アミン、ジメチルアニリンなどの三級アミン、ジメチル
アミンエタノール、ジメチルアミノベタノールなどのオ
キシアルキルアミンやトリス（ジメチルアミノメチル）
フェノール、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−エチルモルボ
リンなどのアミン類がある。

”＆ｆｃ、＋ｆルトリメテルアンモニウムフｏ−ｒイド
、セチルトリメチルアンモニウムクロライド、ドデシル
トリメチルアンモニウムアイオダイド、トリメチルドデ
シルアンモニウムクロ２イド、ベンジルジメチルテトラ
デシルアンモニウムクロライド、ペンジルメチルパルミ
チルアンモニウムクロライド、アリルドデシルトリメチ
ルアンモニウムフロマイド、ベンジルジメチルステアリ
ルアンモニウムブロマイド、ステアリルトリメチルアン
モニウムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシルア
ンモニウムアセテートなどの第４級アンモニウム塩があ
る。

また、２−エチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダ
ゾール、２−ヘクタデシルイミダゾール、２−メチル−
４−エチルイミダゾール、１−プチルイミタソール、１
−７’ロビルー２−メーＩＦ−ルイミダゾール、１−ベ
ンジル−２−メチルイミダノール、１−シアンエチル−
２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウン
デシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニル
イミダゾール１−アジン−２−メチルイミダゾール、１
−アジン−２−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾ
ール類、トリフェニルホ７フインテトラフェニ々ボレー
ト、ナト２フエニルホスホニウムテトラフエニルホレー
ト、トリエチルアミンテトラフェニルボレート、Ｎ−メ
チルモルホリンテトラフェニルボレート、２−エチル−
４−メチルイミｐ−ソールテトラフェニルボレート、２
−エチル−１，４−ジメチルイミダゾールテトラフェニ
ルボレートなどのテトラフェニルポロン塩などがある。

本発明においては樹脂組成物に、目的と用途に応じて、
各種の無機物質や添加剤を配合して用いることが出来る
。それらの具体例をあげればジルコン、シリカ、溶融石
英ガラス、アルミナ、水酸化アルミニウム、ガラス、石
英ガラス、ケイ酸カルシウム、石コク、炭酸カルシウム
、マグネサイト、クレー、カオリン、タルク、鉄粉、銅
粉、マイカ、アスベスト、炭化珪素、窒化ホウ素、二硫
化モリブデン、鉛化合物、鉛酸化物、亜鉛華、チタン白
、カーボンブラックなどの充填剤、あるいは、高級脂肪
酸、ワックス類などの離型剤、エボキシシ２ン、ビニル
シラン、アミノシラン、ボラン系化合物、アルフキシチ
タネート系化合物、アルミニウムキレート化合物などの
カップリング剤などである。さらに、アンチ七ン、燐化
合物、臭素や塩素を含む公知の難燃化剤を用いることが
出来る。

本発明においては、半導体装置を封止するための装置、
方法は特に限定されず、例えば前記したような成分から
なる組成物をもって、注型、トランスファ成形など公知
の方法が適用できる。

なお、本発明に使用される金属キレート化合物と金属ア
ルコ−レート系化合物とを成分とする組成物から形成さ
れた保護皮膜は、樹脂封止型のみでなく、ガラス融着セ
ラミック封止や半田融着セラミック封止など他の型の封
止方式による半導体装置にも、同様に適用できる。

次に実施例によって説明する。

実施例１ ５個の半導体素子（素子寸法６．９　Ｘ　７．９　ｔｒ
ａｍ　）の上に、トリス（エチルアセトアセタートンア
ルミニウム（略号ＡｔＴＥＡ）とジ−ミープロポキシア
ルミニウムｎ−ブチレート（略号ＡＰＲ）とを重量比８
０／２０で含む混合物の濃度０．１５重量％溶液（トル
エン／２−クロパノール等量混合溶媒使用）が滴加され
たのち、１８０［，６０分間加熱処理された。該被覆上
にさらにポリピロメリットイミド前駆体の８重量％Ｎ−
メチル−２−ピロリドン溶液が塗布され、２５０ｔｌｌ
’、３０分間の加熱処理を経て厚さ４０〜７０μｍの保
護被膜が形成された。

上記被覆された５個の半導体素子は、ブレラシャクツカ
試験（以下ＰＣＴと記す。１２１ｃ、２気圧過飽和水蒸
気中ンの缶に投入されて、所定時間軽過ごとく取出され
素子と保護被膜との界面に剥離の有無を横歪するための
レッドインクによるチェックをうけた。その結果は第１
表に示されるとおｐでおる。

上記実施例と比較するために、前記金属キレート化合物
−金属アルコレート組成物の代ｐに、カップリング剤等
各種の材料が用いられたほかは、実施例と同様な操作が
行なわれた。それらについてのＰＣＴの結果は、使用し
た材料名とともに、比較例として第１表に示されている
。

なお、表中の分数表示において、分母は試験母数、分子
はレッドチェック陽性を示した試料数である。

実施例には、ＰＣＴ８００時間経過後も、素子と保護被
膜との剥離現象が観られず、いずれの比較例に対しても
実施例が、格段に耐湿性にすぐれていることが分る。

実施例２〜６ 配合比を異にするＡｔＴＥＡ−Ａｌ’Ｂ組成物の溶液を
用いたほかは、実施例１と同様の方式に従って、半導体
素子に保護被膜が形成されたのち、各試料のＰＣＴへの
耐性がレッドチェックされた。

また、使用された組成物溶液を６０％ＲＨ，２０Ｃに２
４時間放置することによって、それら溶液の保存安定性
が検討された。それらの結果は第２表に示される。

ＡｔＴＥＡの配合量が多い実施例２では、レッドチェッ
クレベルが若干低く、ＡＮＨの割合が多−実施例５．実
施例６では、溶液の保存安定性が低下する傾向が認めら
れる。

実施例７ ＡＡＴＥＡとＡＰＢとが重量比８０／２０で配合され、
トルエンへ２−プロノくノール等量混合溶媒で、濃度０
．２重量％に溶解されて、４０Ｃ，２４時間熟成された
。得られた組成物が６４にビットＤ−ＲＡＭメモリ用Ｌ
ＳＩ素子に塗布され、１８０Ｃ，６０分間加熱処理され
た。次いで、＃ＬＳＩ素子は、下記に示されたエポキシ
樹脂組成物を用いてトランスファ成形（条件：　１８０
Ｃ，７０Ｋｇ／ｃｍ”、１．５分）によって封止された
。

作成された樹脂封止型ＬＳＩ１００個が、２０１缶に投
入され所定時間経過ごとに取出されて、電気的動作試験
にかけられた。その結果、第３図に示されるように、ア
ルミニウム配線の断線による不良発生率が求められた。

図中の比較例は、保護被覆なしで直接樹脂封止されたＬ
ＳＩ素子についての不良発生率である。本発明の効果は
明瞭である。

刺止用樹脂組成物の組成（重量部） クレゾールノボラックエポキシ樹脂 （エポキシ当量　２２５　）　　　　　１００フェノー
ルノボラック１Ｍ脂６０ トリエチルアミンテトラフェニルボレード２０溶融シリ
カ　　　　　　　　　　　　　４９０工ポキシシランＫ
ＢＭ　　　　　　　　　　　　１カーポンプ２ツク　　
　　　　　　　　　　　１実施例８ ビス（エチルアセトアセタート）チタニウムとＡＰＢと
が重量比６０／４０で配合され、トルエン−２−グロパ
ノール等量混合溶媒で、濃度０．２重量％に溶解された
後、水を１重量％添加され、２５Ｃ，で３日間放置され
た。

次いで該溶液が、６４にピッ）Ｄ−ＲＡＭメモリ用ＬＳ
Ｉ素子に塗布され、２００ｔｌ：’、６０分間加熱処理
された。次いで、該ＬＳＩ素子は、実施例７と同様のエ
ポキシ樹脂組成物を用いて、同様の条件でトランスファ
成形によって封止された。

作成された樹脂封止型ＬＳＩの１００個が、ＰＯＴ缶に
投入され、所定時間経過ごとに取出されて、アルミニウ
ム配線の断線による不良のチェックが行なわれた。その
結果、ＰＣ’Ｉ’１７００時間放置後もアルミニウム配
線の腐食による不良の発生はなかった。

実施例９ テトラ（エチルアセトアセタート）ジルコニウムとＡＰ
Ｂとが重量比７０／３０で配合され、トルエン−２−グ
ロパノール等量混合溶媒で、濃度１．０重量％に溶解さ
れた後、水を３．０重量％添加され、４０ｔｌ：’、２
４時間熟成された。

次いで該溶液が、６４にビットＤ　＠ＲＡＭメモリ用Ｌ
ＳＩ素子に塗布され、１８０Ｃ，６０分間加熱処理され
た。次いで、該ＬＳＩ素子は、実施例７と同様のエポキ
シ樹脂組成物を用いて、同様の条件でトランスファ成形
によって刺止された。

作成きれた樹脂制止型Ｌｆ９Ｉの１００個が、２０１缶
に投入され、所定時間経過ごとに取出されて、アルミニ
ウム配線の断線による不良のチェックが行なわれた。そ
の結果、ＰＣＴ２０００時間放置後も、アルミニウム配
線の腐食による不良の発生はなかった。

実施例１０ ＡｔＴＥＡとテトライソクロポキシチタニウムとが重量
比９０／１０で配合され、トルエン−２−グロパノール
等量混合溶媒で、濃度０．５重量％に溶解された後、水
を２．０重量％添加され、２０Ｃ。

２４時間放置された。

次いで該溶液が、６４にピッ）Ｄ−ＲＡＭメモリ用ＬＳ
Ｉ素子に塗布され、２００ｔＺ’、６０分間加熱処理さ
れた。次いで該ＬＳＩ素子は、実施例７と同様の条件で
トランスファ成形によって封止された。

作成された樹脂刺止型ＬＳＩの１００個が、２０１缶に
投入され、所定時間経過ととｖｃ取出されて、アルミニ
ウム配線の断線による不良のチェックが行なわれた。そ
の結果、１０１１８００時間放置後も、アルミニウム配
線の腐食による不良の　　　　　　−発生はなかった。

実施例１１ ＡｔＴＥＡとテトラ（アセトアセタート）ジルコニウム
と、ＡＰＲとテトライソグロボキシチタニラムとか、重
量比３０／３０／３０／１０で配合され、トルエン−２
−グロパノール等量混合溶媒で、濃度０．３重量％に溶
解された後、２００゜２４時間放置された。

次いで該溶液が、６４にピッ）Ｄ−ＲＡＭメモリ用ＬＳ
Ｉ素子に塗布され、Ｌ８ＱＣ−，６０分間加熱処理され
た。次いで、該ＬＳＩ素子は、実施例７と同様のエポキ
シ樹脂組成物を用いて、同様の条件でトランスファ成形
によって封止された。

作成された樹脂封止型ＬＳＩの１００個が、２０１缶に
投入され、所定時間経過ごとに取出されて、アルミニウ
ム配線の断線による不良のチェックが行なわれた。その
結果、ＰＣ’ｌ’１２００時間放置後も、アルミニウム
配線の腐食による不良の発生はなかった。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は、本発明に係わる半導体装置の素子構
造を説明するための図である。第３図はブレラシアフッ
カ試験時間と素子の断線不良率の関係を示す。 １・・・半導体素子、２ａ・・・第１層配線、２ｂ・・
・第２層配線、３ａ・・・第１層保護皮膜、３ｂ・・・
第２層保第１図 第２図 第３図 ＰＯＴ倣置蒔朋（充）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １゜半導体素子およびリード線等を含む回路が、その表
   面の一部または全部を成膜材料によって被覆されたうえ
   、樹脂組成物をもって封止成形されてなる半導体装置に
   おいて、成膜材料として少なくとも、 ［Ｉ）　　（ａ）　　アルミニウム、チタン、スズ、亜
   鉛。 鉛、およびジルコニウムのなかから選ばれる金属と、（
   ｂ）β−ジケトンおよびβ−ケト酸エステルのなかから
   選ばれた配位子とからなる金属キレート化合物の少なく
   とも１種、および〔■〕　　アルミニウム、チタン、ス
   ズ、亜鉛、鉛。 およびジルコニウムのなかから選ばれる金属のアルコレ
   ート系化合物の少なくとも１種、金成分とする組成物が
   、塗布、焼付けされたことを特徴とする半導体装置。 ２　前記金属キレート化合物および金属アルコレート系
   化合物を成分とする組成物からなる被覆の上に、ポリイ
   ミド系重合体からなる被覆が形成された特許請求の範囲
   第１項記載の半導体装置。 ３、金属がアルミニウムである特許請求の範囲第。 １項もしくは第２項記載の半導体装置。 ４、金属キレート化合物がトリス（エチルアセトアセタ
   ート）アルミニウムである特許請求の範囲第１項もしく
   は第２項記載の半導体装置。 ５、金属アルコレート系化合物がアルミニウムミープロ
   ピレートまたはアルミニウム、ｎ−ブチレートである特
   許請求の範囲第１項もしくは第２項記載の半導体装置。 ６、金属キレート化合物と金属アルコレート系化合物と
   の配合重量比が１〜９である特許請求の範囲第１項もし
   くは第３項記載の半導体装置。