JPS6198557A - マルチノズルの製法 - Google Patents
マルチノズルの製法Info
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- JPS6198557A JPS6198557A JP22108284A JP22108284A JPS6198557A JP S6198557 A JPS6198557 A JP S6198557A JP 22108284 A JP22108284 A JP 22108284A JP 22108284 A JP22108284 A JP 22108284A JP S6198557 A JPS6198557 A JP S6198557A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
抜毀分更
本発明は、’ Ｓｉウェハーを用いたマルチノズルの製
法に関し、より詳細にはインクジェットプリンタ、デジ
タルカラーコピア、デジタルプリンター。
法に関し、より詳細にはインクジェットプリンタ、デジ
タルカラーコピア、デジタルプリンター。
半導体デバイス等に適用しうるマルチノズルの製法に関
するものである。
するものである。
葺世
従来、Ｓｉウェハーを用いたマルチノズルの製法として
は、第８図に示したように、Ｓｉ基板ｉ上にＳｉＯ２膜
２を形成させ、この５１０８膜２に円形穴パターン３を
刻み、裏からこの円形穴パターン３に向けて異方性エツ
チングを利用して溝４を形成させるようにしていた。
は、第８図に示したように、Ｓｉ基板ｉ上にＳｉＯ２膜
２を形成させ、この５１０８膜２に円形穴パターン３を
刻み、裏からこの円形穴パターン３に向けて異方性エツ
チングを利用して溝４を形成させるようにしていた。
この従来のマルチノズルの製法では、Ｓｉ０□膜２の円
形穴パターン３に対して異方性エツチングをするための
表裏の位置合わせを必要とし、また異方性エツチングを
使用するため、ノズル穴がビラミツド状となるので、ノ
ズルの穴ピッチをある程度以上とらなくてはならず、さ
らにノズルの長さがＳｉ基板１の厚さく３０μ程度）に
よって決まり、また異方性エツチングのため、溝４の角
度が一定であり、ノズルがストレートのものしかできず
、途中で曲がっているものができないという欠点があっ
た。
形穴パターン３に対して異方性エツチングをするための
表裏の位置合わせを必要とし、また異方性エツチングを
使用するため、ノズル穴がビラミツド状となるので、ノ
ズルの穴ピッチをある程度以上とらなくてはならず、さ
らにノズルの長さがＳｉ基板１の厚さく３０μ程度）に
よって決まり、また異方性エツチングのため、溝４の角
度が一定であり、ノズルがストレートのものしかできず
、途中で曲がっているものができないという欠点があっ
た。
目的
本発明は、従来のマルチノズルの製法に比べて高密度で
、微細なマルチノズルが製造できるマルチノズルの製法
を提供することにある。
、微細なマルチノズルが製造できるマルチノズルの製法
を提供することにある。
−豊處一
本発明は上記の目的を達成するために、Ｓｉウェハーを
用いたマルチノズルの製法において、Ｓｊ基板上にＳｉ
窒化膜を形成させ、該Ｓｉ窒化膜上にレジストパターン
を形成させ、該レジストパターンをマスクとして前記Ｓ
ｉ窒化膜をエツチングして前記Ｓｉ窒化膜の帯状パター
ンを形成させた後、該帯状パターンにＳｉＯ２膜の線状
パターンを形成させ、該帯状パターン及び前記Ｓｉ窒化
膜の上に多結晶５ｉｌｌをデポジションさせた後、前記
Ｓｉ基板を襞間してノズル構造体を形成させ、該ノズル
構造体の前記ＳｉＯ２膜の線状パターンを選択的にエツ
チングすることを特徴とする。以下、本発明の一実施例
に基づいて具体的に説明する。
用いたマルチノズルの製法において、Ｓｊ基板上にＳｉ
窒化膜を形成させ、該Ｓｉ窒化膜上にレジストパターン
を形成させ、該レジストパターンをマスクとして前記Ｓ
ｉ窒化膜をエツチングして前記Ｓｉ窒化膜の帯状パター
ンを形成させた後、該帯状パターンにＳｉＯ２膜の線状
パターンを形成させ、該帯状パターン及び前記Ｓｉ窒化
膜の上に多結晶５ｉｌｌをデポジションさせた後、前記
Ｓｉ基板を襞間してノズル構造体を形成させ、該ノズル
構造体の前記ＳｉＯ２膜の線状パターンを選択的にエツ
チングすることを特徴とする。以下、本発明の一実施例
に基づいて具体的に説明する。
まず、第１図に示すようにＳｉ基板５上にＳｉ窒化膜を
デポジションするか、または熱窒化によってＳｉ窒化膜
６を形成させる。このＳｉ窒化膜６の上にレジストを塗
布し、露光現像することにより第３図に示したようなレ
ジストパターン７を形成させる。
デポジションするか、または熱窒化によってＳｉ窒化膜
６を形成させる。このＳｉ窒化膜６の上にレジストを塗
布し、露光現像することにより第３図に示したようなレ
ジストパターン７を形成させる。
このレジストパターン７をマスクとしてＳｉ窒化膜６を
ドライエツチングあるいは１９０℃程度の熱リン酸容液
によってエツチングを行ない、第２図に示すようにＳｉ
窒化膜６の帯状パターン８を形成させる。
ドライエツチングあるいは１９０℃程度の熱リン酸容液
によってエツチングを行ない、第２図に示すようにＳｉ
窒化膜６の帯状パターン８を形成させる。
なお、第３図はレジストパターン７の拡大図を示したも
ので、側面にオリュンテーションフラット９が設けられ
たＳｉウェハー５の上にノズル部１０とノズル室部１１
が交互に設けられるように構成する。
ので、側面にオリュンテーションフラット９が設けられ
たＳｉウェハー５の上にノズル部１０とノズル室部１１
が交互に設けられるように構成する。
第２図のように構成されたＳｉ基板５を拡散炉に入れ、
ドライ酸化、スチーム酸化あるいはパイロジェニック酸
化を行なわせると、Ｓｉ窒化膜の酸化の速度はＳｉ基板
５に比べて１／１００程度と非常に遅いため、第４図に
示すようにＳｉ基板５上にＳｉＯ２膜の線状パターン１
２が成長する。なお、Ｓｉ窒化膜６上のＳｉＯ２膜は１
／２０に薄めたＨＦ溶液で数秒エツチングすることによ
り取り除かれる０次に、Ｓｉ窒化膜６及びＳｉＯ□膜の
線状パターン１２上に多結晶Ｓｉ膜１３をデポジション
させると、 ＳｉＯ２膜の線状パターン１２は第５図に
示すようにＳｉ基板５． Ｓｉ窒化膜６及び多結晶５ｉ
ｌｌｉ１３によって囲まれて形成される。なお。
ドライ酸化、スチーム酸化あるいはパイロジェニック酸
化を行なわせると、Ｓｉ窒化膜の酸化の速度はＳｉ基板
５に比べて１／１００程度と非常に遅いため、第４図に
示すようにＳｉ基板５上にＳｉＯ２膜の線状パターン１
２が成長する。なお、Ｓｉ窒化膜６上のＳｉＯ２膜は１
／２０に薄めたＨＦ溶液で数秒エツチングすることによ
り取り除かれる０次に、Ｓｉ窒化膜６及びＳｉＯ□膜の
線状パターン１２上に多結晶Ｓｉ膜１３をデポジション
させると、 ＳｉＯ２膜の線状パターン１２は第５図に
示すようにＳｉ基板５． Ｓｉ窒化膜６及び多結晶５ｉ
ｌｌｉ１３によって囲まれて形成される。なお。
多結晶Ｓｉ［１３をデポジションする前にＳｉ窒化膜６
を熱リン酸でエツチングして取り去った後、多結晶Ｓｉ
膜、１３をデポジションさせてもよい。
を熱リン酸でエツチングして取り去った後、多結晶Ｓｉ
膜、１３をデポジションさせてもよい。
このように構成されたＳｉ基板５を、第３図のＡ。
Ｂの位置、即ちノズル部ｌＯのほぼ中央及びノズル室１
１の所望に位置でダイヤモンドスクライバ−によって切
り欠きを入れて襞間させると、第６図に示すようにノズ
ル端面５″が滑らかな構造物１４が形成される。この構
造物１４をＨＦ溶液に漬け、 ＳｉＯ□膜だけを選択的
にエツチングさせることによって第７図に示すようにＳ
ｉ基板５と多結晶Ｓｉｌ！ｉ１３に囲まれた線状の空洞
１５をノズルとする構造物１６を得ることができる。
１の所望に位置でダイヤモンドスクライバ−によって切
り欠きを入れて襞間させると、第６図に示すようにノズ
ル端面５″が滑らかな構造物１４が形成される。この構
造物１４をＨＦ溶液に漬け、 ＳｉＯ□膜だけを選択的
にエツチングさせることによって第７図に示すようにＳ
ｉ基板５と多結晶Ｓｉｌ！ｉ１３に囲まれた線状の空洞
１５をノズルとする構造物１６を得ることができる。
このように本実施例の製法で、Ｓｉウェハーの平。
面皮を利用することができるので、加工が容易であり、
また結晶の襞間を用いるため１Ｍ子レベルの平滑面が得
られ、流体の制御が容易であり、さらに選択酸化の技術
を使うため、コーナーが比較的なだらかで、流体の制御
が容易であり、また本実施例の製法によって作られたマ
ルチノズルはノズル穴ｌＯを所望の径（１０〜３０μ）
にすることができ５、ノズル穴１０の長さも３０μ以上
にすることができる。
また結晶の襞間を用いるため１Ｍ子レベルの平滑面が得
られ、流体の制御が容易であり、さらに選択酸化の技術
を使うため、コーナーが比較的なだらかで、流体の制御
が容易であり、また本実施例の製法によって作られたマ
ルチノズルはノズル穴ｌＯを所望の径（１０〜３０μ）
にすることができ５、ノズル穴１０の長さも３０μ以上
にすることができる。
なお、第５図の段階で多結晶５ｉｌｉ１３の上にＳｉ窒
化膜をデポジションさせ、第２図〜第５図の工程を繰り
返すことによって二重、三重またはそ終息上の多重ノズ
ル形状の構造物を得ることができる。 ′−紘果一 以上の説明から明らかなように、本発明は、Ｓｉウェハ
ーの平面度を利用することができるので、加工が容易で
あり、また結晶の襞間を用いるため。
化膜をデポジションさせ、第２図〜第５図の工程を繰り
返すことによって二重、三重またはそ終息上の多重ノズ
ル形状の構造物を得ることができる。 ′−紘果一 以上の説明から明らかなように、本発明は、Ｓｉウェハ
ーの平面度を利用することができるので、加工が容易で
あり、また結晶の襞間を用いるため。
原子レベルの平滑面が得られ、流体の制御が容易であり
、さらに選択酸化の技術を使うため、コーナーが比較的
なだらかで、流体の制御が容易であり、またノズル長を
自由に選択できるという利点がある。
、さらに選択酸化の技術を使うため、コーナーが比較的
なだらかで、流体の制御が容易であり、またノズル長を
自由に選択できるという利点がある。
第１図〜第７図は本発明の実施例のマルチノズルの製法
を説明するための図であり、第８図は従来のマルチノズ
ルの製法を説明するための図である。 ５・・・Ｓｉ基板、６・・・Ｓｉ窒化膜、７・・・レジ
ストパターン、８・・・帯状パターン、９・・・オリュ
ンテーションフラット、１０・・・ノズル穴、１１・・
・ノズル室、１２・・・線状パターン、１３・・・多結
晶Ｓｉ膜、１４．１６・・・構造物、１５・・・空洞。
を説明するための図であり、第８図は従来のマルチノズ
ルの製法を説明するための図である。 ５・・・Ｓｉ基板、６・・・Ｓｉ窒化膜、７・・・レジ
ストパターン、８・・・帯状パターン、９・・・オリュ
ンテーションフラット、１０・・・ノズル穴、１１・・
・ノズル室、１２・・・線状パターン、１３・・・多結
晶Ｓｉ膜、１４．１６・・・構造物、１５・・・空洞。
Claims (2)
- （１）Ｓｉウェハーを用いたマルチノズルの製法におい
て、Ｓｉ基板上にＳｉ窒化膜を形成させ、該Ｓｉ窒化膜
上にレジストパターンを形成させ、該レジストパターン
をマスクとして前記Ｓｉ窒化膜をエッチングして前記Ｓ
ｉ窒化膜の帯状パターンを形成させた後、該帯状パター
ンにＳｉＯ＿２膜の線状パターンを形成させ、該帯状パ
ターン及び前記Ｓｉ窒化膜の上に多結晶Ｓｉ膜をデポジ
ションさせた後、前記Ｓｉ基板を劈開してノズル構造体
を形成させ、該ノズル構造体の前記ＳｉＯ＿２膜の線状
パターンを選択的にエッチングすることを特徴とするマ
ルチノズルの製法。 - （２）前記Ｓｉ基板上に形成させる前記Ｓｉ窒化膜の帯
状パターンの幅及びピッチを制御することによって前記
ＳｉＯ＿２膜の線状パターンの大きさ及びピッチを変え
、ノズルの穴径及びピッチを変えることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のマルチノズルの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22108284A JPS6198557A (ja) | 1984-10-20 | 1984-10-20 | マルチノズルの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22108284A JPS6198557A (ja) | 1984-10-20 | 1984-10-20 | マルチノズルの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6198557A true JPS6198557A (ja) | 1986-05-16 |
Family
ID=16761203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22108284A Pending JPS6198557A (ja) | 1984-10-20 | 1984-10-20 | マルチノズルの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6198557A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004344879A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-09 | Xerox Corp | 側方射出型液滴エゼクタ及び側方射出型液滴エゼクタを製造する方法 |
-
1984
- 1984-10-20 JP JP22108284A patent/JPS6198557A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004344879A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-09 | Xerox Corp | 側方射出型液滴エゼクタ及び側方射出型液滴エゼクタを製造する方法 |
| JP4606772B2 (ja) * | 2003-05-19 | 2011-01-05 | ゼロックス コーポレイション | 側方射出型液滴エゼクタ及び側方射出型液滴エゼクタを製造する方法 |
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