JPS6198556A - マルチノズルの製法 - Google Patents
マルチノズルの製法Info
- Publication number
- JPS6198556A JPS6198556A JP22108084A JP22108084A JPS6198556A JP S6198556 A JPS6198556 A JP S6198556A JP 22108084 A JP22108084 A JP 22108084A JP 22108084 A JP22108084 A JP 22108084A JP S6198556 A JPS6198556 A JP S6198556A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- rib
- nozzle
- sio2
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 10
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 210000004185 liver Anatomy 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000001698 pyrogenic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1629—Manufacturing processes etching wet etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1637—Manufacturing processes molding
- B41J2/1639—Manufacturing processes molding sacrificial molding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Special Spraying Apparatus (AREA)
- Nozzles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
１延立本
本発明は、Ｓｉウェハーを用いたマルチノズルの製法に
関し、より詳細にはインクジェットプリンタ、デジタル
カラーコピア、デジタルプリンター、半導体デバイス等
に適用しうるマルチノズルの製法に関するものである。
関し、より詳細にはインクジェットプリンタ、デジタル
カラーコピア、デジタルプリンター、半導体デバイス等
に適用しうるマルチノズルの製法に関するものである。
炙未挟！
従来、Ｓｉウェハーを用いたマルチノズルの製法として
は、第８図に示したように、Ｓｉ基板ｌ上にＳｉｎ、膜
２を形成させ、このＳｉＯ□膜２に円形穴パターン３を
刻み、裏からこの円形穴パターン３に向けて異方性エツ
チングを利用して溝４を形成させるようにした方法が知
られている。
は、第８図に示したように、Ｓｉ基板ｌ上にＳｉｎ、膜
２を形成させ、このＳｉＯ□膜２に円形穴パターン３を
刻み、裏からこの円形穴パターン３に向けて異方性エツ
チングを利用して溝４を形成させるようにした方法が知
られている。
この従来のマルチノズルの製法では、 ＳｉＯ□膜２の
円形穴パターン３に対して異方性エツチングをするため
の表裏の位置合わせを必要とし、また異方性エツチング
を使用するため、ノズル穴がピラミッド状になるので、
ノズルの穴ピッチをある程度以上とらなくてはならず、
さらにノズルの長さがＳｉ基板１の厚さく３０μ程度）
によって決まり、また異方性エツチングのため、溝４の
角度が一定であり、ノズルがストレートのものしかでき
ず、途中で曲がっているものができないという欠点があ
った・ −Ｊ」五一 本発明は、従来のマルチノズルの製法に比べて高密度で
、微細なマルチノズルが製造できるマルチノズルの製法
を提供することにある。
円形穴パターン３に対して異方性エツチングをするため
の表裏の位置合わせを必要とし、また異方性エツチング
を使用するため、ノズル穴がピラミッド状になるので、
ノズルの穴ピッチをある程度以上とらなくてはならず、
さらにノズルの長さがＳｉ基板１の厚さく３０μ程度）
によって決まり、また異方性エツチングのため、溝４の
角度が一定であり、ノズルがストレートのものしかでき
ず、途中で曲がっているものができないという欠点があ
った・ −Ｊ」五一 本発明は、従来のマルチノズルの製法に比べて高密度で
、微細なマルチノズルが製造できるマルチノズルの製法
を提供することにある。
−豊曳一
本発明は上記の目的を達成するために、Ｓｉウェハーを
用いたマルチノズルの製法において、Ｓｉ基板上にＳｉ
ｎ、または窒化シリコンの複数のリブ状の突起を形成し
、該Ｓｉ基板上に前記リブ状突起を包むように多結晶Ｓ
ｉをデポジションさせた後、結晶の骨間を利用してノズ
ル構造を形成し、前記リブ状突起をエツチングすること
を特徴とする。以下。
用いたマルチノズルの製法において、Ｓｉ基板上にＳｉ
ｎ、または窒化シリコンの複数のリブ状の突起を形成し
、該Ｓｉ基板上に前記リブ状突起を包むように多結晶Ｓ
ｉをデポジションさせた後、結晶の骨間を利用してノズ
ル構造を形成し、前記リブ状突起をエツチングすること
を特徴とする。以下。
本発明の一実施例に基づいて具体的に説明する。
まず、第１図に示すようにＳｉ基板５上に拡散炉を用い
てドライ酸化（膜厚が０．１μ以下の場合）、スチーム
酸化（膜厚が０．１μ以上の場合）、パイロジェニック
酸化あるいはデポジションによりＳｉｎ。
てドライ酸化（膜厚が０．１μ以下の場合）、スチーム
酸化（膜厚が０．１μ以上の場合）、パイロジェニック
酸化あるいはデポジションによりＳｉｎ。
膜６を形成させる。なお、 ＳｉＯ□膜６の代りにＳｉ
窒化膜をデポジションさせてもよい０次に第２図に示す
ようにＳｉ基板５上にフォトレジストを塗布して第３図
に示すようなレジストパターンを形成させ。
窒化膜をデポジションさせてもよい０次に第２図に示す
ようにＳｉ基板５上にフォトレジストを塗布して第３図
に示すようなレジストパターンを形成させ。
これをマスクとしてドライエツチングあるいは肝等でエ
ツチングを行ない、 Ｓｉｎ、のリブ状パターン７を形
成させる。なお、Ｓｉ窒化膜の場合は、１９０℃の熱リ
ン酸溶液あるいはドライエツチングにより同様なパター
ンを形成させる。その後、 ＳｉＯ□のリブ状パターン
７上のレジストを剥離液で除去した後、アセトン、 Ｉ
ＰＡまたは純水で洗浄する。第３図のレジストパターン
８は側面にオリュンテーションフラット９が設けられた
Ｓｉウェハー５の上にノズル部１０とノズル室部１１が
交互に設けられるように構成する。
ツチングを行ない、 Ｓｉｎ、のリブ状パターン７を形
成させる。なお、Ｓｉ窒化膜の場合は、１９０℃の熱リ
ン酸溶液あるいはドライエツチングにより同様なパター
ンを形成させる。その後、 ＳｉＯ□のリブ状パターン
７上のレジストを剥離液で除去した後、アセトン、 Ｉ
ＰＡまたは純水で洗浄する。第３図のレジストパターン
８は側面にオリュンテーションフラット９が設けられた
Ｓｉウェハー５の上にノズル部１０とノズル室部１１が
交互に設けられるように構成する。
第２図のように構成されたＳｉ基板５を拡散炉に入れ、
第４図に示すように多結晶５ｉ１２をＳｉ基板５の上に
デポジションさせ、リブ状のパターン７をＳｉ基板５と
多結晶５ｉ１２で包み込むように形成させる。この後、
第３図に示すようにノズル穴１０の部分のほぼ中央の位
ｆｆ！Ａ及びノズル室１１の部分の所定の位置Ｂにダイ
ヤモンドスクライバ−で切り欠きを入れると、第５図に
示すようにＳｉ基板５上にノズル穴１０及びノズル室１
１が形成されたリブ状パターンを持つ構造物１３を得る
ことができる。この構造物１３をＨＦ溶液に漬けると、
多結晶Ｓｉ’ｅ＋Ｓｉ基板は殆どエツチングされないが
、 Ｓｉｎ、は１００人／ｓ。
第４図に示すように多結晶５ｉ１２をＳｉ基板５の上に
デポジションさせ、リブ状のパターン７をＳｉ基板５と
多結晶５ｉ１２で包み込むように形成させる。この後、
第３図に示すようにノズル穴１０の部分のほぼ中央の位
ｆｆ！Ａ及びノズル室１１の部分の所定の位置Ｂにダイ
ヤモンドスクライバ−で切り欠きを入れると、第５図に
示すようにＳｉ基板５上にノズル穴１０及びノズル室１
１が形成されたリブ状パターンを持つ構造物１３を得る
ことができる。この構造物１３をＨＦ溶液に漬けると、
多結晶Ｓｉ’ｅ＋Ｓｉ基板は殆どエツチングされないが
、 Ｓｉｎ、は１００人／ｓ。
Ｃ程度の速度でエツチングされるので、第６図に示すよ
うにＳｉｎ、のリブ状パターン７の部分に穴があき、多
結晶５ｉ１２とＳｉ基板５で形成された微小な通路１４
ができる。
うにＳｉｎ、のリブ状パターン７の部分に穴があき、多
結晶５ｉ１２とＳｉ基板５で形成された微小な通路１４
ができる。
なお、Ｓｉ窒化膜でリブ状パターンを形成された場合に
は、ＨＦ溶液の代りに１９０℃の熱リン酸溶液に漬けて
エツチングすることにより同様な微小穴を形成させるこ
とができる。
は、ＨＦ溶液の代りに１９０℃の熱リン酸溶液に漬けて
エツチングすることにより同様な微小穴を形成させるこ
とができる。
このように本実施例の製法はＳｉウェハーの平面度を利
用することができるので加工が容易であり、また結晶の
骨間を用いるため、原子レベルの平滑面が得られ、流体
の制御が容易であり、さらにＳｉ基板の表面にノズルを
形成させるため、ノズルを通過させる流体を制御する回
路をＳｉ基板に設けることができるので、同一基板内に
制御系を形成することが可能であり、また本実施例の製
法によって作られたマルチノズルはノズル穴１０を所望
の径（１０−３０μ）にすることができ、ノズル穴１０
の長さも３０μ以上にすることができる。
用することができるので加工が容易であり、また結晶の
骨間を用いるため、原子レベルの平滑面が得られ、流体
の制御が容易であり、さらにＳｉ基板の表面にノズルを
形成させるため、ノズルを通過させる流体を制御する回
路をＳｉ基板に設けることができるので、同一基板内に
制御系を形成することが可能であり、また本実施例の製
法によって作られたマルチノズルはノズル穴１０を所望
の径（１０−３０μ）にすることができ、ノズル穴１０
の長さも３０μ以上にすることができる。
第７図は、本発明の他の実施例のマルチノズルの製法を
説明するための図を示したもので、第４図に示すように
Ｓｉ基板５、リブ状パターン７及び多結晶５ｉ１２を骨
間させる前の状態で、多結晶５ｉ１２の上にＳｉｎ、や
Ｓｉ窒化膜のリブ状パターン７をデポジションさせて、
第２図で述べた方法と同様にフォトエツチングを行ない
、さらにその上から多結晶ＳＬをデポジションさせてエ
ツチングすることにより、リブ状パターン７に微小通路
が形成され、この微小通路は二重、三重またはそれ以上
に積み重ねることができる。
説明するための図を示したもので、第４図に示すように
Ｓｉ基板５、リブ状パターン７及び多結晶５ｉ１２を骨
間させる前の状態で、多結晶５ｉ１２の上にＳｉｎ、や
Ｓｉ窒化膜のリブ状パターン７をデポジションさせて、
第２図で述べた方法と同様にフォトエツチングを行ない
、さらにその上から多結晶ＳＬをデポジションさせてエ
ツチングすることにより、リブ状パターン７に微小通路
が形成され、この微小通路は二重、三重またはそれ以上
に積み重ねることができる。
このように構成した構造物１５を、第３図で説明したの
と同様に骨間することにより、二重、三重またはそれ以
上に積み重ねられた多重マルチノズルを形成させること
が可能である。
と同様に骨間することにより、二重、三重またはそれ以
上に積み重ねられた多重マルチノズルを形成させること
が可能である。
−級釆一
以上の説明から明らかなように、本発明は、Ｓｉウェハ
ーの平面度を利用することができるので。
ーの平面度を利用することができるので。
加工が容易であり、また結晶の劈開を用いるため、ノズ
ルの端面に原子レベルの平滑面が得られ、流体の制御を
容易に行なうことができ、さらにＳｉ基板の表面にノズ
ルを形成させるため、ノズルを通過する流体を制御させ
る回路をＳｉ基板に取り付けることができるので、同一
基板内で制御系を形成することが可能であるという利点
がある。
ルの端面に原子レベルの平滑面が得られ、流体の制御を
容易に行なうことができ、さらにＳｉ基板の表面にノズ
ルを形成させるため、ノズルを通過する流体を制御させ
る回路をＳｉ基板に取り付けることができるので、同一
基板内で制御系を形成することが可能であるという利点
がある。
第１図〜第６図は本発明の実施例のマルチノズルの製法
を説明するための図であり、第７図は本発明の他の実施
例のマルチノズルの製法を説明するための図であり、第
８図は従来のマルチノズルの製法を説明するための図で
ある− ５・・・Ｓｉ基板、６・・・ＳｉＯ□膜またはＳｉ窒化
膜、７・・・リブ状パターン、８・・・レジストパター
ン、９・・・オリュンテーションフラット、 １０・・
・ノズル穴、１１・・・ノズル室、 １２・・・多結晶
Ｓｉ、１３・・・構造物、１４・・・通路、１５・・・
構造物。
を説明するための図であり、第７図は本発明の他の実施
例のマルチノズルの製法を説明するための図であり、第
８図は従来のマルチノズルの製法を説明するための図で
ある− ５・・・Ｓｉ基板、６・・・ＳｉＯ□膜またはＳｉ窒化
膜、７・・・リブ状パターン、８・・・レジストパター
ン、９・・・オリュンテーションフラット、 １０・・
・ノズル穴、１１・・・ノズル室、 １２・・・多結晶
Ｓｉ、１３・・・構造物、１４・・・通路、１５・・・
構造物。
Claims (2)
- （１）Ｓｉウェハーを用いたマルチノズルの製法におい
て、Ｓｉ基板上にＳｉＯ＿２または窒化シリコンの複数
のリブ状の突起を形成し、該Ｓｉ基板上に前記リブ状突
起を包むように多結晶Ｓｉをデポジションさせた後、結
晶の劈開を利用してノズル構造を形成し、前記リブ状突
起をエッチングすることを特徴とするマルチノズルの製
法。 - （２）前記リブ状の突起を形成する際に、前記Ｓｉ基板
上に形成するＳｉＯ＿２または窒化シリコンのマスクパ
ターンと、前記マスクパターンをエッチングするエッチ
ング法及びエッチング時間を変えることにより、前記リ
ブ状の突起の径及び形状を制御することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のマルチノズルの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22108084A JPS6198556A (ja) | 1984-10-20 | 1984-10-20 | マルチノズルの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22108084A JPS6198556A (ja) | 1984-10-20 | 1984-10-20 | マルチノズルの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6198556A true JPS6198556A (ja) | 1986-05-16 |
Family
ID=16761170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22108084A Pending JPS6198556A (ja) | 1984-10-20 | 1984-10-20 | マルチノズルの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6198556A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0220959A2 (en) * | 1985-10-29 | 1987-05-06 | Nec Corporation | Ceramic electronic device and method of manufacturing the same |
-
1984
- 1984-10-20 JP JP22108084A patent/JPS6198556A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0220959A2 (en) * | 1985-10-29 | 1987-05-06 | Nec Corporation | Ceramic electronic device and method of manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6122631A (ja) | 半導体平坦化方法及びそれによつて製造された構成体 | |
| JPS6198556A (ja) | マルチノズルの製法 | |
| JPS6315439A (ja) | 選択酸化分離方法 | |
| JPH052981B2 (ja) | ||
| JPS6198557A (ja) | マルチノズルの製法 | |
| JPH0318023A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05206263A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2578092B2 (ja) | エツチング方法 | |
| JPS63258020A (ja) | 素子分離パタ−ンの形成方法 | |
| JPS6314321B2 (ja) | ||
| JPS61101265A (ja) | マルチノズルの製法 | |
| KR960005555B1 (ko) | 반도체 소자 격리막 제조방법 | |
| KR0157921B1 (ko) | 필드 산화막 제조 방법 | |
| JPH05109713A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0131367B1 (ko) | 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 | |
| KR100240271B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR100239668B1 (ko) | 반도체 소자의 열배출용 다이아몬드 박막 제조 방법 | |
| JPH02295151A (ja) | 誘電体分離基板の製造方法 | |
| KR100370137B1 (ko) | 플랫 롬 셀의 어레이 및 그 제조방법 | |
| JPS6161431A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR19980030446A (ko) | 반도체 기판 및 그의 형성방법 | |
| JPS60254629A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6324635A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6260231A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0294439A (ja) | 半導体装置の製造方法 |