JPS61101265A - マルチノズルの製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 伎東分災 本発明は、Ｓ１ウエハーを用いたマルチノズルの製法に
関し、より詳細にはインクジェットプリンタ、デジタル
カラーコピア、デジタルプリンター、半導体デバイス等
に適用しうるマルチノズルの製法に関するものである６ 従来技術 従来、Ｓｉウェハーを用いたマルチノズルの製法として
は、第１０図に示したように、Ｓｉ基板１上にＳｕｎ、
膜２を形成させ、このＳｉＯ２膜２に円形穴パターン３
を刻み、裏からこの円形穴パターン３に向けて異方性エ
ツチングを利用して溝４を形成させるようにした方法が
知られている。

この従来のマルチノズルの製法では、ＳｉＯ□膜２の円
形穴パターン３に対して異方性エツチングをするための
表裏の位置合わせを必要とし、また異方性エツチングを
使用するため、ノズル穴がピラミッド状になるので、ノ
ズルの穴ピンチをある程度以上とらなくてはならず、さ
らにノズルの長さがＳｉ基板１の厚さく３０μ程度）に
よって決まり、また異方性エツチングのため、溝４の角
度が一定であり、ノズルがストレートのものしができず
、途中で曲がっているものができないという欠点があっ
た・ 目的 本発明は、従来のマルチノズルの製法に比べて高密度で
、微細なマルチノズルが製造できるマルチノズルの製法
を提供することにある。

構成 本発明は上記の目的を達成するために、Ｓｉウェハーを
用いたマルチノズルの製法において、Ｓｉ基板上に窒化
シリコン膜を形成させ、該窒化シリコン膜上に多結晶Ｓ
ｉをデポジションさせ、該多結晶Ｓｉ上にさらに窒化シ
リコン膜を形成させ、該窒化シリコン膜上にレジストパ
ターンを形成させ、該レジストパターンをマスクにして
前記窒化シリコン膜で挟まれた前記多結晶Ｓｉの帯状突
起パターンを形成し、該帯状突起パターンの側面にＳｉ
Ｏ２の線状パターンを形成させ、前記帯状突起パターン
及びＳｉＯ□の線状パターンの上から多結晶Ｓｉをデポ
ジションした後、所望の形状に劈開させることを特徴と
する。以下１本発明の一実施例に基づいて具体的に説明
する。

まず、第１図に示すようにＳｉ基板５上にＳｉ窒化膜を
デポジションさせるか、あるいはＳｉ基板５を熱窒化し
てＳｉ窒化膜６を形成させる。次に、第２図に示すよう
にＳｉ窒化膜６の上に多結晶Ｓｉ膜７を形成させる。こ
の多結晶Ｓｉ膜７の上にさらに第３図に示すようににＳ
ｉ窒化膜８をデポジションさせる。

このＳｉ窒化膜８の上にレジストを塗布して第４図に示
すような帯状のレジストパターン９を形成させ、これを
マスクとして１９０℃の熱リン酸溶液によるエツチング
またはドライエツチングを行ない、Ｓｉ窒化膜のパター
ンを形成させる。その後レジストを除去して洗浄した後
、ＨＮＯ，−ＨＦ混合液でＳｉ窒化膜８をマスクとして
多結晶Ｓｉ膜７をエツチングすることにより、第５図に
示すようなＳｉ窒化膜６と８で挟まれた多結晶Ｓｉの帯
状突起パターン１０を形成させる。なお、第４図に拡大
して示したレジストパターン９は側面にオリュンテーシ
ョンフラット１１が設けられたＳｉウェハー５の上に帯
状に形成される。

第５図のように構成されたＳｉ基板５を拡散炉に入れて
熱をかけ、ドライ酸化もしくはスチーム酸化またはパイ
ロジェニック酸化を行なわせる。Ｓｉ窒化膜６，８は多
結晶Ｓｉ帯状突起パターン１０に比べて酸化速度が１／
１００程度と比較的遅いため、第６図に示すように多結
晶Ｓｉの突起パターン１０の側方から酸化され、従って
この多結晶Ｓｉの突起パターン１０の側面にＳｉＯ□の
線状パターン１２が形成される。

この後、Ｓｉ窒化膜６．８上のＳｉｎ、膜をエツチング
するため、１／２０程度に薄めたＨＦ溶液で数秒エツチ
ングしてＳｉ窒化膜６，８上の薄いＳｉ、Ｏ□膜を取り
去る。

そして、第６図のＳｉ窒化膜６．８及び線状パターン１
２の上から多結晶Ｓｉ膜１３をデポジションして、第７
図に示すようにＳｉ基板５上に多結晶Ｓｉ膜７．１３と
Ｓ１窒化膜６．８で囲まれたＳｉＯ□の線状パターン１
２を形成させる。このように構成した第４図のＳｉ基板
５をＡ、Ｂで示した所望の位置にダイヤモンドスクライ
バ−で切り欠きを入れ、劈開させることによって第８図
に示すようにノズル端面５′が平滑な構造物１４を得る
ことができる。この構造物１４を）ＩＦ温溶液のＳｉＯ
□膜を選択的にエツチングする液にに漬けると、Ｓｉ窒
化膜６．８や多結晶Ｓｉ膜１３は殆どエツチングされな
いが、ＳｉＯ□の帯状パターン１２がエツチングされる
ので、第９図に示すようにＳｉＯ□の帯状パターン１２
の部分に穴があき、微細なノズル穴１５を形成させるこ
とができる。

効果 以上の説明から明らかなように、本発明は、Ｓｉウェハ
ーの平面度を利用することができるので加工が容易であ
り、また結晶の劈開を用いるため。

原子レベルの平滑面が得られ、流体の制御が容易であり
、さらにＳｉ基板の表面にノズルを形成させるため、ノ
ズルを通過させる流体を制御する回路をＳｉ基板に設け
ることができるので、同一基板内に制御系を形成するこ
とが可能であり、またＳｉｎ。

の帯状パターンを成長させる工程にフォトリングラフィ
を用いないので、酸（ｔｒの膜厚をコントロールするこ
とにより、０．１μ以下の微細なノズルを実現すること
ができ、またノズルの長さも自由に選択することができ
るという利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第９図は本発明の実施例のマルチノズルの５＃
法を説明するための図であり、第１０図は□従来のマル
チノズルの製法を説明する°ための図である。 ５・・・Ｓｉ基板、６．８・・・Ｓｉ窒化膜、７・・・
多結晶Ｓｉ膜、９・・・レジストパターン、１０・・・
帯状突起パターン。 １１・・・オリュンテーションフラット、　１２・・・
ＳｉＯ□の線状パターン、１３・・・多結晶Ｓｉ膜、１
４・・・構造物、１５・・・ノズル穴。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｓｉウェハーを用いたマルチノズルの製法におい
   て、Ｓｉ基板上に窒化シリコン膜を形成させ、該Ｓｉ窒
   化膜上に多結晶Ｓｉをデポジションさせ、該多結晶Ｓｉ
   上にさらにＳｉ窒化膜を形成させ、該Ｓｉ窒化膜上にレ
   ジストパターンを形成させ、該レジストパターンをマス
   クにして前記Ｓｉ窒化膜で挟まれた前記多結晶Ｓｉの帯
   状突起パターンを形成し、該帯状突起パターンの側面に
   ＳｉＯ＿２の線状パターンを形成させ、前記帯状突起パ
   ターン及びＳｉＯ＿２の線状パターンの上から多結晶Ｓ
   ｉをデポジションした後、所望の形状に劈開させること
   を特徴とするマルチノズルの製法。
2. （２）前記Ｓｉ基板上に形成する前記帯状突起パターン
   の幅及びピッチと前記ＳｉＯ＿２の線状パターンの進行
   度合を制御することにより、ノズルの穴の大きさ及びピ
   ッチを変えることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載のマルチノズルの製法。