JPS6194377A - 電界効果トランジスタ及びその製法 - Google Patents

電界効果トランジスタ及びその製法

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JPS6194377A JP59215877A JP21587784A JPS6194377A JP S6194377 A JPS6194377 A JP S6194377A JP 59215877 A JP59215877 A JP 59215877A JP 21587784 A JP21587784 A JP 21587784A JP S6194377 A JPS6194377 A JP S6194377A
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定雄 安達
Seigo Ando
精後 安藤
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須佐 信彦
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/20Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions 
    • H10D64/27Electrodes not carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. gates
    • H10D64/311Gate electrodes for field-effect devices
    • H10D64/411Gate electrodes for field-effect devices for FETs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10DINORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/80FETs having rectifying junction gate electrodes
    • H10D30/87FETs having Schottky gate electrodes, e.g. metal-semiconductor FETs [MESFET]
    • H10D30/871Vertical FETs having Schottky gate electrodes 

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