JPS6175610A - トランジスタ回路 - Google Patents

トランジスタ回路

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Publication number
JPS6175610A
JPS6175610A JP19791184A JP19791184A JPS6175610A JP S6175610 A JPS6175610 A JP S6175610A JP 19791184 A JP19791184 A JP 19791184A JP 19791184 A JP19791184 A JP 19791184A JP S6175610 A JPS6175610 A JP S6175610A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
circuit
current
emitter
resistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP19791184A
Other languages
English (en)
Inventor
Juichi Hitomi
寿一 人見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP19791184A priority Critical patent/JPS6175610A/ja
Publication of JPS6175610A publication Critical patent/JPS6175610A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3083Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type
    • H03F3/3086Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type two power transistors being controlled by the input signal
    • H03F3/3088Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor the power transistors being of the same type two power transistors being controlled by the input signal with asymmetric control, i.e. one control branch containing a supplementary phase inverting transistor

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、トランジスタ回路に関し、電流増幅率βの
ばらつきに影響を受けず低出力インピーダンスを得られ
るように改善した回路である。
〔発明の技術的背景〕
反転出力を得るトランジスタ回路として、従来第4図に
示すような公開実用新案公報(昭57−78116号)
に記載された回路がある。この回路は、ベースを入力端
とするトランジスタQ1を有し、トランジスタQ1のエ
ミッタは、抵抗R1を介して接地され、コレクタは抵抗
(R,?==nRI)およびn個のダイオードD1〜D
nを介して電圧vccの電源に接続されている。
トランジスタQ1のコレクタを出力部とすると、この回
路の利得Gは、 抗 β ;エミッタ接地電流増幅率 1e;エミッタ電流 lc;コレクタ電流 rD;ダイオードの交流インピーダン ス RzpRz:各抵抗の値 と表わせる。
ここで、R2=aR1であ’) 、r oとr、は等し
いため となる。
〔背景技術の問題点〕
上述したトランジスタ回路によると、その利得がエミッ
タ接地電流増幅率βに依存し、また出力インピーダンス
が高いという問題がある。
〔発明の目的〕
この発明は上記の事情に艦みてなされたもので、利得が
βのばらつき、変動に依存せず、高精度であシ、同時に
出力インピーダンスも低くし得るトランジスタ回路を提
供することを目的とする。
〔発明の概要〕
この発明は、例えば第1図に示すように、反転出力を得
る回路において、第1のトランジスタQllのコレクタ
電流I・1と、電流源を構成するトランジスタQ12の
出力電流(1・2 = 1eJ)とが等しくなるように
、トランジスタQ13を設け、トランジスタQllのβ
のばらつキニよる利得の誤差を、トランジスタQ13の
ペース電流ib、tによって補償できるようにした回路
である。
〔発明の実施例〕
以下この発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第1図はこの発明の一実施例であシ、久方端子1ノは、
トランジスタQll 、Q12のベースに接続されてい
る。トランジスタQllのエミッタは、抵抗R11を介
して接地され、コレクタは、抵抗R12(n−1)個の
ダイオードDn−1=DIを直列に介して電圧vccの
電源に接続される。また、トランジスタQ12のエミッ
タは、抵抗R13を介して接地され、コレクタはトラン
ジスタQ13のエミ、りに接続されている。そして、ト
ランジスタQZ&のペースは、トランジスタQllのコ
レクタに接続され、コレクタは、電源に接続される。出
力端子12はトランジスタQ13のエミッタから導出さ
れている。
ここで、抵抗R11〜RZjの値をそれぞれRJ、R2
,Rjとすると、R2=nR1+ R3=R1に設定さ
れている。また、トランジスタQ12は電流源として動
作する。
次に上記の回路の動作及び利得について説明する。
まず、1段目のトランジスタQl1部の利得G1は、抵
抗Rf2を流れる電流をiRとすると但し、lel;ト
ランジスタQllのエミ、り電流となる。
次に、 iR= 10 Z +ib J        ””(
4)また、 i*3=ic2=1clより、 但しicJ:)ランジスタQllのコレクタ電流l・3
;トランジスタQ13のエミッタ電流ic2; トラン
ジスタQ12のコレクタ電流ibに)ランジスタQ13
のペース電流が成立する。
よって、(4) I (5)式より、 となる。
一般にβの2次の項は無視でき tR= is J            = (7)
と表わせる。
よって、(3ン、(7)式よシ となる。
2段目のトランジスタQ13.Q12部の利得G2につ
いては、 但し、r、2・・・トランジスタQ12のエミ、り抵抗
r03・・・トランジスタQ13のエミッタ抵抗となる
よって、この回路全体の利得Gは、 ・・・αQ ここで、r@1 =”@2 ”” @3=rDR3=R
1、R2=nRJであるためG=nとな)、βに関係し
なくなる。
また、出力インピーダンスについて考えると、第3図に
示す回路では、RJ−)−nrDとなるのに対し、第1
図に示す回路ではr、3となる。
特別な場合として、利得が1の場合の回路を第2図に示
す。この場合、第1図の回路と比べた場合、抵抗R12
と直列に接続されるダイオード9が不要である。その他
は先の実施例と同じである@ なお、上述の例においてはnはダイオード9の個数と一
致しているため整数値となるが、nは元来抵抗R11と
RJ2の値の比を示すものであシ、その比の値は整数に
限らない。よって、αQ弐に示す利得Gを整数値に限ら
ずある定数に定めたい場合には、第1図゛の構成におい
て、ダイオードの直列接続回路の代シに、ダイオードの
順方向バイアス電圧の定数倍の電圧を発生させる回路を
用いればよい。第3図に示す回路40はこの種の回路の
一例である。回路40はトランジスタQ4と抵抗RAI
 R,からなシ、トランジスタQ4の=レクタ、エミッ
タの各々は抵抗RAI R,を介して接続されている。
ここで抵抗RA、 R,の抵抗値をそれぞれR,、Rb
とすると、α1式中の(n−1)との関係において、が
成シ立つ。よって、第4図に示したトランジスタ回路に
よれば、抵抗RAI RBの値を適宜設定することによ
シ、利得G(=!L)の値を整数値に限らず選ぶことが
できる。
〔発明の効果〕
以上説明したこの発明のトランジスタ回路によれば、利
得Gが、トランジスタのβのばらつき、変動に依存する
ことがない。また、出力インピーダンスの低い反転増幅
器とすることができる。この結果集積回路化にも適し、
負荷インピーダンスの低い回路に対しても新たにインピ
ーダンス変換回路を用いることなく直結できる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す回路図、第2図、第
3図はそれぞれこの発明の他の実施例を示す回路図、第
4図は従来の反転増幅器を示す回路図である。 Qll〜Q13・・・トランジスタ、R11〜RZJ・
・・抵抗、D1〜Dn−1・・・ダイオード。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ベースが入力部とされ、エミッタが第1の抵抗を介して
    接地され、コレクタが少なくとも第2の抵抗を介して電
    源に接続される第1のトランジスタと、前記第1のトラ
    ンジスタのコレクタにベースが接続され、コレクタが前
    記電源に接続され、エミッタが電流源を介して接地され
    る第2のトランジスタを有し、前記電流源の出力電流を
    前記第1のトランジスタのエミッタ電流に等しくしたこ
    とを特徴とするトランジスタ回路。
JP19791184A 1984-09-21 1984-09-21 トランジスタ回路 Pending JPS6175610A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007026639A1 (ja) * 2005-08-31 2007-03-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 可変利得増幅器およびそれを用いた交流電源装置

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WO2007026639A1 (ja) * 2005-08-31 2007-03-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 可変利得増幅器およびそれを用いた交流電源装置
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