JPS6163047A - 樹脂封止型形半導体装置用リ−ドフレ−ム - Google Patents
樹脂封止型形半導体装置用リ−ドフレ−ムInfo
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- JPS6163047A JPS6163047A JP14030285A JP14030285A JPS6163047A JP S6163047 A JPS6163047 A JP S6163047A JP 14030285 A JP14030285 A JP 14030285A JP 14030285 A JP14030285 A JP 14030285A JP S6163047 A JPS6163047 A JP S6163047A
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- Japan
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- tab
- lead
- leads
- lead frame
- frame
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49544—Deformation absorbing parts in the lead frame plane, e.g. meanderline shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂封止型半導体装置用リードフレームに関す
るものである。
るものである。
樹脂封止型半導体装置の製造においては、リードフレー
ムに取付けた半導体ペレットを樹脂体により封止するが
、その時封止金型とリードフレームとの温度差によって
リードフレームが膨張しペレットを取付けたタブのリー
ド（タブリード）が変形する問題がある。
ムに取付けた半導体ペレットを樹脂体により封止するが
、その時封止金型とリードフレームとの温度差によって
リードフレームが膨張しペレットを取付けたタブのリー
ド（タブリード）が変形する問題がある。
このタブリードの変形を防止する方法として。
タブリードを全体的に柔構造にして熱応力を吸収するよ
うにした構造が知られている。
うにした構造が知られている。
しかし、このような構造にすれば、リードフレームの膨
張による変形は防止できるが、樹脂体を金型内に流入す
る際に柔構造のタプリー上゛が押し流されて大きく変形
する。タブリードが変形すると、タブに取付けられた半
導体ペレットの電極と各リード間を結んでいる細線（ワ
イヤ）が切断されるという問題がある。
張による変形は防止できるが、樹脂体を金型内に流入す
る際に柔構造のタプリー上゛が押し流されて大きく変形
する。タブリードが変形すると、タブに取付けられた半
導体ペレットの電極と各リード間を結んでいる細線（ワ
イヤ）が切断されるという問題がある。
本発明は上記のことを考慮してなされたもので、その目
的は、封止金製とリードフレームの温度差及び高粘度の
樹脂先入時の流入力によろタブ＋７ ＋ドの変形を防止
することにより半導体ペレットと各リードとの間を結ぶ
ワイヤの切断の防止を図ることにある。
的は、封止金製とリードフレームの温度差及び高粘度の
樹脂先入時の流入力によろタブ＋７ ＋ドの変形を防止
することにより半導体ペレットと各リードとの間を結ぶ
ワイヤの切断の防止を図ることにある。
以下本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の前提となった樹脂封止型半導体装置用
のリードフレームである。
のリードフレームである。
同図に示すようなリードフレームは、半導体ペレットが
取付けられるタブ１がタブリード２に両方から支持され
、タブ１の周囲には各リード３が放射状に配設され、各
リード３及びタブリード２が角リンク状の外枠４に支持
され、各リード３の中間にはこれらを連結するように帯
状のダム５が配設されたリードフレームになっていて、
タブリード２０両外端部６が二本の横片７と一本の縦細
片８と構成されタブリード軸方向（矢印で示す）に対し
て弱くその垂直方向及び直角方向に対しては強い柔構造
になっている。
取付けられるタブ１がタブリード２に両方から支持され
、タブ１の周囲には各リード３が放射状に配設され、各
リード３及びタブリード２が角リンク状の外枠４に支持
され、各リード３の中間にはこれらを連結するように帯
状のダム５が配設されたリードフレームになっていて、
タブリード２０両外端部６が二本の横片７と一本の縦細
片８と構成されタブリード軸方向（矢印で示す）に対し
て弱くその垂直方向及び直角方向に対しては強い柔構造
になっている。
上記リードフレームはコパール、又はリン青銅などの銅
系材料の板を打抜き切断により形成するが、このとき、
タブリード２の外端部６にタブリード２０幅を例えば０
．５ ｍとすれば、その外端部６の横片７の幅を０．５
ｔｕｔ 、縦細片８０幅を０．８ ｍ以下とするタブ
リード軸方向に対してのみ弱い柔構造にする。
系材料の板を打抜き切断により形成するが、このとき、
タブリード２の外端部６にタブリード２０幅を例えば０
．５ ｍとすれば、その外端部６の横片７の幅を０．５
ｔｕｔ 、縦細片８０幅を０．８ ｍ以下とするタブ
リード軸方向に対してのみ弱い柔構造にする。
このような構造のリードフレームによれば、半導体装置
の製造の樹脂封止のとき封止金型とＩＪ−ドフレームと
の温度差によってリードフレームのタブリードが膨張す
るが、タブリードの外端部の柔構造部で吸収しタブリー
ド全体としてはほとんど変形することなく、封止用金型
とリードフレームとの温度差によるタブリードの変形は
なくなる。
の製造の樹脂封止のとき封止金型とＩＪ−ドフレームと
の温度差によってリードフレームのタブリードが膨張す
るが、タブリードの外端部の柔構造部で吸収しタブリー
ド全体としてはほとんど変形することなく、封止用金型
とリードフレームとの温度差によるタブリードの変形は
なくなる。
また、高粘度樹脂流入時の流入力によってもタブリード
の外端部の柔構造部がリードフレーム軸方向の垂直方向
に対して強く、柔構造以外のタブリード全体として剛性
が高いため、高粘度の樹脂流入時の流入力によるタブリ
ードの変形もない。したがって、タブに取付けられた半
導体ペレットと各リードとの間を結ぶワイヤの切断をほ
ぼ完全に防止することができるものである。
の外端部の柔構造部がリードフレーム軸方向の垂直方向
に対して強く、柔構造以外のタブリード全体として剛性
が高いため、高粘度の樹脂流入時の流入力によるタブリ
ードの変形もない。したがって、タブに取付けられた半
導体ペレットと各リードとの間を結ぶワイヤの切断をほ
ぼ完全に防止することができるものである。
第２図は本発明に従ったリードフレームの要部を示すも
のである。
のである。
、中
第２図得はリードフレームのタブリードの外端部６構造
が、２本の折曲片９により菱形状になったタブリード軸
方向に対してのみ弱い柔構造になったリードフレーム構
造になっている。
が、２本の折曲片９により菱形状になったタブリード軸
方向に対してのみ弱い柔構造になったリードフレーム構
造になっている。
上記実施例においては、タブリード２０両外端部にタブ
リード軸方向にのみ弱い柔構造を有するリードフレーム
としたが、タブリード２の一つの外端部のみにタブリー
ド軸方向にのみ弱い柔構造を設けるようにしてもよい。
リード軸方向にのみ弱い柔構造を有するリードフレーム
としたが、タブリード２の一つの外端部のみにタブリー
ド軸方向にのみ弱い柔構造を設けるようにしてもよい。
この場合は、柔構造が一ケ所であるが、樹脂封止のとき
の封止金型とリードフレームとの温度差によるタブリー
ドの変・形を充分に防止でき、−ケ所の柔構造であるこ
とからかえってタブリード全体の剛性が増大するため、
高粘度の樹脂流入時の流入力によるタブリードの変形が
なく、前記実施例のリードフレームの構造よりむしろこ
のリードフレームの構造の方が望ましい。
の封止金型とリードフレームとの温度差によるタブリー
ドの変・形を充分に防止でき、−ケ所の柔構造であるこ
とからかえってタブリード全体の剛性が増大するため、
高粘度の樹脂流入時の流入力によるタブリードの変形が
なく、前記実施例のリードフレームの構造よりむしろこ
のリードフレームの構造の方が望ましい。
このいずれの場合にも、上記実施例で示したように、半
導体装置製造のときの封止金型とリードフレームとの温
度差及び高粘度の樹脂流入時の流入力によるタブリード
の変形を防止することができ、タブに取付けられた半導
体ペレットと各リードとの間を結ぶワイヤの切断をほぼ
完全に防止することができるものである。
導体装置製造のときの封止金型とリードフレームとの温
度差及び高粘度の樹脂流入時の流入力によるタブリード
の変形を防止することができ、タブに取付けられた半導
体ペレットと各リードとの間を結ぶワイヤの切断をほぼ
完全に防止することができるものである。
本発明は上記実施例に限定されるものでない。
すなわち、リードフレームの全体の構造及びタブリード
の外端部の柔構造は製造する半導体装置の種類によって
適当に設計変更するものである。
の外端部の柔構造は製造する半導体装置の種類によって
適当に設計変更するものである。
したがって、タブリードの外端部がその軸方向に対して
のみ弱い柔構造になってさえすればよいのであって、リ
ードフレーム全体構造及びそのタブリードの構造は問わ
ない。
のみ弱い柔構造になってさえすればよいのであって、リ
ードフレーム全体構造及びそのタブリードの構造は問わ
ない。
ムな示し、 その要部の平面図である。
１・・・タブ、２・・タブリード、３・・・リード、４
・・・外枠、５・・・ダム、６・・・外端部、７・・・
横片、８・・・縦細片、９・・・折曲片。
・・・外枠、５・・・ダム、６・・・外端部、７・・・
横片、８・・・縦細片、９・・・折曲片。
代理人 弁理士 小 川 勝 男
〆２＋〜
第 １ 図
第 ２ 図
Claims (1)
- １、外枠と、タブと、前記タブの一部から引き出された
タブリードと、一端が前記タブの周囲に近接して配置さ
れた複数の外部引出リードと、前記外部引出リードを互
いに連結するように設けたダムと、前記タブリード、前
記外部引出リードを連結するダムとが前記外枠に連結さ
れているリードフレームであって、前記タブリードは外
端部を介して前記外枠に連結されてなり、前記外端部は
前記タブリードから２方向に分岐する分岐部を有し、前
記分岐部の幅は前記タブリードの幅よりも小さくされて
なることを特徴とする樹脂封止型半導体装置用リードフ
レーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14030285A JPS6163047A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 樹脂封止型形半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14030285A JPS6163047A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 樹脂封止型形半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1922977A Division JPS53105175A (en) | 1977-02-25 | 1977-02-25 | Lead frame for resin sealing semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163047A true JPS6163047A (ja) | 1986-04-01 |
Family
ID=15265622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14030285A Pending JPS6163047A (ja) | 1985-06-28 | 1985-06-28 | 樹脂封止型形半導体装置用リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6163047A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04350960A (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-04 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体パッケージ |
| KR100282003B1 (ko) * | 1997-10-15 | 2001-02-15 | 윤종용 | 칩 스케일 패키지 |
| DE10303455A1 (de) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmenband und Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Leiterrahmen-basierten Leuchtdiodenbauelementen |
| US7291905B2 (en) | 2000-08-08 | 2007-11-06 | Nec Electronics Corporation | Lead frame, semiconductor device produced by using the same and method of producing the semiconductor device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5129086A (ja) * | 1974-09-06 | 1976-03-11 | Hitachi Ltd | Riidofureemu |
| JPS5212573A (en) * | 1975-07-21 | 1977-01-31 | Hitachi Ltd | Reed frame |
| JPS53105175A (en) * | 1977-02-25 | 1978-09-13 | Hitachi Ltd | Lead frame for resin sealing semiconductor device |
-
1985
- 1985-06-28 JP JP14030285A patent/JPS6163047A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5129086A (ja) * | 1974-09-06 | 1976-03-11 | Hitachi Ltd | Riidofureemu |
| JPS5212573A (en) * | 1975-07-21 | 1977-01-31 | Hitachi Ltd | Reed frame |
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| DE10303455A1 (de) * | 2003-01-29 | 2004-08-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmenband und Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Leiterrahmen-basierten Leuchtdiodenbauelementen |
| DE10303455B4 (de) * | 2003-01-29 | 2007-11-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmenband und Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Leiterrahmen-basierten Leuchtdiodenbauelementen |
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