JPS6144436Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は半導体装置、特に基板に半田を介し
て半導体ペレツトを接着し、その主要部を樹脂モ
ールドした樹脂モールド型半導体装置に関するも
のである。

一般にトランジスタやSCR等の半導体装置
は、例えば第１図及び第２図に示す様に、基板１
上に半田２を介して半導体ペレツト（以下単にペ
レツトと称す）３を固着し、当該ペレツト３の表
面電極とリード４とを金属細線５で接続し、基板
１及びペレツト３を外装樹脂材６で樹脂モールド
した構造を有している。そして前記外装樹脂材６
はエポキシ樹脂やシリコン樹脂等が使用され、近
時安価なエポキシ樹脂が多く使用されている。

この様な半導体装置は、製品化される前段階
で、例えば電力オンオフの繰り返しによる発熱の
影響を調べるいわゆるパワーサイクル試験や一定
高さからの落下による外部衝撃の影響を調べる落
下試験等が行なわれている。この試験の結果上記
半導体装置は外装樹脂材６が硬く膨脹係数が大き
いのでパワーサイクル試験では良好な結果が得ら
れたが、落下試験ではペレツト割れ等を生じて不
良品発生率が高かつた。

一方この種半導体装置は、他に第３図に示す様
に、ペレツト３全体を予じめ軟質のプリコート材
７にて被覆し、更にその外部を外装樹脂材６にて
樹脂モールドした構造のものがある。この半導体
装置ではプリコート材７がクツシヨン作用をなす
ので、落下試験では良好な結果が得られたが、パ
ワーサイクル試験では特性が低下し、不良品発生
率が高かつた。この試験結果はプリコート材７の
厚みが厚い程顕著であつた。

この様にパワーサイクル特性と耐衝撃特性とは
相反する性質を有しており、この相反する両特性
を満足した半導体装置を得るには種々の実験の結
果ペレツト３の全面を厚さ10〜100μの範囲内の
薄いプリコート材７で被覆し、その外部を外装樹
脂材６にて樹脂モールドすれば良いことが判つ
た。

ところで上記プリコート材７をペレツト３の全
面に塗布する方法としては従来よりデイスペンサ
ー方式や筆塗り方式があるが、何れの場合もその
膜厚はプリコート材７の粘度に依存している為に
全体に薄く且つ均一に塗布することが困難であつ
た。

即ち、プリコート材７を厚く塗布する場合には
粘度の高いものを使用する為に、プリコート材７
が全体に拡がらず盛り上がつてしまい、所定厚以
上となり、パワーサイクル特性が低下していた。
また薄く塗布する場合には粘度が低く且つ流動性
に富むものを使用しているが、これではプリコー
ト材７の表面張力が小さいことにより塗布後に周
辺に拡がり、ペレツト３の角部では極めて薄くな
るか或いは全く無い状態となり落下特性が低下す
ると共にプリコート材７が拡がり過ぎて基板１と
外装樹脂材６との密着性が低下し、耐湿性が低下
するといつた問題があつた。この様なプリコート
材７の膜厚のバラツキにより各試験時の特性のバ
ラツキとなつて現れ、不良品が多発する原因とな
つていた。

この考案は従来の半導体装置の上記の問題点に
鑑み、これを改良除去すべくなされたもので、基
板上に半導体ペレツトを接着し外装樹脂材でモー
ルドしてなる樹脂モールド型半導体装置におい
て、前記半導体ペレツトの全面に10〜100μの範
囲内で所定の厚みに形成された熱収縮性を有する
プリフオームシートをペレツトの全面に被覆して
全体に均一な薄膜を施し、バラツキのない特性の
安定した半導体装置を提供する。

以下、この考案の構成を図面に示す実施例に従
つて説明する。

第４図に於いて、１０は基板、１１は基板１０
上にペレツト１２を固着する半田、１３はペレツ
ト１２の表面及び側面を、表面電極部分を除いて
被覆したプリコート材、１４はプリコート材１３
を介してペレツト１２をモールドする外装樹脂材
である。前記プリコート材１３は例えば10〜100
μの範囲内で所定の厚みで且つペレツト１２全体
を十分に被覆できる大きさに形成された熱収縮性
を有するプリフオームシートが使用されている。
またこのプリフオームシート１３には予めペレツ
ト１２の表面電極部分を露出させる為の窓孔１５
を所定個数穿設してある。これはペレツト１２の
表面電極とリードとを金属細線で接続した後にプ
リフオームシート１３を被覆させると金属細線が
ペレツト１２とプリフオームシート１３との間に
挾まれて短絡したり断線する恐れがあるので、プ
リフオームシート１３を被覆した後に金属細線を
ボンデイングする様になす為に穿設したものであ
る。

而して上記構成の半導体装置の製造は、先ず第
５図に示す様に、基板１０上に半田１１を介して
ペレツト１２を接着し、この後、第６図に示す様
に、ペレツト１２の表面にプリフオームシート１
３を供給し、各窓孔１５とペレツト１２の表面電
極とを合致させる。そして上方からマウンタ１６
を降下させ、プリフオームシート１３を側方へ引
き伸ばし乍らその周縁１３′をペレツト１２の側
面に沿つて折曲げ、マウンタ１６を加熱してプリ
フオームシート１３を加熱させ、これを収縮させ
てペレツト１２に密着させる。この後プリフオー
ムシート１３に形成した窓孔１５を利用してペレ
ツト１２の表面電極とリードとに跨がつて金属細
線をボンデイングし、最後に基板１０及びペレツ
ト１２を外装樹脂材１４にて樹脂モールドして製
作を完了する。

上記の如く半導体装置に用いられるプリコート
材１３は10〜100μの範囲内で所定の厚みに形成
されたプリフオームシートを用いてこれを被覆さ
せたので、ペレツト１２の表面及び側面の全面に
均一な薄膜を施すことができ、量産に伴なう膜厚
のバラツキを生じない。また被覆時プリフオーム
シートの熱収縮性を利用してペレツト１２に密着
させるので十分な密着性が得られ、外装樹脂材１
４と基板１０との密着性を低下させることもな
い。従つてペレツト１２はプリコート材１３及び
外装樹脂材１４にて理想的な状態で被覆され、パ
ワーサイクル特性並びに耐衝撃特性の双方共に良
好となつた。

以上説明した様に、この考案によれば、ペレツ
トを保護するプリコート材を10〜100μの範囲内
の薄さの均一な厚みに形成することができ、パワ
ーサイクル特性及び耐衝撃特性の良好な安定した
信頼性の高い半導体装置を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は樹脂モールド型半導体装置の要部破断
平面図、第２図は第１図の−線断面図、第３
図は他の半導体装置の構造を示す断面図、第４図
は本考案に係る一実施例の樹脂モールド型半導体
装置の断面図、第５図及び第６図はその半導体装
置の製造工程を示す断面図である。 １０……基板、１１……半田、１２……半導体
ペレツト、１３……プリコート材（プリフオーム
シート）、１４……外装樹脂材。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 基板上に半導体ペレツトを接着し外装樹脂材で
   モールドしてなる樹脂モールド型半導体装置にお
   いて、 前記半導体ペレツトの全面に厚さ10〜100μの
   範囲内の熱収縮性プリフオームシートを被覆させ
   たことを特徴とする樹脂モールド型半導体装置。