JP3004085B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に係り、特
に樹脂ダムを有するリードフレームを用い、ワイヤの変
形を防止する半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば以下に示すようなものがあった。
【０００３】図５はかかる従来の半導体装置の一構成例
を示す断面図である。
【０００４】この図において、１は外部端子、２は封止
材、３はワイヤ、４はダイ、５はダイパット、６はイン
ナリードである。
【０００５】この半導体装置の製造プロセスは、外部端
子１及びダイパット５を保持するリードフレームのダイ
パット５上に、導電性溶剤等を吐出し、その上に微細配
線をもったダイ４を接着させる。更に、ダイ４とインナ
リード６をワイヤ３で接続させ、封止材２により、内部
を密閉する。これらの工程を経て内部封止を完了させ
る。
【０００６】また、従来、ワイヤの短絡や垂れを防止す
るために、ワイヤにチップコートを施したり、複数モー
ルドを行うことが公知であるが、チップコートの場合
は、ワイヤの根元のみを固定するだけで、ワイヤが倒れ
ないようにするには効果があるが、ワイヤ長さが長くな
った場合、ワイヤ流れ防止にはならない。
【０００７】更に、複数モールド法については、既存の
設備での対応が難しい。また、プロセス的にも複雑にな
る。更に、信頼性の面では、モールドの境界面での密着
性がよくないため、剥離及びクラックが発生する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このように、上記構成
の半導体装置では、半導体素子を封止材で封止する際
に、ワイヤが変形を起こし、ワイヤ同士の短絡を引き起
こす等の問題があった。
【０００９】また、従来のチップコート法や複数モール
ド法については、上記した問題点があった。
【００１０】本発明は、上記問題点を除去し、ワイヤを
インナリードと半導体素子との間のリードフレームの樹
脂ダムに樹脂で固定して、樹脂封止することにより、ワ
イヤの変形を防止し、ワイヤの垂れや短絡をなくし、小
形化を図ることができる半導体装置を提供することを目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕矩形状のダイパッド上に半導体素子を搭載し、該
半導体素子とリード端子とをワイヤを用いて接続し、前
記半導体素子、前記リード端子の一部、及び前記ワイヤ
を樹脂封止して構成した半導体装置において、前記ダイ
パッドの各角部から延在する４つの第１の吊りリード群
と、前記ダイパッドと前記リード端子との間に配置さ
れ、前記第１の吊りリード群の各々につながった枠形状
の支持部材と、前記支持部材の各角部から延在する４つ
の第２の吊りリード群とを有し、前記支持部材は前記吊
りリード群の吊りリードより幅が広く、前記支持部材に
前記ワイヤを固定するようにしたものである。
【００１２】〔２〕上記〔１〕記載の半導体装置におい
て、封止する樹脂とは個別な熱硬化性樹脂にて、前記支
持部材に前記ワイヤを固定するようにしたものである。
【００１３】〔３〕上記〔１〕又は〔２〕記載の半導体
装置において、前記ダイパッドと前記リード端子とは同
一平面に位置し、前記支持部材は前記ダイパッドから、
前記ダイパッドと前記インナーリードの間の距離の２／
５〜４／５離れて位置するようにしたものである。
【００１４】〔４〕上記〔１〕又は〔２〕記載の半導体
装置において、前記ダイパッドと前記リード端子とは異
なる平面に位置し、前記支持部材は前記ダイパッドか
ら、前記ダイパッドと前記インナーリードの間の距離の
１／２〜４／５離れて位置するようにしたものである。
【００１５】〔５〕上記〔１〕乃至〔４〕のいずれか１
つに記載の半導体装置において、前記支持部材は前記タ
ブ吊りリードより幅が広くなるようにしたものである。
【００１６】
【作用】本発明によれば、上記したように、〔１〕支持部材をダイパッドの各角部から延在する４つ
の吊りリードの各々につながった構成としたので、ワイ
ヤを支持部材に固定する際に、ダイパッドと支持部材と
の位置関係を維持し、支持部材の変形を抑えて支持部材
を安定した状態とすることができ、ワイヤを支持部材に
確実かつ容易に固定することができる。 〔２〕ダイパッドとリード端子との間に設けられた支持
部材を有し、この支持部材にワイヤを熱硬化性樹脂にて
固定するようにしている。つまり、熱硬化性樹脂にてワ
イヤを支持部材に固定しているため、ワイヤを支持部材
に固定した後の工程にて加熱される工程、例えば、半導
体素子やワイヤ等を樹脂封止する工程においても、加熱
されることで硬化する熱硬化性樹脂にて支持部材からワ
イヤが離脱することを防止でき、ワイヤの断線やショー
トを防止することが、より確実に行える。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。
【００１８】図１は本発明の実施例を示す半導体装置の
製造工程断面図、図２はその半導体装置の製造に用いる
リードフレームの平面図である。
【００１９】これらの図において、１０はリードフレー
ム、１１はインナリード、１２は樹脂ダム、１３はダイ
パット、１４はダイパットサポート、１５はダイ（半導
体素子）、１６はワイヤ、１７は樹脂、１８は封止材で
ある。
【００２０】以下、本発明の半導体装置の製造方法を図
１を参照しながら説明する。
【００２１】まず、図１（ａ）に示すように、インナリ
ード１１、樹脂ダム１２、ダイパット１３、ダイパット
サポート１４（図２参照）が形成されたリードフレーム
１０を用意する。
【００２２】次いで、図１（ｂ）に示すように、リード
フレーム１０のダイパット１３上にダイ１５を接着し、
そのダイ１５とインナリード１１をワイヤ１６を通して
接続する。
【００２３】次に、図１（ｃ）に示すように、樹脂ダム
１２に樹脂（例えば、熱硬化型樹脂や絶縁性接着樹脂）
１７をワイヤ１６の上から吐出させ、その樹脂１７を硬
化させる。
【００２４】最後に、図１（ｄ）に示すように、封止材
１８にて樹脂封止する。
【００２５】なお、上記図１（ｃ）に示すように、樹脂
ダム１２上にワイヤ１６が張られた後に、樹脂１７によ
り、ワイヤ１６を樹脂ダム１２上に固定するようにして
いるが、これに代えて、予め樹脂ダム１２上に樹脂１７
を塗布しておき、その後、ワイヤ１６を張って、ワイヤ
１６を樹脂ダム１２上に固定するようにしてもよい。
【００２６】また、図３に示すように、樹脂ダム１２の
配置位置は、インナリード１１とダイパット１３とに段
差がない場合は、両者間の距離の２／５〜４／５とす
る。
【００２７】更に、図４に示すように、インナリード１
１とダイパット１３とに段差がある場合は、樹脂ダム１
２の配置位置は、両者間の距離の１／２〜４／５とし、
その樹脂ダム１２に０．５〜６．０ｍｍ厚さの樹脂を設
けることにより、ワイヤを固定する。
【００２８】このように、ワイヤの中間を樹脂封止前に
樹脂によって樹脂ダムに固定することにより、封止材の
注入時に、ワイヤ変形が生じ難くなり、必要に応じてワ
イヤ長を長く引き伸ばすことが可能となる。
【００２９】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００３０】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、リードフレームに樹脂ダムを設け、ワイヤを樹
脂ダムに固定し、ワイヤの中間にてワイヤを固定するこ
とが可能となり、相隣り合うワイヤ間の短絡やワイヤの
垂れを防止し、小形化を図るとともに、信頼性の向上を
図ることができる。
【００３１】より具体的には、以下のような効果を奏す
ることができる。
【００３２】（１）封止時のワイヤの流れ等の影響を受
け難くすることができるために、ワイヤ長を長くしたい
場合には、そのワイヤ長を８ｍｍ程度まで長くすること
が可能となる。
【００３３】（２）ダイパットピッチを８０μｍ程度ま
で、短縮することが可能となる。
【００３４】（３）インナリードフレームのピッチが８
０μｍ程度のものでも、樹脂注入時にワイヤの短絡を起
こさない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を示す半導体装置の製造工程断
面図である。
【図２】本発明の実施例を示す半導体装置の製造に用い
るリードフレームの平面図である。
【図３】本発明の実施例を示すインナリードとダイパッ
トとに段差がない場合の樹脂ダムの配置の説明図であ
る。
【図４】本発明の実施例を示すインナリードとダイパッ
トとに段差がある場合の樹脂ダムの配置の説明図であ
る。
【図５】従来の半導体装置の一構成例を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
１０ リードフレーム １１ インナリード １２ 樹脂ダム １３ ダイパット １４ ダイパットサポート １５ ダイ（半導体素子） １６ ワイヤ １７ 樹脂 １８ 封止材

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 矩形状のダイパッド上に半導体素子を搭
    載し、該半導体素子とリード端子とをワイヤを用いて接
    続し、前記半導体素子、前記リード端子の一部、及び前
    記ワイヤを樹脂封止して構成した半導体装置において、 前記ダイパッドの各角部から延在する４つの第１の吊り
    リード群と、 前記ダイパッドと前記リード端子との間に配置され、前
    記第１の吊りリード群の各々につながった枠形状の支持
    部材と、 前記支持部材の各角部から延在する４つの第２の吊りリ
    ード群とを有し、 前記支持部材は前記各吊りリード群の吊りリードより幅
    が広く、前記支持部材に前記ワイヤを固定したことを特
    徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 封止する樹脂とは個別な熱硬化性樹脂に
    て、前記支持部材に前記ワイヤを固定したことを特徴と
    する請求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記ダイパッドと前記リード端子とは同
    一平面に位置し、前記支持部材は前記ダイパッドから、
    前記ダイパッドと前記リード端子におけるダイパッド側
    先端部との間の距離の２／５〜４／５離れて位置するこ
    とを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体装
    置。
  4. 【請求項４】 前記ダイパッドと前記リード端子とは異
    なる平面に位置し、前記支持部材は前記ダイパッドか
    ら、前記ダイパッドと前記リード端子におけるダイパッ
    ド側先端部との間の距離の１／２〜４／５離れて位置す
    ることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の半導体
    装置。
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