JPS60103693A - 混成集積回路の製造方法 - Google Patents
混成集積回路の製造方法Info
- Publication number
- JPS60103693A JPS60103693A JP21098883A JP21098883A JPS60103693A JP S60103693 A JPS60103693 A JP S60103693A JP 21098883 A JP21098883 A JP 21098883A JP 21098883 A JP21098883 A JP 21098883A JP S60103693 A JPS60103693 A JP S60103693A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic component
- mounting
- conductor
- adhesive layer
- conductor portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
この発明は、混成集積回路の製造方法に関するものであ
る。
る。
[発明の技術的背柴]
高周波増幅器等のある種の高周波電子回路は、規在の半
導体技術ではモノリシック集積回路として実現すること
ができないため、一般に混成集積回路によって構成され
ている。
導体技術ではモノリシック集積回路として実現すること
ができないため、一般に混成集積回路によって構成され
ている。
混成集積回路は、複数のディスクリート部品を機械的に
組立てて構成されるため、モノリシック集積回路に比べ
て特性の−ばらつきが出やすく、従って、その製造方法
、すなわち組立工程、に対する改善は重要である。 特
に高周波用集積回路では部品搭載精度の高いことも重要
である。
組立てて構成されるため、モノリシック集積回路に比べ
て特性の−ばらつきが出やすく、従って、その製造方法
、すなわち組立工程、に対する改善は重要である。 特
に高周波用集積回路では部品搭載精度の高いことも重要
である。
一般に混成集積回路の製造方法として、■ 絶縁基板上
に形成された導体上に裸の半導体素子をボンディングし
た後、コンデンサ等の電子部品やリード線を該導体上に
半田づけする方法、 及び ■ 絶縁基板上に形成された導体上に電子部品及びリー
ド線を半田づけした後、該導体上に裸の半導体素子をボ
ンディングする方法、 があり、これらの方法にはそれぞれ次のような問題点が
あった。
に形成された導体上に裸の半導体素子をボンディングし
た後、コンデンサ等の電子部品やリード線を該導体上に
半田づけする方法、 及び ■ 絶縁基板上に形成された導体上に電子部品及びリー
ド線を半田づけした後、該導体上に裸の半導体素子をボ
ンディングする方法、 があり、これらの方法にはそれぞれ次のような問題点が
あった。
[背景技術の問題点]
前記■の方法では、半導体素子の取付後に電子部品やリ
ード線の半田づけを行うので、電子部品やリード線の半
田づけの際には半導体素子を十分に保護しておかないと
半導体素子が半田フラックス等によって汚染されたり、
あるいは半導体素子が熱的悪影響を受ける等の問題が生
じて半導体素子の特性が劣化する恐れがある。 従って
、この方法を実施する場合、半田づけ方法として浸漬法
を採用することは不可能であり、また、浸漬による半田
づけを可能どするためには半導体素子に熱的悪影響を与
えない完全な保護膜が必要であった。
ード線の半田づけを行うので、電子部品やリード線の半
田づけの際には半導体素子を十分に保護しておかないと
半導体素子が半田フラックス等によって汚染されたり、
あるいは半導体素子が熱的悪影響を受ける等の問題が生
じて半導体素子の特性が劣化する恐れがある。 従って
、この方法を実施する場合、半田づけ方法として浸漬法
を採用することは不可能であり、また、浸漬による半田
づけを可能どするためには半導体素子に熱的悪影響を与
えない完全な保護膜が必要であった。
一方、前記■の方法では、電子部品やリード線の半田づ
(プを行った後に半導体素子のボンディングを行うので
、■の方法のように半導体素子の特性を劣化させる恐れ
はないが、電子部品やリード線を半田づけする際には半
導体素子を取付ける場所が半田やフラックスによって汚
染されぬように完全に保護しておく必要があるため、耐
熱性が高くかつ剥離性のよい保護膜が必要であった。
しかし、このような保護膜がなかったため、従来この方
法においては半田浸漬法を採用することができなかった
。
(プを行った後に半導体素子のボンディングを行うので
、■の方法のように半導体素子の特性を劣化させる恐れ
はないが、電子部品やリード線を半田づけする際には半
導体素子を取付ける場所が半田やフラックスによって汚
染されぬように完全に保護しておく必要があるため、耐
熱性が高くかつ剥離性のよい保護膜が必要であった。
しかし、このような保護膜がなかったため、従来この方
法においては半田浸漬法を採用することができなかった
。
5−
前記■及び■の方法には、それぞれに存する前記のごと
き問題点のほかに、両者に共通する次のような問題点が
あった。
き問題点のほかに、両者に共通する次のような問題点が
あった。
すイ星わち、両方法とも部品搭載精度をだすために、電
子部品の半田づ(プを行う前にエポキシ系もしくはシリ
コン系の接着剤で該電子部品を絶縁基板の導体上に仮づ
け固定するが、これらの接着剤は一旦硬化した後は溶剤
等で溶解することができないため、接着剤は電子部品の
半田づけ終了後も残っている。 その結果、電子部品に
は接着剤による接着力と半田による接着力とが働くこと
になるが、この二つの力の大きさ及び作用点は互いに周
るため、それぞれの接着部に応力が生じ、この応力によ
って電子部品に機械的歪みが生じ、その結果、電気的特
性の劣化を生じることとなっていた。 このため、従来
方法で製造された混成集積回路は同一ロット内での特性
のばらつきが大きく、また、歩留りが低かった。
子部品の半田づ(プを行う前にエポキシ系もしくはシリ
コン系の接着剤で該電子部品を絶縁基板の導体上に仮づ
け固定するが、これらの接着剤は一旦硬化した後は溶剤
等で溶解することができないため、接着剤は電子部品の
半田づけ終了後も残っている。 その結果、電子部品に
は接着剤による接着力と半田による接着力とが働くこと
になるが、この二つの力の大きさ及び作用点は互いに周
るため、それぞれの接着部に応力が生じ、この応力によ
って電子部品に機械的歪みが生じ、その結果、電気的特
性の劣化を生じることとなっていた。 このため、従来
方法で製造された混成集積回路は同一ロット内での特性
のばらつきが大きく、また、歩留りが低かった。
なお、前記■の方法を改善するために、例えば特公昭4
9−5383号公報に開示された方法が−〇− 提案され、一方、前記■の方法を改善するICめに、例
えば特公昭55−46063号公報に開示された方法が
提案されているが、これらの提案に開示された方法も前
記のごとき残留接着剤層に基因する問題点を有しており
、これらの提案も前記問題点の解決にはなっていない。
9−5383号公報に開示された方法が−〇− 提案され、一方、前記■の方法を改善するICめに、例
えば特公昭55−46063号公報に開示された方法が
提案されているが、これらの提案に開示された方法も前
記のごとき残留接着剤層に基因する問題点を有しており
、これらの提案も前記問題点の解決にはなっていない。
[発明の目的]
この発明の目的は、前記のごとき残留接着剤に基因する
問題を解消することのできる、混成集積回路の製造方法
を提供することである。
問題を解消することのできる、混成集積回路の製造方法
を提供することである。
[発明の概要]
本発明の好適実施例は、予め絶縁基板上に形成されてい
るリード線接続用導体部の上に半田レジストを兼ねる耐
熱再可溶性の接着剤を被覆すると同時に該絶縁基板」こ
の電子部品搭載用導体部にも該接着剤を塗布する工程と
、該電子部品搭載用導体部の上に電子部品を搭載して該
電子部品を該接着剤で仮固定する工程と、該電子部品の
周囲を半田図で固定すると同時に半導体素子搭載用導体
部の上に半田層を形成する工程と、該電子部品を該導体
部の上に接着している接着剤を溶解除去すると同時にリ
ード線接続用導体部を被覆している接着剤層を溶解除去
する工程とを含んでいることを特徴とする。
るリード線接続用導体部の上に半田レジストを兼ねる耐
熱再可溶性の接着剤を被覆すると同時に該絶縁基板」こ
の電子部品搭載用導体部にも該接着剤を塗布する工程と
、該電子部品搭載用導体部の上に電子部品を搭載して該
電子部品を該接着剤で仮固定する工程と、該電子部品の
周囲を半田図で固定すると同時に半導体素子搭載用導体
部の上に半田層を形成する工程と、該電子部品を該導体
部の上に接着している接着剤を溶解除去すると同時にリ
ード線接続用導体部を被覆している接着剤層を溶解除去
する工程とを含んでいることを特徴とする。
この発明の方法によれば、電子部品を仮固定するのに用
いられた接着剤が最終的に除去されるため、半田で完全
固定した後の電子部品に外部から望ましくない機械的応
力が作用せず、従って電子部品や基板に機械的歪みが生
ずる恐れがなくなり、その結果、特性のよい混成集積回
路を高歩留りで製造することができる。
いられた接着剤が最終的に除去されるため、半田で完全
固定した後の電子部品に外部から望ましくない機械的応
力が作用せず、従って電子部品や基板に機械的歪みが生
ずる恐れがなくなり、その結果、特性のよい混成集積回
路を高歩留りで製造することができる。
[発明の実施例コ
以下に添付図面を参照して本発明の方法の一実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
添付図面の第1図ないし第5図は本発明による製造方法
の一実施例を工程順に断面図で示したものである。
の一実施例を工程順に断面図で示したものである。
本発明の好適実施例の第一工程では、まず第1図に示す
ように予め絶縁基板1上に形成されたリード線(半導体
素子の)接続用導体部2と電子部品搭載用導体部3の凹
部とに半田レジストを兼ねる再可溶性の接着剤をスクリ
ーン印刷等で塗布することにより、リード線接続用導体
部2と電子部品搭載用導体部3とにそれぞれ接着剤層4
及び5を形成する。 この場合、半導体素子搭載用導体
部6には該接着剤を塗布しない。 使用する接着剤は硬
化後も溶媒等により再溶解しうるとともに硬化状態を保
っている間は半田の溶融温度においても熱のみでは液状
化しない、という性質を持ったものが好ましい。 それ
ゆえ、従来から使用されているエポキシ樹脂系接着剤や
シリコン系接着剤は不適であり、むしろ熱可塑性樹脂を
主成分とする接着剤が好適である。 例えば、n−ブチ
ルカルピトールアセテートを主成分とする溶媒中にポリ
スチロールを主成分とする熱可塑性樹脂を溶解させてな
る接着剤は本発明方法の実施には最適であるが、これと
同じような性質の接着剤も本発明方法の実施のために使
用できることは勿論である。
ように予め絶縁基板1上に形成されたリード線(半導体
素子の)接続用導体部2と電子部品搭載用導体部3の凹
部とに半田レジストを兼ねる再可溶性の接着剤をスクリ
ーン印刷等で塗布することにより、リード線接続用導体
部2と電子部品搭載用導体部3とにそれぞれ接着剤層4
及び5を形成する。 この場合、半導体素子搭載用導体
部6には該接着剤を塗布しない。 使用する接着剤は硬
化後も溶媒等により再溶解しうるとともに硬化状態を保
っている間は半田の溶融温度においても熱のみでは液状
化しない、という性質を持ったものが好ましい。 それ
ゆえ、従来から使用されているエポキシ樹脂系接着剤や
シリコン系接着剤は不適であり、むしろ熱可塑性樹脂を
主成分とする接着剤が好適である。 例えば、n−ブチ
ルカルピトールアセテートを主成分とする溶媒中にポリ
スチロールを主成分とする熱可塑性樹脂を溶解させてな
る接着剤は本発明方法の実施には最適であるが、これと
同じような性質の接着剤も本発明方法の実施のために使
用できることは勿論である。
次に、第2図に示すように電子部品搭載用導体部3にチ
ップコンデンサ等の電子部品7を搭載し一〇− た後、乾燥など適当な処理を行って接着剤層4及び5を
硬化させ、電子部品7を該導体部3上に仮固定する。
ップコンデンサ等の電子部品7を搭載し一〇− た後、乾燥など適当な処理を行って接着剤層4及び5を
硬化させ、電子部品7を該導体部3上に仮固定する。
続いて、半田浴への浸漬等の方法によって、第3図に示
すように半田8を電子部品7の周囲と半導体素子搭載用
導体部6の上に付着させて電子部品7を導体部3の上に
固定させる。 この場合、電子部品搭載用導体部3と電
子部品7との間の接着剤層5はまだ残っている。
すように半田8を電子部品7の周囲と半導体素子搭載用
導体部6の上に付着させて電子部品7を導体部3の上に
固定させる。 この場合、電子部品搭載用導体部3と電
子部品7との間の接着剤層5はまだ残っている。
ついで、全体を溶媒中に浸漬し洗浄することにより接着
剤層4及び5を溶解除去すると、第4図に示すように電
子部品搭載用導体部3とリード線接続用導体部2とにあ
った接着剤層が消失し、リード線接続用導体部2が露出
する。
剤層4及び5を溶解除去すると、第4図に示すように電
子部品搭載用導体部3とリード線接続用導体部2とにあ
った接着剤層が消失し、リード線接続用導体部2が露出
する。
この後、更に第5図に示すように半導体素子搭載用導体
部上の半田層8に半導体素子9をボンディングした後、
リード線接続用導体部2上にリード線10をワイヤボン
ディングして混成集積回路を完成させる。
部上の半田層8に半導体素子9をボンディングした後、
リード線接続用導体部2上にリード線10をワイヤボン
ディングして混成集積回路を完成させる。
[発明の効果コ
10−
以トのごとき本発明方法では、電子部品を半[0接♀1
した後に該電子部品の仮固定に用いられた接着剤層が除
去されるため、電子部品に墾ましくない機械的歪みが生
じる恐れがなくイrす、ぞの結束、本発明方法によれば
特性のよい混成集積回路を製造することができる。
した後に該電子部品の仮固定に用いられた接着剤層が除
去されるため、電子部品に墾ましくない機械的歪みが生
じる恐れがなくイrす、ぞの結束、本発明方法によれば
特性のよい混成集積回路を製造することができる。
また、半田レジストと仮固定用接着とが一液一層の接着
剤塗布で可能であるから、混成集積回路の製造工程短縮
とその歩留りを著しく向上させることができる。
剤塗布で可能であるから、混成集積回路の製造工程短縮
とその歩留りを著しく向上させることができる。
なお、前記実施例では本発明の前記■の方法に適用した
場合のみを示したが、本発明を前記■の方法に]商用す
ることができるのは勿論である。
場合のみを示したが、本発明を前記■の方法に]商用す
ることができるのは勿論である。
第1図ないし第5図は本発明方法の一実施例を工程順に
示す断面図である。 1・・・絶縁基板、 2・・・リード線接続用導体部、
3・・・°電了部品搭載用導体部、 4.5・・・接着
剤層、6・・・半導体素子搭載用導体部、 7・・・電
子部品、8・・・半田層、 9・・・半導体素子、 1
0・・・リード線。 特許出願人 東京芝浦電気株式会社
示す断面図である。 1・・・絶縁基板、 2・・・リード線接続用導体部、
3・・・°電了部品搭載用導体部、 4.5・・・接着
剤層、6・・・半導体素子搭載用導体部、 7・・・電
子部品、8・・・半田層、 9・・・半導体素子、 1
0・・・リード線。 特許出願人 東京芝浦電気株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 絶R基板上に形成された電子部品搭載用導体部及び
半導体素子搭載用導体部並びにリード線接続用導体部に
、チップコンデンサのごとき電子部品及び半導体素子並
びにリード線を、それぞれ半田づGプして混成集積回路
を製造する方法であって、 前記電子部品搭載用導体部に半田レジストを兼ねる耐熱
再度溶性の接着剤を塗布して接着剤層を形成する工程と
、 前記電子部品搭載用導体部の上に電子部品を搭載すると
ともに前記電子部品を前記接着剤層によって仮固定する
工程と、 前記電子部品の周囲に半田を付着・させることにより前
記電子部品を前記半田により前記電子部品搭載用導体部
の上に固定する工程と、前記接着剤層を溶解除去する工
程と、 を含む混成集積回路の製造方法。 2 絶縁基板上に形成された電子部品搭載用導体部及び
半導体素子搭載用導体部並びにリード線接続用導体部に
、チップコンデンサのごどぎ電子部品及び半導体素子並
びにリード線を、それぞれ半田づけして混成集積回路を
製造する方法であって、 前記電子部品搭載用導体部に半田レジストを兼ねる耐熱
性再度溶性の接着剤を塗布して接着剤層を形成すると同
時に前記リード線接続用導体部の上に前記接着剤で被覆
する工程と、 前記電子部品搭載用導体部に電子部品を搭載して前記電
子部品を前記接着剤層によって仮固定する工程と、 前記電子部品の周囲に半田を付着させて前記電子部品を
前記電子部品搭載用導体部の上に固定すると同時に前記
半導体素子搭載用導体部の表面に半田層を形成させる工
程と、前記電子部品を前記電子部品搭載用導体部に接着
させている前記接着剤層を溶解除去すると同時に前記リ
ード線接続用導体部の表面を覆っている前記接着剤を溶
解除去する工程と、 前記接着剤を溶解除去した後の前記半田層の上に半導体
素子を半田接着させることにより前記半導体素子搭載用
導体部の上に半導体素子を固定すると同時に、前記リー
ド線接続用導体部の上にリード線をボンディングする工
程と、 を含む混成集積回路の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21098883A JPS60103693A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 混成集積回路の製造方法 |
EP84113495A EP0142783B1 (en) | 1983-11-11 | 1984-11-08 | Method for producing hybrid integrated circuit |
US06/669,364 US4635346A (en) | 1983-11-11 | 1984-11-08 | Method for producing hybrid integrated circuit |
DE8484113495T DE3482013D1 (de) | 1983-11-11 | 1984-11-08 | Verfahren zum herstellen einer integrierten hybridschaltung. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21098883A JPS60103693A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 混成集積回路の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60103693A true JPS60103693A (ja) | 1985-06-07 |
Family
ID=16598453
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21098883A Pending JPS60103693A (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 混成集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60103693A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63187691A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | アイワ株式会社 | プリント配線板 |
JPH09293744A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-11-11 | Denso Corp | 電子部品の実装方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5150463A (ja) * | 1974-10-29 | 1976-05-04 | Marukon Denshi Kk | Konseishusekikairono seizohoho |
JPS5775017A (en) * | 1980-10-27 | 1982-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production for piezoelectric forcelain resonator |
-
1983
- 1983-11-11 JP JP21098883A patent/JPS60103693A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5150463A (ja) * | 1974-10-29 | 1976-05-04 | Marukon Denshi Kk | Konseishusekikairono seizohoho |
JPS5775017A (en) * | 1980-10-27 | 1982-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production for piezoelectric forcelain resonator |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63187691A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-03 | アイワ株式会社 | プリント配線板 |
JPH09293744A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-11-11 | Denso Corp | 電子部品の実装方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0142783B1 (en) | Method for producing hybrid integrated circuit | |
JPH09106998A (ja) | 封止されたチップオンボード電子モデュールの製造方法 | |
US5477080A (en) | Tape carrier and tape carrier device using the same | |
JPH01303730A (ja) | 半導体素子の実装構造とその製造方法 | |
JP2001298272A (ja) | プリント基板 | |
JP3178417B2 (ja) | 半導体キャリアおよびその製造方法 | |
JPS60103693A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
JPH0254945A (ja) | 電子部品 | |
JPH03157959A (ja) | 実装構造及び製造方法 | |
JPS63244631A (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
JP2676107B2 (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
JPH04252041A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
JP2004146540A (ja) | 接続型回路基板ならびに製造方法 | |
JPS63177584A (ja) | 混成集積回路の組立方法 | |
JPH0536299Y2 (ja) | ||
JPS61199694A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
JP3004085B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH1079461A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
JPH0536300Y2 (ja) | ||
JPS60229397A (ja) | 電子部品装着方法 | |
JPS59204265A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
JPS59144146A (ja) | 混成集積回路装置の製造方法 | |
JPH0337305B2 (ja) | ||
JPS6384096A (ja) | 回路基板 | |
JPH05218291A (ja) | 混成集積回路装置 |