JPS61285765A - バイポ−ラnpnトランジスタの製造方法 - Google Patents
バイポ−ラnpnトランジスタの製造方法Info
- Publication number
- JPS61285765A JPS61285765A JP60127232A JP12723285A JPS61285765A JP S61285765 A JPS61285765 A JP S61285765A JP 60127232 A JP60127232 A JP 60127232A JP 12723285 A JP12723285 A JP 12723285A JP S61285765 A JPS61285765 A JP S61285765A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- emitter layer
- emitter
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60127232A JPS61285765A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | バイポ−ラnpnトランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60127232A JPS61285765A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | バイポ−ラnpnトランジスタの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61285765A true JPS61285765A (ja) | 1986-12-16 |
JPH047588B2 JPH047588B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1992-02-12 |
Family
ID=14954993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60127232A Granted JPS61285765A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | バイポ−ラnpnトランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61285765A (enrdf_load_stackoverflow) |
-
1985
- 1985-06-13 JP JP60127232A patent/JPS61285765A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH047588B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1992-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH04171979A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS61285765A (ja) | バイポ−ラnpnトランジスタの製造方法 | |
US4144106A (en) | Manufacture of an I2 device utilizing staged selective diffusion thru a polycrystalline mask | |
JP3877459B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3300530B2 (ja) | メサ型半導体装置の製造方法 | |
JPS637665A (ja) | ラテラルpnpトランジスタ | |
JPS6337643A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS60123062A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
JPS6167266A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH01268169A (ja) | バイポーラトランジスタ | |
JPS63215066A (ja) | 横型npnトランジスタ | |
JPS6010642A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS6022358A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH05283715A (ja) | 高安定ツェナーダイオード | |
JPS63249370A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS6060759A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0555557A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS59148359A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS62112379A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0845953A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0233930A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6049664A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS61124149A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS61108162A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS6327863B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |