JPS61279160A - リ−ドフレ−ム - Google Patents
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- JPS61279160A JPS61279160A JP60120510A JP12051085A JPS61279160A JP S61279160 A JPS61279160 A JP S61279160A JP 60120510 A JP60120510 A JP 60120510A JP 12051085 A JP12051085 A JP 12051085A JP S61279160 A JPS61279160 A JP S61279160A
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- Japan
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- square
- lead
- leads
- lead frame
- sealing
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はフラットパッケージ用リードフレームの構造の
改良に係わる。
改良に係わる。
〈従来の技術〉
近年ICチップの大型化が進む一方で高密度実装に対す
る要求もますます増大しつつあシ、その容器として、4
方向にリードを有するフラットパッケージICが広く用
いられる。
る要求もますます増大しつつあシ、その容器として、4
方向にリードを有するフラットパッケージICが広く用
いられる。
第3図はこのようなフラットパッケージICの断面図で
ある。第3図において、リードフレームのり−ド1の先
端と?ンデイングワイヤ2で接続されたICチップ3は
パッケージ用セラミック4.4′と封止用低融点ガラス
5゜5′ニよって密封封止されている。尚、ICパンケ
ージの封止効果を上けるため、封止用低融点ガラス5.
5′とリードフレームのリード先端との接触部にはアル
ミニウム被核6が施されている。第3図に示すフラット
バックーソ用ICに用いられる刃型タイプリードフレー
ムの平面図を第4図に示す。第4図において、7はリー
ドフレームのリードを支持するタイバー、1はリードで
あシ、リード1のパッケージ用低融点ガラス5,5′封
止の内側部分を内リード1aと称し、封止ガラスの外側
部分を外リード1bと称する。8はICチップボンド部
である。
ある。第3図において、リードフレームのり−ド1の先
端と?ンデイングワイヤ2で接続されたICチップ3は
パッケージ用セラミック4.4′と封止用低融点ガラス
5゜5′ニよって密封封止されている。尚、ICパンケ
ージの封止効果を上けるため、封止用低融点ガラス5.
5′とリードフレームのリード先端との接触部にはアル
ミニウム被核6が施されている。第3図に示すフラット
バックーソ用ICに用いられる刃型タイプリードフレー
ムの平面図を第4図に示す。第4図において、7はリー
ドフレームのリードを支持するタイバー、1はリードで
あシ、リード1のパッケージ用低融点ガラス5,5′封
止の内側部分を内リード1aと称し、封止ガラスの外側
部分を外リード1bと称する。8はICチップボンド部
である。
尚、第5図は方形タイプのタイバー7の4つの辺から内
側に向って突出されたリード群1に封止用低融点ガラス
によって融着されるパッケージ用セラミック4との関係
を示す平面図で、9はパッケージ用セラミック4の輪郭
を示す点線である。第5図に示すように、内リード1a
の先端が形成するICCチップタフ28の正方形と、外
リード1bのタイバー7に接続部(タイバー7の内縁)
が形成する正方形との辺は平行である。
側に向って突出されたリード群1に封止用低融点ガラス
によって融着されるパッケージ用セラミック4との関係
を示す平面図で、9はパッケージ用セラミック4の輪郭
を示す点線である。第5図に示すように、内リード1a
の先端が形成するICCチップタフ28の正方形と、外
リード1bのタイバー7に接続部(タイバー7の内縁)
が形成する正方形との辺は平行である。
第6図は第5図に示すリードフレームのリード部分の拡
大図である。第6図中、1はリード、9はパッケージ用
セラミックの輪郭、10はリード先端部のアルミニウム
被核部である。尚、リードフレームは一般に42〜49
%Ni 含有の鉄ニツケル合金の厚みは0.25M・
程度の薄板を打抜いて形成され、リード1の先端部分は
り−ド1と封止用低融点ガラス5,5′との融着性を改
善するため、0.2〜10μm 厚のアルミニウム被覆
が施される。
大図である。第6図中、1はリード、9はパッケージ用
セラミックの輪郭、10はリード先端部のアルミニウム
被核部である。尚、リードフレームは一般に42〜49
%Ni 含有の鉄ニツケル合金の厚みは0.25M・
程度の薄板を打抜いて形成され、リード1の先端部分は
り−ド1と封止用低融点ガラス5,5′との融着性を改
善するため、0.2〜10μm 厚のアルミニウム被覆
が施される。
第6図に示す如く、方形のICチップ?ンド部8を封止
する方形のパッケージ用セラミック4,4′はその輪郭
の線9が示すように二つの正方形の辺は平行していて、
アルミニウム被覆10がリード1上に施されているアル
ミ被覆外郭線11も辺が平行した方形となっている。
する方形のパッケージ用セラミック4,4′はその輪郭
の線9が示すように二つの正方形の辺は平行していて、
アルミニウム被覆10がリード1上に施されているアル
ミ被覆外郭線11も辺が平行した方形となっている。
また、封止用低融点ガラス5.5′はセラミック輪郭線
9とICCチップポンド8との間の領域をほぼ埋めつく
すので、リード1のICCチップタフ28の正方形及び
セラミック輪郭線9の正方形の角に近い勅のり−ド1が
低融点ガラスで融着される封止長Bと、上記二つの正方
形の辺の中央部のり−ド1が低融点ガラスで融着される
封止長Aとを比較するとA<B であシ それぞれのアルミニウム被核部の長さをす。
9とICCチップポンド8との間の領域をほぼ埋めつく
すので、リード1のICCチップタフ28の正方形及び
セラミック輪郭線9の正方形の角に近い勅のり−ド1が
低融点ガラスで融着される封止長Bと、上記二つの正方
形の辺の中央部のり−ド1が低融点ガラスで融着される
封止長Aとを比較するとA<B であシ それぞれのアルミニウム被核部の長さをす。
aとすると
a)t)である。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ところで、第3図及び第5図に示したようなパッケージ
ICの封止性は、外部からの湿気の浸入のしやすさによ
って決る。
ICの封止性は、外部からの湿気の浸入のしやすさによ
って決る。
封止性を改善するには、
(1) ガラスに拡散し融着効果をあげるアルミニウ
ム被覆部分a、bを長くすること、 (2) リードの封止長A、Bを長くすること、のい
ずれかである。
ム被覆部分a、bを長くすること、 (2) リードの封止長A、Bを長くすること、のい
ずれかである。
第3図と第5図に示す従来のものでは、A<B 、a(
bであシ、角部の封止長B、アルミニウム被覆すは、辺
中央部の封止長A、アルミニウム被覆aに比較して、い
ずれも長く封止効果は辺中央部では角部に比較的して相
乗的に劣ることが分る。
bであシ、角部の封止長B、アルミニウム被覆すは、辺
中央部の封止長A、アルミニウム被覆aに比較して、い
ずれも長く封止効果は辺中央部では角部に比較的して相
乗的に劣ることが分る。
本発明は従来例の以上述べたような問題点に鑑みてなさ
れたもので、封止効果の勝れたリードフレームを提供す
ることを目的としている。
れたもので、封止効果の勝れたリードフレームを提供す
ることを目的としている。
く問題点を解決するための手段〉
かかる目的を達成した本発明によるリードフレームの構
成は、内リードの先端の形成する正方形と、外リードの
タイバー接続部の形成する正方形とが45ずれているこ
とを特徴とするものである。
成は、内リードの先端の形成する正方形と、外リードの
タイバー接続部の形成する正方形とが45ずれているこ
とを特徴とするものである。
く実 施 例〉
本発明によるリードフレームの一実施例を図面を参照し
て説明する。
て説明する。
第1図は本発明によるリードフレームの一実施例の平面
図である。リードフレームは厚さ0.25WzL程度の
42〜4!1%Ni 含有鉄ニツケル合金の帯板を第
1図に示すようなパターンに打ち抜いて形成される。リ
ードフレームの4辺のタイバ一部7から複数本のり−ド
1が中央に向って突出されリード先端部は正方形のIC
Cチップボンド8′を形成している。
図である。リードフレームは厚さ0.25WzL程度の
42〜4!1%Ni 含有鉄ニツケル合金の帯板を第
1図に示すようなパターンに打ち抜いて形成される。リ
ードフレームの4辺のタイバ一部7から複数本のり−ド
1が中央に向って突出されリード先端部は正方形のIC
Cチップボンド8′を形成している。
ICCチップボンド8′の正方形はリードフレームのり
−ド1とタイバ一部7の接続部が形成する正方形7aと
はそれぞれの辺はほぼ45゜傾いている。また、パッケ
ージ用セラミックの輪郭を示す輪郭線9ともICCチッ
プボンド8′の正方形はほぼ45傾いている。第2図に
第1図に示すリード部分の部分的拡大図を示す。第2図
に示す如く、パッケージ用セラミックの輪郭線9の正方
形とICチップがンド部8′の正方形は45傾いていて
この間を封止用低融点ガラス5,5′によってほぼ埋め
つくされる。リード1と低融点ガラス5,5′の封止性
を向上するため内リード部1aには一様な幅すでアルミ
ニウム被覆が施され、その外郭は外郭線11で示される
。1bは外リード部分である。
−ド1とタイバ一部7の接続部が形成する正方形7aと
はそれぞれの辺はほぼ45゜傾いている。また、パッケ
ージ用セラミックの輪郭を示す輪郭線9ともICCチッ
プボンド8′の正方形はほぼ45傾いている。第2図に
第1図に示すリード部分の部分的拡大図を示す。第2図
に示す如く、パッケージ用セラミックの輪郭線9の正方
形とICチップがンド部8′の正方形は45傾いていて
この間を封止用低融点ガラス5,5′によってほぼ埋め
つくされる。リード1と低融点ガラス5,5′の封止性
を向上するため内リード部1aには一様な幅すでアルミ
ニウム被覆が施され、その外郭は外郭線11で示される
。1bは外リード部分である。
第2図から明らかなように、本発明のリードフレームを
ICパンクーソに用いたものでは、パンケージ用セラミ
ックの輪郭線9の角部とICチップ+3?ンド部8′の
正形辺の辺中央部を結ぶように配置されるリード1の封
止長Bとセラミック輪郭線9の正方形の辺中央部とIC
Cチップポンド8′の正方形の角部とを結ぶように配置
されるリード1の封止長Aとを比較すると、 A<B であり、AはBより短かい。また、それぞれのアルミニ
ウム被覆長す、aを比較すると、a)b であシaはbよシ長い。
ICパンクーソに用いたものでは、パンケージ用セラミ
ックの輪郭線9の角部とICチップ+3?ンド部8′の
正形辺の辺中央部を結ぶように配置されるリード1の封
止長Bとセラミック輪郭線9の正方形の辺中央部とIC
Cチップポンド8′の正方形の角部とを結ぶように配置
されるリード1の封止長Aとを比較すると、 A<B であり、AはBより短かい。また、それぞれのアルミニ
ウム被覆長す、aを比較すると、a)b であシaはbよシ長い。
即ち、先きに述べた如<、rcパツケーソの封止効果を
あげるためには (1) ガラスに拡散し融着効果をあけるアルミニウ
ム被覆部分を長くすること、 (2) リードの封止長を長くすること、のいずれか
によってできるので、本発明のものでは封止長の長いリ
ード部分Bで1はアルミニウム被覆長すは短かく、封止
長の短がいり−ド部分Aではアルミニウム被覆長aは長
くなっているため、互いに封止効果を補充し合っている
。このだめ、ICチップボンド部分8′に四方から集中
される全リード1の封止性はほぼ均一に保たれるように
なった。
あげるためには (1) ガラスに拡散し融着効果をあけるアルミニウ
ム被覆部分を長くすること、 (2) リードの封止長を長くすること、のいずれか
によってできるので、本発明のものでは封止長の長いリ
ード部分Bで1はアルミニウム被覆長すは短かく、封止
長の短がいり−ド部分Aではアルミニウム被覆長aは長
くなっているため、互いに封止効果を補充し合っている
。このだめ、ICチップボンド部分8′に四方から集中
される全リード1の封止性はほぼ均一に保たれるように
なった。
〈発明の効果〉
本発明によるリードフレームによレバ、内リードの先端
が形成する正方形と外リードのタイバー接続部の形成す
る正方形とがほぼ45゜ずれているため、リード全体の
制止長の長い部分のアルミニウム被覆は灯かくでもリー
ド全体の封止長が長いため、封止効果が得られ、リード
全体の封止長が短かい部分ではアルミニウム被覆の長さ
が長くされるようになっており、リード全体にわたって
ほぼ均一な優れた封止性効果が得られるようになった。
が形成する正方形と外リードのタイバー接続部の形成す
る正方形とがほぼ45゜ずれているため、リード全体の
制止長の長い部分のアルミニウム被覆は灯かくでもリー
ド全体の封止長が長いため、封止効果が得られ、リード
全体の封止長が短かい部分ではアルミニウム被覆の長さ
が長くされるようになっており、リード全体にわたって
ほぼ均一な優れた封止性効果が得られるようになった。
この場合、リードフレーム及びセラミックの材料の量は
従来のものと全く同等であるのでコスト的な負担は変ら
ない。また、アルミニウム被覆についてはICチップポ
ンド部にそって、従来のアルミニウム蒸着用マスクの方
向を変えるだけで、形状、寸法も特に変わらず、本発明
のリードフレームを用いることによるICパッケージ加
工用治具及び作業の特別な増加もない。
従来のものと全く同等であるのでコスト的な負担は変ら
ない。また、アルミニウム被覆についてはICチップポ
ンド部にそって、従来のアルミニウム蒸着用マスクの方
向を変えるだけで、形状、寸法も特に変わらず、本発明
のリードフレームを用いることによるICパッケージ加
工用治具及び作業の特別な増加もない。
第1図は本発明のリードフレームの一実施例の平面図、
第2図は、第1図の部分的拡大図、第3図はフラットハ
ラケージICの断面図、第4図は従来の方形タイプリー
ドフレームの平面図、第5図は第4図に示す方形タイプ
リードフレームとパッケージ用セラミックの関係を示す
平面図、第6図は第5図に示すものの部分的拡大図であ
る。 図面中、 1はリード、1aは内リード、lbは外リード、7はタ
イツ々−18′はICチップ昶ンド部、9はパッケージ
用セラミックの輪郭を示す輪郭線、10はアルミニウム
被覆、11はアルミニウム被覆輪郭線である。
第2図は、第1図の部分的拡大図、第3図はフラットハ
ラケージICの断面図、第4図は従来の方形タイプリー
ドフレームの平面図、第5図は第4図に示す方形タイプ
リードフレームとパッケージ用セラミックの関係を示す
平面図、第6図は第5図に示すものの部分的拡大図であ
る。 図面中、 1はリード、1aは内リード、lbは外リード、7はタ
イツ々−18′はICチップ昶ンド部、9はパッケージ
用セラミックの輪郭を示す輪郭線、10はアルミニウム
被覆、11はアルミニウム被覆輪郭線である。
Claims (1)
- 内リードの先端の形成する正方形と、外リードのタイバ
ー接続部の形成する正方形とが45°ずれていることを
特徴とするリードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60120510A JPS61279160A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | リ−ドフレ−ム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60120510A JPS61279160A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | リ−ドフレ−ム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61279160A true JPS61279160A (ja) | 1986-12-09 |
Family
ID=14787995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60120510A Pending JPS61279160A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | リ−ドフレ−ム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61279160A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0383364A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Kyocera Corp | ガラス封止型電子部品用パッケージ |
US5016085A (en) * | 1988-03-04 | 1991-05-14 | Hughes Aircraft Company | Hermetic package for integrated circuit chips |
JPH0395661U (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-30 |
-
1985
- 1985-06-05 JP JP60120510A patent/JPS61279160A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5016085A (en) * | 1988-03-04 | 1991-05-14 | Hughes Aircraft Company | Hermetic package for integrated circuit chips |
JPH0383364A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Kyocera Corp | ガラス封止型電子部品用パッケージ |
JPH0395661U (ja) * | 1990-01-12 | 1991-09-30 |
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