JPS61273365A - 半導体装置用ボンデイングワイヤの包装方法 - Google Patents
半導体装置用ボンデイングワイヤの包装方法Info
- Publication number
- JPS61273365A JPS61273365A JP10160885A JP10160885A JPS61273365A JP S61273365 A JPS61273365 A JP S61273365A JP 10160885 A JP10160885 A JP 10160885A JP 10160885 A JP10160885 A JP 10160885A JP S61273365 A JPS61273365 A JP S61273365A
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- bonding wire
- hydrogen gas
- spool
- gas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置用ボンディングワイヤの包装方
法に関し、特にそのボンディングワイヤの表面酸化が防
止されるように改善された半導体装置用ボンディングワ
イヤの包装方法に関する。
法に関し、特にそのボンディングワイヤの表面酸化が防
止されるように改善された半導体装置用ボンディングワ
イヤの包装方法に関する。
従来、半導体装置用のボンディングワイヤとして金線が
最も一般的に使用されているが、最近ではこの分野にお
いても寄金化の要望が高まって、このような金線も他の
卑金属ワイヤ、例えば銅線や銅合金ワイヤに置換えよう
とする動きが現われている。
最も一般的に使用されているが、最近ではこの分野にお
いても寄金化の要望が高まって、このような金線も他の
卑金属ワイヤ、例えば銅線や銅合金ワイヤに置換えよう
とする動きが現われている。
しかしながら、このような卑金属ワイヤでは従来の金線
とは相違して、大気中の酸素および／または水分によっ
て酸化し易いために、保存中その表面の酸化を防止する
ことが重要な問題となり、そのために、例えば第１図に
示したように、例えば銅線１をスプール２に巻き付け、
このスプール２をスプールケース３の下ケース３ａに嵌
め込んでから上蓋３ｂを被せたものを、第２図の側面図
で示すように合成樹脂フィルム４によって真空包装する
か、または不活性ガスを封入して密封包装しても、スプ
ールケース３内のガスの除去または置換が十分に達成さ
れず、またそのスプールケース３の通気性を良くするた
めそれに孔をあけると、スプールケースの移動時や合成
樹脂フィルムによる包装の際にその孔から塵埃等の有害
なものが浸入するという問題を生じ、さらに合成樹脂フ
ィルム自体も長期間にわたって完全な密封性を保持する
ことは困難であり、したがって、合成樹脂フィルムパッ
ケージ内に最初から残留するか、あるいは保存中に外部
から浸入してくる酸素および／または水分のような酸化
性成分によって銅線表面が酸化されるという問題があっ
た。
とは相違して、大気中の酸素および／または水分によっ
て酸化し易いために、保存中その表面の酸化を防止する
ことが重要な問題となり、そのために、例えば第１図に
示したように、例えば銅線１をスプール２に巻き付け、
このスプール２をスプールケース３の下ケース３ａに嵌
め込んでから上蓋３ｂを被せたものを、第２図の側面図
で示すように合成樹脂フィルム４によって真空包装する
か、または不活性ガスを封入して密封包装しても、スプ
ールケース３内のガスの除去または置換が十分に達成さ
れず、またそのスプールケース３の通気性を良くするた
めそれに孔をあけると、スプールケースの移動時や合成
樹脂フィルムによる包装の際にその孔から塵埃等の有害
なものが浸入するという問題を生じ、さらに合成樹脂フ
ィルム自体も長期間にわたって完全な密封性を保持する
ことは困難であり、したがって、合成樹脂フィルムパッ
ケージ内に最初から残留するか、あるいは保存中に外部
から浸入してくる酸素および／または水分のような酸化
性成分によって銅線表面が酸化されるという問題があっ
た。
そこで、本発明者は、このような問題を解決すべく種々
研究を重ねた結果、 （１）前記真空包装後に水素ガスまたは水素ガスを含む
不活性ガスを合成樹脂フィルム内に導入すると、水素ガ
スは分子が極めて小さいために、空気またはその他のガ
スが通過し難い前記スプールケースを非常によく透過し
て、スプールケース内のワイヤ表面に十分な濃度をもっ
て行き回ること、（２）ワイヤ表面に達した水素がワイ
ヤ表面における酸素分圧を著しく低下させて酸素のワイ
ヤ表面への吸着および酸素原子と金属原子との結合を効
果的に抑制して、金属酸化物の生成を極めて有効に阻止
すること、 （３）水素ガスのスプールケース内への浸透は上述のと
おり非常に活発なため、水素ガス濃度が低くても、すな
わち水素ガスまたは水素ガス含有不活性ガスの封入圧力
が１気圧以下であっても、前記効果を十分に得ることが
でき、したがってパッケージの膨らみやフィルムの損傷
、またはそれによる水素ガスの漏洩などの問題や危険を
伴わずに水素ガスの酸化防止作用を利用できること、を
見出した。
研究を重ねた結果、 （１）前記真空包装後に水素ガスまたは水素ガスを含む
不活性ガスを合成樹脂フィルム内に導入すると、水素ガ
スは分子が極めて小さいために、空気またはその他のガ
スが通過し難い前記スプールケースを非常によく透過し
て、スプールケース内のワイヤ表面に十分な濃度をもっ
て行き回ること、（２）ワイヤ表面に達した水素がワイ
ヤ表面における酸素分圧を著しく低下させて酸素のワイ
ヤ表面への吸着および酸素原子と金属原子との結合を効
果的に抑制して、金属酸化物の生成を極めて有効に阻止
すること、 （３）水素ガスのスプールケース内への浸透は上述のと
おり非常に活発なため、水素ガス濃度が低くても、すな
わち水素ガスまたは水素ガス含有不活性ガスの封入圧力
が１気圧以下であっても、前記効果を十分に得ることが
でき、したがってパッケージの膨らみやフィルムの損傷
、またはそれによる水素ガスの漏洩などの問題や危険を
伴わずに水素ガスの酸化防止作用を利用できること、を
見出した。
この発明は、上記知見に基づいて発明されたもので、ス
プールに巻き付けた半導体装置用ボンディングワイヤを
内蔵したスプールケースを袋状の包装用フィルム内に収
めた真空パッケージ中に、圧力：１気圧以下の水素ガス
または水素ガスと不活性ガスとの混合ガスを封入して、
前記ボンディングワイヤの表面酸化を防止することを特
徴とする、前記半導体装置用ボンディングワイヤの包装
方法を提供するものである。
プールに巻き付けた半導体装置用ボンディングワイヤを
内蔵したスプールケースを袋状の包装用フィルム内に収
めた真空パッケージ中に、圧力：１気圧以下の水素ガス
または水素ガスと不活性ガスとの混合ガスを封入して、
前記ボンディングワイヤの表面酸化を防止することを特
徴とする、前記半導体装置用ボンディングワイヤの包装
方法を提供するものである。
この発明において真空パッケージ中に封入される水素ガ
スおよび水素ガスと不活性ガスとの混合ガスの圧力が１
気圧を越すと外側のフィルムが膨らんだり、あるいは破
れたりする虞れがあるところから、その圧力の上限を１
気圧と定めた。 水素ガスは前述のとおり、少量でも十
分な効果を発揮し、一般に０．０１気圧以上の水素ガス
圧力または水素ガス分圧があれば十分で、この水素ガス
の圧力（全圧）または分圧は好ましくは０．１〜１気圧
である◎ この発明において使用される不活性ガスとしては、一般
に使用される不活性ガス、例えば窒素ガスまたはアルゴ
ンガスが好ましく使用される。
スおよび水素ガスと不活性ガスとの混合ガスの圧力が１
気圧を越すと外側のフィルムが膨らんだり、あるいは破
れたりする虞れがあるところから、その圧力の上限を１
気圧と定めた。 水素ガスは前述のとおり、少量でも十
分な効果を発揮し、一般に０．０１気圧以上の水素ガス
圧力または水素ガス分圧があれば十分で、この水素ガス
の圧力（全圧）または分圧は好ましくは０．１〜１気圧
である◎ この発明において使用される不活性ガスとしては、一般
に使用される不活性ガス、例えば窒素ガスまたはアルゴ
ンガスが好ましく使用される。
包装用のフィルムとしては、通常の真空パッケージにお
いて使用されるガスバリヤ性に富んだプラスチックフィ
ルムまたはそれらの多層構造、例えば２層ないし３層構
造のラミネートフィルムならばどのようなフィルムでも
使用することができ、例えばナイロン、プロピレンの２
層構造ラミネートフィルムおよびサランコート、ポリプ
ロピレン、ポリエチレンの３層構造ラミネートフィルム
が好都合に使用される。
いて使用されるガスバリヤ性に富んだプラスチックフィ
ルムまたはそれらの多層構造、例えば２層ないし３層構
造のラミネートフィルムならばどのようなフィルムでも
使用することができ、例えばナイロン、プロピレンの２
層構造ラミネートフィルムおよびサランコート、ポリプ
ロピレン、ポリエチレンの３層構造ラミネートフィルム
が好都合に使用される。
ついで、この発明を実施例により比較例と対比しながら
説明するが、これらの実施例は勿論この発明を具体化し
た例を単に示すためのものであって、この発明の技術的
範囲を制限することを意図するものではない。
説明するが、これらの実施例は勿論この発明を具体化し
た例を単に示すためのものであって、この発明の技術的
範囲を制限することを意図するものではない。
第１図および第２図に示されるように、直径：２５μｍ
のボンディング用銅線をアルミニウム製のスプールに多
条巻きにしてポリ塩化ビニール製のスプールケースに収
め、これをサランコート、ポリプロピレン、ポリエチレ
ンの３層構造を有する、全体で厚さニア０μｍのラミネ
ートフィルム真空パックあるいはアルゴンガスまたは窒
素ガスバックした後、第１表に示されるような圧力の水
素ガスを封入して本発明パッケージ１〜６を製造すると
ともに、比較のため、真空バックまたは不活性ガスバッ
クだけで水素ガスを封入しない比較パッケージ１〜３お
よび真空バックした後、２気圧の水素ガスを封入した比
較パッケージ４を製造した。
のボンディング用銅線をアルミニウム製のスプールに多
条巻きにしてポリ塩化ビニール製のスプールケースに収
め、これをサランコート、ポリプロピレン、ポリエチレ
ンの３層構造を有する、全体で厚さニア０μｍのラミネ
ートフィルム真空パックあるいはアルゴンガスまたは窒
素ガスバックした後、第１表に示されるような圧力の水
素ガスを封入して本発明パッケージ１〜６を製造すると
ともに、比較のため、真空バックまたは不活性ガスバッ
クだけで水素ガスを封入しない比較パッケージ１〜３お
よび真空バックした後、２気圧の水素ガスを封入した比
較パッケージ４を製造した。
ついで、これらのパッケージの効果を調べるため、その
後約３か月間放置して、銅線の表面酸化量および全酸素
量を測定した。 この表面酸化量はＡ ｕａｅｒ Ｍ
１ｃｒｏ Ｐ ｒｏｂｅを使用し、Ａｒボンバード
により酸素強度がバック・グラウンド・レベルに到達す
る迄の照射時間で示し、また全酸素量は試料量が極めて
少なくても精度の良い測定値が得られる電量滴定法によ
って測定した。 これらの結果も第１表に示した。
後約３か月間放置して、銅線の表面酸化量および全酸素
量を測定した。 この表面酸化量はＡ ｕａｅｒ Ｍ
１ｃｒｏ Ｐ ｒｏｂｅを使用し、Ａｒボンバード
により酸素強度がバック・グラウンド・レベルに到達す
る迄の照射時間で示し、また全酸素量は試料量が極めて
少なくても精度の良い測定値が得られる電量滴定法によ
って測定した。 これらの結果も第１表に示した。
第１表に示される結果から、水素ガスを封入しない比較
パッケージ１〜３においては表面酸化量および全酸素量
がいずれも大きくてワイヤ表面の清浄度が維持されてい
ないのに対して、本発明パッケージ１〜６においては表
面酸化量および全酸素量がともに著しく小さく、水素ガ
スの封入がワイヤ表面の酸化を大いに抑制して、ワイヤ
表面の清浄度維持に著しく貢献していることがわかる。
パッケージ１〜３においては表面酸化量および全酸素量
がいずれも大きくてワイヤ表面の清浄度が維持されてい
ないのに対して、本発明パッケージ１〜６においては表
面酸化量および全酸素量がともに著しく小さく、水素ガ
スの封入がワイヤ表面の酸化を大いに抑制して、ワイヤ
表面の清浄度維持に著しく貢献していることがわかる。
また水素ガスを本発明の範囲を越えて過大に封入した比
較パッケージ４においては、フィルムが破裂して、これ
が実用に適さないことを示している。
較パッケージ４においては、フィルムが破裂して、これ
が実用に適さないことを示している。
以上述べた説明から明らかなように、この発明によると
、半導体装置用ボンディングワイヤの表面酸化を有効に
阻止するパッケージを得ることができるから、大気中の
酸素等によって表面が酸化し易い銅や銅合金のような卑
金属製のワイヤでも長持間保存することができ、したが
って、半導体装置の分野において、このような卑金属製
ワイヤをボンディングワイヤとして実用化できるという
産業上有益な効果を奏する。
、半導体装置用ボンディングワイヤの表面酸化を有効に
阻止するパッケージを得ることができるから、大気中の
酸素等によって表面が酸化し易い銅や銅合金のような卑
金属製のワイヤでも長持間保存することができ、したが
って、半導体装置の分野において、このような卑金属製
ワイヤをボンディングワイヤとして実用化できるという
産業上有益な効果を奏する。
第１図お、よび第２図は半導体装置用ボンディングワイ
ヤの包装形態を図解したもので、その第１図（ａ）はス
プールケースの平面図、第１図（ｂ）はスプールケース
とその中に収められるスプールとワイヤの側面図、そし
て第２図はフィルムによって包装されたスプールケース
の側面図である。 図において １・・・ワイヤ、 ２・・・スプール。 ３・・・スプールケース、 ４・・・フィルム。 出早人 三菱金属株式会社
ヤの包装形態を図解したもので、その第１図（ａ）はス
プールケースの平面図、第１図（ｂ）はスプールケース
とその中に収められるスプールとワイヤの側面図、そし
て第２図はフィルムによって包装されたスプールケース
の側面図である。 図において １・・・ワイヤ、 ２・・・スプール。 ３・・・スプールケース、 ４・・・フィルム。 出早人 三菱金属株式会社
Claims (1)
- スプールに巻き付けた半導体装置用ボンディングワイヤ
を内蔵したスプールケースを袋状の包装用フィルム内に
収めた真空パッケージ中に、圧力：１気圧以下の水素ガ
スまたは水素ガスと不活性ガスとの混合ガスを封入して
、前記ボンディングワイヤの表面酸化を防止することを
特徴とする、前記半導体装置用ボンディングワイヤの包
装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10160885A JPS61273365A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 半導体装置用ボンデイングワイヤの包装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10160885A JPS61273365A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 半導体装置用ボンデイングワイヤの包装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61273365A true JPS61273365A (ja) | 1986-12-03 |
| JPH057271B2 JPH057271B2 (ja) | 1993-01-28 |
Family
ID=14305108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10160885A Granted JPS61273365A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | 半導体装置用ボンデイングワイヤの包装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61273365A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01139380A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-31 | Nec Corp | 半導体装置の出荷包装装置 |
| JP2008110811A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Hiroshima Kasei Ltd | 加水素液体保存用容器 |
| JP2018122938A (ja) * | 2018-04-10 | 2018-08-09 | 株式会社光未来 | 対象物に対する水素ガスの溶解方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022037255A (ja) * | 2018-12-27 | 2022-03-09 | 田中電子工業株式会社 | ワイヤ封止体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5946865A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-16 | Fuji Electric Co Ltd | コネクタケ−ブルの誤接続防止方式 |
-
1985
- 1985-05-15 JP JP10160885A patent/JPS61273365A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5946865A (ja) * | 1982-09-10 | 1984-03-16 | Fuji Electric Co Ltd | コネクタケ−ブルの誤接続防止方式 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01139380A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-31 | Nec Corp | 半導体装置の出荷包装装置 |
| JP2008110811A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Hiroshima Kasei Ltd | 加水素液体保存用容器 |
| JP2018122938A (ja) * | 2018-04-10 | 2018-08-09 | 株式会社光未来 | 対象物に対する水素ガスの溶解方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH057271B2 (ja) | 1993-01-28 |
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