JPS61270381A - エツチング剤組成物 - Google Patents
エツチング剤組成物Info
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- JPS61270381A JPS61270381A JP60259205A JP25920585A JPS61270381A JP S61270381 A JPS61270381 A JP S61270381A JP 60259205 A JP60259205 A JP 60259205A JP 25920585 A JP25920585 A JP 25920585A JP S61270381 A JPS61270381 A JP S61270381A
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- JP
- Japan
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- acid
- group
- hydrogen atom
- carbon atoms
- fluorine
- Prior art date
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- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/12—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing heavy metal salts in an amount of at least 50% of the non-solvent components
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、エツチング剤組成物に関し、更に詳しくはク
ロム材用エツチング剤組成物に関する。
ロム材用エツチング剤組成物に関する。
し従来の技術］
クロム材のエツチングには、現在、第二セリウム塩、た
とえば硝酸第二セノウムアンモニウム［（ＮＨ４）ｔＣ
ｅ（ＮＯ３）ｅｌ 、硫酸第二セリウム［Ｃｅ（Ｓ Ｏ
、）ｔ］を主成分とし、必要に応じて過塩素酸、酢酸、
硝酸などを添加した混合水溶液が用いられている。これ
らの成分の混合比や濃度などは、クロム材の材質、たと
えばクロムの酸化度、不純物含仔量、膜厚、エツチング
速度などに応じて、適宜調節される。しかしながら、か
かる組成物は、微細部分のエツチングには適しない。
とえば硝酸第二セノウムアンモニウム［（ＮＨ４）ｔＣ
ｅ（ＮＯ３）ｅｌ 、硫酸第二セリウム［Ｃｅ（Ｓ Ｏ
、）ｔ］を主成分とし、必要に応じて過塩素酸、酢酸、
硝酸などを添加した混合水溶液が用いられている。これ
らの成分の混合比や濃度などは、クロム材の材質、たと
えばクロムの酸化度、不純物含仔量、膜厚、エツチング
速度などに応じて、適宜調節される。しかしながら、か
かる組成物は、微細部分のエツチングには適しない。
たとえば半導体集積回路素子の製造において、ソリコン
ウェハー上に一定のパターンを転写する際に用いられる
クロムマスクは、ガラス、石英など転写に用いる光、紫
外線、遠赤外線などが透過しうる基板の上にクロム材薄
膜を設け、クロム材薄膜上にレジストとなる感光剤を塗
布し、次いで紫外線、Ｘ線、電子線などによる照射によ
って潜像を設け、現像して目的のパターンをその感光剤
薄膜中に形成し、それをマスクとしてエツチング剤によ
ってクロム材薄膜に転写させることにより製造される。
ウェハー上に一定のパターンを転写する際に用いられる
クロムマスクは、ガラス、石英など転写に用いる光、紫
外線、遠赤外線などが透過しうる基板の上にクロム材薄
膜を設け、クロム材薄膜上にレジストとなる感光剤を塗
布し、次いで紫外線、Ｘ線、電子線などによる照射によ
って潜像を設け、現像して目的のパターンをその感光剤
薄膜中に形成し、それをマスクとしてエツチング剤によ
ってクロム材薄膜に転写させることにより製造される。
ところで、半導体集積回路の集積度が高まるにつれ、転
写する画像の線幅は次第に狭くなっていくと、従来から
用いられてきたエツチング剤では、レジスト膜に形成さ
れた微細な間隙には部分的または全体的にエツチング剤
が浸透しにくくなり、エツチングされない部分が残ると
いう問題が生ずるようになってきた。
写する画像の線幅は次第に狭くなっていくと、従来から
用いられてきたエツチング剤では、レジスト膜に形成さ
れた微細な間隙には部分的または全体的にエツチング剤
が浸透しにくくなり、エツチングされない部分が残ると
いう問題が生ずるようになってきた。
これを解決するため、エツチングの油処理として、有機
溶媒、たとえばアルコールによる処理、界面活性剤水溶
液による処理などを行い、予めレジスト膜の濡れ性を改
良する方法（特開昭５９−６２８５４号参照）、処理中
に超音波による振動でエツチング剤を細部まで浸透させ
たり、攪拌によって浸透を促進する方法などが採用され
ている。
溶媒、たとえばアルコールによる処理、界面活性剤水溶
液による処理などを行い、予めレジスト膜の濡れ性を改
良する方法（特開昭５９−６２８５４号参照）、処理中
に超音波による振動でエツチング剤を細部まで浸透させ
たり、攪拌によって浸透を促進する方法などが採用され
ている。
しかしながら、このような処理を行うことは、工程数の
増加、エツチング剤の濃度変化によるエツチングむら、
更には精度よく描画されたレジスト画像の破壊、クロム
薄膜の脱落、傷の発生など、好ましくない現象が起こる
という問題がある。
増加、エツチング剤の濃度変化によるエツチングむら、
更には精度よく描画されたレジスト画像の破壊、クロム
薄膜の脱落、傷の発生など、好ましくない現象が起こる
という問題がある。
［発明の目的］
本発明は、前記問題点を解決したクロム材用エツチング
剤組成物を提供することを目的とする。
剤組成物を提供することを目的とする。
［発明の構成］
本発明の要旨は、
（ａ）第二セリウム塩：
（ｂ）非イオン性または陰イオン性の含フッ素界面活性
剤； （ｃ）水：および （ｄ）必要に応じ、過塩素酸、酢酸、硫酸、硝酸、塩酸
、リン酸およびこれらの塩（たとえば、カリウム、ナト
リウム等アルカリ金属塩、アンモニウム塩）から選ばれ
た少なくとも１種の化合物（以下、過塩素酸等という。
剤； （ｃ）水：および （ｄ）必要に応じ、過塩素酸、酢酸、硫酸、硝酸、塩酸
、リン酸およびこれらの塩（たとえば、カリウム、ナト
リウム等アルカリ金属塩、アンモニウム塩）から選ばれ
た少なくとも１種の化合物（以下、過塩素酸等という。
）
を含んで成るエツチング剤組成物に存する。
本発明の好ましい組成物は、
（ａ）第二セリウム塩；
（ｂ）式：Ｒｆ’Ｃ００Ｘ または
ＲＥ”ＳＯ，Ｘ
し式中、Ｒ１”は炭素数４〜１０のパーフルオロアルキ
ル基またはω−ヒドロパーフルオロアルキル基、および
Ｘは水素原子、アルカリ金属（たとえば、カリウム、ナ
トリウム）原子またはアンモニウム基を表す。］ で示される陰イオン性含フッ素界面活性剤；（Ｃ）水；
および （ｄ）必要に応じ、過塩素酸、酢酸、硫酸、硝酸、塩酸
ならびにリン酸およびこれらの塩から選ばれた少なくと
も１種の化合物 を含んで成る。
ル基またはω−ヒドロパーフルオロアルキル基、および
Ｘは水素原子、アルカリ金属（たとえば、カリウム、ナ
トリウム）原子またはアンモニウム基を表す。］ で示される陰イオン性含フッ素界面活性剤；（Ｃ）水；
および （ｄ）必要に応じ、過塩素酸、酢酸、硫酸、硝酸、塩酸
ならびにリン酸およびこれらの塩から選ばれた少なくと
も１種の化合物 を含んで成る。
本発明の組成物は、含フッ素界面活性剤によって次の２
種類に大別することができる：Ａ）組成物を調製して１
〜７日放置するとき、凝析物が析出するが、濾過すれば
、その後長期間凝析物が析出しない組成物、および Ｂ）組成物を調製して１〜２０日放置すると凝析物が析
出するが、濾過してもその後も凝析を繰り返す組成物。
種類に大別することができる：Ａ）組成物を調製して１
〜７日放置するとき、凝析物が析出するが、濾過すれば
、その後長期間凝析物が析出しない組成物、および Ｂ）組成物を調製して１〜２０日放置すると凝析物が析
出するが、濾過してもその後も凝析を繰り返す組成物。
Ａに属するものは、界面活性剤として、式：％式％
で示される化合物を含む組成物である。
これらの内、濾過前後で表面張力の変化が極めて小さく
、界面活性剤を添加しない場合より十分低い表面張力が
得られる組成物か好ましい。そのような組成物を与える
好ましい界面活性剤とじては、 Ｈ（ＣＰｚＣＰ、）ｓｃＯＯＨ。
、界面活性剤を添加しない場合より十分低い表面張力が
得られる組成物か好ましい。そのような組成物を与える
好ましい界面活性剤とじては、 Ｈ（ＣＰｚＣＰ、）ｓｃＯＯＨ。
Ｈ（ＣＦＩＣＦ、）３ＣＯＯＮＨい
ＣｓＦ＋ｔＳＯ３Ｈ％Ｃ５Ｐ１７ＳＯ３ＮＨ４が挙げら
れる。
れる。
Ｂに属するものでも、凝析物が析出するまでの期間は少
なくとも使用することができる。
なくとも使用することができる。
本発明の組成物において、第二セリウム塩としては、強
酸の第二セリウム塩またはこれらとその酸のアンモニウ
ム塩との複塩が好ましく、硫酸第二セリウム、硝酸第二
セリウム、硫酸第二セリウムアンモニウム、硝酸第二セ
リウムアンモニウムなどが例示される。これらは、単独
でまたは混合物として用いることができる。
酸の第二セリウム塩またはこれらとその酸のアンモニウ
ム塩との複塩が好ましく、硫酸第二セリウム、硝酸第二
セリウム、硫酸第二セリウムアンモニウム、硝酸第二セ
リウムアンモニウムなどが例示される。これらは、単独
でまたは混合物として用いることができる。
第二セリウム塩は、通常水ＩＱに対し、１（）〜３００
ｇの量で用いる。
ｇの量で用いる。
過塩素酸等は、通常水１ｅに対し、１２０９までの量で
用いる。
用いる。
本発明で用いる含フッ素界面活性剤は、非イオン性およ
び陰イオン性のものであれば、いずれでもよいが、式： ％式％ で示される官能基の少なくとも１種を有する含フッ素界
面活性剤が好ましい。
び陰イオン性のものであれば、いずれでもよいが、式： ％式％ で示される官能基の少なくとも１種を有する含フッ素界
面活性剤が好ましい。
これら含フッ素界面活性剤の代表例は、次の通りである
。
。
非イオン性
ＲｆＡＯＨ。
Ｒｆ Ａ ＣＨ（ＯＲ’ ） ＣＨｔ ＯＱ ｎ Ｒ’
Ｒｆ Ｂ Ｎ （Ｒ’ ） （Ｃｔ Ｈ４０）ｎ ＨＲ
ｆＡ ＣＨ（ＯＲ’）ＣＨ２ＯＱｎＣＨ２ＣＨ（ＯＲ’
）−Ｒｆ Ｒｆ ＣＨｔ ＣＨＣＨｔ ｆＣＯＯＸ ＲＩ’ＢＮ（Ｒ３）ＡＣＯＯＸ ＲｆＢＮ（Ｒ３）ＡＯ８Ｏ３Ｘ ［ＳＯ３Ｘ ＲｒＣＨｔＯ（ＣＨｔ）ｍｓ ０３Ｘ ＲｆＢＮ（ｒ（３）ＡＰＯ，Ｘ Ｒ４ＡＣＨ（ＯＲ’）ＣＨｔＮ（Ｒ３）ＡＣＯＯＸ［式
中、Ｒｆは炭素数３〜２１の含フッ素脂肪族基またはこ
れの炭素−炭素間に酸素介在して成る基、Ａ バー （
ＣＨＪｐ−１−ｃｃ Ｈｔ−ｃ Ｈ（ＣＨａ）コｐ−ま
たは−［ＣＨｔ −ＣＨ（ＯＹ ） −ＣＨｔ ］ −
テ表される基（ただし、Ｙは水素原子または炭素数１〜
３のアシル基、ｐは１〜１０の整数を表わす。）、Ｂは
−ＣＯ４たは一８Ｏｔ−１Ｒ１は水素原子または炭素数
ｌ〜５のアシル基、Ｒ２は水素原子もしくは置換基（た
とえば、炭素数１〜４のアルキル基）を有することがあ
る芳香族基（たとえば、フェニル基）またはアルキル基
（たとえば、炭素数１〜４のアルキル基）、Ｒ″は水素
原子または炭素数１〜４のアルキル基、Ｑは−ＣｔＨ−
０−または−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ，Ｏ−で表される基、
Ｘは水素原子、アルカリ金属原子（たとえば、Ｎａ、Ｋ
）またはアンモニウム基、ｎは６〜２２の整数、および
ｍは１−１０の整数を表わす。］。
Ｒｆ Ｂ Ｎ （Ｒ’ ） （Ｃｔ Ｈ４０）ｎ ＨＲ
ｆＡ ＣＨ（ＯＲ’）ＣＨ２ＯＱｎＣＨ２ＣＨ（ＯＲ’
）−Ｒｆ Ｒｆ ＣＨｔ ＣＨＣＨｔ ｆＣＯＯＸ ＲＩ’ＢＮ（Ｒ３）ＡＣＯＯＸ ＲｆＢＮ（Ｒ３）ＡＯ８Ｏ３Ｘ ［ＳＯ３Ｘ ＲｒＣＨｔＯ（ＣＨｔ）ｍｓ ０３Ｘ ＲｆＢＮ（ｒ（３）ＡＰＯ，Ｘ Ｒ４ＡＣＨ（ＯＲ’）ＣＨｔＮ（Ｒ３）ＡＣＯＯＸ［式
中、Ｒｆは炭素数３〜２１の含フッ素脂肪族基またはこ
れの炭素−炭素間に酸素介在して成る基、Ａ バー （
ＣＨＪｐ−１−ｃｃ Ｈｔ−ｃ Ｈ（ＣＨａ）コｐ−ま
たは−［ＣＨｔ −ＣＨ（ＯＹ ） −ＣＨｔ ］ −
テ表される基（ただし、Ｙは水素原子または炭素数１〜
３のアシル基、ｐは１〜１０の整数を表わす。）、Ｂは
−ＣＯ４たは一８Ｏｔ−１Ｒ１は水素原子または炭素数
ｌ〜５のアシル基、Ｒ２は水素原子もしくは置換基（た
とえば、炭素数１〜４のアルキル基）を有することがあ
る芳香族基（たとえば、フェニル基）またはアルキル基
（たとえば、炭素数１〜４のアルキル基）、Ｒ″は水素
原子または炭素数１〜４のアルキル基、Ｑは−ＣｔＨ−
０−または−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ，Ｏ−で表される基、
Ｘは水素原子、アルカリ金属原子（たとえば、Ｎａ、Ｋ
）またはアンモニウム基、ｎは６〜２２の整数、および
ｍは１−１０の整数を表わす。］。
なお、前記含フッ素脂肪族基は、飽和または不飽和のい
ずれでもよく、直鎖または分岐鎖のいずれであってもよ
い。好ましくは、パーフルオロアルキル基、ω−ハイド
ロパーフルオロアルキル基またはＣｓ Ｆ ７０ ＣＦ
（ＣＦ ｓ ） ＣＦ ｔ ＯＣＨｔ ＣＦ ｔ Ｃ
Ｆ２ＣＨ，ＣＦ２である。
ずれでもよく、直鎖または分岐鎖のいずれであってもよ
い。好ましくは、パーフルオロアルキル基、ω−ハイド
ロパーフルオロアルキル基またはＣｓ Ｆ ７０ ＣＦ
（ＣＦ ｓ ） ＣＦ ｔ ＯＣＨｔ ＣＦ ｔ Ｃ
Ｆ２ＣＨ，ＣＦ２である。
これら界面活性剤は、単独で、あるいは２種またはそれ
以上の混合系として用いることができる。
以上の混合系として用いることができる。
界面活性剤の添加量は、組成物全量に対して、ｏ、ｏｏ
ｏｏ ＋−ｔ ｏ重量％、好ましくは０，００１〜１．
０％、特に０，１％を越えない量である。
ｏｏ ＋−ｔ ｏ重量％、好ましくは０，００１〜１．
０％、特に０，１％を越えない量である。
界面活性剤の量が、上記下限より少ない場合には、界面
活性剤の添加効果が認められず、また上記上限より多い
場合には、添加量に見合う効果が得られず、経済的に不
利である。
活性剤の添加効果が認められず、また上記上限より多い
場合には、添加量に見合う効果が得られず、経済的に不
利である。
本発明のエツチング剤組成物の調製は、各成分を単に混
合するだけでよく、それらの添加順序は特に限定されな
い。たとえば、界面活性剤水溶液をまず調製し、それを
第二セリウム塩および必要に応じ過塩素酸等の水溶液に
適量混合すればよい。
合するだけでよく、それらの添加順序は特に限定されな
い。たとえば、界面活性剤水溶液をまず調製し、それを
第二セリウム塩および必要に応じ過塩素酸等の水溶液に
適量混合すればよい。
好ましくは、１〜７日間放置して凝析物が析出したとき
は、濾過して凝析物を除去する。凝析物の量は、微量で
あるので、組成、エツチング効果、表面張力にはほとん
ど影響を与えない。
は、濾過して凝析物を除去する。凝析物の量は、微量で
あるので、組成、エツチング効果、表面張力にはほとん
ど影響を与えない。
本発明のエツチング剤組成物には、上記各成分に加え、
過塩素酸等、第二セリウム塩の作用に悪影響を与えない
成分（たとえば、アルコール、ケトンなどの水溶性有機
液体）を添加することもできる。
過塩素酸等、第二セリウム塩の作用に悪影響を与えない
成分（たとえば、アルコール、ケトンなどの水溶性有機
液体）を添加することもできる。
［発明の効果コ
本発明のエツチング剤組成物は、過塩素酸等および第二
セリウム塩を含むエツチング剤に含フッ素界面活性剤を
添加して成るものであり、該エツチング剤の利点を全く
損なうことなく、濡れ性を改良することができ、従って
、微細なレジスト膜の間隙に浸透し易い。
セリウム塩を含むエツチング剤に含フッ素界面活性剤を
添加して成るものであり、該エツチング剤の利点を全く
損なうことなく、濡れ性を改良することができ、従って
、微細なレジスト膜の間隙に浸透し易い。
その結果、レジスト膜に狭い間隙と広い間隙とを有する
被エツチング材料でもエツチングむらが少ないという、
著しい利点を有する。
被エツチング材料でもエツチングむらが少ないという、
著しい利点を有する。
加えて、界面活性剤の添加によりエツチング剤成分の凝
析や失効が生じにくく、使用直航に調製する必要がなく
なる。
析や失効が生じにくく、使用直航に調製する必要がなく
なる。
［実施例］
次に実施例を示し、本発明を具体的に説明する。
実施例１
下記の組成を持つエツチング剤に、第１表に示す含フッ
素界面活性剤の０．５％水溶液を濃度００１重量％と成
るように混合して、エツチング剤組成物を調製した。
素界面活性剤の０．５％水溶液を濃度００１重量％と成
るように混合して、エツチング剤組成物を調製した。
エツチング剤組成
硝酸第二セリウムアンモニウム １６５９過塩素酸（７
０％） ４０ｚ（水
１（２（表面張カフ ２〜７５
ｄｙｎ／ｃｍ、 ２５°Ｃ）得られた組成物の表面
張力および凝析が始まる間での時間（保存時間）を第１
表に示す。
０％） ４０ｚ（水
１（２（表面張カフ ２〜７５
ｄｙｎ／ｃｍ、 ２５°Ｃ）得られた組成物の表面
張力および凝析が始まる間での時間（保存時間）を第１
表に示す。
実施例２
下記の組成を持つエツチング剤に、第２表に示す含フッ
素界面活性剤の０５％水溶液を濃度０゜０１重量％と成
るように混合して、エツチング剤組成物を調製した。
素界面活性剤の０５％水溶液を濃度０゜０１重量％と成
るように混合して、エツチング剤組成物を調製した。
エツチング剤組成
硝酸第二セリウムアンモニウム １６５ｇ過塩素酸（７
０％） ４０肩Ｑ水
ｌＱ（表面張カフ ２〜７５
ｄｙｎ／ｃｍ、２５℃）得られた組成物の表面張力およ
び縦折が始まる間での時間（保存時間）を第２表に示す
。
０％） ４０肩Ｑ水
ｌＱ（表面張カフ ２〜７５
ｄｙｎ／ｃｍ、２５℃）得られた組成物の表面張力およ
び縦折が始まる間での時間（保存時間）を第２表に示す
。
実施例３
下記組成のエツチング組成物を調製し、その表面張力お
よび凝析が始まるまでの保存時間を測定した。結果を下
記に示す。
よび凝析が始まるまでの保存時間を測定した。結果を下
記に示す。
梶区上
硝酸第二セリウムアンモニウム ２０９硝酸第二セリ
ウム水和物 ４０９濃硝酸（６０重量％）
１２０ｘＱ水
１（２Ｃ３Ｆ？０ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ
ｚＯ−（ＣＨｔＣＦ、ＣＦｔＯ）ｎ−ＣＨ，ＣＦｚＣＯ
ＯＫ（ｎは平均３．５） ０．０１ｉｆ
１％表面張力（ｄｙｎｅ／ｃｍ、 ２５℃）４５保存時
間（日） ２０以上板収主 硝酸第二セリウム水和物 ２０ｇ濃硝酸（６０
重量％） ４０ｘＱ水
１１２ユニダインＤＳ−４０
２０，０１重量％表面張力（ｄｙｎｅ／ｃｍ、 ２５℃
）３５保存時間（日） ２０以以上
間ｌ 硝酸第二セリウムアンモニウム １６５ｇ過塩素酸（７
０重量％） ４０蛙濃硝酸（６０重量％）
８０ｘｆ２水
ＩＱユニダインＤＳ−４０２１，ＯＯｐ
ｐｍ表面張力（ｄｙｎｅ／ｃｍ、 ２５℃） ５０〜６
０保存時間（日） １５梶久支 硝酸第二セリウムアンモニウム １６５９過塩素酸（７
０重量％） ４０桐農硝酸（６０重量％）
４０好水
１ｅＣ，Ｆ７０ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ、０−
（ＣＨ，ＣＦ、ＣＦ、Ｏ）ｎ −ＣＩ ＩＣＦ ｔ Ｃ
００Ｋ （ｎは平均３．５） １１００ｐｐ表
面張力（ｄｙｎｅ／ｃｍ、 ２５℃）５０〜６０保存時
間（日）１５ 組成５ 硝酸第二セリウム水和物 ２０９濃硝酸（６０
重量％） ４０１１２水
ｔｉ２Ｃ−Ｆｓ（Ｃ＝ＦＪ
ｓＣＩｌｔＣＨ（ＯＨ）−（Ｓは平均３，５、Ｌは平均
１０） １００１）ｌ）０１表面張力（ｄｙｎｅ／
ｃｍ、 ２５℃）３５保存時間（日）
２０以上粧底ｌ 硝酸第二セリウムアンモニウム １６５９過塩素酸（７
０重量％） ４０ｘ１２１１硝酸（６０重１
１％） ８０ ｘ（１水
１ａＣｙＦｉ（ＣｔＦ−）
ＳＣＩＩｚＣＩＩ（ＯＨ） −（Ｓは平均３．５、【は
平均１０） １１００ｐｐ表面張力（ｄｙｎｅ／ｃ
ｍ１２５°Ｃ）５０〜６０保存時間（Ｅｌ）
１５実施例４ 下記の組成を持つエツチング剤に、第３表に示す含フッ
素界面活性剤の０．５％水溶液を所定濃度（重量％）と
成るように混合して、エツチング剤組成物を調製した。
ウム水和物 ４０９濃硝酸（６０重量％）
１２０ｘＱ水
１（２Ｃ３Ｆ？０ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ
ｚＯ−（ＣＨｔＣＦ、ＣＦｔＯ）ｎ−ＣＨ，ＣＦｚＣＯ
ＯＫ（ｎは平均３．５） ０．０１ｉｆ
１％表面張力（ｄｙｎｅ／ｃｍ、 ２５℃）４５保存時
間（日） ２０以上板収主 硝酸第二セリウム水和物 ２０ｇ濃硝酸（６０
重量％） ４０ｘＱ水
１１２ユニダインＤＳ−４０
２０，０１重量％表面張力（ｄｙｎｅ／ｃｍ、 ２５℃
）３５保存時間（日） ２０以以上
間ｌ 硝酸第二セリウムアンモニウム １６５ｇ過塩素酸（７
０重量％） ４０蛙濃硝酸（６０重量％）
８０ｘｆ２水
ＩＱユニダインＤＳ−４０２１，ＯＯｐ
ｐｍ表面張力（ｄｙｎｅ／ｃｍ、 ２５℃） ５０〜６
０保存時間（日） １５梶久支 硝酸第二セリウムアンモニウム １６５９過塩素酸（７
０重量％） ４０桐農硝酸（６０重量％）
４０好水
１ｅＣ，Ｆ７０ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ、０−
（ＣＨ，ＣＦ、ＣＦ、Ｏ）ｎ −ＣＩ ＩＣＦ ｔ Ｃ
００Ｋ （ｎは平均３．５） １１００ｐｐ表
面張力（ｄｙｎｅ／ｃｍ、 ２５℃）５０〜６０保存時
間（日）１５ 組成５ 硝酸第二セリウム水和物 ２０９濃硝酸（６０
重量％） ４０１１２水
ｔｉ２Ｃ−Ｆｓ（Ｃ＝ＦＪ
ｓＣＩｌｔＣＨ（ＯＨ）−（Ｓは平均３，５、Ｌは平均
１０） １００１）ｌ）０１表面張力（ｄｙｎｅ／
ｃｍ、 ２５℃）３５保存時間（日）
２０以上粧底ｌ 硝酸第二セリウムアンモニウム １６５９過塩素酸（７
０重量％） ４０ｘ１２１１硝酸（６０重１
１％） ８０ ｘ（１水
１ａＣｙＦｉ（ＣｔＦ−）
ＳＣＩＩｚＣＩＩ（ＯＨ） −（Ｓは平均３．５、【は
平均１０） １１００ｐｐ表面張力（ｄｙｎｅ／ｃ
ｍ１２５°Ｃ）５０〜６０保存時間（Ｅｌ）
１５実施例４ 下記の組成を持つエツチング剤に、第３表に示す含フッ
素界面活性剤の０．５％水溶液を所定濃度（重量％）と
成るように混合して、エツチング剤組成物を調製した。
エツチング剤組成
硝酸第二セリウムアンモニウム １６５ｇ過塩素酸（７
０％） ４０肩Ｑ水
ｌｅ（表面張カフ ２〜７５ｄ
ｙｎ／ｃｍ、 ２５℃）得られた組成物の表面張力およ
び凝析が始まる間での時間（保存時間）ならびに３日経
過後に濾過して得られた組成物の表面張力および凝析が
始まるまでの時間（濾過後の保存時間）を第３表に示す
。
０％） ４０肩Ｑ水
ｌｅ（表面張カフ ２〜７５ｄ
ｙｎ／ｃｍ、 ２５℃）得られた組成物の表面張力およ
び凝析が始まる間での時間（保存時間）ならびに３日経
過後に濾過して得られた組成物の表面張力および凝析が
始まるまでの時間（濾過後の保存時間）を第３表に示す
。
実施例５および比較例［
マスク基板のクロム膜（厚さ５００人）および酸化クロ
ム膜（厚さ５００人）上に、フロロレジストＦＢＭ−１
２０（ダイキン工業株式会社製メタクリル酸２．２．３
．４．４．４−へキサフルオロブチル（９９重量％）／
メタクリル酸グリシジル（１重量％）共重合体溶液）を
スピンナーで厚さ５０００人に被膜し、電子線描画装置
で最小幅０゜５μ肩および１．０μｌを有する微細パタ
ーンを描画した。その後、イソプロパツールで前処理し
、エタノール／イソブタノール系現像液で現像処理して
、レジストパターンを形成した。次いで、リンス液（イ
ソプロパツール）で処理し、８０℃で１５分間ポストベ
ークした後、下記エツチング組成物でエツチングしてフ
ォトマスクを造った。
ム膜（厚さ５００人）上に、フロロレジストＦＢＭ−１
２０（ダイキン工業株式会社製メタクリル酸２．２．３
．４．４．４−へキサフルオロブチル（９９重量％）／
メタクリル酸グリシジル（１重量％）共重合体溶液）を
スピンナーで厚さ５０００人に被膜し、電子線描画装置
で最小幅０゜５μ肩および１．０μｌを有する微細パタ
ーンを描画した。その後、イソプロパツールで前処理し
、エタノール／イソブタノール系現像液で現像処理して
、レジストパターンを形成した。次いで、リンス液（イ
ソプロパツール）で処理し、８０℃で１５分間ポストベ
ークした後、下記エツチング組成物でエツチングしてフ
ォトマスクを造った。
胆
硝酸第二セリウムアンモニウム ｌ６５９過塩素酸（７
０％） ４０ ｍＱ水
ＩＱユニダインＤＳ・４０
２ ０．０１重量％表面張力（ｄｙｎｅ／ｃｍ、
２５°Ｃ） ４０比較例としてエツチング剤組成
物として下記組成のものを用い、同じ操作を繰り返した
。
０％） ４０ ｍＱ水
ＩＱユニダインＤＳ・４０
２ ０．０１重量％表面張力（ｄｙｎｅ／ｃｍ、
２５°Ｃ） ４０比較例としてエツチング剤組成
物として下記組成のものを用い、同じ操作を繰り返した
。
組成
硝酸第二セリウムアンモニウム １６５９過塩素酸（７
０％） ４０ｙＱ水
ＩＱ表面張力（ｄｙｎｅ／ｃ
ｍ、２５°Ｃ）７５得られたエツチングパターンを比較
観察した。
０％） ４０ｙＱ水
ＩＱ表面張力（ｄｙｎｅ／ｃ
ｍ、２５°Ｃ）７５得られたエツチングパターンを比較
観察した。
実施例５の場合には、エツチング剤組成物が含フッ素界
面活性剤を含んでいる為、表面張力の低下でレジスト膜
に対する濡れ性および浸透性が良くなり、マスク基板全
面の微細パターン（最小線幅０．５μ肩、１．０μｌ）
のむらのない、高精度のエツチングか得られ、エツチン
グされていない箇所は認められなかった。また、再現性
のある微細パターンのエツチングを得ることができた。
面活性剤を含んでいる為、表面張力の低下でレジスト膜
に対する濡れ性および浸透性が良くなり、マスク基板全
面の微細パターン（最小線幅０．５μ肩、１．０μｌ）
のむらのない、高精度のエツチングか得られ、エツチン
グされていない箇所は認められなかった。また、再現性
のある微細パターンのエツチングを得ることができた。
一方、比較例の場合、表面張力が高く、レジスト膜に対
する濡れ性、浸透性が悪い為、微細パターンのエツチン
グむらが多（現れ、エツチングされていない箇所は３０
個１ｃｍ’に達した。
する濡れ性、浸透性が悪い為、微細パターンのエツチン
グむらが多（現れ、エツチングされていない箇所は３０
個１ｃｍ’に達した。
実施例６〜８および比較例２〜３
クロム膜上に酸化クロム膜が形成されたマスク基板（ア
ルバック・コーティング・コーポレインヨン（ｔＪｌｖ
ａｃ Ｃｏａｔｉｎｇ Ｃｏｒｐ、）製ＡＭＦ’Ｒ２５
０９（Ｐ）Ｌ ｒ（）に、実施例５で使用したのと同じ
レジストをスピンナーで厚さ５０００人に被膜し、電子
線描画装置で４００個の２μＩ角形スルーホールからな
るパターンおよび４００個の５μｍ角形スルーホールか
らなるパターンを描画した。その後、イソプロパツール
で前処理し、エタノール／イソブタノール系現像液で現
像処理して、レジストパターンを形成した。次いで、リ
ンス液（イソプロパツール）で処理し、８０８Ｃで１５
分間ポストベークした。さらに酸素圧力０ 、２ Ｔｏ
ｒｒ、高周波出力１００Ｗで２０秒間、反応性イオンエ
ツチング装置によりデスカムした後、第４表に示すエッ
ヂング組成物でエツチングしてフォトマスクを造った。
ルバック・コーティング・コーポレインヨン（ｔＪｌｖ
ａｃ Ｃｏａｔｉｎｇ Ｃｏｒｐ、）製ＡＭＦ’Ｒ２５
０９（Ｐ）Ｌ ｒ（）に、実施例５で使用したのと同じ
レジストをスピンナーで厚さ５０００人に被膜し、電子
線描画装置で４００個の２μＩ角形スルーホールからな
るパターンおよび４００個の５μｍ角形スルーホールか
らなるパターンを描画した。その後、イソプロパツール
で前処理し、エタノール／イソブタノール系現像液で現
像処理して、レジストパターンを形成した。次いで、リ
ンス液（イソプロパツール）で処理し、８０８Ｃで１５
分間ポストベークした。さらに酸素圧力０ 、２ Ｔｏ
ｒｒ、高周波出力１００Ｗで２０秒間、反応性イオンエ
ツチング装置によりデスカムした後、第４表に示すエッ
ヂング組成物でエツチングしてフォトマスクを造った。
得られたエツチングパターンを光学顕微鏡で比較観察し
たところ、４００個のうちエツチングされていないスル
ーホールの数は第４表に示す通りであった。
たところ、４００個のうちエツチングされていないスル
ーホールの数は第４表に示す通りであった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａ）第二セリウム塩； （ｂ）非イオン性または陰イオン性の含フッ素界面活性
剤； （ｃ）水；および （ｄ）必要に応じ、過塩素酸、酢酸、硫酸、硝酸、塩酸
、リン酸およびこれらの塩から選ばれた少なくとも１種
の化合物 を含んで成るエッチング剤組成物。 ２、非イオン性または陰イオン性の含フッ素界面活性剤
が、式： ＲｆＡＯＨ、 ＲｆＡＣＨ（ＯＲ＾１）ＣＨ＿２ＯＱｎＲ＾２ＲｆＢＮ
（Ｒ＾３）（Ｃ＿２Ｈ＿４Ｏ）ｎＨＲｆＡＣＨ（ＯＲ＾
１）ＣＨ＿２ＯＱｎＣＨ＿２ＣＨ（ＯＲ＾１）−ＡＲｆ ▲数式、化学式、表等があります▼ ＲｆＣＯＯＸ ＲｆＢＮ（Ｒ＾３）ＡＣＯＯＸ ＲｆＢＮ（Ｒ＾３）ＡＯＳＯ＿３Ｘ ＲｆＳＯ＿３Ｘ ＲｒＣＨ＿２Ｏ（ＣＨ＿２）ｍＳＯ＿３Ｘ ＲｆＢＮ（Ｒ＾３）ＡＰＯ＿４Ｘ ＲｆＡＣＨ（ＯＲ＾１）ＣＨ＿２Ｎ（Ｒ＾３）ＡＣＯＯ
Ｘ［式中、Ｒｆは炭素数３〜２１の含フッ素脂肪族基ま
たはこれの炭素−炭素間に酸素介在して成る基、Ａは−
（ＣＨ＿２）ｐ−、−［ＣＨ＿２−ＣＨ（ＣＨ＿３）］
ｐ−または−［ＣＨ＿２−ＣＨ（ＯＹ）−ＣＨ＿２］−
で表される基（ただし、Ｙは水素原子または炭素数１〜
３のアシル基、ｐは１〜１０の整数を表わす。）、Ｂは
−ＣＯ−または−ＳＯ＿２−、Ｒ＾１は水素原子または
炭素数１〜５のアシル基、Ｒ＾２は水素原子もしくは置
換基を有することがある芳香族基またはアルキル基、Ｒ
＾３は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基、Ｑは
−Ｃ＿２Ｈ＿４Ｏ−または−ＣＨ（ＣＨ＿３）ＣＨ＿２
Ｏ−で表される基、Ｘは水素原子、アルカリ金属原子ま
たはアンモニウム基、ｎは６〜２２の整数、およびｍは
１〜１０の整数を表わす。］ で示される化合物から選択された少なくとも１種の化合
物である特許請求の範囲第１項記載のエッチング剤組成
物。 ３、（ａ）第二セリウム塩； （ｂ）式：Ｒｆ′ＣＯＯＸまたは Ｒｆ′ＳＯ＿３Ｘ ［式中、Ｒｆ′は炭素数４〜１０のパーフルオロアルキ
ル基またはω−ヒドロパーフルオロアルキル基、および
Ｘは水素原子、アルカリ金属原子またはアンモニウム基
を表す。］ で示される陰イオン性含フッ素界面活性剤；（ｃ）水；
および （ｄ）必要に応じ、過塩素酸、酢酸、硫酸、硝酸、塩酸
、リン酸およびこれらの塩から選ばれた少なくとも１種
の化合物 を含んで成るエッチング剤組成物。 ４、（ａ）第二セリウム塩； （ｂ）非イオン性または陰イオン性の含フッ素界面活性
剤； （ｃ）水；および （ｄ）必要に応じ、過塩素酸、酢酸、硫酸、硝酸、塩酸
、リン酸およびこれらの塩から選ばれた少なくとも１種
の化合物 を混合し、放置後濾過して凝析物を除去することを特徴
とするエッチング組成物の製法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24264884 | 1984-11-17 | ||
| JP59-242648 | 1984-11-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61270381A true JPS61270381A (ja) | 1986-11-29 |
| JPS6345461B2 JPS6345461B2 (ja) | 1988-09-09 |
Family
ID=17092167
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60259205A Granted JPS61270381A (ja) | 1984-11-17 | 1985-11-18 | エツチング剤組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4725375A (ja) |
| EP (1) | EP0182306B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61270381A (ja) |
| DE (1) | DE3583583D1 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001234373A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Nec Corp | ルテニウム系金属の除去液及びその使用方法 |
| WO2005003075A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Daikin Industries, Ltd. | フルオロアルキルカルボン酸誘導体、含フッ素重合体の製造方法及び含フッ素重合体水性分散液 |
| KR100579421B1 (ko) | 2004-11-20 | 2006-05-12 | 테크노세미켐 주식회사 | 은 식각액 조성물 |
| KR100670063B1 (ko) * | 2000-07-06 | 2007-01-16 | 삼성전자주식회사 | 크롬 에칭 조성물 |
| JP2009105341A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Micro Process:Kk | エッチング剤組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2009182331A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | ゲルマニウムの欠陥エッチング |
| JP2010129652A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | エッチング液及び半導体装置の製造方法 |
| JP2010526115A (ja) * | 2007-05-05 | 2010-07-29 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 新規のイオン性液体 |
| KR101226546B1 (ko) * | 2004-03-18 | 2013-01-25 | 주식회사 동진쎄미켐 | 에칭 조성물 |
| CN108231999A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-29 | 唐山国芯晶源电子有限公司 | 石英谐振器晶片的加工方法 |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4747907A (en) * | 1986-10-29 | 1988-05-31 | International Business Machines Corporation | Metal etching process with etch rate enhancement |
| US5007984A (en) * | 1987-09-28 | 1991-04-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for etching chromium film formed on substrate |
| US5183533A (en) * | 1987-09-28 | 1993-02-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for etching chromium film formed on substrate |
| JPH0620154B2 (ja) * | 1988-03-05 | 1994-03-16 | 鐘淵化学工業株式会社 | 半導体装置の製法 |
| JPH0692263B2 (ja) * | 1989-02-16 | 1994-11-16 | 伊藤忠商事株式会社 | 記録ディスク基板及びその製造方法 |
| JP2894717B2 (ja) * | 1989-03-15 | 1999-05-24 | 日産化学工業株式会社 | 低表面張力硫酸組成物 |
| US5198141A (en) * | 1990-11-19 | 1993-03-30 | Eastman Kodak Company | Process for cleaning a photographic process device |
| US5118356A (en) * | 1990-11-19 | 1992-06-02 | Eastman Kodak Company | Process for cleaning a photographic processing device |
| ATE211780T1 (de) | 1993-09-13 | 2002-01-15 | Commw Scient Ind Res Org | Metallbehandlung mit saurer, seltene erden ionen enthaltenden reinigungslösungen |
| US5340370A (en) * | 1993-11-03 | 1994-08-23 | Intel Corporation | Slurries for chemical mechanical polishing |
| AUPM621194A0 (en) * | 1994-06-10 | 1994-07-07 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Conversion coating and process for its formation |
| WO1996015292A1 (en) | 1994-11-11 | 1996-05-23 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Process and solution for providing a conversion coating on a metal surface |
| US5700383A (en) * | 1995-12-21 | 1997-12-23 | Intel Corporation | Slurries and methods for chemical mechanical polish of aluminum and titanium aluminide |
| US5763552A (en) * | 1996-07-26 | 1998-06-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Hydrogen-containing flourosurfacant and its use in polymerization |
| US6149828A (en) * | 1997-05-05 | 2000-11-21 | Micron Technology, Inc. | Supercritical etching compositions and method of using same |
| US5932024A (en) * | 1997-07-01 | 1999-08-03 | Moore; Jesse C. | Decoating titanium and other metallized glass surfaces |
| KR20000067106A (ko) * | 1999-04-23 | 2000-11-15 | 구본준 | 유리기판 에칭장치 |
| US6124214A (en) * | 1998-08-27 | 2000-09-26 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for ultrasonic wet etching of silicon |
| US6242165B1 (en) | 1998-08-28 | 2001-06-05 | Micron Technology, Inc. | Supercritical compositions for removal of organic material and methods of using same |
| AUPQ633300A0 (en) | 2000-03-20 | 2000-04-15 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Process and solution for providing a conversion coating on a metallic surface ii |
| AUPQ633200A0 (en) | 2000-03-20 | 2000-04-15 | Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation | Process and solution for providing a conversion coating on a metallic surface I |
| US7365044B2 (en) * | 2004-03-18 | 2008-04-29 | University Of New Hampshire | Chemical for data destruction |
| KR100619449B1 (ko) | 2004-07-10 | 2006-09-13 | 테크노세미켐 주식회사 | 박막트랜지스터 형성용 모든 전극을 위한 통합 식각액조성물 |
| WO2007046790A2 (en) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | University Of New Hampshire | Chemical for data destruction |
| US8505338B2 (en) * | 2007-08-01 | 2013-08-13 | Konica Minolta Opto, Inc. | Method for manufacturing lower mold, method for manufacturing glass gob, and method for manufacturing molded glass article |
| JP2009108352A (ja) * | 2007-10-29 | 2009-05-21 | The Inctec Inc | ディスプレイ用マスクエッチング液およびディスプレイ用マスクの製造方法 |
| US8618036B2 (en) | 2011-11-14 | 2013-12-31 | International Business Machines Corporation | Aqueous cerium-containing solution having an extended bath lifetime for removing mask material |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB837703A (en) * | 1955-08-04 | 1960-06-15 | Minnesota Mining & Mfg | Improvements in or relating to methods for reducing the surface tension of liquids |
| FR1480356A (fr) * | 1966-03-31 | 1967-05-12 | Diversey France | Nouvelle composition désoxydante-neutralisante pour le traitement des alliages d'aluminium |
| GB1291038A (en) * | 1970-09-02 | 1972-09-27 | Ibm | A process for etching chromium |
| US4113486A (en) * | 1973-10-22 | 1978-09-12 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method for producing a photomask |
| US4556449A (en) * | 1984-10-15 | 1985-12-03 | Psi Star | Nickel etching process and solution |
-
1985
- 1985-11-15 EP EP85114526A patent/EP0182306B1/en not_active Expired
- 1985-11-15 DE DE8585114526T patent/DE3583583D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1985-11-18 JP JP60259205A patent/JPS61270381A/ja active Granted
-
1986
- 1986-09-16 US US06/908,943 patent/US4725375A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4510979B2 (ja) * | 2000-02-23 | 2010-07-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | ルテニウム又は酸化ルテニウム除去液の使用方法、及びルテニウム又は酸化ルテニウムの除去方法 |
| JP2001234373A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Nec Corp | ルテニウム系金属の除去液及びその使用方法 |
| KR100670063B1 (ko) * | 2000-07-06 | 2007-01-16 | 삼성전자주식회사 | 크롬 에칭 조성물 |
| US7589234B2 (en) | 2003-07-02 | 2009-09-15 | Daikin Industries, Ltd. | Fluoroalkyl carboxylic acid derivative, method for producing fluorine-containing polymer, and aqueous dispersion of fluorine-containing polymer |
| WO2005003075A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Daikin Industries, Ltd. | フルオロアルキルカルボン酸誘導体、含フッ素重合体の製造方法及び含フッ素重合体水性分散液 |
| US8198480B2 (en) | 2003-07-02 | 2012-06-12 | Daikin Industries, Ltd. | Fluoroalkyl carboxylic acid derivative, method for producing fluorine-containing polymer, and aqueous dispersion of fluorine-containing polymer |
| KR101226546B1 (ko) * | 2004-03-18 | 2013-01-25 | 주식회사 동진쎄미켐 | 에칭 조성물 |
| KR100579421B1 (ko) | 2004-11-20 | 2006-05-12 | 테크노세미켐 주식회사 | 은 식각액 조성물 |
| JP2010526115A (ja) * | 2007-05-05 | 2010-07-29 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 新規のイオン性液体 |
| JP2009105341A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-05-14 | Micro Process:Kk | エッチング剤組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2009182331A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | ゲルマニウムの欠陥エッチング |
| JP2010129652A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | エッチング液及び半導体装置の製造方法 |
| CN108231999A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-29 | 唐山国芯晶源电子有限公司 | 石英谐振器晶片的加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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