CN108231999A - 石英谐振器晶片的加工方法 - Google Patents
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 title claims abstract description 37
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 37
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 39
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 18
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 45
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 45
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 26
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 26
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 13
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 claims description 12
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 6
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- -1 Perfluoro octyl sulfonic acid amine Chemical class 0.000 claims description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O ammonium group Chemical group [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 3
- 238000012822 chemical development Methods 0.000 claims description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- NICDRCVJGXLKSF-UHFFFAOYSA-N nitric acid;trihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.Cl.O[N+]([O-])=O NICDRCVJGXLKSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/08—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies
- H10N30/082—Shaping or machining of piezoelectric or electrostrictive bodies by etching, e.g. lithography
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract
一种石英谐振器晶片的加工方法，将石英晶片按以下步骤加工处理：Ⅰ.镀金属膜：使用镀膜机在晶片板上全部镀铬，然后镀金，并且最终以薄膜的形式沉积在晶片板表面，镀膜机真空度0.35—0.45Pa，金的溅射功率为0.65kW，铬的溅射功率为0.4kW；Ⅱ.喷雾涂胶Ⅲ.软烘Ⅳ.掩膜对准和曝光；Ⅴ.曝光后烘焙；Ⅵ.显影；Ⅶ.坚膜烘焙；Ⅷ.去除金属膜；Ⅸ.BOE腐蚀。Ⅹ.去除光刻胶；Ⅺ.重复步骤Ⅱ‑Ⅷ；Ⅻ.裂片；ⅩⅢ.腐蚀、清洗；将晶片置于腐蚀机中，通过腐蚀液进行腐蚀，然后冲洗并干燥。本发明突破了机械式研磨晶片厚度限度30μm，约55MHz，而且腐蚀效果更好。
Description
技术领域
本发明涉及晶片加工的技术领域，尤其是一种石英谐振器晶片的加工方法。
背景技术
现有的石英晶片加工，采用机械研磨实现批量、稳定生产的频率限度为以基波起振55MHz左右，石英晶片厚度为30μm。如果需要使用AT型石英晶片获得大于上述限度的频率，需要使用高次振动的振动模式。
因此，为了获得高频就需要使用复杂的电路控制三次泛音等振动模式。但仍无法满足高频率牵引的特性要求。石英晶片频率越高，平行度的要求越高。但是传统的石英晶片腐蚀过程中，石英晶片的散开度不太好，晶片间有重叠，平行度不好，造成晶片腐蚀面腐蚀量不太一致，只能满足基频55MHz及以下的普通石英晶片的加工要求，不能满足高基频晶片的加工要求。
发明内容
本发明提供一种石英谐振器晶片的加工方法，它突破了机械式研磨晶片厚度30μm、约55MHz的限度，而且腐蚀效果更好。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种石英谐振器晶片的加工方法，所述方法按以下步骤进行：
Ⅰ.镀金属膜：将布满晶片的晶片板放入镀膜机，先镀铬，然后镀金，最终铬和金以薄膜的形式沉积在晶片板表面，镀膜机真空度0.35—0.45Pa，金的溅射功率为0.65kW，铬的溅射功率为0.4kW；
Ⅱ.喷雾涂胶：将晶片板置于喷雾涂胶机中，喷涂光刻胶；
Ⅲ.软烘：将已涂胶晶片板置于烤箱中90℃-100℃的热板上，加热30-60s，然后置于常温烤箱的冷板上冷却降温；
Ⅳ.掩膜对准和曝光：将掩膜板对准涂了光刻胶的晶片板上的准确位置，进行曝光处理，光能激活光刻胶中的光敏成分，将掩膜板的图形转移到涂胶的晶片板上；
Ⅴ.曝光后烘焙：将曝光后的晶片板置于烤箱中100℃-110℃的热板上,烘焙1-2min。
Ⅵ.显影：将晶片板至于化学显影剂中，温度为20±1℃，光刻胶上的可溶区被显影剂溶解，将图形留在晶片板上，然后用去离子水冲洗甩干。
Ⅶ.坚膜烘焙：将显影后的晶片板置于烤箱中的热板上，120℃-140℃，烘焙10-30min；
Ⅷ.去除金属膜：将镀好金属膜和光刻胶的晶片板，置于夹具中，一起放入王水中浸泡15-20min去除各晶片的间隙中的金，然后用去离子水冲洗；之后再用硝酸铈铵溶液中浸泡-5min，去除各晶片的间隙中的铬，然后用去离子水冲洗；
Ⅸ.BOE腐蚀：使用BOE对晶片板进行腐蚀，温度25±1℃，腐蚀完成后，晶片板上的各晶片之间不完全分离，晶片板处于镂空状态；
Ⅹ.去除光刻胶10：用50％氢氧化钠溶液去除光刻胶；
Ⅺ.重复步骤Ⅱ-Ⅷ：去除晶片中心部位的金属膜；
Ⅻ.裂片：使晶片之间完全分离断裂，形成单独的晶片；
ⅩⅢ.腐蚀、清洗：将晶片至于腐蚀机中，通过腐蚀液进行腐蚀，然后冲洗并干燥。
上述石英谐振器晶片的加工方法，步骤ⅩⅢ中腐蚀温度：25±1℃；腐蚀机转速：70-90r/min。
上述石英谐振器晶片的加工方法，所述腐蚀液的配制步骤如下：
a.制备氟化氨溶液：取容器A按氟化铵和去离子水重量比1:1.35混合，搅拌均匀；
b.制备氢氟酸溶液：取容器B先加入去离子水,再加入氢氟酸，去离子水和氢氟酸重量比按1:0.27，然后氟化氨溶液与容器B的溶液按体积比1:2混合；
c.配制表面剥离剂：全氟辛基磺酸胺：异丙醇：去离子水按重量比1:0.7:2配制成表面剥离剂；
d.加入表面剥离剂：比例为每升腐蚀液加入50ml表面剥离剂；
e.静置：先将d步骤制备的溶液25±1℃静置12h，然后50±2℃静置12h，形成腐蚀液。
上述石英谐振器晶片的加工方法,所述晶片为AT切割石英晶片而成的反台形结构。
上述石英谐振器晶片的加工方法，显影液的配制重量比为，氢氧化钠：去离子水＝1:20。
上述石英谐振器晶片的加工方法，硝酸铈铵溶液配制重量比为，硝酸铈铵：去离子水＝1:10。
上述石英谐振器晶片的加工方法，所述腐蚀机包括壳体、腐蚀腔、腐蚀槽、腐蚀筒，驱动机构、主动轴、主动齿轮和从动齿轮，所述腐蚀腔位于壳体内，腐蚀槽位于腐蚀腔内，腐蚀筒可拆卸的安装在腐蚀槽内的卡槽中，主动轴连接在腐蚀腔一端，主动齿轮连接在主动轴上，主动齿轮周围与若干从动齿轮啮合，从动齿轮连接在腐蚀槽的一端，驱动机构通过主动轴带动腐蚀腔旋转，每个腐蚀槽内的卡槽的轴线与旋转轴呈夹角α。
上述石英谐振器晶片的加工方法，α为7°30′。
与现有技术相比，本发明突破传统机械式研磨晶片厚度的限度30μm，约55MHz，只将振荡部分为几微米的反向台结构的晶振片为基材进行处理即可，既保证了成品的强度，又能提高基波起振频率。
本发明中的腐蚀机进行腐蚀，在腐蚀过程中，腐蚀槽的倾斜角度和转速共同作用使石英晶片为悬浮状态，散开度很好，从而使石英晶片腐蚀面的平行度良好，便于高基频尤其是频率在55MHz以上的石英晶片加工；石英晶片在腐蚀过程中会不断产生固态生成物，随着腐蚀的进行，部分固态生成物会附在晶片表面，影响晶片的腐蚀效果，使表面变得粗糙，导致晶片的平行度也会降低；本发明中的腐蚀液在腐蚀过程中，使石英晶片的生成物不断剥离减少，利于腐蚀；通过腐蚀液腐蚀晶片和本发明中的悬浮式腐蚀机的共同作用，可以将腐蚀中使晶片处于悬浮状态，过程中的生成物持续被剥离掉，维持晶片良好的平行度、光洁度，腐蚀效果好。
附图说明
图1是本发明的腐蚀机结构示意图；
图2是本发明的俯视图；
图3为现有技术腐蚀的晶片表面在显微镜下的图像；
图4为本发明腐蚀晶片在显微镜下的表面图像。
附图中的标记表示：1.壳体；2.腐蚀腔；3.腐蚀槽；4.腐蚀筒；5.驱动机构；6.主动轴；7.主动齿轮；8.从动齿轮。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明。
首先，制备腐蚀液，腐蚀液的配制步骤如下：
a.制备氟化氨溶液：取容器A按氟化铵和去离子水重量比1:1.35混合，搅拌均匀；
b.制备氢氟酸溶液：取容器B先加入去离子水,再加入氢氟酸，去离子水和氢氟酸重量比按1:0.27，然后氟化氨溶液与容器B的溶液按体积比1:2混合；
c.配制表面剥离剂：全氟辛基磺酸胺：异丙醇：去离子水按重量比1:0.7:2配制成表面剥离剂；
d.加入表面剥离剂：比例为每升腐蚀液加入50ml表面剥离剂；
e.静置：先将d步骤制备的溶液25±1℃静置12h，然后50±2℃静置12h，形成腐蚀液。
此腐蚀液可以避免腐蚀过程中的生成物富集在晶片表面，利于腐蚀持续进行，腐蚀效果好。
然后，配制硝酸铈铵溶液:配制重量比为，硝酸铈铵：去离子水＝1:10；
配制显影液：显影液的配制重量比为，氢氧化钠：去离子水＝1:20；
最后，将反台形结构石英晶片按以下步骤加工处理：
Ⅰ.镀金属膜：将布满晶片的晶片板放入镀膜机，先镀铬，然后镀金，最终铬和金以薄膜的形式沉积在晶片板表面，镀膜机真空度0.35—0.45Pa，金的溅射功率为0.65kW，铬的溅射功率为0.4kW；
Ⅱ.喷雾涂胶：将晶片板置于喷雾涂胶机中，喷涂光刻胶；
Ⅲ.软烘：将已涂胶晶片板置于烤箱中90℃-100℃的热板上，加热30-60s，然后置于常温烤箱的冷板上冷却降温；
Ⅳ.掩膜对准和曝光：将掩膜板对准涂了光刻胶的晶片板上的准确位置，进行曝光处理，光能激活光刻胶中的光敏成分，将掩膜板的图形转移到涂胶的晶片板上；
Ⅴ.曝光后烘焙：将曝光后的晶片板置于烤箱中100℃-110℃的热板上,烘焙1-2min。
Ⅵ.显影：将晶片板至于化学显影剂中，温度为20±1℃，光刻胶上的可溶区被显影剂溶解，将图形留在晶片板上，然后用去离子水冲洗甩干。
Ⅶ.坚膜烘焙：将显影后的晶片板置于烤箱中的热板上，120℃-140℃，烘焙10-30min；
Ⅷ.去除金属膜：将镀好金属膜和光刻胶的晶片板，置于夹具中，一起放入王水中浸泡15-20min去除各晶片的间隙中的金，然后用去离子水冲洗；之后再用硝酸铈铵溶液中浸泡-5min，去除各晶片的间隙中的铬，然后用去离子水冲洗；
Ⅸ.BOE腐蚀：使用BOE对晶片板片进行腐蚀，温度25±1℃，腐蚀完成后，晶片板上的各晶片之间不完全分离，晶片板处于镂空状态，。
Ⅹ.去除光刻胶10：用50％氢氧化钠溶液去除光刻胶；
Ⅺ.重复步骤Ⅱ-Ⅷ：去除晶片中心部位的金属膜；
Ⅻ.裂片：使晶片之间完全分离断裂，形成单独的晶片；
ⅩⅢ.将晶片至于腐蚀机中，通过腐蚀液进行腐蚀，腐蚀温度：25±1℃；腐蚀机转速：70-90r/min,然后冲洗并干燥。
如图1和图2所示，所述腐蚀机包括壳体1、腐蚀腔2、腐蚀槽3、腐蚀筒4，驱动机构5、主动轴6、主动齿轮7和从动齿轮8，所述腐蚀腔2位于壳体1内，腐蚀槽3位于腐蚀腔2内，腐蚀筒4可拆卸的安装在腐蚀槽3内的卡槽中，主动轴6连接在腐蚀腔2一端，主动齿轮7连接在主动轴6上，主动齿轮7周围与若干从动齿轮8啮合，从动齿轮8连接在腐蚀槽3的一端，驱动机构5通过主动轴6带动腐蚀腔2旋转，每个腐蚀槽3内的卡槽的轴线与旋转轴呈夹角α，α为7°30′。
使用时将晶片放置到腐蚀筒中，然后将腐蚀筒安装在腐蚀槽中，腐蚀筒与旋转轴也呈7°30′的夹角，驱动机构通过主动轴带动腐蚀腔旋转，同时从动轮带动腐蚀槽转动。在腐蚀过程中，通过腐蚀腔和腐蚀槽的转动和7°30′倾斜角，使晶片在腐蚀筒中实现悬浮状态。腐蚀槽转速与腐蚀晶片平行度、频率一致性有关系，70-90转/分可以使晶片在筒内的散开度好，进而保持晶片良好的平行度、改善散差。
如图3和图4所示，现有技术腐蚀晶片表面有明显的腐蚀坑，且腐蚀到一定程度后，晶片厚度基本无变化，根本无法完成反向台结构晶片的腐蚀加工；但是本发明中的腐蚀机和腐蚀液共同作用腐蚀的晶片表面光滑，利于完成反向台结构晶片的腐蚀加工。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种石英谐振器晶片的加工方法，其特征在于,将石英晶片按以下步骤加工处理：
Ⅰ.镀金属膜：将布满晶片的晶片板放入镀膜机，先镀铬，然后镀金，最终铬和金以薄膜的形式沉积在晶片板表面，镀膜机真空度0.35—0.45Pa，金的溅射功率为0.65kW，铬的溅射功率为0.4kW；
Ⅱ.喷雾涂胶：将晶片板置于喷雾涂胶机中，喷涂光刻胶；
Ⅲ.软烘：将已涂胶晶片板置于烤箱中90℃-100℃的热板上，加热30-60s，然后置于常温烤箱的冷板上冷却降温；
Ⅳ.掩膜对准和曝光：将掩膜板对准涂了光刻胶的晶片板上的准确位置，进行曝光处理，光能激活光刻胶中的光敏成分，将掩膜板的图形转移到涂胶的晶片板上；
Ⅴ.曝光后烘焙：将曝光后的晶片板置于烤箱中100℃-110℃的热板上,烘焙1-2min。
Ⅵ.显影：将晶片板置于化学显影剂中，温度为20±1℃，光刻胶上的可溶区被显影剂溶解，将图形留在晶片板上，然后用去离子水冲洗甩干。
Ⅶ.坚膜烘焙：将显影后的晶片板置于烤箱中的热板上，120℃-140℃，烘焙10-30min；
Ⅷ.去除金属膜：将镀好金属膜和光刻胶的晶片板，置于夹具中，一起放入王水中浸泡15-20min去除各晶片的间隙中的金，然后用去离子水冲洗；之后再用硝酸铈铵溶液中浸泡-5min，去除各晶片的间隙中的铬，然后用去离子水冲洗；
Ⅸ.BOE腐蚀：使用BOE对晶片板片进行腐蚀，温度25±1℃，腐蚀完成后，晶片板上的各晶片之间不完全分离，晶片板处于镂空状态。
Ⅹ.去除光刻胶：用50％氢氧化钠溶液去除光刻胶；
Ⅺ.重复步骤Ⅱ-Ⅷ：去除晶片中心部位的金属膜；
Ⅻ.裂片：使晶片之间完全分离断裂，形成单独的晶片；
ⅩⅢ.腐蚀、清洗：将晶片置于腐蚀机中，通过腐蚀液进行腐蚀，然后冲洗并干燥。
2.如权利要求1所述的石英谐振器晶片的加工方法，其特征在于,所述腐蚀液的配制步骤如下：
a.制备氟化氨溶液：取容器A按氟化铵和去离子水重量比1:1.35混合，搅拌均匀；
b.制备氢氟酸溶液：取容器B先加入去离子水,再加入氢氟酸，去离子水和氢氟酸重量比按1:0.27，
c.配制表面剥离剂：全氟辛基磺酸胺：异丙醇：去离子水按重量比1:0.7:2配制成表面剥离剂；
d.加入表面剥离剂：氟化氨溶液与容器B的溶液按体积比1:2混合，然后比例为每升腐蚀液加入50ml表面剥离剂；
e.静置：先将d步骤制备的溶液25±1℃静置12h，然后50±2℃静置12h，形成腐蚀液。
3.如权利要求2所述的石英谐振器晶片的加工方法，其特征在于,步骤ⅩⅢ中腐蚀温度：25±1℃；腐蚀机转速：70-90r/min。
4.如权利要求3所述的石英谐振器晶片的加工方法，其特征在于,所述晶片为AT切割石英晶片而成的反台形结构。
5.如权利要求4所述的石英谐振器晶片的加工方法，其特征在于,显影液的配制重量比为，氢氧化钠：去离子水＝1:20。
6.如权利要求5所述的石英谐振器晶片的加工方法，其特征在于,硝酸铈铵溶液配制重量比为，硝酸铈铵：去离子水＝1:10。
7.如权利要求1所述的石英谐振器晶片的加工方法，其特征在于,所述腐蚀机包括壳体(1)、腐蚀腔(2)、腐蚀槽(3)、腐蚀筒(4)，驱动机构(5)、主动轴(6)、主动齿轮(7)和从动齿轮(8)，所述腐蚀腔(2)位于壳体(1)内，腐蚀槽(3)位于腐蚀腔(2)内，腐蚀筒(4)可拆卸的安装在腐蚀槽(3)内的卡槽中，主动轴(6)连接在腐蚀腔(2)一端，主动齿轮(7)连接在主动轴(6)上，主动齿轮(7)周围与若干从动齿轮(8)啮合，从动齿轮(8)连接在腐蚀槽(3)的一端，驱动机构(5)通过主动轴(6)带动腐蚀腔(2)旋转，每个腐蚀槽(3)内的卡槽的轴线与旋转轴呈夹角α。
8.如权利要求7所述的石英谐振器晶片的加工方法，其特征在于,α为7°30′。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109067377A (zh) * | 2018-07-24 | 2018-12-21 | 深圳中电熊猫晶体科技有限公司 | 一种生产高基频石英晶体片的加工方法 |
| CN110224681A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-09-10 | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 一种短h型结构的高频抛光石英晶片 |
| CN110649909A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-03 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构 |
| CN110923635A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-03-27 | 重庆华渝电气集团有限公司 | 一种石英摆片镀膜及退膜方法 |
| CN111751574A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-10-09 | 保定开拓精密仪器制造有限责任公司 | 一种温度加速度复合型石英摆片的制备方法 |
| CN113463027A (zh) * | 2021-06-22 | 2021-10-01 | 泰晶科技股份有限公司 | 一种减小石英wafer片腐蚀散差的喷蜡方法 |
| CN113512764A (zh) * | 2021-06-21 | 2021-10-19 | 泰晶科技股份有限公司 | 一种减小石英wafer腐蚀散差的滴定方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61270381A (ja) * | 1984-11-17 | 1986-11-29 | Daikin Ind Ltd | エツチング剤組成物 |
| CN1694940A (zh) * | 2002-11-08 | 2005-11-09 | 3M创新有限公司 | 用于含水酸蚀刻溶液的氟化表面活性剂 |
| CN1933326A (zh) * | 2001-08-31 | 2007-03-21 | 株式会社大真空 | 腐蚀方法和腐蚀成形品、压电振动器件及其制造方法 |
| US20090042390A1 (en) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | Sakae Koyata | Etchant for silicon wafer surface shape control and method for manufacturing silicon wafers using the same |
| CN101859852A (zh) * | 2010-05-13 | 2010-10-13 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 提高铝镓铟磷系发光二极管产能的制作工艺 |
| CN102377407A (zh) * | 2010-07-28 | 2012-03-14 | 精工爱普生株式会社 | 压电振动片及其制造方法 |
| CN106342072B (zh) * | 2009-07-02 | 2012-05-02 | 西北工业大学 | 基于soi硅片的mems制作及裂片方法 |
| CN104807717A (zh) * | 2015-05-11 | 2015-07-29 | 电子科技大学 | 一种高品质因数高质量灵敏度的qcm传感器 |
| CN105513956A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-04-20 | 四川钟顺太阳能开发有限公司 | 一种太阳电池的腐蚀切割方法及该方法生产的太阳电池 |
| CN107161945A (zh) * | 2017-05-24 | 2017-09-15 | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 一种at切型石英晶片mems加工方法 |
-
2017
- 2017-12-29 CN CN201711486646.5A patent/CN108231999B/zh active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61270381A (ja) * | 1984-11-17 | 1986-11-29 | Daikin Ind Ltd | エツチング剤組成物 |
| CN1933326A (zh) * | 2001-08-31 | 2007-03-21 | 株式会社大真空 | 腐蚀方法和腐蚀成形品、压电振动器件及其制造方法 |
| CN1694940A (zh) * | 2002-11-08 | 2005-11-09 | 3M创新有限公司 | 用于含水酸蚀刻溶液的氟化表面活性剂 |
| US20090042390A1 (en) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | Sakae Koyata | Etchant for silicon wafer surface shape control and method for manufacturing silicon wafers using the same |
| CN106342072B (zh) * | 2009-07-02 | 2012-05-02 | 西北工业大学 | 基于soi硅片的mems制作及裂片方法 |
| CN101859852A (zh) * | 2010-05-13 | 2010-10-13 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 提高铝镓铟磷系发光二极管产能的制作工艺 |
| CN102377407A (zh) * | 2010-07-28 | 2012-03-14 | 精工爱普生株式会社 | 压电振动片及其制造方法 |
| CN104807717A (zh) * | 2015-05-11 | 2015-07-29 | 电子科技大学 | 一种高品质因数高质量灵敏度的qcm传感器 |
| CN105513956A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-04-20 | 四川钟顺太阳能开发有限公司 | 一种太阳电池的腐蚀切割方法及该方法生产的太阳电池 |
| CN107161945A (zh) * | 2017-05-24 | 2017-09-15 | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 一种at切型石英晶片mems加工方法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109067377A (zh) * | 2018-07-24 | 2018-12-21 | 深圳中电熊猫晶体科技有限公司 | 一种生产高基频石英晶体片的加工方法 |
| CN110224681A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-09-10 | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 一种短h型结构的高频抛光石英晶片 |
| CN110224681B (zh) * | 2019-07-09 | 2024-01-26 | 成都泰美克晶体技术有限公司 | 一种短h型结构的高频抛光石英晶片 |
| CN110649909A (zh) * | 2019-09-30 | 2020-01-03 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构 |
| CN110649909B (zh) * | 2019-09-30 | 2022-05-03 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种声表面波滤波器件晶圆级封装方法及其结构 |
| CN110923635A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-03-27 | 重庆华渝电气集团有限公司 | 一种石英摆片镀膜及退膜方法 |
| CN111751574A (zh) * | 2020-07-30 | 2020-10-09 | 保定开拓精密仪器制造有限责任公司 | 一种温度加速度复合型石英摆片的制备方法 |
| CN111751574B (zh) * | 2020-07-30 | 2022-01-28 | 保定开拓精密仪器制造有限责任公司 | 一种温度加速度复合型石英摆片的制备方法 |
| CN113512764A (zh) * | 2021-06-21 | 2021-10-19 | 泰晶科技股份有限公司 | 一种减小石英wafer腐蚀散差的滴定方法 |
| CN113463027A (zh) * | 2021-06-22 | 2021-10-01 | 泰晶科技股份有限公司 | 一种减小石英wafer片腐蚀散差的喷蜡方法 |
| CN113463027B (zh) * | 2021-06-22 | 2022-07-29 | 泰晶科技股份有限公司 | 一种减小石英wafer片腐蚀散差的喷蜡方法 |
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