JPS61259540A - 多層配線の製造方法 - Google Patents
多層配線の製造方法Info
- Publication number
- JPS61259540A JPS61259540A JP10058785A JP10058785A JPS61259540A JP S61259540 A JPS61259540 A JP S61259540A JP 10058785 A JP10058785 A JP 10058785A JP 10058785 A JP10058785 A JP 10058785A JP S61259540 A JPS61259540 A JP S61259540A
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- Japan
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- interlayer insulating
- mask
- insulating film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に多層配線構造とその
製造方法に関する。
製造方法に関する。
従来、半導体装置の多層配線は次のように形成されてい
た。例えば、第２図（ａ）に示すように半導体基板１上
に層間絶縁膜２、例えばシリコン酸化膜を形成したのち
、第２図（ハ）に示すように、７オトレジストによるマ
スク３を設け、次に第２図（Ｃ）゛に示すように、ガス
プラズマエツチング法により、層・間絶縁膜２を開孔す
る。そしてマスク３を除去すると、第２図・（ｄ）に示
すように層間絶縁膜２に段差４が形成される。次に第２
図（ｅ）に示すように表面の全面にスパッタ蒸着法によ
り、配線金属５を形成して得られる。しかしこの方法の
欠点は層間絶縁膜２に生じた段差４が半導体基板に対し
ほぼ直角となり、この部分の配線金属６が薄くなり、そ
のため、配線抵抗の増大や断線の原因になったりする。
た。例えば、第２図（ａ）に示すように半導体基板１上
に層間絶縁膜２、例えばシリコン酸化膜を形成したのち
、第２図（ハ）に示すように、７オトレジストによるマ
スク３を設け、次に第２図（Ｃ）゛に示すように、ガス
プラズマエツチング法により、層・間絶縁膜２を開孔す
る。そしてマスク３を除去すると、第２図・（ｄ）に示
すように層間絶縁膜２に段差４が形成される。次に第２
図（ｅ）に示すように表面の全面にスパッタ蒸着法によ
り、配線金属５を形成して得られる。しかしこの方法の
欠点は層間絶縁膜２に生じた段差４が半導体基板に対し
ほぼ直角となり、この部分の配線金属６が薄くなり、そ
のため、配線抵抗の増大や断線の原因になったりする。
そして、この問題を改善するために第３図に示す方法が
提案されている（参考文献：特開昭５９−６６１２５号
公報）。この方法によれば、多層配線におけるコンタク
トホールを形成する場合、まず第３図（ａ）に示すよう
に半導体基板１上に層間絶縁膜２を形成したのち、第３
図（ｂ）に示すようにフォトレジストによるマスク３を
設け、さらにこのマスクの上に第３図（Ｃ）に示すよう
にフォトレジストによるマスク７を設け、エツチング用
マスクを２層構造とする。ガスプラズマエツチング法に
より層間絶縁膜２を途中の深さまでエツチングし、続い
てマスク３のマスク７により覆われていない部分を除去
した後、再びガスプラズマエツチング法により層間絶縁
膜２をエツチングすることにより第３図（ｄ、）に示す
ように段差が２段に設けられた開孔部を形成する。次に
第３図（ｅ）に示すようにマスク３および７を除去した
後、第３図（ｆ）に示すように表面の全面にスパック蒸
着法により、配線金属５を形成する。この方法の特徴は
、開孔部形成にあたりエツチング用マスクを２層とする
ことにより開孔部の段差を２段に設けて開孔部の段差を
小さくして金属配線の断線を防止したことにある。
提案されている（参考文献：特開昭５９−６６１２５号
公報）。この方法によれば、多層配線におけるコンタク
トホールを形成する場合、まず第３図（ａ）に示すよう
に半導体基板１上に層間絶縁膜２を形成したのち、第３
図（ｂ）に示すようにフォトレジストによるマスク３を
設け、さらにこのマスクの上に第３図（Ｃ）に示すよう
にフォトレジストによるマスク７を設け、エツチング用
マスクを２層構造とする。ガスプラズマエツチング法に
より層間絶縁膜２を途中の深さまでエツチングし、続い
てマスク３のマスク７により覆われていない部分を除去
した後、再びガスプラズマエツチング法により層間絶縁
膜２をエツチングすることにより第３図（ｄ、）に示す
ように段差が２段に設けられた開孔部を形成する。次に
第３図（ｅ）に示すようにマスク３および７を除去した
後、第３図（ｆ）に示すように表面の全面にスパック蒸
着法により、配線金属５を形成する。この方法の特徴は
、開孔部形成にあたりエツチング用マスクを２層とする
ことにより開孔部の段差を２段に設けて開孔部の段差を
小さくして金属配線の断線を防止したことにある。
しかしながら、この方法でも本質的には段差そのものを
なくすことはできない。したがってさらにこの改善のた
めに第４図に示す方法が提案されている（参照文献：特
開昭５９−６６１２２号公報）。
なくすことはできない。したがってさらにこの改善のた
めに第４図に示す方法が提案されている（参照文献：特
開昭５９−６６１２２号公報）。
この方法によれば、コンタクトホールを形成する場合に
、第４図（ａ）に示すように半導体基板１、層間絶縁膜
２、フォトレジスト３を順次積層し、フォトレジスト３
に光８を照射した後、エツチング除去して第４図（ｂ）
に示すように逆台形の断面形状を有するレジストパター
ンを形成し、これをマスクに用いて、第４図（Ｃ）に示
すようにドライエツチングした後、第４図（ｄ）に示す
ようにフォトレジスト３を除去して、平坦部からの変化
がなめらがな傾斜をパターンエッヂ部に形成する。そし
て、第４図（ｅ）に示すように表面の全面にスパック蒸
着法により、配線金属５を形成する。
、第４図（ａ）に示すように半導体基板１、層間絶縁膜
２、フォトレジスト３を順次積層し、フォトレジスト３
に光８を照射した後、エツチング除去して第４図（ｂ）
に示すように逆台形の断面形状を有するレジストパター
ンを形成し、これをマスクに用いて、第４図（Ｃ）に示
すようにドライエツチングした後、第４図（ｄ）に示す
ようにフォトレジスト３を除去して、平坦部からの変化
がなめらがな傾斜をパターンエッヂ部に形成する。そし
て、第４図（ｅ）に示すように表面の全面にスパック蒸
着法により、配線金属５を形成する。
しかしこの方法では、開孔寸法を決定づけるマスク自体
が、第４図（Ｃ）におけるドライエツチングの際に、エ
ッヂの部分から絶えずエツチングされて、それと同時に
開孔寸法がエツチング時間に比例して拡大する（第４図
（ｄ）において開口端部を９で示す）。このため開孔部
の寸法制御が難がしく、開孔バラツキが発生し、生産性
に乏しい欠点があった。
が、第４図（Ｃ）におけるドライエツチングの際に、エ
ッヂの部分から絶えずエツチングされて、それと同時に
開孔寸法がエツチング時間に比例して拡大する（第４図
（ｄ）において開口端部を９で示す）。このため開孔部
の寸法制御が難がしく、開孔バラツキが発生し、生産性
に乏しい欠点があった。
本発明の目的は、従来の多層配線におけるコンタクトホ
ールの有する上記問題点を解決し、層間絶縁膜内に形成
されるコンタクトホールの側面の断面形状が、垂直な部
分と傾斜角度をなす部分とを連続して有し、これにより
配線金属の十分な膜厚が得られ、且つ開孔寸法の制御性
が良好に得られる高密度の多層配線およびその製造方法
を提供することにある。
ールの有する上記問題点を解決し、層間絶縁膜内に形成
されるコンタクトホールの側面の断面形状が、垂直な部
分と傾斜角度をなす部分とを連続して有し、これにより
配線金属の十分な膜厚が得られ、且つ開孔寸法の制御性
が良好に得られる高密度の多層配線およびその製造方法
を提供することにある。
本発明の多層配線は、基板上に設けられた第１配線に、
第１配線上に設けられた層間絶縁膜の開孔部を介して、
第２配線が接続された多層配線において、前記開孔部の
側面の断面形状が、第１配線の面に垂直な部分と、この
垂直な部分に連続し、弧状に傾斜した部分とから成るこ
とを特徴としている。
第１配線上に設けられた層間絶縁膜の開孔部を介して、
第２配線が接続された多層配線において、前記開孔部の
側面の断面形状が、第１配線の面に垂直な部分と、この
垂直な部分に連続し、弧状に傾斜した部分とから成るこ
とを特徴としている。
本発明の多層配線の製造方法は、基板上に第１配線を形
成する工程と、第１配線が形成された基板上に層間絶縁
膜を形成する工程と、第１配線上の層間絶縁膜にフォト
レジストによるマスクを設ける工程と、このマスクを用
いて第１配線」二の層間絶縁膜を異方性ドライエツチン
グにより所定の深さまでエツチングする工程と、前記マ
スクを加熱して前記フォトレジストを流動化させて、パ
ターンエッヂの薄い断面形状が傾斜構造のマスクに変換
する工程と、再び異方性ドライエツチングにより前記パ
ターンエッヂ部分のマスクとこのマスク下の層間絶縁膜
および最初のドライエツチングにより開孔された領域下
の層間絶縁膜をエツチングして、第１配線を露出させ開
孔部を形成する工程と、露出された第１配線に前記開孔
部を経て接続される第２配線を形成する工程とを含むこ
とを特徴としている。
成する工程と、第１配線が形成された基板上に層間絶縁
膜を形成する工程と、第１配線上の層間絶縁膜にフォト
レジストによるマスクを設ける工程と、このマスクを用
いて第１配線」二の層間絶縁膜を異方性ドライエツチン
グにより所定の深さまでエツチングする工程と、前記マ
スクを加熱して前記フォトレジストを流動化させて、パ
ターンエッヂの薄い断面形状が傾斜構造のマスクに変換
する工程と、再び異方性ドライエツチングにより前記パ
ターンエッヂ部分のマスクとこのマスク下の層間絶縁膜
および最初のドライエツチングにより開孔された領域下
の層間絶縁膜をエツチングして、第１配線を露出させ開
孔部を形成する工程と、露出された第１配線に前記開孔
部を経て接続される第２配線を形成する工程とを含むこ
とを特徴としている。
以下、本発明の一実施例を２層配線構造を有する半導体
装置について説明する。
装置について説明する。
第１図は、２層配線の断面構造を示す工程図である。第
１図（ａ）において、ＧａＡｓ基板１０上に第１の配線
金属１またとえばアルミニウム（Ａβ）が設けられ、層
間絶縁膜１２として例えばシリコン酸化膜（ＳｉＣ２）
を１μｍ厚さに生成させる。この層間絶縁膜表面に、通
常用いられている方法と同様にホトレジストによるマス
ク１３を開孔領域１４を残して１．５μｍ厚さに設ける
。レジストはＡＺ−１３５０Ｊ （商品名）を用い、開
孔側面の断面形状は垂直に形成する。次に第１図（ｂ）
に示す如く、層間絶縁膜１２の一部、例えば層間絶縁膜
の厚さの半分の０５μｍの深さにＣＦ４ガスを用いて異
方性ドライエツチングして、開孔１２１を設ける。この
とき開孔した孔の側面の断面形状１２２は、マスクの開
孔領域１４と同様に垂直形状となる。このとき開孔側面
に対するエツチングは異方性エツチングのためにほとん
どされない。
１図（ａ）において、ＧａＡｓ基板１０上に第１の配線
金属１またとえばアルミニウム（Ａβ）が設けられ、層
間絶縁膜１２として例えばシリコン酸化膜（ＳｉＣ２）
を１μｍ厚さに生成させる。この層間絶縁膜表面に、通
常用いられている方法と同様にホトレジストによるマス
ク１３を開孔領域１４を残して１．５μｍ厚さに設ける
。レジストはＡＺ−１３５０Ｊ （商品名）を用い、開
孔側面の断面形状は垂直に形成する。次に第１図（ｂ）
に示す如く、層間絶縁膜１２の一部、例えば層間絶縁膜
の厚さの半分の０５μｍの深さにＣＦ４ガスを用いて異
方性ドライエツチングして、開孔１２１を設ける。この
とき開孔した孔の側面の断面形状１２２は、マスクの開
孔領域１４と同様に垂直形状となる。このとき開孔側面
に対するエツチングは異方性エツチングのためにほとん
どされない。
次に第１図（Ｃ）に示すようにマスクを１６０℃の窒素
雰囲気中で３０分間加熱して、レジストを軟化させ、開
孔領域１４の周辺のパターンのエッヂ部が薄い傾斜構造
すなわちレジスト表面が上に凸の形状のマスク１３３に
変換する。
雰囲気中で３０分間加熱して、レジストを軟化させ、開
孔領域１４の周辺のパターンのエッヂ部が薄い傾斜構造
すなわちレジスト表面が上に凸の形状のマスク１３３に
変換する。
次に第１図（ｄ）に示すように、再び異方性ドライエツ
チング法により、層間絶縁膜１２を０．５μｍエツチン
グして第１の配線金属１１の表面１１１が露出するよう
に層間絶縁膜１２を開孔させる。このとき層間絶縁膜の
開孔側面の断面は、マスクであるフォトレジスト１３３
もエツチングされるため、マスクの傾斜構造が、同じよ
うに層間絶縁膜１２の開孔１２１の周辺にも弧状１２３
として形成される。次に第１図（ｅ）に示すようにマス
ク１３３を除去すると、側面が第１の配線金属１１の表
面１１１に対して垂直な部分１２２と、この部分１２２
に連続する弧状の部分１２３とから成る開孔を有する層
間絶縁膜１２４が得られる。
チング法により、層間絶縁膜１２を０．５μｍエツチン
グして第１の配線金属１１の表面１１１が露出するよう
に層間絶縁膜１２を開孔させる。このとき層間絶縁膜の
開孔側面の断面は、マスクであるフォトレジスト１３３
もエツチングされるため、マスクの傾斜構造が、同じよ
うに層間絶縁膜１２の開孔１２１の周辺にも弧状１２３
として形成される。次に第１図（ｅ）に示すようにマス
ク１３３を除去すると、側面が第１の配線金属１１の表
面１１１に対して垂直な部分１２２と、この部分１２２
に連続する弧状の部分１２３とから成る開孔を有する層
間絶縁膜１２４が得られる。
最後に、第１図（ｆ）・に示すように第２の配線金属１
５を従来の方法と同じように妥バッタ法により被着する
。配線金属１５は□、開孔周辺において弧状部分１５１
を有して被着さ］れ、ｉ層配線が完成される。
５を従来の方法と同じように妥バッタ法により被着する
。配線金属１５は□、開孔周辺において弧状部分１５１
を有して被着さ］れ、ｉ層配線が完成される。
このように本実施例では層間絶縁膜が開孔された時点で
〔第１図（ｂ）１ ０．５μｍの垂直な開孔側面１２２
があり、これがエツチングマージンに相当する。即ち、
エツチング時間にすれば５１０２のエツチングレイトが
３００人／分とすれば１６分間のオーバーエツチングを
しても開孔寸法はほとんど変らずに得られるわけである
。、このことは第４図において説明した従来の傾斜構造
を用いてエツチングした場合に、エツチング時間に比例
して開孔部が拡大してしまうことと比較゛して、いかに
有利であるかは明らかである。
〔第１図（ｂ）１ ０．５μｍの垂直な開孔側面１２２
があり、これがエツチングマージンに相当する。即ち、
エツチング時間にすれば５１０２のエツチングレイトが
３００人／分とすれば１６分間のオーバーエツチングを
しても開孔寸法はほとんど変らずに得られるわけである
。、このことは第４図において説明した従来の傾斜構造
を用いてエツチングした場合に、エツチング時間に比例
して開孔部が拡大してしまうことと比較゛して、いかに
有利であるかは明らかである。
また、第２図において説明した従来の構造および製造方
法と比較してみるに、本願発明者の実験により、第２図
の構造において開孔深さ１μｍ。
法と比較してみるに、本願発明者の実験により、第２図
の構造において開孔深さ１μｍ。
開孔径寸法が１μｍの場合、垂直な段差部分に堆積する
配線金属の膜厚（第２図（ｅ）の６の部分）は層間絶縁
膜２の表面上に堆積した配線金属の膜厚の２５％であり
、開孔平部に堆積した配線金属の膜厚は層間絶縁膜２の
表面上に堆積した配線金属の゛膜厚の５０％であり、一
孔部♀底は側面（段差部）より２倍の膜厚になることを
確認した。これに対し、本実施例によれば、開孔深さ１
μｍのうち垂直な部分の深さが０．４Ａ１ｍ 、それと
連続して弧状の傾斜部分の深さが０．６μｍある場合に
、開孔底′ −上に堆積した配置金属の膜厚と同じであ
り、開孔側面の最も薄い部会アも、層間絶縁膜１２の表
面上に堆積した配線金−の膜シの６５％が得られた。
配線金属の膜厚（第２図（ｅ）の６の部分）は層間絶縁
膜２の表面上に堆積した配線金属の膜厚の２５％であり
、開孔平部に堆積した配線金属の膜厚は層間絶縁膜２の
表面上に堆積した配線金属の゛膜厚の５０％であり、一
孔部♀底は側面（段差部）より２倍の膜厚になることを
確認した。これに対し、本実施例によれば、開孔深さ１
μｍのうち垂直な部分の深さが０．４Ａ１ｍ 、それと
連続して弧状の傾斜部分の深さが０．６μｍある場合に
、開孔底′ −上に堆積した配置金属の膜厚と同じであ
り、開孔側面の最も薄い部会アも、層間絶縁膜１２の表
面上に堆積した配線金−の膜シの６５％が得られた。
この値は、配線の電抵抵抗の点からも十分な配線金属の
膜厚分布が得られていると言える。
膜厚分布が得られていると言える。
゛ 尚、以上の実施例においては、基板にＧａＡｓ
、層間絶縁膜に５１０２、配線金属にＡＡを用いて、２
層配線構造を有する半導体装置について述べたが、３層
以上の配線構造を有する半導体装置についても、同様に
して形成でき、他の基板、層間絶縁物、配線金属でも可
能であることは勿論である。
、層間絶縁膜に５１０２、配線金属にＡＡを用いて、２
層配線構造を有する半導体装置について述べたが、３層
以上の配線構造を有する半導体装置についても、同様に
して形成でき、他の基板、層間絶縁物、配線金属でも可
能であることは勿論である。
以上説明したように本発明によれば、多層配線構造にお
いて、コンタクトホールの層間絶縁膜の側面の断面構造
を垂直の部分とそれに連続して上に凸の弧状の形状に形
成するようにしたので、配線の断線、局部的な膜厚の不
均一を防止し、各部に十分な膜厚分布が得られ、且つ開
孔制御ができる精密な多層配線を生産性良く得ることが
可能となった。
いて、コンタクトホールの層間絶縁膜の側面の断面構造
を垂直の部分とそれに連続して上に凸の弧状の形状に形
成するようにしたので、配線の断線、局部的な膜厚の不
均一を防止し、各部に十分な膜厚分布が得られ、且つ開
孔制御ができる精密な多層配線を生産性良く得ることが
可能となった。
第１図は本発明の一実施例を説明するための各工程にお
ける多層配線の断面図、 第２図〜第４図は従来の多層配線およびその製造方法を
説明するための各工程における断面図である。 １０・・・・・基板 １１・・・・・・第１の配線金属 １２・・・・・層間絶縁膜 １３・・・・・フォトレジストマスク １４・・・・・・フォトレジスト開孔部１２１・・・・
・・層間絶縁膜の一部開孔１２２・・・・・層間絶縁膜
の開孔部の垂直な部分１２３・・・・・・層間絶縁膜の
開孔部の弧状に傾斜した部分 １２４・・・・開孔部を有する層間絶縁膜代理人 弁理
士 岩 佐 義 幸 ｅつ ＝ｒｃｉ７− 区 Ｃく −コ ｆ （ｅ） 第４図 Ｔ−５ ト〜１
ける多層配線の断面図、 第２図〜第４図は従来の多層配線およびその製造方法を
説明するための各工程における断面図である。 １０・・・・・基板 １１・・・・・・第１の配線金属 １２・・・・・層間絶縁膜 １３・・・・・フォトレジストマスク １４・・・・・・フォトレジスト開孔部１２１・・・・
・・層間絶縁膜の一部開孔１２２・・・・・層間絶縁膜
の開孔部の垂直な部分１２３・・・・・・層間絶縁膜の
開孔部の弧状に傾斜した部分 １２４・・・・開孔部を有する層間絶縁膜代理人 弁理
士 岩 佐 義 幸 ｅつ ＝ｒｃｉ７− 区 Ｃく −コ ｆ （ｅ） 第４図 Ｔ−５ ト〜１
Claims (2)
- （１）基板上に設けられた第１配線に、第１配線上に設
けられた層間絶縁膜の開孔部を介して、第２配線が接続
された多層配線において、前記開孔部の側面の断面形状
が、第１配線の面に垂直な部分と、この垂直な部分に連
続し、弧状に傾斜した部分とから成ることを特徴とする
多層配線。 - （２）基板上に第１配線を形成する工程と、第１配線が
形成された基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、第１
配線上の層間絶縁膜にフォトレジストによるマスクを設
ける工程と、このマスクを用いて第１配線上の層間絶縁
膜を異方性ドライエッチングにより所定の深さまでエッ
チングする工程と、前記マスクを加熱して前記フォトレ
ジストを流動化させて、パターンエッヂの薄い断面形状
が傾斜構造のマスクに変換する工程と、再び異方性ドラ
イエッチングにより前記パターンエッヂ部分のマスクと
このマスク下の層間絶縁膜および最初のドライエッチン
グにより開孔された領域下の層間絶縁膜をエッチングし
て、第１配線を露出させ開孔部を形成する工程と、露出
された第１配線に前記開孔部を経て接続される第２配線
を形成する工程とを含むことを特徴とする多層配線の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60100587A JPH0712041B2 (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 多層配線の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60100587A JPH0712041B2 (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 多層配線の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61259540A true JPS61259540A (ja) | 1986-11-17 |
| JPH0712041B2 JPH0712041B2 (ja) | 1995-02-08 |
Family
ID=14278009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60100587A Expired - Lifetime JPH0712041B2 (ja) | 1985-05-14 | 1985-05-14 | 多層配線の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0712041B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100456317B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2005-01-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의다층금속배선형성방법 |
| CN113161284A (zh) * | 2020-01-07 | 2021-07-23 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于制造互连结构的方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5698832A (en) * | 1980-01-08 | 1981-08-08 | Mitsubishi Electric Corp | Preparation of semiconductor device |
| JPS5939048A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-03 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-05-14 JP JP60100587A patent/JPH0712041B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5698832A (en) * | 1980-01-08 | 1981-08-08 | Mitsubishi Electric Corp | Preparation of semiconductor device |
| JPS5939048A (ja) * | 1982-08-27 | 1984-03-03 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
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| KR100456317B1 (ko) * | 1997-06-30 | 2005-01-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의다층금속배선형성방법 |
| CN113161284A (zh) * | 2020-01-07 | 2021-07-23 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 用于制造互连结构的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0712041B2 (ja) | 1995-02-08 |
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