JPS61232637A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS61232637A
JPS61232637A JP7481485A JP7481485A JPS61232637A JP S61232637 A JPS61232637 A JP S61232637A JP 7481485 A JP7481485 A JP 7481485A JP 7481485 A JP7481485 A JP 7481485A JP S61232637 A JPS61232637 A JP S61232637A
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JP
Japan
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layer
aluminum layer
opening
insulating film
bonding pad
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JP7481485A
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Kiyoshi Yamaguchi
潔 山口
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NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に腐食に対する信頼性を
向上した電極構造を有する半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
半導体素子を外部の電極端子と電気的に接続するために
、半導体素子にボンディングパッドと称する電極を配設
し、金属細線をこれら電極と電極端子間にわたって接続
している。従来、この種のボンディングパッドは、第４
図および第５図に示すように半導体基板２１の表面に形
成したフィールド絶縁膜２２上にアルミニウム層２７を
用いて形成し、その上に被覆したパッシベーション膜２
８の一部をフォトエツチング技術により１００μｍ口程
度に開口して前記アルミニウム層２７の一部を開口２９
内で露呈させることにより形成している。
そして、このボンディングパッドのアルミニウム層２７
を半導体素子の内部回路（図示せず）と接続するために
、内部回路配線用の下層アルミニウム層２４上に前記ア
ルミニウム層２７の一部を重畳させ、層間絶縁膜２５に
開設したスルーボール２６を通して両アルミニウム層２
４．２７の接続を行なっている。図中、３０は図外の電
極端子との間に接続した金属細線であり、熱圧着法にょ
リアルミニウム層２７に接続している。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前述した従来のボンディングパッドの構造では、パッシ
ベーション膜２８を開口してアルミニウム層２７を露呈
させているため、樹脂封止を行なった後でも外部から侵
入した水分や樹脂中の不純物によって開口内のアルミニ
ウム層２７が腐食されるおそれがある。このため、第６
図のように、パッシベーション膜２８や金属細線３ｏＫ
覆われていない部分のアルミニウム層２７が腐食され、
同図のように腐食がアルミニウム層２７の全厚さにまで
進行されたときには金属細線３０の接続部は完全に孤立
状態とされてしまう。したがって、金属細線３０および
この直下に残存されたアルミニウム層２７は、内部回路
配線用の下層アルミニウム層２４と電気的に切断された
状態とされ、半導体装置の動作不良という重大な問題が
生じることになる。
〔問題を解決するだめの手段〕
本発明の半導体装置はパッシベーション膜で開口される
金属層に接続した金属細線の接続部の直下位置において
、この金属層の下側に延設した内部回路配線用の配線層
と前記金属層とを、層間絶縁膜の開口を通して導通させ
たボンディングパッドを有している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図および第２図は本発明の一実施例の平面図および
断面図を示しており、シリコン基板１の上面に設けたシ
リコン酸化膜等のフィールド絶縁膜２上にボンディング
パッド３を形成している。
このボンディングパッド３は、図外の内部回路に接続さ
れる配線用の第１アルミニウム層４の一部をボンディン
グパッド位置に延設し、その上に被覆した層間絶縁膜５
を略パッド中央位置において開口し、この開口６内に第
１アルミニウム層４を露呈させている。
一方、前記層間絶縁膜５上には第２アルミニウム層７を
形成してこれを所要の形状にパターニングし、更にこの
上にパッシベーション膜８を被覆してその一部を約１０
０μｍ口に開口することにより、第２アルミニウム層７
を開口９内で露呈させ、ボンディングパッド３を陽酸し
ている。このとき、前記層間絶縁膜５の開口６は、この
パッシベーション膜８の開口９内の略中央に位置させる
ようにし、層間絶縁膜５の開口６を通して第１アルミニ
ウム層４と第２アルミニウム層７が互に導通されるよう
にしている。
なお、図外の電極端子との間に接続される金属細線１０
の一端は、第２アルミニウム層７での開口９の略中央に
熱圧看法によって接続される。
したがって、このように構成したボンディングパッド３
の構造では、樹脂封止後に侵入１−てくる水分や樹脂中
の不純物がパッシベーション膜８の開口９に露呈されて
いる第２アルミニウム層７に作用し、第３図のように金
属細線１０の接続部の周囲を腐食させ、この接続部を第
２アルミニウム層７の他の部分から孤立させた状態とし
ても、接続部の直下の開口６において第２アルミニウム
層７は第１アルミニウム層４と導通されているため内部
回路との接続が損なわれることはない。これにより、金
属細線１０と内部回路との電気的接続を確保でき、水分
や不純物による腐食に対するボンディングパッドないし
半導体装置の信頼性を向上できる。
なお、内部回路配線用の第１アルミニウム層４に代えて
、不純物を十分にドープした多結晶シリコンを使用して
もよい。筐た、ボンディングパッド３の接続面を構成す
る第２アルミニウム層７は他の金属材料からなる金属層
であってもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば、ボンディングパッ
ドの金属細線を接続するアルミニウム層の直下で内部回
路配線用の配線層に導通させる構成とすることにより、
外部から侵入した水分や不純物によってパッシベーショ
ン膜に覆われていないアルミニウム層部分が腐食しても
、金属細線つまジ外部リードと内部回路との電気的な接
続を確保し、腐食に対する信頼性の高い半導体装置を得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例のボンディングパッドの平面
図、第２図は第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図は作用効
果を説明するだめの断面図、第４図は従来構造の平面図
、第５図は第４図のＢ−Ｂ線断面図、第６図は不具合を
説明するための断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・フィール
ド絶縁膜、３・・・・・・ボンディングパッド、４・・
・・・・第１アルミニウム層、５・・・・・・層間絶縁
膜、６・・・・・・開口、７・・・・・・第２アルミニ
ウム、８・・・・・・パッシベーション膜、９・・・・
・・開口、１０・・・・・・金属細線。 ｑ、・ 区　　　　　　　　　　　区 ＼　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｎ淀
　　　　　　　　　　　　　　　左 回　　　　　＼η〉勺 Ｄ Ｎ蒙

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、金属層を被覆するように設けたパッシベーション膜
    の一部を開口し、この開口において前記金属層の表面に
    金属細線を接続するボンディングパッドを有する半導体
    装置において、前記金属細線の接続部の直下位置で前記
    金属層の下側に層間絶縁膜を介して延設した内部回路配
    線用の配線層と前記金属層とを導通させたことを特徴と
    する半導体装置。
JP7481485A 1985-04-09 1985-04-09 半導体装置 Pending JPS61232637A (ja)

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JP7481485A JPS61232637A (ja) 1985-04-09 1985-04-09 半導体装置

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JP7481485A JPS61232637A (ja) 1985-04-09 1985-04-09 半導体装置

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JPS61232637A true JPS61232637A (ja) 1986-10-16

Family

ID=13558154

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JP7481485A Pending JPS61232637A (ja) 1985-04-09 1985-04-09 半導体装置

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49116961A (ja) * 1973-03-09 1974-11-08

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49116961A (ja) * 1973-03-09 1974-11-08

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