JPH01241832A - 電子部品におけるワイヤボンディング構造 - Google Patents

電子部品におけるワイヤボンディング構造

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JPH01241832A
JPH01241832A JP63070754A JP7075488A JPH01241832A JP H01241832 A JPH01241832 A JP H01241832A JP 63070754 A JP63070754 A JP 63070754A JP 7075488 A JP7075488 A JP 7075488A JP H01241832 A JPH01241832 A JP H01241832A
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JP
Japan
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electrode
wire
opening
tip
film
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Kozo Matsuo
松尾　浩三
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Rohm Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａｌ産業上の利用分野 この発明は、半導体素子など電子部品におけるワイヤボ
ンディング構造に関する。
（ｂ）従来の技術 半導体素子をパッケージに実装する方法として、従来よ
り−ｇにワイヤボンディング法が採用されている。
第３図は半導体素子上のワイヤボンディング用電極の構
成を表す図であり、（Ａ）は平面、（Ｂ）は断面をそれ
ぞれ示している。図において１はＳｉ基板、２は基板表
面に形成されたＳ　＋　Ｏｚからなる絶縁膜である。こ
の絶縁膜上に同図（Ａ）に示す形状のＡｆｆ電極３が形
成され、さらにその上部にパッシベーション膜４が形成
されている。
パッシベーション膜４には図に示すように開口部５が形
成されていて、Ａｎ電極３が露出している以上のように
構成された半導体素子の電極上にワイヤボンディングが
行われる。第４図はその断面構造を示している。ここで
６はＡｕなどのワイヤであり、パッシベーション膜４に
形成されている開口部の略中央部でワイヤ６先端のボー
ル部を電極３に熱圧着している。
（Ｃ）発明が解決しようとする課題 ところが、従来の電子部品におけるワイヤボンディング
構造においては、第４図に示したように、ホンディング
が完了した状態で、電極上にパッシベーション膜４とワ
イヤ６の先端部の何れにも覆われない露出部５′が存在
する。このため露出部分の電極３か腐蝕して電極配線か
オープンするなどの不良が発生ずる場合があった。この
ようなＡｆｆ電極の腐蝕は、パッケージの表面あるいは
リードとの界面から水分が浸入し、この水分に樹脂パッ
ケージ中の不純物イオンが溶解して生しる酸性ｌ容液な
どによって進行する。
この発明の目的は、電極上にワイヤポンティングが完了
したとき、パッシベーション膜の開口部などから電極が
露出しないようにして、電極の腐蝕を防止した電子部品
におけるワイヤホンディング構造を提供することにある
。
（ｄ）課題を解決するだめの手段 この発明の電子部品におけるワイヤホンディング構造は
、電極」二に、それぞれボンディング時のワイヤ先端の
広かり径より狭い開口部を有するパンシヘーション膜と
柔軟性樹脂皮膜をこの順に形成し、前記開Ｌｉ部を介し
て前記電極にワイヤ先端部を接続したことを特徴とする
。
ｔｅ１作用 この発明の電子部品におけるワイヤボンディング構造に
おいては、ホンディング時のワイヤ先端の広がり径より
狭い開口部をそれぞれ有するパソシヘーション膜と柔軟
性樹脂皮膜がこの順で電極上に形成されていて、前記開
口部を介して前記電極にワイヤ先端部が接続されている
。したがって、ワイヤボンディングが完了した時点て、
ワイヤ先端部はパノシヘーション膜と柔軟性樹脂皮膜と
に形成されている開口部全体を覆うこととなる。
このため、開口部から電極が露出することなく、水分や
酸性溶液などによる電極の腐蝕が発生しない。
また、溶融・球状化したワイヤ先端のボール部が柔軟性
樹脂皮膜の開口部に先ず当接するため、この柔軟性樹脂
皮膜かワイヤ先端のホール部当接によるショックを吸収
する。したがって、下部に存在するパノシヘーション膜
にクラックが入ることはなく、クラックからの水分浸入
などによる電極腐蝕が発生しない。
（ｆ）実施例 第１図はこの発明の実施例に適用される半導体素子上の
ワイヤポン）゛−インク用電極の構成を表す図であり、
（Ａ）は平面、（Ｂ　）は正面を示している。図におい
て１は８１基板、２は基板上に形成された５）０２から
なる絶縁膜である。絶縁膜２＋には同図（Ａ）に示ず形
状のＡｆｆ電極３か形成されていて、さらにその上部に
１）ＳＯ（リンカラス）やＳｉｎ、などのパノシベーノ
ヨン膜４およびポリイミドなどの柔軟性樹脂皮膜７が形
成されている。パノシヘーン＝３ン膜４と柔軟性樹脂皮
膜７にはそれぞれホンディング時のワイヤ先端の広がり
径より狭い開口部５が形成されている。
第２ヌ１は以１−のように構成された半導体素子に対し
てワイヤボンデインクが行われた状態を示す断面図であ
る。ここで６はＡｕなどのワイヤであり、ポンティング
か完了したとき、ワイヤ先端の広がり径ｗｂは開［」部
の内径’ＴＶ　ｈより大きいため、回示の通り開口部５
の周囲かワイヤ６の先端ボール部で覆われる。したがっ
てこの状態で電極３に露出部が存在−リす、外部環境に
対する耐腐蝕性が向上する。
なお、柔軟性樹脂皮膜７はフメ＝１〜リソグラフィによ
り形成することができる。すなわち、パターン化した電
極３の上部の全面にパッジ・＼−ジョン膜としてＣＶＤ
法によりＰＳＧ膜を形成し、このバ・７シヘーシヨン膜
上に柔軟性樹脂皮膜としてスピンナーによりポリイミド
膜を被覆する。その後、エソヂングにより、ボンディン
グ時のワイヤ先端の広かり径より狭い開ｌ］部５を形成
する。
また、ワイヤボンディングの方法としては従来の熱圧着
法や超音波ボンディング法あるいはこれらを組み合わせ
たいわゆるサーモソニック法により行うことができる。
その際、アーク放電やトーチなどにより溶融・球状化し
たワイヤ先端のボール部が柔軟性樹脂皮膜７の開口部に
先ず当接するため、この柔軟性樹脂皮膜７かワイヤ先端
のポール部当接によるショックを吸収する。したがって
下部に存在するパッジ−＼−ジョン膜４にクラックが入
ることはない。
［ｇ１発明の効果 以上のようにこの発明の電子部品におけるワイヤボンデ
ィング構造によれば、パソシヘーション膜および柔軟性
樹脂皮膜に形成されている開口部にワイヤ先端のポール
部が覆われているため、開口部から電極が露出すること
がなく、電極の腐蝕が防止される。また、パソシヘーシ
ョン膜上の柔軟性樹脂皮膜がクツシコン材として作用す
るため、ワイヤボンディング時にバンシヘーション膜の
開口部付近にクラックが入ることなく、クランクからの
水分浸入による電極の腐蝕が発生することはない。この
ようにして、耐環境性の高い電子部品を構成することが
できる。その他に、パンシヘーション膜上に柔軟性樹脂
皮膜をつけているため、樹脂封止時にハソファとして作
用し、パソシヘーシコン膜のクランクやチップのクラン
クが防止できるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の実施例に適用される半導体素子の構
成を表す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図で
ある。第２図はこの発明の実施例である半導体素子にお
けるワイヤボンディング構造を表す断面図である。第３
図は従来例である半導体素子の構成を表す図であり、（
Ａ）は平面図、（Ｂ）は断面図である。第４図は従来の
半導体素子におけるワイヤボンディング構造を表す断面
図である。 １−３ｉ基板、２−絶縁膜、 ３−Ａρ電極、４−バソシヘーション膜、５−開口部、
５′−露出部、 ６−ワイヤ、７−柔軟性樹脂皮膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）電極上に、それぞれボンディング時のワイヤ先端
    の広がり径より狭い開口部を有するパッシベーション膜
    と柔軟性樹脂皮膜をこの順に形成し、前記開口部を介し
    て前記電極にワイヤ先端部を接続したことを特徴とする
    電子部品におけるワイヤボンディング構造。
JP63070754A 1988-03-23 1988-03-23 電子部品におけるワイヤボンディング構造 Pending JPH01241832A (ja)

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