JPH05206198A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH05206198A JPH05206198A JP4014029A JP1402992A JPH05206198A JP H05206198 A JPH05206198 A JP H05206198A JP 4014029 A JP4014029 A JP 4014029A JP 1402992 A JP1402992 A JP 1402992A JP H05206198 A JPH05206198 A JP H05206198A
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- bonding pad
- bonding
- internal
- semiconductor device
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- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
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- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ボンディングパッド金属を内側とその周辺側
とに分離し、内部配線とは内側のボンディングパッドの
み接続し、ボンディングパッドの境界部分を覆うように
ボンディングすることで、ボンディングパッドに侵入す
る水分によるオープン不良を防ぐ。 【構成】 基板8上に層間膜1を形成し、その上に配線
ポリシリコン4を形成する。層間膜6の一部を除去して
配線ポリシリ4を露出させる。露出したコンタクト部分
を中心として内側ボンディングパッド3を、その周りに
ある間隔をとって外側ボンディングパッド2をパターン
ニングし、カバー膜5を形成した後に内側、外側ボンデ
ィングパッド上にボンディング線ボール1を圧着してボ
ンディングする。
とに分離し、内部配線とは内側のボンディングパッドの
み接続し、ボンディングパッドの境界部分を覆うように
ボンディングすることで、ボンディングパッドに侵入す
る水分によるオープン不良を防ぐ。 【構成】 基板8上に層間膜1を形成し、その上に配線
ポリシリコン4を形成する。層間膜6の一部を除去して
配線ポリシリ4を露出させる。露出したコンタクト部分
を中心として内側ボンディングパッド3を、その周りに
ある間隔をとって外側ボンディングパッド2をパターン
ニングし、カバー膜5を形成した後に内側、外側ボンデ
ィングパッド上にボンディング線ボール1を圧着してボ
ンディングする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置におけるボ
ンディングパッドの構造に関する。
ンディングパッドの構造に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置は図3に示す
様に6の層間膜2上にアルミをスパッタ法で形成して、
10のボンディングパッド及び11の内部配線をパター
ンニングし、アルミ製の一体化したボンディングパッド
と内部配線を形成した。次にチップ全面にカバー膜を形
成し、ボンディングパッド上のカバー膜を除去して、露
出したボンディングパッドに1の金製ボンディング線ボ
ールを圧着する構造となっていた。半導体装置外部から
の入出力信号は、ボンディング線を通って、ボンディン
グ線ボールとボンディングパッドの接続により半導体装
置の内部配線に伝達される。
様に6の層間膜2上にアルミをスパッタ法で形成して、
10のボンディングパッド及び11の内部配線をパター
ンニングし、アルミ製の一体化したボンディングパッド
と内部配線を形成した。次にチップ全面にカバー膜を形
成し、ボンディングパッド上のカバー膜を除去して、露
出したボンディングパッドに1の金製ボンディング線ボ
ールを圧着する構造となっていた。半導体装置外部から
の入出力信号は、ボンディング線を通って、ボンディン
グ線ボールとボンディングパッドの接続により半導体装
置の内部配線に伝達される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置は、露出しているボンディングパッド部分が半導体
装置外部から侵入してくる水分により腐食され、更に進
行すると、ボンディングおよび内部配線が一体化したア
ルミで出来ているため、ボンディング線ボールの下まで
腐食され、ボンディング線ボールとボンディングパッド
の接続が保たれなくなり、オープン不良となる欠点があ
る。
装置は、露出しているボンディングパッド部分が半導体
装置外部から侵入してくる水分により腐食され、更に進
行すると、ボンディングおよび内部配線が一体化したア
ルミで出来ているため、ボンディング線ボールの下まで
腐食され、ボンディング線ボールとボンディングパッド
の接続が保たれなくなり、オープン不良となる欠点があ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
ボンディングパッドを平面上内側と外側で二重に配置
し、内側のボンディングパッドのみ内部配線のポリシリ
コンと接続されている構造を有する。
ボンディングパッドを平面上内側と外側で二重に配置
し、内側のボンディングパッドのみ内部配線のポリシリ
コンと接続されている構造を有する。
【0005】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1(a),(b)は、本発明の一実施例の半導体
装置パッド部分の断面図、平面図である。7の層間膜1
上に厚さ0.3μm でポリシリをCVD法により形成
し、幅15μm 程度で4の配線をパターンニングし、そ
の上に厚さ0.2μm で6の層間膜2を形成する。配線
ポリシリ上の層間膜2を縦横10μm の正方形で除去し
て9のコンタクトを形成、厚さ1μm でアルミをスパッ
タ法で形成して、コンタクトを中心として縦横50μm
の正方形で3の内側ボンディングパッド、内側ボンディ
ングパッドから2μm 間隔をとって外側にコンタクトを
中心として縦横100μm の正方形となる様に内側ボン
ディングパッドの回りに2の外側ボンディングパッドを
パターンニングする。
る。図1(a),(b)は、本発明の一実施例の半導体
装置パッド部分の断面図、平面図である。7の層間膜1
上に厚さ0.3μm でポリシリをCVD法により形成
し、幅15μm 程度で4の配線をパターンニングし、そ
の上に厚さ0.2μm で6の層間膜2を形成する。配線
ポリシリ上の層間膜2を縦横10μm の正方形で除去し
て9のコンタクトを形成、厚さ1μm でアルミをスパッ
タ法で形成して、コンタクトを中心として縦横50μm
の正方形で3の内側ボンディングパッド、内側ボンディ
ングパッドから2μm 間隔をとって外側にコンタクトを
中心として縦横100μm の正方形となる様に内側ボン
ディングパッドの回りに2の外側ボンディングパッドを
パターンニングする。
【0006】次に全面に5のカバー膜を形成して、内
側、外側ボンディングパッドとその間の溝上のカバー膜
を除去し、露出した内側、外側ボンディングパッド上に
金製直径70μm 程度の1のボンディング線ボールを圧
着してボンディングする。
側、外側ボンディングパッドとその間の溝上のカバー膜
を除去し、露出した内側、外側ボンディングパッド上に
金製直径70μm 程度の1のボンディング線ボールを圧
着してボンディングする。
【0007】ボンディング線をつたわってくる半導体装
置外部から侵入した水分はボンディング線ボールの表面
から露出している外側ボンディングパッドに流れ込み、
外側ボンディングパッドは腐食していく。外側ボンディ
ングパッドと内側ボンディングパッドの間には溝がある
ため、腐食は内側ボンディングパッドまで進行せず、ボ
ンディング線ボールと内側ボンディングパッドとのオー
プン不良を防止する事が出来る。
置外部から侵入した水分はボンディング線ボールの表面
から露出している外側ボンディングパッドに流れ込み、
外側ボンディングパッドは腐食していく。外側ボンディ
ングパッドと内側ボンディングパッドの間には溝がある
ため、腐食は内側ボンディングパッドまで進行せず、ボ
ンディング線ボールと内側ボンディングパッドとのオー
プン不良を防止する事が出来る。
【0008】図2(a),(b)は本発明の実施例2の
半導体装置パッド部分の断面図,平面図である。7の層
間膜1上に厚さ0.3μm でポリシリをCVD法により
形成し、幅15μm 程度で4の配線をパターンニング
し、その上に厚さ0.2μm で6の層間膜2を形成す
る。配線ポリシリ上の層間膜2を縦横10μm の正方形
で除去して9のコンタクトを形成、厚さ1μm でアルミ
をスパッタ法で形成して、コンタクトを中心として縦横
45μm の正方形で3の内側ボンディングパッド、内側
ボンディングパッドから7μm 間隔をとって外側にコン
タクトを中心として縦横100μm の正方形となる様に
内側ボンディングパッドの回りに2の外側ボンディング
パッドをパターンニングする。
半導体装置パッド部分の断面図,平面図である。7の層
間膜1上に厚さ0.3μm でポリシリをCVD法により
形成し、幅15μm 程度で4の配線をパターンニング
し、その上に厚さ0.2μm で6の層間膜2を形成す
る。配線ポリシリ上の層間膜2を縦横10μm の正方形
で除去して9のコンタクトを形成、厚さ1μm でアルミ
をスパッタ法で形成して、コンタクトを中心として縦横
45μm の正方形で3の内側ボンディングパッド、内側
ボンディングパッドから7μm 間隔をとって外側にコン
タクトを中心として縦横100μm の正方形となる様に
内側ボンディングパッドの回りに2の外側ボンディング
パッドをパターンニングする。
【0009】次に全面に5のカバー膜を形成して、内側
ボンディングパッドと外側ボンディングパッドの間のカ
バー膜を残して、内側、外側ボンディングパッド上のカ
バー膜を除去し、露出した内側、外側ボンディングパッ
ド上に金製直径70μm 程度の1のボンディング線ボー
ルを圧着してボンディングする。
ボンディングパッドと外側ボンディングパッドの間のカ
バー膜を残して、内側、外側ボンディングパッド上のカ
バー膜を除去し、露出した内側、外側ボンディングパッ
ド上に金製直径70μm 程度の1のボンディング線ボー
ルを圧着してボンディングする。
【0010】ボンディング線をつたわってくる半導体装
置外部から侵入した水分は外側ボンディングパッドに流
れ込み、外側ボンディングパッドは腐食していく。外側
ボンディングパッドと内側ボンディングパッドの間には
カバー膜があるため、腐食は内側ボンディングパッドま
で進行せず、ボンディング線ボールと内側ボンディング
パッドとのオープン不良を防止する事が出来る。
置外部から侵入した水分は外側ボンディングパッドに流
れ込み、外側ボンディングパッドは腐食していく。外側
ボンディングパッドと内側ボンディングパッドの間には
カバー膜があるため、腐食は内側ボンディングパッドま
で進行せず、ボンディング線ボールと内側ボンディング
パッドとのオープン不良を防止する事が出来る。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ボンディ
ングパッドを平面上内側と外側で二重に配置し、内側の
ボンディングパッドのみ内部配線のポリシリコンと接続
する事により、半導体装置外部から侵入してくる水分に
よるボンディングパッドの腐食の進行に起因するボンデ
ィング線とボンディングパッドのオープン不良を防ぐ効
果がある。
ングパッドを平面上内側と外側で二重に配置し、内側の
ボンディングパッドのみ内部配線のポリシリコンと接続
する事により、半導体装置外部から侵入してくる水分に
よるボンディングパッドの腐食の進行に起因するボンデ
ィング線とボンディングパッドのオープン不良を防ぐ効
果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)、(b)は、本発明の実施例1の半導体
装置パッド部分の断面図および平面図である。
装置パッド部分の断面図および平面図である。
【図2】(a)、(b)は、本発明の実施例2の半導体
装置パッド部分の断面図および平面図である。
装置パッド部分の断面図および平面図である。
【図3】(a)、(b)は、従来の半導体装置パッド部
分の断面図および平面図である。
分の断面図および平面図である。
1 ボンディング線ボール 2 外側ボンディングパッド 3 内側ボンディングパッド 4 配線ポリシリコン 5 カバー膜 6 層間膜2 7 層間膜1 8 基板 9 コンタクト 10 ボンディングパッド 11 内部配線
Claims (2)
- 【請求項1】 平面上、内側と外側との二重に配置され
たボンディングパッドを有することを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項2】 内側のボンディングパッドのみ内部配線
のポリシリコンと接続されていることを特徴とする請求
項1記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4014029A JPH05206198A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4014029A JPH05206198A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05206198A true JPH05206198A (ja) | 1993-08-13 |
Family
ID=11849740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4014029A Withdrawn JPH05206198A (ja) | 1992-01-29 | 1992-01-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05206198A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002001637A3 (en) * | 2000-06-28 | 2002-09-26 | Intel Corp | Layout and process for a device with segmented ball limited metallurgy for the inputs and outputs |
US7180195B2 (en) | 2003-12-17 | 2007-02-20 | Intel Corporation | Method and apparatus for improved power routing |
-
1992
- 1992-01-29 JP JP4014029A patent/JPH05206198A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002001637A3 (en) * | 2000-06-28 | 2002-09-26 | Intel Corp | Layout and process for a device with segmented ball limited metallurgy for the inputs and outputs |
US7033923B2 (en) | 2000-06-28 | 2006-04-25 | Intel Corporation | Method of forming segmented ball limiting metallurgy |
US7034402B1 (en) | 2000-06-28 | 2006-04-25 | Intel Corporation | Device with segmented ball limiting metallurgy |
US7180195B2 (en) | 2003-12-17 | 2007-02-20 | Intel Corporation | Method and apparatus for improved power routing |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |