JPH0652746B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH0652746B2
JPH0652746B2 JP60130893A JP13089385A JPH0652746B2 JP H0652746 B2 JPH0652746 B2 JP H0652746B2 JP 60130893 A JP60130893 A JP 60130893A JP 13089385 A JP13089385 A JP 13089385A JP H0652746 B2 JPH0652746 B2 JP H0652746B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
layer
conductive layer
semiconductor substrate
concave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60130893A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61289652A (ja
Inventor
和夫 松村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP60130893A priority Critical patent/JPH0652746B2/ja
Publication of JPS61289652A publication Critical patent/JPS61289652A/ja
Publication of JPH0652746B2 publication Critical patent/JPH0652746B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/0212—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers
    • H01L2224/02122—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/02163—Auxiliary members for bonding areas, e.g. spacers being formed on the semiconductor or solid-state body on the bonding area
    • H01L2224/02165—Reinforcing structures
    • H01L2224/02166—Collar structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05556—Shape in side view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05556—Shape in side view
    • H01L2224/05558—Shape in side view conformal layer on a patterned surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4845—Details of ball bonds
    • H01L2224/48451—Shape
    • H01L2224/48453—Shape of the interface with the bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、半導体装置に関し、詳しくはボンディング
パッドの工夫がなされた半導体装置に関する。
（従来の技術） 従来、ワイヤボンディングで用いるボンディングパッド
には、特公昭５５−３０３０１号公報、特公昭５７−１
６４９３号公報に記載されている様なものがある。この
様なボンディングパッドは、第２図(a)に示す様に半導
体基板２１の周辺部に並べられている。同図(b)は、こ
のａ１−ａ２断面図のボンディングパッド２２を拡大し
たもので、２１は半導体基板、２３はこの上に形成され
た絶縁層、２４ａはこの上に形成されており、これと同
じ金属層で形成された配線層２４ｂに接続されたパッド
金属層、２５は表面保護のための絶縁保護層で、PSG層
等が用いられる。尚、２６はこのパッド金属層２４ａの
露出部であり、細線の接続のための接続領域である。
半導体装置をパッケージに実装する際、ワイヤボンディ
ングを行なうが、これは上記の様なボンディングパッド
に金線あるいはアルミ線等の細線と特公昭５６−５０６
２号公報，特公昭５６−４６２６１号公報，実公昭５７
−２７１４４号公報に示す用なワイヤボンディング装置
でボンディングするものである。
（発明が解決しようとする問題点） この様にボンディングパッド２２にワイヤボンディング
を行なうと、第２図(c)に示すような破損部２７が生じ
る。この破損部２７が生じるのは、上記公報に示す様な
ワイヤボンディング装置を用いてワイヤボンディングを
行う際、上記公報に記載されている様なキャピラリによ
って受ける機械的衝撃に上記絶縁保護層２５が耐えられ
ないからである。この様な破損部２７が発生すると、断
線が起って半導体装置が不良となったり、ここから配線
層が腐食したりする。
これを回避するためには、ボンディングパッド２２の接
続領域２６を十分大きくすればよいがこの接続領域２６
を大きくすると半導体基板２１の周囲に配置できるボン
ディングパッド２２の数に限界が生じたり、又、この大
きな面積のために半導体基板２１上に形成できる能動素
子の数が減少して、高集積化の妨げとなる。例えば、ワ
イヤボンディングに用いるワイヤを金線とすれば、金球
２８の直径は８０〜１００μｍであるのが通常であるか
ら、接続領域２６は、この中心から左右半径分ずつずれ
るのを最大として安全度を見込めば一辺１６０〜２００
μの矩形としなければならず、これが数十個の箇所半導
体基板２１に形成されると、このかなりの面積を占めて
しまうのである。
（問題点を解決するための手段） この発明は以上の様な問題点を解決するために絶縁保護
層のパッド金属層と重なる部分を接続領域より下方に設
けたものである。
（作用） この発明は以上の様に、絶縁保護層のパッド金属層と重
なる領域を接続領域より下方に設けたので、キャピラリ
からの機械的応力が絶縁保護層にかからないようになる
のである。
（実施例） 第１図(a)及び(b)は、この発明の第１の実施例を説明す
るための図で、(a)はこの半導体装置のボンディングパ
ッドの平面図、(b)はこのａ１−ａ２断面図である。
第１図(a)において、１はボンディングパッドを示し、
２ａは配線層２ｂに接続されアルミ等の金属層で形成さ
れたパッド金属層、３はPSG層あるいはSiO2あるいはこ
の複合層からなる絶縁保護層、４はパッド金属層２ａの
周囲を含む様な溝状に形成された凹部を示す。なお図中
左傾斜線部分は凹部４の内側で、凹んでいない部分を示
す。
同図(b)において、その断面を説明する。これは、同図
(a)の断面に金球５を有する金線６を接続した図であ
る。図に示す様に絶縁保護層３は、パッド金属層２ａの
端部に、一部重なる様に形成される。このパッド金属層
２ａの表面が露出した部分は接続領域７として金線６の
金球５が接続される。尚、配線層２ｂは全域、この絶縁
保護層３により被覆されている。又、この重なった部分
はPSG層からなる絶縁層８に形成された凹部４中に設け
られる。凹部４はこの絶縁層８を、既知のエッチング技
術によって形成するとよい。又、この凹部４は絶縁層８
に形成する他、半導体基板９をエッチングする工程があ
ればこの半導体基板９に形成しても良い。
この様に絶縁層８をエッチングすることによりパッド金
属層２ａと絶縁保護層３とが重なった部分と、金球５の
下端との間に隙間ｔがあく。この隙間ｔは凹部４のエッ
チング深さによって自由に調整することができる。この
隙間ｔがあることにより、金球５から絶縁保護層３に受
ける応力を緩和し、又はなくすることができる。
ここで、アルミなどの金属層に受ける応力は、これら金
属の粘り又は塑性によって吸収するので破損は生じな
い。
尚、この凹部の壁面をステップカバー改良の為に階段状
にすると更に好ましい。
第３図はこの発明の第２の実施例を説明するための断面
図である。ボンディングパッド３１の接続領域３２は半
導体装置の能動素子を形成する工程で選択的に形成した
フィールド酸化層３３上又は、ポリシリコン層３４上又
は、これらの複合層上に形成される。これら層を除去せ
ずに選択的に残しておいて、接続領域３２をこの上に形
成することによりこの接続領域３２は絶縁保護層３５と
パッド金属層３６の重なった部分より高い位置に形成さ
れることになり、金球５の下端は絶縁保護層３５に機械
的圧力を与えない様になる。
（発明の効果） 以上詳細に説明した様にこの発明によれば、アルミ等の
金属層で形成されたボンディングパッドの接続領域が、
絶縁保護層とこの金属層との重なった部分より高い位置
に形成されるので、絶縁保護層はワイヤボンディング装
置より金球等を通した機械的応力を受けないか、受けて
もかなり緩和されるのである。従って、この絶縁保護層
のワイヤボンディングによる破損を避けることができ、
この破損による断線あるいは腐食を避けることが出来る
ようになる。そのため、半導体装置の信頼性を向上させ
ることが出来る様になるのである。
さらに、配線層とパッド金属層とは同種の物質なので、
これらの層は同一工程で形成でき、また、接続領域であ
る凸部は、その周囲の絶縁層に凹部を形成することによ
り形成される等、簡単なプロセスでボンディングパッド
を形成することができる。
また、半導体装置の表面が平坦に保てるので、ボンディ
ング部の位置認識は、従来のボンディングパッドと同様
にできるである。従って、従来のボンディング装置の設
定基準をそのまま用いることができる。この点は、他品
種少量生産を行う場合に特に有効である。
以上のように、本発明によれば様々な効果が得られるの
である。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を説明するための図で、
(a)はボンディングパッドの平面図、(b)はそのａ１−ａ
２断面図、第２図は従来技術を説明するための図で(a)
は半導体基板の平面図、(b)はそのａ１−ａ２断面の拡
大図、(c)はそのワイヤボンディング後の状態を示す
図、第３図はこの発明の第２の実施例を説明するための
断面図。１ ，３１……ボンディングパッド、２ａ，３６……パッ
ド金属層、２ｂ……配線層、３，３５……絶縁保護層、
４……凹部、５……金球、６……金線、７，３２……接
続領域、８……絶縁層、９……半導体基板。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体基板上に形成された半導体素子と、
    一端及び他端を有する配線であって、前記一端が前記半
    導体素子に接続された前記配線と、前記他端に接続され
    たボンディングパッドとを備えた半導体装置において、 前記ボンディングパッドは、 前記半導体基板上に形成され、接続領域、前記接続領域
    を包囲する凹部領域及び前記凹部領域を包囲する周辺領
    域とを有する第１の絶縁層であって、前記接続領域は前
    記凹部領域によって凸部形状に定義され、かつ、前記接
    続領域内の前記第１の絶縁層の厚さと前記周辺領域内の
    前記第１の絶縁層の厚さとが実質的に同一である前記第
    １の絶縁層と、 前記凹部領域内で前記配線の前記他端に接続され、前記
    配線と同種の物質により形成された導電層であって、前
    記凸部の上面全面から前記凹部領域内の凹部底面の前記
    凸部側面近傍まで延在して形成された前記導電層と、 前記凹部底面上に形成された前記導電層上であって、前
    記凸部の側面から所定距離だけ離間した前記導電層上か
    ら周辺領域上全面まで延在して形成された第２の絶縁層
    とから構成され、 前記接続領域内に形成された前記導電層の上面から前記
    半導体基板までの厚さが、前記凹部領域内の前記導電層
    上に形成された前記第２の絶縁層の上面から前記半導体
    基板までの厚さより厚いことを特徴とする半導体装置。
JP60130893A 1985-06-18 1985-06-18 半導体装置 Expired - Lifetime JPH0652746B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60130893A JPH0652746B2 (ja) 1985-06-18 1985-06-18 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60130893A JPH0652746B2 (ja) 1985-06-18 1985-06-18 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61289652A JPS61289652A (ja) 1986-12-19
JPH0652746B2 true JPH0652746B2 (ja) 1994-07-06

Family

ID=15045174

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60130893A Expired - Lifetime JPH0652746B2 (ja) 1985-06-18 1985-06-18 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0652746B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02105418A (ja) * 1988-10-14 1990-04-18 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体装置
JP7309449B2 (ja) * 2018-06-29 2023-07-18 キヤノン株式会社 半導体素子、半導体素子の製造方法、及び液体吐出ヘッド

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5162666A (en) * 1974-11-13 1976-05-31 Suwa Seikosha Kk Handotaisochino seizoho
JPS5334466A (en) * 1976-09-10 1978-03-31 Mitsubishi Electric Corp Electrode construction of semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61289652A (ja) 1986-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03131044A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS6149819B2 (ja)
US4984056A (en) Semiconductor integrated circuit device
JPH05226339A (ja) 樹脂封止半導体装置
US20030151149A1 (en) Semiconductor device
JPH0652746B2 (ja) 半導体装置
JP4350321B2 (ja) 半導体素子のボンディングパッド構造体及びその製造方法
JP2674567B2 (ja) 半導体装置
EP0902468B1 (en) Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the device
JP2750859B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2002164381A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH0511661B2 (ja)
JP2622988B2 (ja) 半導体装置
JPH08306701A (ja) 半導体装置
JPH02129936A (ja) 半導体装置
JP2755032B2 (ja) 半導体装置
JPH05206198A (ja) 半導体装置
JP2806538B2 (ja) 集積回路装置
JP2819614B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH0536696A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS6232636A (ja) 半導体装置
JPS6114665B2 (ja)
JPH04192421A (ja) 半導体装置
JPH03116744A (ja) 半導体装置
JPH03203338A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
EXPY Cancellation because of completion of term