JPH0329333A - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPH0329333A
JPH0329333A JP1162539A JP16253989A JPH0329333A JP H0329333 A JPH0329333 A JP H0329333A JP 1162539 A JP1162539 A JP 1162539A JP 16253989 A JP16253989 A JP 16253989A JP H0329333 A JPH0329333 A JP H0329333A
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JP
Japan
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bonding
integrated circuit
semiconductor integrated
circuit device
bonding pads
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JP1162539A
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English (en)
Inventor
Noriaki Takagi
範明 高木
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に、半導体集
積回路装置におけるボールボンディングされるボンディ
ングパッドの形状に関する．従来の技術 従来、半導体集積回路装置のボンディングパッドは、ア
ルミニウム等の金属により正方形或いは長方形に形成さ
れ、この上に先端がボール状に形成された金線等のボン
ディングワイヤがボンディングされる．この場合、ボン
ディングバッドの方がボンディングワイヤの実際にボン
ディングされる部分より、大きいのが普通である． 発明が解決しようとする課題 従って、上述した従来のボンデイングパッドは、ボンデ
イングワイヤがボンデイングされた後に必ずボンディン
グパッドの露出部分が残るという欠点がある． また、前記露出部分をなくす為にカバー膜の開口部分を
ボンディングされる部分より小さくすると、ボンディン
グ時にカバー膜が破壊されるという欠点がある． 更に、従来のボンディングパッドは、ボンディングワイ
ヤとの接触面が平面である為に、その接着強度が弱いと
いう欠点がある． 従来におけるこの種のボンディングパッドの縦断面を第
４図に、平面を第５図に示す．第４図、第５図において
、１１は第１アルミニウム（以下第１アルミと略記する
）、ｌ２は眉間膜、ｌ３はカバー膜、ｌ５はボンディン
グワイヤ、１６は半導体集積回路装置の基板をそれぞれ
示し、１７はボンディングパッドの露出部分、ｌ８はボ
ンディングパッドとなる従来の第２アルミニウム（以下
第２アルミと略記する）をそれぞれ示している． 第４図、第５図から明らかなように、ボンディングパッ
ドとなる従来の第２アルミ１８とボンディングワイヤ１
５は、その接続面が平面である為に、接着強度が弱い．
また、ボンディングパッドの露出部分ｌ７がある為に、
耐湿性が非常に悪いという欠点がある． 本発明は従来の上記実情に鑑みてなされたものであり、
従って本発明の目的は従来の技術に内在する上記諸欠点
を解消することを可能とした新規な半導体集積回路装置
を提供することにある．発明の従来技術に対する相違点 上述した従来のボンディングパッドに対し本発明は、ボ
ンディング後にボンディングバッドの露出部分が残らな
いようにし、且つボンディングの接着強度を向上させる
という相違点を有する．課題を解決するための手段 前記目的を達成する為に、本発明に係る半導体集積回路
装置のボンディングパッドは、実際にボンゲイングされ
る部分より小さな環状に配置された複数個の金属配線層
で形成されている．即ち本発明は、ボンディングパッド
がボンデイングワイヤでボンデイングされた後ではその
ボンデイングバッドがボンデイングワイヤで全て覆われ
るようにボンディングバッドが形成されている．実施例 次に本発明を２Ｎアルミの半導体集積回路装置に適用し
た場合について図面を参照して具体的に説明する． 第１図は本発明による第１の実施例を示す縦断面図であ
り、第２図はその平面図である．第１図、第２図を参照
するに、１は第１アルミ、２は眉間膜、３はカバー膜、
４はボンデイングパッドとなる第２アルミで形成され環
状に配置された複数個の金属配線層（以下ボンデイング
バッドと呼ぶ）、５はボンディングワイヤをそれぞれ示
し、６は半導体集積回路装置の基板を示す． 第１図、第２図から明らかなように、ボンデイングバッ
ド４はボンディングワイヤ５に完全に覆われており、こ
の為に耐湿性が著しく向上する．また、ボンディングバ
ッド４はボンデイングワイヤ５に同心円状に食い込むよ
うな形で接続されている為に、接着強度が強く、更にど
の方向にボンディングワイヤ５を引っぱっても、その強
度は同じであるという強度の均一性がある． 第３図は本発明による第２の実施例を示す平面図である
． 第３図を参照するに、図中の番号は゛第２図と同じであ
る．この第２の実施例では、ボンデイングパッド４゛が
環状に形成され、且つ９０”ごとに切断されている為に
、ボンデイングワイヤ５への食い込みが第２図、第３図
に示した第１の実施例の場合より強くなっている．従っ
て、ボンデイングの接着強度が更に強くなるという利点
がある．発明の効果 以上説明したように、本発明によれば、ボンディングワ
イヤが実際にボンデイングされる部分において、その部
分より小さな環状に配置された金属配線層によってボン
ディングパッドが形成されることにより、ボンディング
後にボンディングバッドの露出部分がなくなる為に、耐
湿性が著しく向上するという効果が得られる． また、本発明によれば、ボンディングパッドがボンディ
ングワイヤに食い込むように接続される為に、その接着
強度が著しく向上するという効果が得られる． 更に本発明によれば、ボンディングパッドがボンディン
グワイヤに同心円状に食い込むように接続されている為
に、その接着強度に方向性がないという効果が得られる
．
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による第１の実施例を示す縦断面図、第
２図は第１図の平面図、第３図は本発明の第２の実施例
の平面図、第４図は従来の技術を示す縦断面図、第５図
は第４図の平面図である．１．１１・・・第１アルミ、
２，ｌ２・・・層間膜、３，ｌ３・・・カバー膜、４，
４゜・・・ボンディングパッドとなる第２アルミで形成
され環状に配置された金属配線層、５．１５・・・ボン
デイングワイヤ、６．１６・・・半導体集積回路装置の
基板、１７・・・ボンデイング１＜・ノドの露出部分、
ｌ８・・・ボンデイングノ＜・ノドとなる従来の第２ア
ルミ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ボンディングワイヤが実際にボンディングされる部分よ
    り小さな環状に配置された複数個の金属配線層によつて
    ボンディングパッドが形成されたことを特徴とする半導
    体集積回路装置。
JP1162539A 1989-06-27 1989-06-27 半導体集積回路装置 Pending JPH0329333A (ja)

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ID=15756535

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001041682A1 (fr) 1999-12-06 2001-06-14 Okamoto Industries, Inc. Preservatif
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KR20100118845A (ko) * 2009-04-29 2010-11-08 주식회사 동부하이텍 반도체 소자의 본딩 패드 구조 및 패드 형성 방법

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