JPS61200972A - 液晶化合物 - Google Patents
液晶化合物Info
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- JPS61200972A JPS61200972A JP4211685A JP4211685A JPS61200972A JP S61200972 A JPS61200972 A JP S61200972A JP 4211685 A JP4211685 A JP 4211685A JP 4211685 A JP4211685 A JP 4211685A JP S61200972 A JPS61200972 A JP S61200972A
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- formula
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- compound
- crystal compound
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、強誘電性カイラルスメクチック液晶化合物を
提供するものであって、該液晶化合物は、電界への応答
を利用した電気光学素子に使用される。
提供するものであって、該液晶化合物は、電界への応答
を利用した電気光学素子に使用される。
(本、発明の概要)
本発明は次式
%式%
〔式中mは0〜Bの整数、nは5〜14の整数を示し、
骨は不斉炭素原子であることを示す。〕で示される光学
活性な液晶化合物であって、室温を含む広い温度範囲で
カイラルスメクチック相を呈すると共に、化学的安定性
にもすぐれ、高い応答性を有し、更に他の各種液晶化合
物との混合性にもすぐれた液晶組成物である。
骨は不斉炭素原子であることを示す。〕で示される光学
活性な液晶化合物であって、室温を含む広い温度範囲で
カイラルスメクチック相を呈すると共に、化学的安定性
にもすぐれ、高い応答性を有し、更に他の各種液晶化合
物との混合性にもすぐれた液晶組成物である。
(従来の技術)
強誘電性を示す液晶化合物として、(s)−2−メチル
ブチルP−(P−n−デシロキシベンジリデンアミノ)
シンナメート(DOBAMBC)が知られている。この
シック塩基系列の液晶化合物が、強誘電性液晶の研究対
象とされ、種々の化合物が合成された。その1例として (!nH2n+1−G−OH=IJG−C!H=9 C
00C!、HzCHC!HsY 〔式中XはH,OIL、ON、 YはC12、(:!2
[5、斧は不素炭素原子を示す。〕 の一般式で示される化合物が知られている。
ブチルP−(P−n−デシロキシベンジリデンアミノ)
シンナメート(DOBAMBC)が知られている。この
シック塩基系列の液晶化合物が、強誘電性液晶の研究対
象とされ、種々の化合物が合成された。その1例として (!nH2n+1−G−OH=IJG−C!H=9 C
00C!、HzCHC!HsY 〔式中XはH,OIL、ON、 YはC12、(:!2
[5、斧は不素炭素原子を示す。〕 の一般式で示される化合物が知られている。
しかし、この系列の化合物はカイラルスメクチック相を
呈する温度が室温より高いため、室温では使えず、又シ
ック塩基系化合物であるため水分により分解を受は易い
などの欠点゛を有している。
呈する温度が室温より高いため、室温では使えず、又シ
ック塩基系化合物であるため水分により分解を受は易い
などの欠点゛を有している。
これらを改良するために考え出された化合物として、次
のものが知られている。
のものが知られている。
(Ferroexectriics 24巻、309頁
(1980))この系の化合物は、室温を含む広い温度
範囲に亘ってスメクチックC相を呈する化合物として注
目された。
(1980))この系の化合物は、室温を含む広い温度
範囲に亘ってスメクチックC相を呈する化合物として注
目された。
更に、B、工、オストロフスキーによって、式%式%
〔式中nは9又は10を示す。J
で表わされる化合物が、比較的室温に近い温度範囲でカ
イラルスメクチック相を呈すると報告されている。
イラルスメクチック相を呈すると報告されている。
又、Zaschke Horst、 5toole、
Re1nhardらによって式 %式% 〔式中mは1〜11.nは5〜8を示す。]で示される
化合物のいくつかがスメクチック相をこれらの中に、強
誘電性カイラルスメクチック液晶化合物は記載されてい
ない。
Re1nhardらによって式 %式% 〔式中mは1〜11.nは5〜8を示す。]で示される
化合物のいくつかがスメクチック相をこれらの中に、強
誘電性カイラルスメクチック液晶化合物は記載されてい
ない。
C本発明が解決しようとする問題点)
本発明によって提供される化合物は、
式〔1〕で示される新規な
〔式中mは0〜8の整数、nは5〜14の整数、畳は不
斉炭素原子を示す。J 強誘電性液晶化合物であって、室温を含む広い温度範囲
でカイラルスメクチク相を呈すると共に、化学的安定性
にもすぐれ、高い応答性を有し、更に他の各種液晶化合
物との混合性にも優れている。
斉炭素原子を示す。J 強誘電性液晶化合物であって、室温を含む広い温度範囲
でカイラルスメクチク相を呈すると共に、化学的安定性
にもすぐれ、高い応答性を有し、更に他の各種液晶化合
物との混合性にも優れている。
本発明はかかる液晶化合物を提供する。
(問題点を解決するための手段)
本発明によって提供される新規な強誘電性カイラルスメ
クチック液晶化合物は次のよう忙して造られる。即ち、 合成法1 ■ (nは5〜14の整数を示す) で示される化合物と式、 〔式中mは0〜8の整数を、畳は不斉炭素原子を示す。
クチック液晶化合物は次のよう忙して造られる。即ち、 合成法1 ■ (nは5〜14の整数を示す) で示される化合物と式、 〔式中mは0〜8の整数を、畳は不斉炭素原子を示す。
)
で示される化合物とを適宜洛中触媒を用いて反応させる
ことによって造られる。
ことによって造られる。
H3
〔式中m、nは前記と同じ」
ここにおいて用いられる溶媒としては、エチルの芳香族
系、酢酸エテルエステル、酢酸ブチルエステルなどのエ
ステル系、クロロホルム、ジクロロメタン、トリクロロ
エタンなどの710アルカン系などがあげられる。又、
使用される触媒とし、てはジシクロへキシルカルボジイ
ミド、1.1−カルボニルジイミダゾール1−エトキシ
カルボニル−2・−エトキシ−1,2−ジヒドロキノリ
ンなどがあげられ、ピリジン、ジメチルアミノピリジン
、トリエチルアミンなどの三級アミンを併用する。
系、酢酸エテルエステル、酢酸ブチルエステルなどのエ
ステル系、クロロホルム、ジクロロメタン、トリクロロ
エタンなどの710アルカン系などがあげられる。又、
使用される触媒とし、てはジシクロへキシルカルボジイ
ミド、1.1−カルボニルジイミダゾール1−エトキシ
カルボニル−2・−エトキシ−1,2−ジヒドロキノリ
ンなどがあげられ、ピリジン、ジメチルアミノピリジン
、トリエチルアミンなどの三級アミンを併用する。
反応は室温乃至溶媒の還流温度で、2〜24時間混合攪
拌することによって完了する。
拌することによって完了する。
合成法2
式
%式%(1)
〔nは5〜14の整数を示す。〕
で示される化合物と 式
〔mは0〜8の整数、Xはハロゲン原子、活性エステル
を示す。〕 で示される化合物とを溶媒の存在又は不存在で、〔式中
、m、n、Xは前記と同じ」 ここにおいて、式(5)で示される化合物におけるXで
示される基としては、クロル原子、ブロム原子、P−ニ
トロフェノキシ基エトキシカルボニルオキシ基々どであ
る。用いられる溶媒としては前記したもののほか、石油
エーテルヘキサンなども使用される。
を示す。〕 で示される化合物とを溶媒の存在又は不存在で、〔式中
、m、n、Xは前記と同じ」 ここにおいて、式(5)で示される化合物におけるXで
示される基としては、クロル原子、ブロム原子、P−ニ
トロフェノキシ基エトキシカルボニルオキシ基々どであ
る。用いられる溶媒としては前記したもののほか、石油
エーテルヘキサンなども使用される。
ピリジン、トリエチルアミン、ジメチルアニリン、ジメ
チルアミノピリジンなど三級アミンを使用して反応を好
適に進めることができる。
チルアミノピリジンなど三級アミンを使用して反応を好
適に進めることができる。
反応は水冷下乃至溶媒の還流温度で、2〜24時間混合
攪拌することによって完了する。
攪拌することによって完了する。
又、本発明によって提供される液晶化合物が1ケの不斉
炭素原子を有しているため、一対の光学的対称体が存在
する。これら対称体は本発明の目的化合物に包含される
ところ、その光学的性質は、原料として使用される式(
2)又は(3)で示される化合物において、いずれの体
称体を使用するかに従って、一義的に定まる。
炭素原子を有しているため、一対の光学的対称体が存在
する。これら対称体は本発明の目的化合物に包含される
ところ、その光学的性質は、原料として使用される式(
2)又は(3)で示される化合物において、いずれの体
称体を使用するかに従って、一義的に定まる。
(m−os n=11.脣不斉炭素)
(8) 5− n−9ソデシルオキシ−2−(4−(2
−メチルブチリルオキシ)フェニル」ピリミジンの合成
、 25−のフラスコに、(73)アミルアルコール(〔α
J!115.Q°(neat)より合成した2−メチル
酪酸(L328F、4−(5−n−ウンデシルオキシ−
A−ピリミジニル)フェノール1.IP、無水クロロホ
ルム8−94−ジメチルアミノピリジン。
−メチルブチリルオキシ)フェニル」ピリミジンの合成
、 25−のフラスコに、(73)アミルアルコール(〔α
J!115.Q°(neat)より合成した2−メチル
酪酸(L328F、4−(5−n−ウンデシルオキシ−
A−ピリミジニル)フェノール1.IP、無水クロロホ
ルム8−94−ジメチルアミノピリジン。
S、E+’−ジシクロへキシルカルボジイミドr1.6
62tを入れ、室温で一昼夜反応した。反応終了後、不
溶物をr別し、反応生成物をクロロホルム抽出した。有
機層は、水、2N塩酸、水で洗浄し乾燥後、有機溶媒を
留去した。得られた反応生成物をシリカゲルクロマトク
ラフィー、再結晶にて精製し、光学活性な5−n−ウン
デシルオキシ−2−(4−(2−メチルブチリルオキシ
)フェニルコビリミジンを収率70チで得た。
62tを入れ、室温で一昼夜反応した。反応終了後、不
溶物をr別し、反応生成物をクロロホルム抽出した。有
機層は、水、2N塩酸、水で洗浄し乾燥後、有機溶媒を
留去した。得られた反応生成物をシリカゲルクロマトク
ラフィー、再結晶にて精製し、光学活性な5−n−ウン
デシルオキシ−2−(4−(2−メチルブチリルオキシ
)フェニルコビリミジンを収率70チで得た。
144υ、 1 zzcse
a−Nwx (60MH2,0DO6s )δ(p
pm): &42 (s、 2 F()[40(d
、2H) 7.17((1,2EI) 4.40(t、2EI) 2.3〜2.8(m 、 I Fi )16〜2.
2(m、 29 H) 実施f112〜6 以下、下記(8)アミルアルコール〔〔αJ −ts−
5,8’ (neat)J より合成した(s)体の
アルキル酸とアルキルオキシピリミジニルフェノールを
用いて、実施例1と同様に操作を行ない目的化合物を得
た。
pm): &42 (s、 2 F()[40(d
、2H) 7.17((1,2EI) 4.40(t、2EI) 2.3〜2.8(m 、 I Fi )16〜2.
2(m、 29 H) 実施f112〜6 以下、下記(8)アミルアルコール〔〔αJ −ts−
5,8’ (neat)J より合成した(s)体の
アルキル酸とアルキルオキシピリミジニルフェノールを
用いて、実施例1と同様に操作を行ない目的化合物を得
た。
実施例7
(m=o 、 n=11 )
(R) −2−(4−(2−メチルブチリルオキシ)フ
ェニル) −5−(n−ウンデシルオキシ)ピリミジン
の合成 25−フラスコに4− (5−n−ウンデシル−2−ピ
リミジニル)フェノール1.71 f(Ft)−2−メ
チル酪酸(この化合物は、0.8chLLtz。
ェニル) −5−(n−ウンデシルオキシ)ピリミジン
の合成 25−フラスコに4− (5−n−ウンデシル−2−ピ
リミジニル)フェノール1.71 f(Ft)−2−メ
チル酪酸(この化合物は、0.8chLLtz。
W、 Marckvard、 Ber、 32 、10
92 (1899)及びtbta、ユ9,53(189
6)の光学分割の方法にエフ得られた。)α512、乾
燥酢酸エチルを入れ、溶解した後、N−N’−ジシクロ
へキシルカルボジイミド1.05 f、4−ジメチルア
ミノピロ9フ25 反応終了後、希塩酸で酸性とし、ハイフロス−バーセル
を用いて、不溶物tーF別し、F液を酢酸エチルで抽出
した。酢酸エチル層は、10%NaCIB、水で工〈洗
浄し、乾燥後、酢酸エチルを留去した。
92 (1899)及びtbta、ユ9,53(189
6)の光学分割の方法にエフ得られた。)α512、乾
燥酢酸エチルを入れ、溶解した後、N−N’−ジシクロ
へキシルカルボジイミド1.05 f、4−ジメチルア
ミノピロ9フ25 反応終了後、希塩酸で酸性とし、ハイフロス−バーセル
を用いて、不溶物tーF別し、F液を酢酸エチルで抽出
した。酢酸エチル層は、10%NaCIB、水で工〈洗
浄し、乾燥後、酢酸エチルを留去した。
得られた粗生取物をシリカゲルクロマトグラフィー、再
結晶にエフ、精製し1.2yの(B)−2−(4−(2
−メチルブチリルオキシ)フェニル〕−5−(n−ウン
デシルオキシ)ピリミジンを得た。
結晶にエフ、精製し1.2yの(B)−2−(4−(2
−メチルブチリルオキシ)フェニル〕−5−(n−ウン
デシルオキシ)ピリミジンを得た。
この化合物の旋四度は(d)、l5−12.83。
(0=1.80)101s )であった。
nu”1: 1 7 6 0 、 1 6 0 5 。
工・RI′max(o;’)
1552、1440。
12+30.1205。
1170、1125
1H−NMR (60MHz,0DC13 )δ(p
pm): (L7 〜425 (m,29)1)
2、26 〜2.97 (m,IH)4、13
(t,2)1)7、19
(d,2)1)α39 (d,2)1)
α45 (s,2)1) 実施例8 碩) −2−〔4−(2−メチルブチリルオキシ)フェ
ニル]−5−(n−オクチルオキシ)ピリミジンの合成 4 − ( 5 − n−オクチルオキシ−2−ピリミ
ジニル)フェノールを用いる他は、実施例7と同様に操
作な行ない(R)−2−[4−(2−メチルブチリルオ
キシ)フェニル]−5−(n−オクチルオキシ)ピリミ
ジンを得た。
pm): (L7 〜425 (m,29)1)
2、26 〜2.97 (m,IH)4、13
(t,2)1)7、19
(d,2)1)α39 (d,2)1)
α45 (s,2)1) 実施例8 碩) −2−〔4−(2−メチルブチリルオキシ)フェ
ニル]−5−(n−オクチルオキシ)ピリミジンの合成 4 − ( 5 − n−オクチルオキシ−2−ピリミ
ジニル)フェノールを用いる他は、実施例7と同様に操
作な行ない(R)−2−[4−(2−メチルブチリルオ
キシ)フェニル]−5−(n−オクチルオキシ)ピリミ
ジンを得た。
このものの旋光度はC 、3%! −1 a.0 7
( C=α78、cualg)であった。
( C=α78、cualg)であった。
■.R vmaxcrrr” : 1760,1
560。
560。
1445、1290。
12G5,1160。
1H NMR (60MH2,0DC13 )δ(
ppm): α65 〜2.15 (m,23H
)2、50 〜2.90 (m,1B)4、07
(t,2B)y.15
(d.2H) α53 (4.2B) α40 (日,1R) 本発明で使用されるアルキルオキシピリミジニルフェノ
ールは次の工うにして合成された。
ppm): α65 〜2.15 (m,23H
)2、50 〜2.90 (m,1B)4、07
(t,2B)y.15
(d.2H) α53 (4.2B) α40 (日,1R) 本発明で使用されるアルキルオキシピリミジニルフェノ
ールは次の工うにして合成された。
Et
0H。
アルコラード
(式中nは5〜14の整数を示す)
ここにおいて用いられるアルカリ金属はナトリウム、カ
リウムであり、アルコラードはナトリウムメチラート、
カリウムエチラート、ナトリウムエチラート、カリウム
メチラートである。また、グルスヤリャー試薬はジメチ
ルホルムアミドと塩化チオニル、トリクロロメチルホル
メートオキシ塩化リンなどから常法に従い遺られる。
リウムであり、アルコラードはナトリウムメチラート、
カリウムエチラート、ナトリウムエチラート、カリウム
メチラートである。また、グルスヤリャー試薬はジメチ
ルホルムアミドと塩化チオニル、トリクロロメチルホル
メートオキシ塩化リンなどから常法に従い遺られる。
更に、実権例1〜6液晶化合物の相転移@度及び−一軸
配向処理を施した2、5μmのセルに封入し、±20V
の電圧印カロで、直交ニコル下で測定した応答速度のデ
ータを以下にまとめる。
配向処理を施した2、5μmのセルに封入し、±20V
の電圧印カロで、直交ニコル下で測定した応答速度のデ
ータを以下にまとめる。
表 化合物の相転移温度及び応答速度
ここで、畳印は過冷却を示す。
ま九、実施例7.8はそれぞれ実施′例1,2と光学対
称体であり、ら旋の向きが逆であるだけでほぼ同じ特性
を示したので、データは省略した。
称体であり、ら旋の向きが逆であるだけでほぼ同じ特性
を示したので、データは省略した。
(本発明の効果)
上記の如く、本発明による新規液晶化合物は、室温ニジ
少し高い温度範囲でB C41相を有し、かつ速い応答
性を有する。そのため、多分割の動画表示パネルや高速
光学シャッター等の高速応答性が要求される分野での強
誘電性液晶表示素子用の液晶材料として有効であり一強
誘電性スメクチック液楳素子の実用化に大きく寄与する
ものである。
少し高い温度範囲でB C41相を有し、かつ速い応答
性を有する。そのため、多分割の動画表示パネルや高速
光学シャッター等の高速応答性が要求される分野での強
誘電性液晶表示素子用の液晶材料として有効であり一強
誘電性スメクチック液楳素子の実用化に大きく寄与する
ものである。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 式〔1〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔1〕 で示される光学活性な液晶化合物。 〔式中mは0〜8の整数、nは5〜14の整数を示し、
*は不斉炭素原子であることを示す。〕
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4211685A JPS61200972A (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | 液晶化合物 |
US06/830,530 US4725688A (en) | 1984-06-07 | 1985-05-30 | Liquid crystal compound |
DE8585902658T DE3577211D1 (de) | 1984-06-07 | 1985-05-30 | Fluessigkristallverbindung. |
PCT/JP1985/000302 WO1986000087A1 (en) | 1984-06-07 | 1985-05-30 | Liquid crystal compound |
EP85902658A EP0191860B1 (en) | 1984-06-07 | 1985-05-30 | Liquid crystal compound |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4211685A JPS61200972A (ja) | 1985-03-04 | 1985-03-04 | 液晶化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61200972A true JPS61200972A (ja) | 1986-09-05 |
JPH0430954B2 JPH0430954B2 (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=12626975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4211685A Granted JPS61200972A (ja) | 1984-06-07 | 1985-03-04 | 液晶化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61200972A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63165345A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-08 | Chisso Corp | 光学活性−2−メチル−アルカナ−ト類およびその利用物 |
JPH01104055A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-21 | Teikoku Chem Ind Corp Ltd | β−メチルアシロキシフェニルピリミジン誘導体 |
JPH01123890A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-16 | Chisso Corp | 強誘電性液晶組成物 |
US4867903A (en) * | 1986-03-10 | 1989-09-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Fluoroalkane derivative |
JPH0224388A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Canon Inc | 液晶組成物およびこれを含む液晶素子 |
US4904410A (en) * | 1987-03-31 | 1990-02-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Mesomorphic compound and liquid crystal composition containing same |
JPH1053770A (ja) * | 1985-05-24 | 1998-02-24 | Hoechst Ag | スメクチック液晶組成物 |
JP2007270551A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Chugoku Electric Power Co Inc:The | 埋設物標示装置 |
-
1985
- 1985-03-04 JP JP4211685A patent/JPS61200972A/ja active Granted
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1053770A (ja) * | 1985-05-24 | 1998-02-24 | Hoechst Ag | スメクチック液晶組成物 |
US4867903A (en) * | 1986-03-10 | 1989-09-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Fluoroalkane derivative |
JPS63165345A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-08 | Chisso Corp | 光学活性−2−メチル−アルカナ−ト類およびその利用物 |
US4904410A (en) * | 1987-03-31 | 1990-02-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Mesomorphic compound and liquid crystal composition containing same |
JPH01104055A (ja) * | 1987-10-05 | 1989-04-21 | Teikoku Chem Ind Corp Ltd | β−メチルアシロキシフェニルピリミジン誘導体 |
JP2581567B2 (ja) * | 1987-10-05 | 1997-02-12 | 帝国化学産業株式会社 | β−メチルアシロキシフェニルピリミジン誘導体 |
JPH01123890A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-16 | Chisso Corp | 強誘電性液晶組成物 |
JPH0224388A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Canon Inc | 液晶組成物およびこれを含む液晶素子 |
JP2007270551A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Chugoku Electric Power Co Inc:The | 埋設物標示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0430954B2 (ja) | 1992-05-25 |
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