JPS61199625A - 堆積膜形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は窒素を含有する堆積膜、とりわけ機能性膜、殊
に半導体デバイス、電子写真用の感光デバイス、画像入
力用のラインセンサー、撮像アノ４イスなどに用いる非
晶質乃至は結晶質の窒素を含有する堆積膜を形成するの
に好適な方法に関する。

〔従来技術〕

例えば、アモルファスシリコン膜の形成に＆ま、真空蒸
着法、プラズマＣＶＤ法、ＣＶＤ法、反厄性スノ４　ｙ
クリング法、イオングレーティング法、光ＣＶＤ法など
が試みられておシ、一般的には、プラズマＣＶＤ法が広
く用いられ、企業化されている。

両年らアモルファスシリコンで構成される堆積膜は電気
的、光学的特性及び、繰返し使用での疲労特性あるいは
使用環境特性、更には均一性、再現性を含めた生産性、
量産性の点において、更に総合的な特性の向上を図る途
地がある。

従来から一般化されているプラズマＣＶＤ法によるアモ
ルファスシリコン堆積膜の形成に於ての反応プロセスは
、従来のＣＶＤ法に比較してかなり複雑であり、その反
応機構も不明な点が少なくなかった。又、その堆積膜の
形成ａＪ？ラメーターも多く、（例えば、基板温度、導
入ガスの流量と比、形成時の圧力、高周波電力、電極構
造、反応容器の構造、排気速度、プラズマ発生方式など
）これら多くのノやラメータの組合せによるため、時に
はプラズマが不安定な状態になり、形成された堆積膜に
著しい悪影響を与えることが少なくなかった。そのうえ
、装置特有のパラメータを装置ごとに選定しなければな
らず、したがって製造条件を一般化することがむずかし
いのが実状であった。一方、アモルファスシリコン膜と
して電気的、光学的、′光導電的乃至は機械的特性の夫
々を十分に満足させ得るものを発現させるためには、現
状ではプラズマＣＶＤ法によって形成することが最良と
されている。

百年ら、堆積膜の応用用途によっては、大面積化、膜厚
均一化、膜品質の均一性を十分満足させ、しかも高速成
膜によって再現性のある量産化を図ねばならないため、
プラズマＣＶＤ法によるアモルファスシリコン堆積膜の
形成においては、量産装置に多大な設備投資が必要とな
り、またその量産の為の管理項目も複雑になって、管理
許容幅も狭くなシ、装置の調整も微妙であることから、
これらのことが、今後改善すべき問題点として指摘され
ている。他方、通常のＣＶＤ法による従来の技術では、
高温を必要とし、実用可能な特性を有する堆積膜が得ら
れていなかった。

上述の如く、アモルファスシリコン膜の形成に於て、そ
の実用可能な特性、均一性を維持させながら、低コスト
な装置で量産化できる形成方法を開発することが切望さ
れている。これ等のことは、他の機能性膜、例えば窒化
シリコン膜、炭化シリコン膜、酸化シリコン膜に於ても
同様なことがいえるＯ 本発明は、上述したプラズマＣＶＤ法の欠点を除去する
と共に、従来の形成方法によらない新規な堆積膜形成法
を提供するものである。

〔発明の目的及び概要〕

本発明の目的は、形成される膜の緒特性、成膜速度、再
現性の向上及び膜品質の均一化を図りながら、膜の大面
積化に適し、膜の生産性の向上及び量産化を容易に達成
することのできる堆積膜形成法を提供することにある。

上記目的は、基体上に堆積膜を形成する為の成膜空間内
に、炭素とハロゲンを含む化合物を分解することにより
生成される活性種囚と、該活性種（４）と化学的相互作
用をする、ａ：＠用の窒累含有化合物より生成される活
性様の）とを夫々別々に導入し、これらに放電エネルギ
ーを作用させて化学反応させる事によって、前記基体上
に堆積膜を形成する事を特徴とする本発明の堆積膜形成
法によって達成される。

〔笑施態様〕

本発明方法では、成膜原料ガスを励起し反応させるため
のエネルギーとして、プラズマなどの活性化雰囲気を形
成し得る放電エネルギーを用いるが、炭素とハロゲンを
富む化合物を分解することにより生成される活性植体）
と成膜用の化学物質より生成される活性種（Ｂ）との共
存下に於いて、これらに放電エネルギーを作用させるこ
とにょシ、これ等による化学的相互作用を生起させ、或
いは促進、増幅させるため、従来と比べて低い放電エネ
ルギーによって成膜が可能となシ、形成される堆積膜は
、エツチング作用、或いはその他の例えば異常放電作用
などによる悪影曽を受ける可能性が極めて少ない。

又、本発明によれば、成膜空間の雰囲気温度、基体温度
を所望に従って任意に制御することにより、より安定し
たＣＶＤ法とすることができる。

また、本発明において、所望により、放電エネルギーに
加えて、元エネルギー及び／又は熱エネルギーを併用す
ることができる。光エネルギーは、適宜の光学系を用い
て基体の全体に照射することができるし、あるいは所望
部分のみに選択的制御的に照射することができるため、
基体上における堆積膜の形成位置及び膜厚等を制御し易
くすることができる。また、熱エネルギーとしては、光
エネルギーから転換された熱エネルギーを使用すること
もできる。

本発明の方法が従来のＣＶＤ法と違う点の１つは、あら
かじめ成膜空間とは異なる空間（以下、活性化空間とい
う）ＩＣ於いて活性化された活性種を使うことである。

このことにより、従来のＣＶＤ法により成膜速度を飛躍
的に伸ばすことができ、加えて堆積膜形成の際の基体温
度も一層の低温化を図ることか可能になり、膜品質の安
定した堆積膜を工業的に大量に、しかも低コストで提供
できる。

本発明では、成膜空間に導入される活性化空間（Ａ）か
らの活性種（４）は、生産性及び取扱い易さなどの点か
ら、その寿命が０．１秒以上、より好ましくは１秒以上
、最適には１０秒以上あるものが、所望に従って選択さ
れて使用され、この活性種（Ａ）の構成要素が成膜空間
で形成させる堆積膜を構成する成分を構成するものとな
る。又、成膜用の化学物質は、活性化空間（Ｂ）に於い
て活性エネルギーを作用されて活性化されて、成膜空間
に導入され、堆積膜を形成する際、同時に活性化空間（
４）から導入され、形成される堆積膜の構成成分となる
構成要素を含む活性種に）と化学的に相互作用する。そ
の結果、所望の基体に所望の堆積膜が容易に形成される
。

本発明において、活性化空間（４）に導入される炭素と
ハロダンを含む化合物としては、例えば鎖状または環状
炭化水素の水素原子の一部乃至全部をハロゲン原子で置
換した化合物が用いられ、具体的には、例えば、ＣｕＹ
２ｕ＋２（ｕは１以上の整数、ＹはＦ、Ｃｔ、Ｂｒ又は
■である。）で示される鎖状ハロダン化炭素、ＣｖＹ２
　ｖ　（ｖは３以上の整数、Ｙは前述の意味を有する。

）で示される環状ノ・ロダン化炭素、Ｓ　ｉ　ｕＨｘＹ
ｙ　（ｕ及びＹは前述の意味を有する。ｚ＋ｙ＝２ｕ又
は２ｕ＋２である。）で示される鎖状又は環状化合物な
どが挙げられる。

具体的には、例えばＣＦ４．　（ＣＦ２）５．　（ＣＦ
２）６．（Ｃ１”２）４゜Ｃ２Ｆ６．　Ｃ，Ｆ８．　Ｃ
ＨＦ３．　Ｃｌ２Ｆ２．　ＣＣｌ２．　（ＣＣｌ２）５
．　ＣＢｒ４゜（ＣＢｒ２）５．　Ｃ２Ｃｔ６．　Ｃ２
Ｃｔ３Ｆ３などのガス状態の又は容易にガス化し得るも
のが挙げられる。

また本発明においては、前記炭素と７１０グンを含む化
合物を分解することにより生成する活性種に加えて、夛
イ累と・・ログンを含む化合物を分解することにより生
成する活性種を併用することができる。

このケイ素とハロゲンを含む化合物としては、例えば鎖
状または環状シラン化合物の水素原子の一部乃至全部を
ノ・ロダン原子で置換した化合物が用いられ、具体的に
は、例えば”ｕｚ２ｕ＋２（ｕは１以上の整数、２はｌ
ｃｔ＊Ｂｒ及びＩより選択される少なくとも一株の元素
である。）で示される鎖状ハロゲン化ケイ素、５１ｖｚ
２ｖ（マは３以上の整数、２は前述の意味を有する。）
で示される環状ハロゲン化ケイ素、Ｓ　１ｕＨｘＺｙ　
（ｕ及び２は前述の意味を有する。ｘ　＋　ｙ　＝　２
　ｕ又は２ｕ＋２である。）で示される鎖状又は環状化
合物などが挙げられる。

具体的ニハ、例工ｔｆ　５ＩＦ４．　（ＳｉＦ２）５．
　（ＳｉＦ２）６　。

（ＳｉＦ２）４．　Ｓｉ２Ｆ６．　Ｓｉ、Ｆ８．５ｉＨ
Ｆ、　、　５ＩＨ２Ｆ２．５ｉＣ２４゜（ＳｉＣｌ２）
５．　ＳｉＢｒ４．　（ＳｉＢｒ２）５．５ｉ２Ｃｔ６
．８１２Ｂｒ６゜５ｉＨＣｔ３．５ｉＨＢｒ３．５ｉＨ
Ｉ３．５１２Ｃｔ３Ｆ、などのがス状態の又は容易にガ
ス化し得るものが挙げられる。

活性種（４）を生成させるためには、前記炭素とハロゲ
ンを含む化合物（及びケイ素とハロゲンを含む化合物）
に加えて、必要に応じてケイ素単体等他のケイ含有素化
合物、水素、ハロゲン化合物（例えばＦ　ガス、ｃｔ２
がス、ガス化したＢｒ２．　Ｉ２等）などを併用するこ
とができる。

本発明において、活性化空間囚及び０）で活性種（４）
及び（Ｂ）を夫々生成させる方法としては、各々の条件
、装置を考慮してマイクロ波、ＲＦ、低周波、ＤＣ等の
電気エネルギー、ヒータ加熱、赤外線加熱等による熱エ
ネルギニ、光エネルギーなどの活性化エネルギーなどの
活性化エネルギーが使用される。

本発明で使用する活性種（Ｂ）を生成する窒素含有化合
物は、活性化空間（Ｂ）に導入される以前に既に気体状
態となっているか、あるいは気体状態とされて導入され
ることが好ましい。例えば液状及び固状の化合物を用い
る場金、化合物供給源に適宜の気化装置を接続して化合
物を気化してから成膜空間に導入することができる。

窒素含有化合物としては、窒素と窒素以外の原子の１橿
又は２ｆｌ［以上とを構成原子とする化合物が挙げられ
る。前記窒素以外の原子としては、水素（Ｈ）、ハログ
ｙ　（Ｘ　＝Ｆ、　Ｃ１％Ｂｒ又は工）、イオウ（Ｓ）
、炭素（Ｃ）、酸素（０）、リン（Ｐ）、ケイ素（Ｓｉ
）　、ｙルーｒ　ニウム（Ｇｏ）、ホウ素（Ｂ）、アル
カリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属等がちり、この
他周期律表各族に属する元素の原子のうち窒素と化合し
得る原子であるならば使用することができる。

因みに、例えばＮとＨを含む化合物としては、ＮＨ，、
ＮＨ４Ｎ、　、　Ｎ２Ｈ５Ｎ、　、　Ｈ２ＮＮＨ２、第
１乃至第３アミン、このアミンのハロゲン化物、ヒドロ
キシルアミン等、ＮとＸを含む化合物としては、Ｎ３Ｘ
、　Ｎ２Ｘ２゜ＮＸ３等、ＮＯＸ　、　Ｎｏ２Ｘ　、　
Ｎｏ、Ｎ４等、Ｎ、！：Ｓを含む化合物としては、Ｎ４
Ｓ４．Ｎ２５５等、ＮとＣを含む化合物としては、ＨＣ
Ｎ及びシアン化物、ＨＯＣＮ及びこの塩、Ｈ８ＣＮ及び
この塩等、Ｎと０を含む化合物としては、Ｎ２０　、Ｎ
Ｏ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ５１Ｎ２０４　ｍ　Ｎ２Ｏ５、Ｎｏ
３等、ＮとＰを含む化合物としては、Ｐ、Ｎ５．　Ｐ２
Ｎ、　、　ＰＮ等、この他にトリエチルシラダン（Ｃ２
Ｈ５）、５ＩＮＨ２，ヘキサメチルジシラザン（（ＣＨ
３）、８１３２ＮＨ、ヘキサエチルジシラザン〔（Ｃ２
Ｈ５）３Ｓｌ〕２ＮＨ等のオルガノシラダン。

トリメチルシリコンイソシアナー）　（Ｃ）Ｉ、）、５
ｉＮＣＯ。

ソメチルシリコンジイソシアナー）　（ＣＭ、）２Ｓｉ
（ＩＣｏ）２等のオルガノシリコンイソシアナート、ト
リメチルシリコンインチオシアナー）　（ＣＨｓ）ｓｓ
ｉＮｃｓ等のオルガノシリコンインチオシアナート等々
が挙げられ箋が、本発明で使用する窒素含有化合物は、
本発明の目的達成に適合するのであれば、これ等に必ず
しも限定される訳ではない。

これらの窒素含有化合物は、１株を使用しても、あるい
は２種以上を併用してもよい。

本発明では、成膜空間に導入される活性化空間の）から
の活性１ＩＣＢ）は、生産性及び取扱い易さなどの点か
ら、その寿命が０．１秒以上、より好ましくは１以上、
最適には１０秒以上あるものが、所望に従って選択され
て使用される。

本発明において、窒素含有化合物の他に、成膜の丸めの
原料として水素ガス、ハロゲン化合物（例えばＦ２ガス
、ｃｔ２ガス、ガス化したＢ　ｒ　２、Ｉ２等）、アル
コ９ン、ネオン等の不活性ガス、また堆積膜形成用の原
料としてケイ素含有化合物、炭素含有化合物、ｒルマニ
ウム含有化合物、酸素含有化合物などを活性化空間（Ｂ
）に導入して用いることもできる。これらの原料ガスの
複数を用いる場合には、予め混合して活性化空間（Ｂ）
内に導入することもできるし、あるいはこれらの原料ガ
スを夫々独立した供給源から各個別に供給し、活性化空
間（Ｂ）に導入することもできるし、又、夫々独立の活
性化空間に導入して、夫々個別に活性化することも出来
る。

堆積膜形成用の原料となるケイ素含有化合物としては、
ケイ素に水素、ハロゲンなどが結合したケイ素化合物を
用いることができる。とりわけ鎖状及び環状のシラン化
合物、この鎖状及び環状のシラン化合物の水素原子の一
部又は全部をハロダン原子で置換した化合物などが好適
である。

具体的には、例えば、５ｉｎ４．５１２Ｈ６，５ｔ３Ｈ
８，５１４Ｈ１゜、５ｉ５Ｉ（，２、Ｓ、１６Ｈ１４等
のＳ　ｉ　、Ｈ２，＋□（ｐは１以上好ましくは１〜１
５、より好ましくは１〜１０の整数である。）で示され
る直鎖状シラン化合物、ＳｉＨ，５ｉＨ（ＳｉＨ，）Ｓ
ｉＨ，、５ｉＨ５ＳｉＨ（ＳｉＨ，）８１３Ｈ，、Ｓｌ
　２Ｈ５ＳＩＨ（ＳｔＨ，）Ｓｔ　２Ｈ５等のＳｔ、Ｈ
２，＋２ＣＰは前述の意味を有する。）で示される分岐
を有する鎖状シラン化合物、これら直鎖状又は分岐を有
する鎖状のシラン化合物の水素原子の一部又は全部ヲノ
・ログン原子で置換し走化合物、５ｉ３Ｈ６，５ｉ４Ｈ
８゜５１５Ｈ１゜、５１６Ｈ４２等の８１．Ｈ２９（ｑ
は３以上、好ましく＃ｉ３〜６の整数である。）で示さ
れる環状シラン化合物、該環状シラン化合物の水素原子
の一部又は全部を他の環状シラニル基及び／又は鎖状シ
ラニル基で置換した化合物、上記例示したシラン化合物
の水素原子の一部又は全部をノ・ロｒ７原子で置換した
化合物の例として、ＳｉＨ，Ｆ’　、　５ｉＨ３Ｃ２，
５ｉＨ３Ｂｒ　：　５ｉＨ６Ｉ等の５ｔｒＨ３Ｘ、　（
Ｘはハロゲン原子、ｒは１以上、好ましくは１〜１０、
より好ましくは３〜７の整数、ａ＋ｔ＝２ｒ＋２又は２
ｒである。）で示されるハロゲン置換鎖状又は環状シラ
ン化合物々どである。これらの化合物は、１穐を使用し
ても２種以上を併用してもよい。

また、堆積膜形成用の原料となる炭素含有化合物として
は、鎖状又は環状の飽和又は不飽和炭化水素化合物、炭
素と水素を主構成原子とし、この他ケイ素、ハロゲン、
イオウ等の１種又は２種以上を構成原子とする有機化合
物、炭素水素基を構成分とする有機ケイ素化合物などの
うち、気体状態のものか、容易に気化し得るものが好適
に用いられる。

このうち、炭化水素化合物としては、例えば、炭素数】
〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水
素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等、具体的に
は、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＩ（３）、エタン
（Ｃ２Ｈ６）、プロノ母ン（Ｃ、Ｈ８）、ｎ−ブタン（
ｎ　−Ｃ４Ｈ１０）、（メタン（Ｃ５Ｈ７２）、エチレ
ン系炭化水素としてはエチレン（０２Ｈ４）、プロピレ
ン（Ｃ，Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）、ブテン−２
（Ｃ’４Ｈ８）　、イソブチレン（Ｃ４Ｈ８）　、ペン
テン（Ｃ５Ｈ１゜）、アセチレン系炭化水素としてはア
セチレン（Ｃ２Ｈ２）　、メチルアセチレン（Ｃ，Ｈ４
）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられる。

また、有機ケイ素化合物としては、（ｃｕ、）４ｓｔ、
Ｃｆ（，８１ＣＡ、　、　（ＣＨ３）２５ＩＣ２２，（
ｃｕ、）、５ｔｃｚ、Ｃ２Ｈ５５ｉＣ２３等のオルガノ
クロルシラン、ＣＨ，５ｉＦ２Ｃｔ、ＣＨ３５ｉＦＣｔ
２、（ＣＨ３）２５ｉＦＣ２％　Ｃ２Ｈ５５ＩＦ２Ｃ２
゜Ｃ２Ｈ５５ｉＦＣ２２、Ｃ，Ｈ，５ｉＦ２ＣＡ、　Ｃ
３Ｈ，８１ＦＣ２２等のオルガノクロルフルオルシラン
、（（ＯＨ，）、５Ｌ）２゜［（Ｃ，ｕ、）３ｓｓ　］
２　　等のオルガノジシラデｙなどが好適に用いられる
。

これらの炭素含有化合物は、１種用いても２種以上を併
用してもよい。

また堆積膜形成用の原料となるダルマチウム含有化合物
としては、ゲルマニウムに水素、ノ・口ｒンあるいは炭
化水素基などが結合し九無機乃至は有機のダルマニウム
化合物を用いることができ、例えばＧａ、Ｈｌ、　（ｔ
ｒは１以上の整数、ｂ＝　２　ｍ　＋　２又は２ａであ
る。）で示される鎖状乃至は環状水素化グルヤニ９ム、
この水素化ゲルマニウムの重合体、前記水素化ゲルマニ
ウムの水素原子の一部乃至は全部ｔノ・ログ／原子で置
換し良化合物、前記水素化ゲルマニウムの水素原子の一
部乃至は全部を例えばアルキル基、アリール基の等の有
機基及び所望によりハロゲン原子で置換した化合物等の
有機ゲルマニウム化合・物、その他ゲルマニウムの硫化
物、イミド等を挙げることができる。

具体的には、例えばＧ　ｅ　Ｈ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｏ　
ｓＨａ、ｎ　−Ｇｏ　Ｈｔ＠ｒｔ−酸素含有化合物とし
ては、４　１α　１ ０□、０３並びに酸素と酸素以外の原子の１種又は２種
以上とを構成原子とする化合物が挙げられる。

前記酸素以外の原子としては、水素（Ｈ）、ノ・ログン
（Ｘ＝Ｆ、　Ｃ１％Ｂｒ又は■）、イオウ（Ｓ）、炭素
（Ｃ）、ケイ素（ｓｔ）、ゲルマニウム（Ｇ・）、リン
（Ｐ）、ホウ素ＣＢ）、アルカリ金属、アルカリ土類金
属、遷移金属等があり、この他周期律名族に属する元素
の原子のうち酸素と化合し得る原子であるならば使用す
ることが可能である。

因みに、例えばＯとＨを含む化合物としては、Ｈ２０等
、０とＳを含む化合物としてはＳＯ□、　ＳＯ，等の酸
化物類、０とＣを含む化合物としては、Ｃ０１ＣＯ□等
の酸化物等、０と８１を含む化合物としては、ノシロキ
サン（ＨｓＳ　ｓ　Ｏ８ｉ　Ｈｓ　）、トリシロキサン
（Ｈ，５ｉＯ８ｉＨ２０ＳｉＨ３）等のシロΦサン類、
シアスト中シジメチルシラン（ＣＨ，）２Ｓｔ（ＯＣＯ
ＣＨ，）２、トリアセト中７メチルシランＣＨｘＳ１（
ＯＣＯＣＨ３）３４のオルガノア七トキシシラン類、メ
トキシトリメチルシラン（ＣＨ，）、５ｉＯＣＨ，、ジ
メト中シジメチルシラン（ＣＨ３）２５置（ＯＣＲ，）
２、トリメト中ジメチルシランＣＨ，５ｌ（ＯＣＲ５）
、等のフルキルアルコキシシラン類、トリメチルシラノ
ール（ＣＨ，）、５１０Ｈ、ジメチルフェニルシラノー
ル（ＣＨ３）２（Ｃ６１（５）Ｓ曇ＯＨ、ジエチルシラ
ンジオール（Ｃ２Ｈ３）２Ｓ　ｉ　（ＯＨ）　２等のオ
ルガノシラノール類、等、０とＧａ　ｆ含む化合物とし
ては、Ｇｅの酸化物類、水酸化物類、グルマユ９ム酸類
、ＨｓＧｅ　ＯＧ　ａＫｓ、ＨｓＧ　ｅＯＧ＠Ｈ２０Ｇ
ｅ　Ｈｓ等の有機ゲルマニウム化合物が挙げられるが、
本発明で使用する酸素含有化合物は、本発明の目的達成
に適合するのであればこれ等に限定されることはない。

これ等の他に場合によってはＮ２．／／スを使用するこ
とも出来る。

本発明において、成膜空間に導入される前記活性種（Ａ
）と前記活性種（Ｂ）との量の割合は、堆積条件、活性
種の種類などで適宜所望に従って決められるが、好まし
くは１０：１〜１：１０（導入流量比）が適当でめり、
より好ましくＦｉ８　：　２〜４：６とされるのが望ま
しい。

また本発明の方法により形成される堆積膜は、成膜中又
は成膜後に不純物元素でドーピングすることが可能であ
る。使用する不純物元素としては、ｐ型不純物として、
周期体表第１族または本発明の方法により形成される堆
積膜は、成膜中又は成膜後に不純物元素でドーピングす
ることが可能である。使用する不純物元素としては、ｐ
型不純物として、周期律表第１族Ａの元素、例えばＢ、
Ａｔ。

Ｇａ　、　Ｉｎ　、　Ｔｔ等が好適なものとして挙げら
れ、ｈ型不純物としては、周期律表第Ｖ族Ａの元素、例
えばＰ　、　Ａｓ　、　Ｓｂ　、　Ｂｉ等が好適なもの
として挙げられるが、特にＢ　＊　Ｇａ　＋　Ｐ　＊　
Ｓｂ等が最適である。

“　ドーピングされる不純物の量は、所望される電気的
・光学的特性に応じて適宜決定される。

かかる不純物元素全成分として含む物質（不純物導入用
物質）としては、常温常圧でガス状態であるから、ある
いは少なくとも活性化条件下で気体であり、適宜の気化
装置で容易に気化し得る化合物を選択するのが好ましい
。この様な化合物としては、ＰＨ、Ｐ　Ｈ、ＰＦ５　、
　ＰＦ５．　ＰＣｌ５．　ＡｓＨ２゜ＡｓＦ５　、　Ａ
ｓＦ５．　Ａｔ５Ｃ１３，ＳｂＨ，、ＳｂＦ５．　Ｓｉ
Ｈ，。

ＢＦ、　、　ＢＯ２，、ＢＢｒ３　、　Ｂ２Ｈ６，Ｂ４
Ｈ，。、　８５）１？　。

Ｂ５Ｈ１１’　Ｂ６Ｈ１゜、　Ｂ６Ｈ，２，ＡｔＣ１，
等を挙げることができる。不純物元素金倉む化合物は、
１種用いても２種以上併用してもよい。

不純物導入用物質は、活性化空間（Ａ）又は／及び活性
化空間ＣＢ）に、活性種（Ａ）及び活性種ＣＢ）の夫々
を生成する各物質と共に導入されて活性化しても良いし
、或いは、活性化空間（Ａ）及び活性化空間ＣＢ）とは
別の第３の活性化空間（Ｃ）に於いて活性化されても良
い。不純物導入用物質を活性化するには、活性種（Ａ）
及び活性種（Ｂ）　を生成するに列記された前述の活性
化エネルギーを適宜選択して採用することが出来る。不
純物導入用物質を活性化して生成される活性［（ＰＮ）
は活性種（Ａ）又は／及び活性種ＣＢ）と予め混合され
て、又は、独立に成膜空間に導入される。

次に本発明方法によって形成され石電子写真用像形成部
材の典型的な例を挙げて本発明を説明づる。

第１図は本発明によって得られる典型的な電子写真用像
形成部材としての光導電部材の構成例を説明するための
模式図である。

第１図に示す光導電部材１０は、電子写真用像形成部材
として適用させ得るものであって、光導電部材用として
の支持体１１の上に、必要に応じて設けられる中間層１
２、及び感光層１３で構成される層構成を有している。

光導電部材１０の製造に当っては、中間層１２又は／及
び感光層１３を本発明の方法によって作成することが出
来る。更に、光導電部材１０が感光層１３の表面を化学
的、物質的に保護する為に設けられる保護層、或いは電
気的耐圧力を向上させる目的で設けられる下部障壁層又
は／及び上部障壁層を有する場合には、これ等を本発明
の方法で作成することも出来る。

支持体１１としては、導電性でも電気絶縁性であっても
良い。導電性支持体としては、例えばＮｉＣｒ　、ステ
ンレス、Ａｔ、Ｃｒ９Ｍ０１ＡｕｌＩｒ。

Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ　、　ＴＬ　、　Ｐｔ　、　Ｐ
ｄ等の金属又はコレ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーざネート、セルローズアセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、／リ
スチレン、／リアミド等の合成樹脂のフィルム又はシー
ト、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。これ
らの電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一方
の表面が導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。

例えばガラスであれば、その表面がＮｉＣｒ　、　ＡＬ
　。

Ｃｒ　ｒ　Ｍｏ　、　Ａｕ　＋　Ｉｒ　ｒ　Ｎｂ　＊　
Ｔａ　、　Ｖ　、　ＴＩ　＊　Ｐｔ　＊Ｐｂ　、　　Ｉ
ｎ２Ｏ，、５ｎ０２　　、　ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ，＋　５
ｎＯ２）等の薄膜を設けることによって導電処理され、
あるいは、／　ＩＪエステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルムであれば、ＮｌＣｒ　＊　Ａｔ　、　Ａｇ　＋　Ｐ
ｂ　、Ｚｎ　、　Ｎｉ　ｌＡｕ　＋Ｃｒ　、　Ｍｏ　、
　Ｉｒ　、　Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　　、
　Ｐｔ等の金属で真空蒸着、電子ビーム蒸着、スフ４ツ
タリング等で処理し、又は前記金属でラミネート処理し
て、その表面が導電処理される。支持体の形状としては
、円筒状、ベルト状、板状等、任意の形状とし得、所望
によって、その形状が決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１０を電子写真用像形成部材として、使用す
るのであれば、連続高速複写の場合には無端ベルト状又
は円筒状とするのが型筒しい。

中間層１２には、例えば支持体１１の側から感光層１３
中へのキ、　＋７７の流入を効果的に阻止し且つ電礎波
の照射によって感光層１３中に生じ、支持体１１の側に
向って移動するフォトキャリアの感光層１３の側から支
持体１１の側への通過を容易に許す機能を有する。

この中間層１２ｔ１．例えば、本発明方法で作成するの
であれば、シリコン原子、窒素原子、炭素原子、必要に
応じて、酸素原子、水素原子（Ｈ）及び／又はハロゲン
原子（Ｘ）を構成原子として含む非結晶質材料（以下、
ａ　−５ｉＮＣ（０、Ｈ、Ｘ）と記す。）で構成される
と共に、場合によっては電気伝導性を支配する物質とし
て、例えばホウ素ＣＢ）等のｐ型不純物あるいはリンＣ
Ｐ）等のｐ型不純物が含有される。又、膜の機能性の拡
大を計る目的でｒルマニ、ラム原子を含有させることも
出来る。

本発明に於て、中間層１２中に含有されるＢｌＰ等の伝
導性を支配する物質の含有量としては、好適には、０．
００１〜５Ｘ　１０　’　ａｔｏｍｌｃ　ｐｐｍ　、よ
り好適には０．５〜Ｉ　Ｘ　ｌ　Ｏ’　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ、最適には１〜５Ｘ１０　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍとされるのが望ましい。

中間層１２が感光層１３と構成成分が類似、或いは同じ
である場合には中間層１２の形成は、中間層１２の形成
に続けて感光層１３の形成まで連続的に行なうことがで
きる。その場合には、中間層形成用の原料として、活性
化空間（Ａ）で生成された活性種（Ａ）と、活性化空間
（Ｂ）Ｋ導入された成膜用の窒素含有化合物より生成さ
れる活性種（Ｂ）と必要に応じて不活性ガス及び不純物
元素を成分として含む化合物のガス等から生成された活
性種（Ｂ）とを夫々別々に或いは適宜必要に応じて混合
して支持体１１の設置しである成膜空間に導入して、放
電エネルギーを用いることにより、前記支持体１１上に
中間層１２を形成させればよい。

中間層１２を形成させる際に活性化空間（Ａ）Ｋ導入さ
れて活性種（Ａ）を生成する炭素とハロゲンを含む化合
物としては、例えば容易にＣＦ；の如き活性種を生成す
る化合物を前記の中の化合物より選択するのがより望ま
しい。また、同様にケイ素とハロゲンを含む化合物とし
ては、例えば容易Ｋ　ＳｉＦ２＊の如き活性種を生成す
る化合物を前記の中の化合物より選択するのがより望ま
しい。

中間層１２の層厚は、好ましくは、３０Ｘ〜１０μ、よ
り好適には４０Ｘ〜８μ、最適には５０Ｘ〜５μとされ
るのが望ましい。

感光層１３は、例えばシリコン原子を母体とし水素原子
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子とする非晶質
材料（以後ｒＡ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）Ｊと云う）で構成され
、レーザー光の照射によってフォトキャリアを発生する
電荷発生機能と、該電荷を輸送する電荷輸送機能の両機
能を有する。

感光層１３の層厚としては、好ましくは、１〜１００μ
、より好適には１〜８０μ、最適には２〜５０μとされ
るのが望ましい。

感光層１３はノンドープのＡ−８ｔ　（Ｈ、Ｘ）層であ
るが、所望により中間層１２に含有される伝導特性を支
配する物質の極性とは別の極□゛性（例えばｎ型）の伝
導特性を支配する物質を含有させてもよいし、あるいは
、同極性の伝導特性を支配する物質を、中間層１２に含
有される実際の量が多い場合には、該量よりも一段と少
ない景にして含有させてもよい。

感光層１３の形成の場合も、本発明の方法によって成さ
れるものであれば中間層１２の場合と同様に、活性化空
間（Ａ）に炭素とハロゲンを含む化合物及びこれとは別
にケイ素とハロゲンを含む化合物が導入され、高温下で
とれ等を分解することにより、或いは放電エネルギーや
光エネルギーを作用させて励起することで活性種（Ａ）
が生成され、該活性種（Ａ）を成膜空間に導入し、放電
エネルギーを用いることにより、前記支持体１１上に感
光層１３を形成すればよい。

第２図は、本発明方法を実施して作製される不純物元素
でドーピングされた堆積膜を利用したＰＩＮ型ダイオー
ド・デバイスの典型例を示した模式図である。

図中、２１は基体、２２及び２７は薄膜電極、２３は半
導体膜であり、ｎ型の半導体層２４、ｌ型の半導体層２
５、ｐ型の半導体層２６によって構成される。半導体層
２４，２５．２６のいずれか一層の作成に本発明を適用
することが出来る妙ζ殊に半導体層２６を本発明の方法
で作成することにより、変換効率を高めることが出来る
。本発明の方法で半導体層２６を作成する場合には、半
導体層２６は、例えば、シリコン原子と窒素原子と炭素
原子と、水素原子又は／及びハロダン原子とを構成原子
とする非晶質材料（以後［Ａ−８ＩＮＣ（ａ、Ｘ）Ｊと
記す）で構成することが出来る。２８は外部電気回路装
置と結合される導線である。

基体２１としては導電性、半導電性、電気絶縁性のもの
が用いられる。基体２１が導電性である場合には、薄膜
電極２２は省略しても差支えない。

半導電性基板としては、例えば、Ｓｉ　＋Ｇｅ　、Ｇａ
Ａｍ　。

ＺｎＯ、ＺｎＳ等の半導体が挙げられる。薄膜電極２２
゜２７としては例えば、ＮｉＣｒ　ＩＡｔ、　Ｃｒ　＋
Ｍｏ　、　Ａｕ　。

Ｉｒ　＋　Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　＊　Ｐ
ｔ　＋　Ｐｄ　、　Ｉｎ２Ｏ５，ＳｎＯ□。

ＩＴＯ（ｘｎｚｏｓ＋５ｎｏ２）等の薄膜を、真空蒸着
、電子ビーム蒸着、ス／母ツタリング等の処理で基体２
１上に設けるととＫよって得られる。電極２２　、２７
の膜厚としては、好ましくは３０〜５×１０４Ｘ、より
好ましくは１００〜５Ｘ１０’Ｘとされるのが望ましい
。

半導体層を構成する膜体を必要に応じてｎ型又はｐ型と
するには、層形成の際に、不純物元素のうちｎ該不純物
又はｐ型不純物、あるいは両不純物を形成される層中に
その量を制御し乍らドーピングしてやる事によって形成
される。

ｎ型、ｌ型及びｐ型の半導体層を形成する場合、何れか
１つの層乃至は全部の層を本発明方法によ層形成するこ
とができ、成膜は、活性化空間（Ａ）に炭素とハロゲン
を含む化合物が導入され、活性化エネルギーの作用下で
これ等を励起し、分解することで、例えばＣＦ２．Ｓｉ
Ｆ２等の活性種（Ａ）が生成され、該活性種（Ａ）が成
膜空間に導入される。また、これとは別に、活性化空間
（Ｂ）に導入された成膜用の化学物質と、必要に応じて
不活性がス及び不純物元素を成分として含む化合物のガ
ス等を、夫々活性化エネルギーによって励起し分解して
、夫々の活性種を生成し、夫々を別々にま友は適宜に混
合して支持体１１の設置しである成膜空間に導入し、こ
れら活性種の共存雰囲気に放電エネルギーを作用させ化
学的相互作用を生起し、又は促進或いは増幅して基体２
１上に堆積膜を形成させれば良い。ｎ型およびｐ型の半
導体層の層厚としては、好ましくは１００〜１０４Ｘ、
より好ましくは３００〜２０００Ｘの範囲が望ましい。

ま友、ｌ型の半導体層の層厚としては、好ましくは５０
０〜１０’　Ｘ、より好ましくは１０００〜１００００
Ｘの範囲が望ましい。

以下に本発明の具体的実施例を示す。

実施例１ 第３図に示し比装置を用い、以下の如き操作によってア
モルファス堆積膜を形成した。

、第３図において、１０１は成膜空間としての堆積室で
あり、内部の基体支持台１０２上に所望の基体１０３が
載置される。

１０４は基体加熱用のヒーターであシ、導線１０５を介
して給電され、発熱する。基体温度は特に制限されない
が、本発明方法を実施するにあ友って、基体全加熱する
必要がある場合には基体温度は好ましくは３０〜４５０
℃、より好ましくは５０〜３００℃であることが望まし
い。

１０６乃至１０９ば、ガス供給系であり、成膜原料のガ
ス、及び必要に応じて用いられる不活性ガス、不純物元
素を成分とする化合物のガスの種類に応じて設けられる
。これ等のがスが標準状態に於いて液状のものを使用す
る場合には、適宜の気化装置を具備させる。

図中ガス供給系１０６乃至１０９の符号にａを付したの
は分岐管、ｂｆｔ付したのは流量計、ｃｔ−付し友のは
各流量計の高圧側の圧力を計測する圧力計、ｄ又は・を
付したのは各気体流量を調整するためのパルプである。

１２３は活性種の）を生成する為の活性化室俤）であシ
、活性化室１２３の周シには、活性８１（Ｂ）　を生成
させる為の活性化エネルギーを発生するマイクロ波プラ
ズマ発生装置１２２が設けられている。ガス導入管１１
０より供給される活性種０３）生成用の原料ガスは、活
性化室（Ｂ）１２３内に於いて活性化され、生じた活性
種ω）は導入管１２４を通じて成膜室１０１内に導入さ
れる。１１１はガス圧力計である。

図中１１２は活性化室囚、１１３は電気炉、１１４！Ｉ
′ｉ固体Ｃ粒、１１５は活性８ｍ囚の原料となる気体状
態の炭素とハロゲンを含む化合物の導入管であり、活性
化室囚１１２で生成され友活性種囚は導入管１１６を介
して成膜室１０１内に導入される。

１１７は放電エネルギー発生装置であって、マツチング
がツクス１１７ｍ、高周波導入用カンード電極１１７ｂ
等を具備している。

放電エネルギー発生装置１１７からの放電エネルギーは
、矢印１１９の向きに流れている活性種に作用され、作
用させられ友各活性程は相互的に化学反応する事によっ
て基体１０３の全体あるいは所望部分に堆積膜を形成す
る。また１図中、１２０　ハ排’Ａパルプ、１２１は排
気管である。

先ス、ホリエチレンテレ７タレートフイルム製の基体１
０３を支持台１０２上に載置し、排気装置を用いて成膜
室１０１内を排気し、約１０　　Ｔｏｒｒに減圧した。

ガス供給用？ンベ１０６を用いてトリエチルシラザンの
ガス化されたもの全ガス導入管１１０を介して活性化室
０３）１２３に導入した。

活性化室（Ｂ）１２３内に導入されたトリエチルシラザ
ン等はマイクロ波プラズマ発生装置１２２により活性化
されて活性化トリエチルシラザンとされ、導入管１２４
を通じて活性化トリエチルシラザンを成膜室１０１に導
入し友。

また他方、活性化室（Ａ）１０２に固体０粒１１４を詰
めて、電気炉１１３により加熱し、約１０００℃に保ち
、ｃ’ｌ赤熱状態とし、そこへ導入管１１５を通じて不
図示の〆ンベよりＣＦ４１吹き込むことにより、ＣＦ２
”の活性種を生成させ、該ＣＦ２＊を導入管１１６を経
て、成膜室１０１へ導入した。

この様にして成膜室１０１内の内力をＱ、　３　Ｔｏｒ
ｒに保ち、放電装置１１７からプラズマを作用させてＡ
　−５ＩＮＣ（Ｈ、Ｘ　）膜（膜厚７００Ｘ）ｔ−形手
した。成膜速度は５１１　／　ｓｅａであっ几。

次いで、得られたＡ−８ＩＮＣ（Ｈ、Ｘ　）膜を形成し
た試料を蒸着槽に入れ、真空度１０　　Ｔｏｒｒでクシ
型のｋｌギャップ電極（ギャップ長２５０μ、巾５■）
′！！−形成した後、印加電圧１２Ｖで暗電流を測定し
、暗導電率σｄｆｔ求めて、各試料の膜特性を評価した
。結果を第１表に示した。

実施例２ ガス供給メンペ１０６等からのトリエチルシラザンガス
の代りに（Ｃ２Ｈ５）　３Ｓ　ＩＮＨ２／　Ｈ２／Ｆ２
混合ガス（混合比（Ｃ２Ｈ５）３ＳＩＮＨ２，布２／Ｆ
２＝８：８：１）を用い友以外は、実施例１と同様の方
法と手順に従ってＡ　−５ＩＮＣ（Ｈ、Ｘ　）膜を形成
し九〇各試料に就いて暗導電率を測定し、結果を第１表
に示した。

第　　　　１　　　　表 第１表から、本発明によると電気特性に優れたアモルフ
ァス膜が得られることが判った。

実施例３ 第４図に示す装置を使い、以下の如き操作によって第１
図に示した如き層構成のドラム状電子写真用像形成部材
を作成した。

第４図において、２０１は成膜室、２０２は活性化室（
Ａ）、２０３は電気炉、２０４は固体０粒、２０５は活
性種（Ａ）の原料物質導入管、２０６は活性５（Ａ）導
入管、２０７はモー１−１２０８は第３図の１０４と同
様に用いられる加熱ヒーター、２０９．２１０は吹き出
し管、２１１はＡ１シリンダー状の基体、２１２は排気
／々ルプを示している。又、２１３乃至２１６は第３図
中１０６乃至１０９と同様の原料ガス供給源であり、２
１７−１はがス導入管である。

成膜室２０１にＡ１シリンダー基体２１１をつシ下げ、
その内側に加熱ヒーター２０８を備え、モーター２０７
により回転できる様にする。２１８は放電エネルギー発
生装置であって、マツチングがックス、２１８ａ、高周
波導入用カソード電極２１８ｂを具備している。

また、活性化室（Ａ）　２０２　Ｋ固体Ｃ粒２０４を詰
めて、電気炉２０３により加熱し、約１０００℃に保ち
、Ｃを赤熱状態とし、そこへ導入管２０６を通じて、不
図示のゴンペよｊ９０Ｆ４を吹き込むことにより、活性
［（Ａ）としてのＣＦ２を生成させ、該ＣＦ２＊を導入
管２０６を経て、成膜室２０１へ導入した。又、活性化
室（Ａ）　２０２と同様の構造の活性化室（Ｃ）（不図
示）より、同様にして固体Ｓｉ粒とＳｉＦ４よｐ　５ｉ
ｒ２”の活性種（Ｃ）を導入した。

一方、導入管２１７−１よ、９）リエチルジシラザンの
がス化したものを活性化室（Ｂ）　２２０内に導入した
。導入嘔れたトリエチルジシラザンｆスは活性化室（Ｂ
）　２２０に於いてマイクロ波プラズマ発生装置２２１
によりグラズマ化等の活性化処理を受けて活性化トリエ
チルジシラザンとなシ、導入管２１７−２を通じて成膜
室２０１内に導入された。この際、必要に応じてＰＨ，
、８２Ｈ６等の不純物がスも活性化室（Ｂ）　２２０内
に導入されて活性化された。次いで成膜室２０１内の内
圧を１．０　Ｔｏｒｒに保ちつつ、放電装置２１８によ
り発生てれたプラズマを作用させた。

Ａ１シリンダー基体２１１は回転させ、排ガスは排気パ
ルプ２１２の開口を適宜に調整して排気させた。このよ
うにして中間層１２が膜厚２０００芙に形成された・ また、感光層１３は、中間層１２の形成に使用したガス
の中、ＣＦ４は使用せず、又、トリエチルジシラザンの
代シにＨ２がスを使用し、導入管２１７−１よりＨ２／
Ｂ２Ｈ（容量チでＢ２Ｈ６がスが０．２チ）の混合ガス
を導入した以外は、中間層１２の場合と同様にして成膜
された。

比較例１ ＣＦ４１　Ｂ［（４，）リエチルジシラザン、Ｈ２及び
Ｂ２Ｉ（６の各ガスを使用して成膜室２０１と同様の構
成の成膜室を用意して１３．５６　Ｗ（ｚの高周波装置
を備え、第１図に示す層構成の電子写真用像形成部材を
形成した。

英雄例３及び比較例１で得られたドラム状の電子写真用
像形成部材の製造条件と性能を第２表に示した。

第　　２　　表 第　２　表　（続き） 実施例４ 第３図の装置を用いて、第２図に示したＰＩＮ型ダイオ
ードを作製した。

まず、１００ＯＸのＩＴＯ膜２２を蒸着した？ジエチレ
ンテレフタレートフィルム２１を支持台に載置し、Ｉ　
Ｏ−’　Ｔｏｒｒに減圧した後、実施例３と同様にして
生成された活性種５ｔｐ２　　を成膜室１０１に導入し
た。又、Ｈ２ガス、ＰＩ（３ガス（１００Ｏｐｐｍ水素
ガス稀釈）の夫々を活性化室（Ｂ）　１２３に導入して
活性化した。次いでこの活性化されたガスを導入管１１
６を介して成膜室１０１内に導入したＯ成膜室１０１内
の圧力ｆ　０．　Ｉ　Ｔｏｒｒに保ちながら放電装置１
１７からプラズマを作用させてＰでドーピングされたｎ
型ａ−８１（Ｈ，Ｘ）膜２４（膜厚７００Ｘ）を形成し
た。

次いでＰＨ５ｆｆスの導入を停止し、５ｔｒ２＊／ｃｒ
２＊の値を使用した以外はｎ型ａ−８１（Ｈ，Ｘ）膜の
場合と同様の方法でノンドー７’　ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ
）［２５（膜厚５０００Ｘ）を形成した。　　　　−次
いで、Ｈ２／ＰＨ５ガスの代りに（Ｃ２Ｈ５）３８１Ｎ
Ｈ２／１２ガス（混合比１：１０）と共にＢ２Ｈ６ガス
（１０００ｐｐｍ水素ガス稀釈）を使用し、それ以外は
ｎ型と同じ条件でＢでドーピングされたｐ　型ａ−８ｉ
ＮＣ（Ｈ。

Ｘ）膜２６（膜厚７００Ｘ）を形成した。更に、このｐ
型膜上に真空蒸着により膜厚１０００ＸのＡＩ電極２７
を形成し、ＰＩＮ型ダイオードを得た。

かぐして得られたダイオード素子〔面！Ｒ１ｃＩｄ〕の
ｌ−Ｖ特性を測定し、整流特性及び光起電力効果を評価
した。結果を第３表に示した。

、又、光照射特性においても基体側から光管導入し、光
照射強度ＡＭＩ　（約１００　ｍＷＡ！ｉ）　　で、変
換効率９．０％以上、開放端電圧０．９２　Ｖ短絡電流
１０　ｍＡ／ａｄが得られた。

実施例５ 導入管１１０から（Ｃ２Ｈ５）３ＳｉＮＨ２／）（２ガ
スの代りに（Ｃ２Ｈ５）３　Ｓ　ｉ　ＮＨ２／Ｈ２／’
Ｆ２ガスＣ（Ｃ２Ｈｓ）３ｓｉＮＨｚ／Ｈ２／Ｆｚ＝１
：１５：２）を用いた以外は、実施例４と同様にして実
施例４で作成したのと同様のＰＩＮ型ダイオードを作製
した。この試料に就いて整流特性及び光起電力効果を評
価し、結果を第３表に示した。

第　　３　　表 ＊１電圧１ｖでの順方向電流と逆方向電流の比＊２　　
ｐ−ｎ接合の電流式Ｊ＝Ｊｓ　（ｓｉｐ（”−）−１）
に於けるｎ値（Ｑｕａｌｉｔｙ　Ｆａｃｔｏｒ　）〔発
明の効果〕 本発明の堆積膜形成法によれば、形成される膜に所望さ
れる電気的、光学的、光導電的及び機械的特性が向上し
、しかも基体を高温に保持することなく高速成膜が可能
となる。また、成膜における再現性が向上し、膜品質の
向上の膜質の均一化が可能になると共に、膜の大面積化
に有利であり、膜の生産性の向上並びに量差化を容易に
達成することができる。更に、成膜特に励起エネルギー
を用いないので、例えば耐熱性に乏しい基体、プラズマ
エツチング作用を受は易い基体の上にも成膜できる、低
温処理によって工程の短縮化を図れるといった効果が発
揮される。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法を用いて製造される電子写真用像形
成部材の構成例を説明するための模式図である。 第２図は本発明方法を用いて製造されるＰＩＮ型ダイオ
ードの構成例を説明するための模式図である。 第３図及び第４図はそれぞれ実施例で用いた発明方法を
実施するための装置の構成を説明するための模式図であ
る。 １０・・・電子写真用像形成部材、ｌｌ・・・基体、１
２・・・中間層、１３・・・感光層、２１・・・基体、
２２゜２７・・・薄膜電極、２４・・・ｎ型半導体層、
２５・・・ｌ型半導体層、２６・・・ｐ型半導体層、１
０１．２０１・・・成膜室、１１１　、２０２　・・・
活性化室（Ａ）、１０６゜１０７．１０８，１０９，２
１３，２１４，２１５゜２１６−１ｆｘ供給系、１０３
　、２１１　・・・基体、１１７゜２１８・・・放電エ
ネルギー発生装置。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基体上に堆積膜を形成する為の成膜空間内に、炭素とハ
   ロゲンを含む化合物を分解することにより生成される活
   性種（Ａ）と、該活性種（Ａ）と化学的相互作用をする
   、成膜用の窒素含有化合物より生成される活性種（Ｂ）
   とを夫々別々に導入し、これらに放電エネルギーを作用
   させて化学反応させる事によって、前記基体上に堆積膜
   を形成する事を特徴とする堆積膜形成法。