JPS6119117A - シリコンウエハ−の連続ｃｖｄコ−テイング処理方法 - Google Patents
シリコンウエハ−の連続ｃｖｄコ−テイング処理方法Info
- Publication number
- JPS6119117A JPS6119117A JP13945484A JP13945484A JPS6119117A JP S6119117 A JPS6119117 A JP S6119117A JP 13945484 A JP13945484 A JP 13945484A JP 13945484 A JP13945484 A JP 13945484A JP S6119117 A JPS6119117 A JP S6119117A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- cvd coating
- silicon wafer
- wafer
- coating
- Prior art date
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- Pending
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明はシリコンウェハーを連続的にＣＶＤコーティン
グ処理する方法に関するものである。
グ処理する方法に関するものである。
［発明の技術的背景とその問題点］
シリコンウェハーのＣＶＤコーティング処理方法として
は、水平反応管型、縦型ベルジャ型、バレル型等の炉を
用いて行なわれているが、これらのものはいずれもバッ
チ処理タイプであるため、１サイクルごとにウェハーの
出し入れやヒートアップ、ヒートダウン等を行なう必要
があり、生産性が低く、しかもウェハーが定位置にあっ
て反応ガスをウェハーの全面に一様に当てることはむづ
かしく、反応層にバラツキが生じやすいという欠点があ
る。
は、水平反応管型、縦型ベルジャ型、バレル型等の炉を
用いて行なわれているが、これらのものはいずれもバッ
チ処理タイプであるため、１サイクルごとにウェハーの
出し入れやヒートアップ、ヒートダウン等を行なう必要
があり、生産性が低く、しかもウェハーが定位置にあっ
て反応ガスをウェハーの全面に一様に当てることはむづ
かしく、反応層にバラツキが生じやすいという欠点があ
る。
このため、近年シリコンウェハーをベルトコンベヤー上
に配置したサセプターの支持凹部に載置し、例えばシリ
コン系蒸気を供給しながら加熱することによって、ウェ
ハーの表面にシリコン膜の如き被膜を形成する連続ＣＶ
Ｄコーティング処理が行なわれ、多数のシリコンウェハ
ーを連続的に処理することが可能となった。
に配置したサセプターの支持凹部に載置し、例えばシリ
コン系蒸気を供給しながら加熱することによって、ウェ
ハーの表面にシリコン膜の如き被膜を形成する連続ＣＶ
Ｄコーティング処理が行なわれ、多数のシリコンウェハ
ーを連続的に処理することが可能となった。
しかしながら、従来の連続ＣＶＤコーティング処理にお
いては、例えばインコネル等の耐熱金属の基体表面にＣ
ｒ２Ｏ３等を被覆した積層構造のサセプターが用いられ
ていたが、この種のサセプターはそれを構成する材質の
熱膨張率が大きくかつ熱歪を生じ、このためシリコンウ
ェハーにＣ■Ｄ被膜を施す場合に均一な膜厚のＣＶＤ被
膜を得ることができない（ＣＶＤ膜厚膜厚８麿程誤差を
生ずる）ばかりか、基体に被覆したＣｒ２Ｏ３被膜が剥
離する現象を生ずる欠点がある。例えば、Ｑｒ ２０３
被膜とインコネル基体との二層構造ではＣｒ２Ｏ３被膜
は熱伝導率が小さく、このためにこれら二層構造のサセ
プターの場合にその下方から加熱するとシリコンウェハ
ーの温度が微妙に変化し、またＣｒ２Ｏ３被膜の厚さの
制御とくにサセプター間の被膜厚さを一定にすることが
困難で、シリコンウェハーへのＣＶＤ被膜の膜厚に誤差
を生ずる原因となる。さらに、このような二層構造であ
ることはインコネル基体とＣｒ２Ｏ３被膜との熱膨張率
の差により熱歪が生ずるために、大型化に伴って歪量が
大きくなるため誤差を生ずる原因となる。
いては、例えばインコネル等の耐熱金属の基体表面にＣ
ｒ２Ｏ３等を被覆した積層構造のサセプターが用いられ
ていたが、この種のサセプターはそれを構成する材質の
熱膨張率が大きくかつ熱歪を生じ、このためシリコンウ
ェハーにＣ■Ｄ被膜を施す場合に均一な膜厚のＣＶＤ被
膜を得ることができない（ＣＶＤ膜厚膜厚８麿程誤差を
生ずる）ばかりか、基体に被覆したＣｒ２Ｏ３被膜が剥
離する現象を生ずる欠点がある。例えば、Ｑｒ ２０３
被膜とインコネル基体との二層構造ではＣｒ２Ｏ３被膜
は熱伝導率が小さく、このためにこれら二層構造のサセ
プターの場合にその下方から加熱するとシリコンウェハ
ーの温度が微妙に変化し、またＣｒ２Ｏ３被膜の厚さの
制御とくにサセプター間の被膜厚さを一定にすることが
困難で、シリコンウェハーへのＣＶＤ被膜の膜厚に誤差
を生ずる原因となる。さらに、このような二層構造であ
ることはインコネル基体とＣｒ２Ｏ３被膜との熱膨張率
の差により熱歪が生ずるために、大型化に伴って歪量が
大きくなるため誤差を生ずる原因となる。
一般にサセプターは、例えば１〜２ｍＩＩＩ程度の肉厚
のインコネル平板を基体として用い、この基体の表面に
シリコンウェハーを支持するのに必要な大きさの支持凹
部を、例えばプレス加工により設けて作製されるが、上
述するように材質の物理的な欠陥に起因してシリコンウ
ェハーを支持する支持凹部の寸法変化が生じ、この変化
は寸法を大きくするにつれて著しくなり、特に５インチ
以上の大きさのシリコンウェハーをＣＶＤコーティング
するのに用いる大径の支持凹部を有するサセプターの作
製は極めて困難である。
のインコネル平板を基体として用い、この基体の表面に
シリコンウェハーを支持するのに必要な大きさの支持凹
部を、例えばプレス加工により設けて作製されるが、上
述するように材質の物理的な欠陥に起因してシリコンウ
ェハーを支持する支持凹部の寸法変化が生じ、この変化
は寸法を大きくするにつれて著しくなり、特に５インチ
以上の大きさのシリコンウェハーをＣＶＤコーティング
するのに用いる大径の支持凹部を有するサセプターの作
製は極めて困難である。
［発明の目的］
本発明は、前記問題点に着目してなされたものであり、
耐熱・耐スポール性に優れ比較的熱膨張率の小さいセラ
ミックスよりなるサセプターを用いることにより、サセ
プターの寸法安定性に優れ、多数回の使用に耐え、シリ
コンウェハーに一層均質なＣＶＤ被膜を施すことのでき
るシリコンウェハーの連続ＣＶＤコーティング処理方法
を提供するものである。
耐熱・耐スポール性に優れ比較的熱膨張率の小さいセラ
ミックスよりなるサセプターを用いることにより、サセ
プターの寸法安定性に優れ、多数回の使用に耐え、シリ
コンウェハーに一層均質なＣＶＤ被膜を施すことのでき
るシリコンウェハーの連続ＣＶＤコーティング処理方法
を提供するものである。
［発明の概要］
本発明のシリコンウェハーの連続ＣＶＤコーティング処
理方法は、シリコンウェハーを載置したセラミックスよ
りなるサセプターをチャンバー内を貫通して移動するベ
ルトコンベアーに配置し、均熱板を介して設けられたヒ
ーターにより下方から加熱しながらシリコンウェハーを
連続的にＣＶＤコーティングすることを特徴とするもの
である。
理方法は、シリコンウェハーを載置したセラミックスよ
りなるサセプターをチャンバー内を貫通して移動するベ
ルトコンベアーに配置し、均熱板を介して設けられたヒ
ーターにより下方から加熱しながらシリコンウェハーを
連続的にＣＶＤコーティングすることを特徴とするもの
である。
本発明において用いるサセプターは、例えば炭化珪素、
窒化珪素、アルミナ、ムライト等のセラミック材料から
形成することができる。
窒化珪素、アルミナ、ムライト等のセラミック材料から
形成することができる。
一般に、本発明に用いるサセプターの大きさは、通常の
連続ＣＶＤコーティングに用いることのできる適当な大
きさである。このサセプターには、その−側面にウェハ
ーを載置する支持凹部を形成する。この支持凹部の寸法
は、処理するために載置するシリコンウェハーの大きさ
に依存するが、本発明においては特に５インチ以上のシ
リコンウェハーに適用する大径の支持凹部を有するサセ
プターの場合に、サセプターがセラミック本体から形成
されているために従来の積層構造から生ずる物理的欠陥
が全くなく、その上極めて寸法精度の高い支持四部をコ
ーティング処理中維持することができ有効である。
連続ＣＶＤコーティングに用いることのできる適当な大
きさである。このサセプターには、その−側面にウェハ
ーを載置する支持凹部を形成する。この支持凹部の寸法
は、処理するために載置するシリコンウェハーの大きさ
に依存するが、本発明においては特に５インチ以上のシ
リコンウェハーに適用する大径の支持凹部を有するサセ
プターの場合に、サセプターがセラミック本体から形成
されているために従来の積層構造から生ずる物理的欠陥
が全くなく、その上極めて寸法精度の高い支持四部をコ
ーティング処理中維持することができ有効である。
本発明におけるサセプターに支持凹部を形成するには、
通常の手段、例えばプレス加工、研削加工等により形成
することができる。
通常の手段、例えばプレス加工、研削加工等により形成
することができる。
［発明の実施例］
この発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
第１図は、本発明の方法に用いられる連続ＣＶＤコーテ
ィング処理用装置の略断面図である。図中３は、炭化珪
素よりなるサセプターであり、幅１７５ｍｍ、長さ５０
０ ｍｍ、厚さ５ｍｎ＋の平板で、この−側面に４イン
チ、５インチ、６インチのそれぞれの外径を有する支持
凹部を機械加工により形成しである。このサセプター３
は、チャンバー１内を貫通して移動するベルトコンベア
ー４に配置され、さらにサセプター３上には支持凹部に
合つれたヒーター６で下方から加熱しながら連続ＣＶＤ
コーティングを行なった。また、比較のために上記と同
じ寸法の比較サセプターをＣｒ２Ｏ３被膜を施したイン
コネル基体から作り、同様にシリコンウェハーの連続Ｃ
ＶＤコーティングを行なった。
ィング処理用装置の略断面図である。図中３は、炭化珪
素よりなるサセプターであり、幅１７５ｍｍ、長さ５０
０ ｍｍ、厚さ５ｍｎ＋の平板で、この−側面に４イン
チ、５インチ、６インチのそれぞれの外径を有する支持
凹部を機械加工により形成しである。このサセプター３
は、チャンバー１内を貫通して移動するベルトコンベア
ー４に配置され、さらにサセプター３上には支持凹部に
合つれたヒーター６で下方から加熱しながら連続ＣＶＤ
コーティングを行なった。また、比較のために上記と同
じ寸法の比較サセプターをＣｒ２Ｏ３被膜を施したイン
コネル基体から作り、同様にシリコンウェハーの連続Ｃ
ＶＤコーティングを行なった。
この結果、全ての比較サセプターにおいては、１０回の
使用でＣｒ ２０３被覆の一部が剥離し、はとんど使用
に適さなくなった。これに対して、本発明の炭化珪素か
らなるサセプターは１００回の使用後においても材質的
変化は全く認められなかった。さらに、支持凹部の寸法
変化において、比較サセプターでは１０回の使用で５イ
ンチ以上の大きさの支持凹部の変化が著しかったのに対
して、本発明の全てのサセプターでは寸法変化は認めら
れなかった。
使用でＣｒ ２０３被覆の一部が剥離し、はとんど使用
に適さなくなった。これに対して、本発明の炭化珪素か
らなるサセプターは１００回の使用後においても材質的
変化は全く認められなかった。さらに、支持凹部の寸法
変化において、比較サセプターでは１０回の使用で５イ
ンチ以上の大きさの支持凹部の変化が著しかったのに対
して、本発明の全てのサセプターでは寸法変化は認めら
れなかった。
また、比較サセプターを用いた場合にはＣＶＤ被膜の膜
厚のウェハー間の誤差が６〜９％と大きかったのに対し
て、本発明の炭化珪素からなるサセプターでは２〜４％
と小さく、バラツキが少なく、均一で優れたＣＶＤ被膜
が得られた。
厚のウェハー間の誤差が６〜９％と大きかったのに対し
て、本発明の炭化珪素からなるサセプターでは２〜４％
と小さく、バラツキが少なく、均一で優れたＣＶＤ被膜
が得られた。
［発明の効果］
以上詳述した如く本発明の処理方法によれば、サセプタ
ーの寸法安定性に優れ、多数回の使用にも耐え、さらに
シリコンウェハーに均質なＣＶＤ被膜を施することがで
きる等顕著な効果を奏するものである。
ーの寸法安定性に優れ、多数回の使用にも耐え、さらに
シリコンウェハーに均質なＣＶＤ被膜を施することがで
きる等顕著な効果を奏するものである。
第１図は、本発明に用いられる連続ＣＶＤコーティング
装置の略断面図である。 １・・・チャンバー ２・・・シリコンウェハー ３・・・サセプター ４・・・ベルトコンベアー ５・・・均熱板 ６・・・ヒーター
装置の略断面図である。 １・・・チャンバー ２・・・シリコンウェハー ３・・・サセプター ４・・・ベルトコンベアー ５・・・均熱板 ６・・・ヒーター
Claims (1)
- シリコンウェハーを載置したセラミックスよりなるサセ
プターをチャンバー内を貫通して移動するベルトコンベ
アーに配置し、均熱板を介して設けられたヒーターによ
り下方から加熱しながらシリコンウェハーをＣＶＤコー
ティングするシリコンウェハーの連続ＣＶＤコーティン
グ処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13945484A JPS6119117A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | シリコンウエハ−の連続ｃｖｄコ−テイング処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13945484A JPS6119117A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | シリコンウエハ−の連続ｃｖｄコ−テイング処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6119117A true JPS6119117A (ja) | 1986-01-28 |
Family
ID=15245586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13945484A Pending JPS6119117A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | シリコンウエハ−の連続ｃｖｄコ−テイング処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6119117A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4930931A (en) * | 1988-02-04 | 1990-06-05 | Kabushiki Kaisha Kojima Shohten | Instrument for assembling board-shaped bodies |
| US4990020A (en) * | 1988-09-13 | 1991-02-05 | Kabushiki Kaisha Kojima Shohten | Assembling device |
| US20130115373A1 (en) * | 2011-11-03 | 2013-05-09 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Rotating type thin film deposition apparatus and thin film deposition method used by the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS498831A (ja) * | 1972-05-24 | 1974-01-25 | ||
| JPS4916221A (ja) * | 1972-06-07 | 1974-02-13 | ||
| JPS5410825A (en) * | 1977-06-24 | 1979-01-26 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | Prefiring preventing arrangement for two cycle engine |
-
1984
- 1984-07-05 JP JP13945484A patent/JPS6119117A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS498831A (ja) * | 1972-05-24 | 1974-01-25 | ||
| JPS4916221A (ja) * | 1972-06-07 | 1974-02-13 | ||
| JPS5410825A (en) * | 1977-06-24 | 1979-01-26 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | Prefiring preventing arrangement for two cycle engine |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4930931A (en) * | 1988-02-04 | 1990-06-05 | Kabushiki Kaisha Kojima Shohten | Instrument for assembling board-shaped bodies |
| US4990020A (en) * | 1988-09-13 | 1991-02-05 | Kabushiki Kaisha Kojima Shohten | Assembling device |
| US20130115373A1 (en) * | 2011-11-03 | 2013-05-09 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Rotating type thin film deposition apparatus and thin film deposition method used by the same |
| US9028613B2 (en) * | 2011-11-03 | 2015-05-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Rotating type thin film deposition apparatus and thin film deposition method used by the same |
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