JPH04345020A - 熱処理用ホットプレート - Google Patents
熱処理用ホットプレートInfo
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- JPH04345020A JPH04345020A JP11716891A JP11716891A JPH04345020A JP H04345020 A JPH04345020 A JP H04345020A JP 11716891 A JP11716891 A JP 11716891A JP 11716891 A JP11716891 A JP 11716891A JP H04345020 A JPH04345020 A JP H04345020A
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程におけ
る基板搬送装置に用いられる熱処理用ホットプレートに
関する。
る基板搬送装置に用いられる熱処理用ホットプレートに
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の基板搬送装置は、ベルト搬送かＯ
リング搬送のものが主に用いられていたが、半導体集積
回路がＬＳＩから超ＬＳＩへと集積度及び集積密度共に
大きくなるにつれて、固定式の熱処理用ホットプレート
に２本の搬送板を有する基板搬送装置が用いられるよう
になり、基板（半導体ウェハ、ガラス等）の搬送装置の
熱処理用ホットプレートには、搬送距離が高精度で高純
度の材質が求められてきた。一方、処理温度の高温化（
４００℃以上）が進むに従って、熱処理用ホットプレー
トには、耐酸化性、非発塵性、非熱変形性、温度分布の
均一性、耐熱衝撃性等の要求が高まってきた。
リング搬送のものが主に用いられていたが、半導体集積
回路がＬＳＩから超ＬＳＩへと集積度及び集積密度共に
大きくなるにつれて、固定式の熱処理用ホットプレート
に２本の搬送板を有する基板搬送装置が用いられるよう
になり、基板（半導体ウェハ、ガラス等）の搬送装置の
熱処理用ホットプレートには、搬送距離が高精度で高純
度の材質が求められてきた。一方、処理温度の高温化（
４００℃以上）が進むに従って、熱処理用ホットプレー
トには、耐酸化性、非発塵性、非熱変形性、温度分布の
均一性、耐熱衝撃性等の要求が高まってきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
テフロン系ホットプレートでは、高温領域で使用した場
合には熱変形の問題があり、搬送距離の正確性に劣る。 また、焼結ＳｉＣ、焼結Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ＋Ａｌ２Ｏ３
コート（アルミ・アルマイトコート）品では、所望の高
純度のものが得られず、更に温度分布の均一性に劣る。 特に焼結ＳｉＣ、焼結Ｓｉ３Ｎ４は、焼結前後の収縮に
より寸法精度が悪く、搬送距離の設定の正確性に欠ける
等、未だ充分な適合材が得られていない。
テフロン系ホットプレートでは、高温領域で使用した場
合には熱変形の問題があり、搬送距離の正確性に劣る。 また、焼結ＳｉＣ、焼結Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ＋Ａｌ２Ｏ３
コート（アルミ・アルマイトコート）品では、所望の高
純度のものが得られず、更に温度分布の均一性に劣る。 特に焼結ＳｉＣ、焼結Ｓｉ３Ｎ４は、焼結前後の収縮に
より寸法精度が悪く、搬送距離の設定の正確性に欠ける
等、未だ充分な適合材が得られていない。
【０００４】本発明は、上記した問題点を解消する材質
を用いた熱処理用ホットプレートを提供することを目的
とする。
を用いた熱処理用ホットプレートを提供することを目的
とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、板状の黒鉛基
材の上部に、長手方向に平行に走る２本の溝を設け、精
製後、ＣＶＤ法により炭化珪素を被覆してなる基板搬送
装置の熱処理用ホットプレートに関する。
材の上部に、長手方向に平行に走る２本の溝を設け、精
製後、ＣＶＤ法により炭化珪素を被覆してなる基板搬送
装置の熱処理用ホットプレートに関する。
【０００６】ＣＶＤ法により黒鉛基材を被覆した材質を
選定した理由は、焼結体と比較して不純物量が少なく、
寸法精度に優れ、かつ温度分布の均一性が図られるから
である。炭化珪素を被覆する黒鉛基材は、等方性の人造
黒鉛で熱膨張係数が炭化珪素とほぼ等しいものが好まし
い。両者の熱膨張係数の差が大きいと、被覆されている
炭化珪素にクラックが入ったり、変形したりするからで
ある。
選定した理由は、焼結体と比較して不純物量が少なく、
寸法精度に優れ、かつ温度分布の均一性が図られるから
である。炭化珪素を被覆する黒鉛基材は、等方性の人造
黒鉛で熱膨張係数が炭化珪素とほぼ等しいものが好まし
い。両者の熱膨張係数の差が大きいと、被覆されている
炭化珪素にクラックが入ったり、変形したりするからで
ある。
【０００７】熱処理用ホットプレートは、まず黒鉛基材
を搬送用溝及び必要に応じて基板吸着用透孔を有する形
状に機械加工し、次いでハロゲンガス等を用いて精製高
純度化し、最後に公知の方法によりＣＶＤ処理をして所
定の厚さの高純度炭化珪素を被覆させる。炭化珪素の不
純物量は５０ｐｐｍ以下が好ましい。
を搬送用溝及び必要に応じて基板吸着用透孔を有する形
状に機械加工し、次いでハロゲンガス等を用いて精製高
純度化し、最後に公知の方法によりＣＶＤ処理をして所
定の厚さの高純度炭化珪素を被覆させる。炭化珪素の不
純物量は５０ｐｐｍ以下が好ましい。
【０００８】
【実施例】次に本発明の実施例を説明する。
【０００９】実施例
密度１．７７ｇ／ｃｍ３、電気比抵抗１１００μΩ−ｃ
ｍ、室温〜４００℃の熱膨張係数４．３×１０−６／ｄ
ｅｇ及びその異方比が１．０３のコークス系人造黒鉛基
材を、図１に示すように搬送用溝２及び基板吸着用透孔
３を有し、ホットプレート１の寸法が２４０×１８０×
３０ｔ（ｍｍ）に機械加工した。この黒鉛基材を電気炉
に入れ、約２０００℃に加熱しつつ、ＣＨ２Ｃｌ２ガス
を通じて精製処理した後、この精製品をＣＶＤ炉に入れ
、高周波誘導で１５００℃に加熱し、ＣＶＤ炉内を２０
０Ｔｏｒｒ以下に減圧し、キャリアガスのＨ２を毎分７
００ｌの速度で通じながら濃度が１．０８×１０−２ｍ
ｏｌ／ｌ・Ｈ２のＳｉＣｌ４ガス及び３．２２×１０−
３ｍｏｌ／ｌ・Ｈ２のＣ３Ｈ８ガスを通じ、毎分約２μ
ｍの蒸着速度で高純度炭化珪素（不純物量５０ｐｐｍ）
を被覆した。被覆された炭化珪素は、厚さが約１００μ
ｍでその面内ばらつきは±１５μｍ、密度３．１９ｇ／
ｃｍ３、電気比抵抗１ＭΩ−ｃｍ、曲げ強度１．９×１
０４ｋｇｆ／ｃｍ２及び室温〜４００℃の熱膨張係数４
．３×１０−６／ｄｅｇであった。また、この炭化珪素
を少量微粉砕し、螢光Ｘ線回折装置を用いてＸ線回折を
行なった結果、（１１１）、（２００）及び（３１１）
の面に強いピークを示す閃亜鉛鉱型の３Ｃ−ＳｉＣ（β
相）であることが確認された。
ｍ、室温〜４００℃の熱膨張係数４．３×１０−６／ｄ
ｅｇ及びその異方比が１．０３のコークス系人造黒鉛基
材を、図１に示すように搬送用溝２及び基板吸着用透孔
３を有し、ホットプレート１の寸法が２４０×１８０×
３０ｔ（ｍｍ）に機械加工した。この黒鉛基材を電気炉
に入れ、約２０００℃に加熱しつつ、ＣＨ２Ｃｌ２ガス
を通じて精製処理した後、この精製品をＣＶＤ炉に入れ
、高周波誘導で１５００℃に加熱し、ＣＶＤ炉内を２０
０Ｔｏｒｒ以下に減圧し、キャリアガスのＨ２を毎分７
００ｌの速度で通じながら濃度が１．０８×１０−２ｍ
ｏｌ／ｌ・Ｈ２のＳｉＣｌ４ガス及び３．２２×１０−
３ｍｏｌ／ｌ・Ｈ２のＣ３Ｈ８ガスを通じ、毎分約２μ
ｍの蒸着速度で高純度炭化珪素（不純物量５０ｐｐｍ）
を被覆した。被覆された炭化珪素は、厚さが約１００μ
ｍでその面内ばらつきは±１５μｍ、密度３．１９ｇ／
ｃｍ３、電気比抵抗１ＭΩ−ｃｍ、曲げ強度１．９×１
０４ｋｇｆ／ｃｍ２及び室温〜４００℃の熱膨張係数４
．３×１０−６／ｄｅｇであった。また、この炭化珪素
を少量微粉砕し、螢光Ｘ線回折装置を用いてＸ線回折を
行なった結果、（１１１）、（２００）及び（３１１）
の面に強いピークを示す閃亜鉛鉱型の３Ｃ−ＳｉＣ（β
相）であることが確認された。
【００１０】図１に示したホットプレート１の基板吸着
用透孔３は、３φ×１００ｌ（ｍｍ、Ｌ字型）であり、
ＣＶＤ処理により透孔内表面に炭化珪素を完全に被覆す
ることは出来ないが、透孔部は基板を吸着するため減圧
状態にあり、高温下の熱処理においても被覆されない部
分が酸化される恐れがなく、不純物ガスが放出される恐
れもない。このホットプレートは、約１００回使用して
も重量減少がなく、また放出ガスによる基板の汚染も見
受けられなかった。
用透孔３は、３φ×１００ｌ（ｍｍ、Ｌ字型）であり、
ＣＶＤ処理により透孔内表面に炭化珪素を完全に被覆す
ることは出来ないが、透孔部は基板を吸着するため減圧
状態にあり、高温下の熱処理においても被覆されない部
分が酸化される恐れがなく、不純物ガスが放出される恐
れもない。このホットプレートは、約１００回使用して
も重量減少がなく、また放出ガスによる基板の汚染も見
受けられなかった。
【００１１】比較例
実施例における炭化珪素被覆黒鉛材を、黒鉛材、焼結Ｓ
ｉＣ、焼結Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ＋Ａｌ２Ｏ３コート品又は
テフロンに代えた以外は実施例と同様にして基板搬送装
置の熱処理用ホットプレートを得た。
ｉＣ、焼結Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ＋Ａｌ２Ｏ３コート品又は
テフロンに代えた以外は実施例と同様にして基板搬送装
置の熱処理用ホットプレートを得た。
【００１２】実施例及び比較例で得た熱処理用ホットプ
レートの特性を比較すると表１のようになる。表１にお
いて、純度は５０ｐｐｍ以下の場合、耐酸化性及び耐熱
変形性は４００℃以上の場合である。また、表中〇印は
ホットプレートとして良好、Δ印はある程度良好及び×
印は不適当であること、−は測定しないことを示す。こ
の表から実施例のホットプレートはすべての特性が比較
例のものより優れていることがわかる。
レートの特性を比較すると表１のようになる。表１にお
いて、純度は５０ｐｐｍ以下の場合、耐酸化性及び耐熱
変形性は４００℃以上の場合である。また、表中〇印は
ホットプレートとして良好、Δ印はある程度良好及び×
印は不適当であること、−は測定しないことを示す。こ
の表から実施例のホットプレートはすべての特性が比較
例のものより優れていることがわかる。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【発明の効果】本発明の熱処理用ホットプレートは、高
純度の炭化珪素を被覆した黒鉛材料からなるので、処理
温度の高温化要求での非熱変形性、温度分布の均一性及
び耐酸化性（大気中１２００℃まで酸化しない）を満足
するものであり、更に黒鉛基材の状態で機械加工するた
めに加工精度に優れ、面内ばらつきが±１５μｍ以内の
炭化珪素被膜の被覆を含めても、搬送距離の設定の正確
性を充分に満足する。
純度の炭化珪素を被覆した黒鉛材料からなるので、処理
温度の高温化要求での非熱変形性、温度分布の均一性及
び耐酸化性（大気中１２００℃まで酸化しない）を満足
するものであり、更に黒鉛基材の状態で機械加工するた
めに加工精度に優れ、面内ばらつきが±１５μｍ以内の
炭化珪素被膜の被覆を含めても、搬送距離の設定の正確
性を充分に満足する。
【図１】本発明の実施例になる熱処理用ホットプレート
の斜視図である。
の斜視図である。
１…ホットプレート
２…搬送用溝２ ３…基板吸着用透孔
２…搬送用溝２ ３…基板吸着用透孔
Claims (1)
- 【請求項１】 板状の黒鉛基材の上部に、長手方向に
平行に走る２本の溝を設け、精製後、ＣＶＤ法により炭
化珪素を被覆してなる基板搬送装置の熱処理用ホットプ
レート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11716891A JPH04345020A (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | 熱処理用ホットプレート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11716891A JPH04345020A (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | 熱処理用ホットプレート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04345020A true JPH04345020A (ja) | 1992-12-01 |
Family
ID=14705132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11716891A Pending JPH04345020A (ja) | 1991-05-22 | 1991-05-22 | 熱処理用ホットプレート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04345020A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62200722A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-04 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 半導体拡散炉用部材 |
| JPH01307223A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト硬化用ホットプレート |
| JPH02153521A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-06-13 | Tokyo Electron Ltd | 加熱方法および加熱装置 |
| JPH0229520B2 (ja) * | 1984-12-28 | 1990-06-29 | Nippon Seiki Kk |
-
1991
- 1991-05-22 JP JP11716891A patent/JPH04345020A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0229520B2 (ja) * | 1984-12-28 | 1990-06-29 | Nippon Seiki Kk | |
| JPS62200722A (ja) * | 1986-02-28 | 1987-09-04 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 半導体拡散炉用部材 |
| JPH01307223A (ja) * | 1988-06-06 | 1989-12-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジスト硬化用ホットプレート |
| JPH02153521A (ja) * | 1988-08-22 | 1990-06-13 | Tokyo Electron Ltd | 加熱方法および加熱装置 |
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