JP2018035009A - SiC材料およびそれを用いた半導体製造装置用部材 - Google Patents
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Abstract
Description
素(SiC)を析出させ、成膜した後、基材を除去して得られるSiC材料(CVD−SiC材料)は、焼結法で製造されたSiC材料に比較して緻密で高純度であり、耐食性、耐熱性、強度特性にも優れている。そのため、CVD−SiC材料は、半導体製造装置用の加熱ヒータや、エッチング装置に用いられるフォーカスリング、ダミーウェハ、サセプター、炉芯管等の各種部材として提案されている。
ハがプラズマ処理される。フォーカスリング1aは、ウェハの外周に配置され、ウェハを均一に処理するために用いられる。そのため、フォーカスリング1aには、被処理物であるウェハと同等な(類似の)抵抗率を有するとともに、プラズマに対する高い耐食性(耐プラズマ性)が求められる。ダミーウェハ1bは、半導体製造装置の条件調整、クリーニングなどの際にウェハの代替として用いられる。ダミーウェハ1bもフォーカスリング1aと同様に、被処理物であるウェハと同等な(類似の)抵抗率を有するとともに、高い耐プラズマ性が求められる。
いる。
y=−1.04x+20 (式2)
y=−1.10x+24 (式3)
Nは、1×1018個/cm3以上、特には5×1018〜5×1019個/cm3の範囲であるのがよい。また、Rは、1Ω・cm以上、特には1〜10Ω・cmの範囲であるのがよい。
を実質的に含まないことにより、半導体製造プロセスにおいて、被処理物に近接して用いられるフォーカスリング等の半導体製造装置用部材として用いても、被処理物にホウ素のコンタミが生じる可能性を低減できる。
R型等の他の結晶構造を含んでいてもよい。CVD−SiC材料のX線回折測定において、他の結晶構造に起因する回折ピークの大きさが、3C型の結晶構造に起因する回折ピークの大きさの1/5以下であれば問題はない。
1a :フォーカスリング
1b :ダミーウェハ
2 :炭化珪素の柱状結晶
Claims (7)
- 窒素原子を含有し、3C型結晶構造を有する炭化珪素結晶を主体とするとともに、
含有される前記窒素原子の濃度をN(個/cm3)とし、体積抵抗率をR(Ω・cm)とし、
前記Nの対数をx軸、前記Rの対数をy軸としたとき、
1次関数y=a・x+bであらわされる2つの直線である直線F1(a=−1.04、b=20)と、直線F2(a=−1.10、b=24)との間の領域に、前記xおよび前記yが存在する、SiC材料。 - 前記Nが、5.0×1018個〜5.0×1019個/cm3の範囲である、請求項1に記載のSiC材料。
- 前記Rが、1.0〜10Ω・cmの範囲である、請求項1または2に記載のSiC材料。
- ホウ素を実質的に含まない、請求項1〜3のいずれかに記載のSiC材料。
- 請求項1〜4のいずれかに記載のSiC材料を用いた、半導体製造装置用部材。
- 請求項1〜4のいずれかに記載のSiC材料を用いた自立体からなる、フォーカスリング。
- 請求項1〜4のいずれかに記載のSiC材料を用いた自立体からなる、ダミーウェハ。
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