JPS61176165A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

Info

Publication number
JPS61176165A
JPS61176165A JP60015328A JP1532885A JPS61176165A JP S61176165 A JPS61176165 A JP S61176165A JP 60015328 A JP60015328 A JP 60015328A JP 1532885 A JP1532885 A JP 1532885A JP S61176165 A JPS61176165 A JP S61176165A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
photoelectric conversion
resin
conversion element
semiconductor device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60015328A
Other languages
English (en)
Inventor
Taichi Sugimoto
太一 杉本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP60015328A priority Critical patent/JPS61176165A/ja
Publication of JPS61176165A publication Critical patent/JPS61176165A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、入射光を電気信号（変換する光半導体装置に
関する。
〔従来の技術〕
従来、光半導体装置はその受光素子である光電変換素子
の入射光路に光学フィルタを有するものであった。すな
わち、従来の光半導体装置の構成は、第１図に示す如く
、光電変換素子１をリードフレーム２に固着し、ワイヤ
ゴンｒイング３を施す。次に透明度の高い光透過性樹脂
においてもわずかに黄色をしておシ見かけ上の透明度を
上げる働きを有するＣ、１．（力２−インｆ”ｑクス：
国際規格）ディス／９−スプルー（Ｃ−１，Ｄｉｓｐ＠
ｒａ＠Ｂ１ｕ＋ｓ）を５　Ｘ　Ｉ　Ｏ−’程度加えた光
透過性樹脂６により封止成形し、更に光電変換素子１の
入射光路の樹脂６上に入射光のうち任意の波長のみを透
過する働きを有する光学フィルタ７を固着する。その結
果、光学フィルタ７の取付けに関し、特殊な技術を必要
とする上、工程数が多く、コストの高いものであった。
また、入射光の補正の為には光学フィルタを選択した上
調整しなければならない欠点が６りた・ 〔発明の目的〕 本発明の目的は、前述の欠点を解消した、入射光補正を
任意に且つ容易に行うことのできる、低コストで製造の
容品な光半導体装置を提供することである。
〔発明の概要〕
本発明の光半導体装置は、光電変換素子の光路が色素を
含有せる樹脂により封止されていることを特徴としてい
る。
以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。
尚、各図の符号は、同一成分・物質については同じもの
が用いられている。
第２図は本発明の実施態様の一つであル、−重モールド
での実施例である。第２図において、受光素子である光
電変換素子ｌは基板となるリードフレーム２に固定され
、必要な部分はワイヤメンディング３が行なわれる。次
に色素、例えばＣ，Ｉ。
ディスパ−スゲリーン（Ｃ−Ｉ　、Ｄｉｓｐ＠ｒａ＠Ｇ
ｒｅｅｎ　）を含有した光透過性樹脂４で封止される。
今この装置に入射光があると、赤外域の光は、モールド
樹脂滅透過性樹脂４）中のＣ，１，７’イスノ母−スゲ
リーンに吸収されることにより、力、トされる。
第３図は本発明の他の実施態様の一つであシ、二重モー
ルドでの実施例である。第３図に・おいて、光電変換素
子１は基板となるリードフレーム２に固定され、必要な
部分はワイヤざンディング３が行なわれる。次にＣ，１
，ディスパースグリーンを含有した光透過性樹脂５で光
電変換素子１の周囲のみを封止し、その上から更に別の
光透過性樹脂６で封止成形する。
入射光中の赤外域の光がカットされる過程は−１モール
ドにおけるそれと同様である。
本発明は更に、三重、四重の多重モールドについても同
様に実施可能である。
又、以上の例では、周辺回路をもたない光電変換素子に
ついて述べたが、本発明が周辺回路を同時に封止する必
要のある光半導体装置に適用できることも明らかである
。
モールド樹脂中の色素の濃度は必要に応じて設定される
が、例えばＣ，１，７″イスノ４−スゲリーンでｌＸｌ
０　　ｗｔ％程度である。
なお、本発明に用いられる色素としては目的に応じ適宜
選択される。例えば、Ｃ，１，５″イスｔ４−スゲリー
ン３　Ｂ　１Ｃ０１，７”　４　ス／４’　　／（しｙ
　Ｐ　ｌ　、　Ｃ−Ｌディスツク−スプルー１、ディス
パースバイオレット１等である。
本発明の光半導体装置は、上述の色素のｍ類及び含有）
を変えることにより、吸収、力、トシたい光の波長を簡
単にしかも広範囲に１１Ｊｎすることができる点におい
て光学フィルタを用いる従来のものに較べて優れている
。
本発明に用いられる樹脂としては、光半導体装置の封入
に用いられる樹脂の中から適宜選択される。例えば、工
Ｉキシ樹脂、クリコン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミ
ド樹脂等である。二重モールドの実施態様に用いられる
樹脂としては耐湿性が良い点でポリイミド樹脂が好まし
い。
本発明に用いられる光電変換素子としては、光半導体装
置に用いられる光電変換素子の中から適宜選択される。
例えば、シリコン、ＧａＡｓ系光電変換素子が例示され
る。
〔発明の効果〕
以上、説明した様に、本発明によれば、入射光補正を任
意に且つ容易に調整できる製造の容易な光半導体装置を
提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、従来の光半導体装置の縦断面図である。 第２図、第３図は本発明に係る光半導体装置の実施態様
の例を示す縦断面図である。 １・・・光電変換素子、２・・・リードフレーム、３・
・・ワイヤがンディング、４，５．６・・・光透過性樹
脂、７・・・光学フィルタ。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）光電変換素子の光路が色素を含有せる樹脂により
    封止されていることを特徴とする光半導体装置。
  2. （２）上記色素が、Ｃ．Ｉ．ディスパースブルーである
    特許請求の範囲第１項に記載の光半導体装置。
  3. （３）上記Ｃ．Ｉディスパースブルーの含有量が１×１
    ０＾−＾２重量％以上である特許請求の範囲第２項に記
    載の光半導体装置。
  4. （４）光電変換素子が受光素子である特許請求の範囲第
    １項、２項及び３項記載の光半導体装置。
JP60015328A 1985-01-31 1985-01-31 光半導体装置 Pending JPS61176165A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60015328A JPS61176165A (ja) 1985-01-31 1985-01-31 光半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60015328A JPS61176165A (ja) 1985-01-31 1985-01-31 光半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61176165A true JPS61176165A (ja) 1986-08-07

Family

ID=11885708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60015328A Pending JPS61176165A (ja) 1985-01-31 1985-01-31 光半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61176165A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6331735B1 (en) * 1998-09-25 2001-12-18 Advanced Micro Devices, Inc. Method to improve chip scale package electrostatic discharge performance and suppress marking artifacts

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5457983A (en) * 1977-10-18 1979-05-10 Toshiba Corp Optical semiconductor device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5457983A (en) * 1977-10-18 1979-05-10 Toshiba Corp Optical semiconductor device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6331735B1 (en) * 1998-09-25 2001-12-18 Advanced Micro Devices, Inc. Method to improve chip scale package electrostatic discharge performance and suppress marking artifacts

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA1133614A (en) Color solid-state imager and method of making the same
JPS6228596B2 (ja)
JPS61176165A (ja) 光半導体装置
JP2007036264A (ja) 光センサ用透光性樹脂組成物
JPS61176167A (ja) 光半導体装置
JPS61176166A (ja) 光半導体装置
JPS55157278A (en) Photo coupling device
JPS63240078A (ja) 受光型半導体装置
US7157302B2 (en) Imaging device and method of manufacture
JPS62205649A (ja) 半導体装置
JPH02101776A (ja) 光センサ用パッケージとその製造方法
JPH01266751A (ja) 光半導体装置
JP3313634B2 (ja) 光通信用デバイスとその製造方法
JPH0440287Y2 (ja)
JPH05182999A (ja) 半導体装置
JPS5658285A (en) Manufacture of color solid pick-up element
JPH0587537B2 (ja)
JPS63127556A (ja) 半導体装置の製造方法
TWI779739B (zh) 複合式感測裝置封裝方法
JP3173487B2 (ja) 赤外線通信用光送受信モジュール
JPS5762573A (en) Multiple wavelength photoelectric converter
JPH01304755A (ja) 光半導体装置
JPS62102548A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPH0648883Y2 (ja) 光結合素子
JPH01201952A (ja) カラー固体撮像装置