JPH0587537B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0587537B2 JPH0587537B2 JP60002734A JP273485A JPH0587537B2 JP H0587537 B2 JPH0587537 B2 JP H0587537B2 JP 60002734 A JP60002734 A JP 60002734A JP 273485 A JP273485 A JP 273485A JP H0587537 B2 JPH0587537 B2 JP H0587537B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- light
- resin
- semiconductor device
- sealed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 5
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 claims description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 5
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 3
- 239000001044 red dye Substances 0.000 claims description 2
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 claims description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 2
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂組成物及びそれを用いた樹脂封止
型半導体装置に関し、特に赤外線受光素子用樹脂
組成物及びそれを使用した樹脂封止型受光半導体
装置に関する。 〔従来の技術〕 赤外線受光素子の最大感度は900〜1000nmで得
られるものの受光波長範囲は300〜1250nmと可視
光から近赤外光まで広範に渡つている。 一方、信号を送る側である発光素子のピーク波
長は950nmである。従つて可視光線（400〜
780nm）は受光素子の外乱光として誤動作の原因
となる。この点を解決するための赤外線受光素子
側に可視光遮断の機能を付加する事が重要な技術
となつている。受光半導体装置に可視光遮断の機
能を付加する手段として従来受光素子を封止する
樹脂組成物に付加する方法と、さらに受光半導体
装置の受光面に赤外フイルターを貼り付ける方法
が行なわれていた。 第３図ａ，ｂは従来の可視光遮断機能を有する
樹脂組成物で封止した樹脂封止型受光半導体装置
の平面図及び断面図であり、図において２は樹脂
組成物、３は受光半導体素子、１ａ，１ｂは外部
取出しリードである。 また、第４図ａ，ｂは従来の樹脂封止受光半導
体装置の受光面に赤外フイルターを貼りつけた受
光半導体装置の平面図及び断面図であり、４が赤
外フイルターである。 従来の樹脂組成物はエポキシ樹脂と酸無水物を
主成分として、硬化促進剤、離型剤、酸化防止剤
を添加し、さらに赤色色素と暗緑色色素を配合し
たものである。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述の樹脂組成物２の可視遮断効果は不充分な
ものであつた。第５図は第３図に使用した従来品
の樹脂組成物の波長特性図である。第５図から明
らかのように、波長700nm以下の光を遮断できる
のに滞まつていた。そのため第３図に示す受光素
子が取り付けられた外部取り出しリード１ａ，１
ｂを樹脂組成物２にて封止した従来の受光半導体
装置は可視光遮断機能が不充分で外来光、特に蛍
光燈、白熱灯などによつて誤動作する事があつ
た。第４図に示すように受光半導体装置の受光面
に赤外フイルター４を貼り付ける方法でこの問題
を補つていたが、フイルターは非常に高価であ
り、フイルター貼り付け費用も多大であつた。
又、貼り付けたフイルターの脱落などの問題点が
あるため、従来の受光素子半導体装置は高価格
で、しかも信頼度が不充分なものであつた。 本発明は上記問題点に対処してなされたもの
で、樹脂組成物に所望の可視光遮断機能を付与し
それを用いる事で高性能かつ安価な樹脂封止型受
光素子半導体装置を提供することを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の第１の発明の樹脂組成物は、エポキシ
樹脂と有機酸無水物とを主成分とし、適宜な硬化
促進剤を添加してなる樹脂組成物において、赤外
線を透過し可視光を遮断する機能を有する色素を
含有して構成される。 なお、赤外線を透過し可視光を遮断する機能を
有する色素として最大吸収波長700〜800nmの範
囲の２−フエニルカルバモイル−１，４−ナフト
キノン−４−（4′−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ−
2′−メチルフエニル）イミンと赤色色素を用いる
ことにより効果が発揮できる。 また、本発明の第２の発明の樹脂封止型半導体
装置は、エポキシ樹脂と有機酸無水物とを主成分
とし、適宜な硬化促進剤を添加してなり、かつ赤
外線を透過し可視光を遮断する機能を有する色素
を含む樹脂組成物を用いて赤外線受光素子を封止
して構成される。 なお、赤外線を透過し可視光を遮断する機能を
有する色素としては上記したものを使用すること
により受光素子の機能をより信頼性のあるものと
することができる。 〔実施例〕 以下、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。 第１図は本発明の樹脂組成物の実施例の波長特
性図である。なお、第１図に示す実施例１〜４は
第１表に示す配合で構成されている。なお実施例
１〜４には赤外線を透過し可視光を遮断する機能
を有する色素として２−フエニルカルバモイル−
１，４−ナフトキノン−４（4′−Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルアミノ−2′−メチルフエニル）イミンを用い、
その添加量を変えたものである。
型半導体装置に関し、特に赤外線受光素子用樹脂
組成物及びそれを使用した樹脂封止型受光半導体
装置に関する。 〔従来の技術〕 赤外線受光素子の最大感度は900〜1000nmで得
られるものの受光波長範囲は300〜1250nmと可視
光から近赤外光まで広範に渡つている。 一方、信号を送る側である発光素子のピーク波
長は950nmである。従つて可視光線（400〜
780nm）は受光素子の外乱光として誤動作の原因
となる。この点を解決するための赤外線受光素子
側に可視光遮断の機能を付加する事が重要な技術
となつている。受光半導体装置に可視光遮断の機
能を付加する手段として従来受光素子を封止する
樹脂組成物に付加する方法と、さらに受光半導体
装置の受光面に赤外フイルターを貼り付ける方法
が行なわれていた。 第３図ａ，ｂは従来の可視光遮断機能を有する
樹脂組成物で封止した樹脂封止型受光半導体装置
の平面図及び断面図であり、図において２は樹脂
組成物、３は受光半導体素子、１ａ，１ｂは外部
取出しリードである。 また、第４図ａ，ｂは従来の樹脂封止受光半導
体装置の受光面に赤外フイルターを貼りつけた受
光半導体装置の平面図及び断面図であり、４が赤
外フイルターである。 従来の樹脂組成物はエポキシ樹脂と酸無水物を
主成分として、硬化促進剤、離型剤、酸化防止剤
を添加し、さらに赤色色素と暗緑色色素を配合し
たものである。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述の樹脂組成物２の可視遮断効果は不充分な
ものであつた。第５図は第３図に使用した従来品
の樹脂組成物の波長特性図である。第５図から明
らかのように、波長700nm以下の光を遮断できる
のに滞まつていた。そのため第３図に示す受光素
子が取り付けられた外部取り出しリード１ａ，１
ｂを樹脂組成物２にて封止した従来の受光半導体
装置は可視光遮断機能が不充分で外来光、特に蛍
光燈、白熱灯などによつて誤動作する事があつ
た。第４図に示すように受光半導体装置の受光面
に赤外フイルター４を貼り付ける方法でこの問題
を補つていたが、フイルターは非常に高価であ
り、フイルター貼り付け費用も多大であつた。
又、貼り付けたフイルターの脱落などの問題点が
あるため、従来の受光素子半導体装置は高価格
で、しかも信頼度が不充分なものであつた。 本発明は上記問題点に対処してなされたもの
で、樹脂組成物に所望の可視光遮断機能を付与し
それを用いる事で高性能かつ安価な樹脂封止型受
光素子半導体装置を提供することを目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明の第１の発明の樹脂組成物は、エポキシ
樹脂と有機酸無水物とを主成分とし、適宜な硬化
促進剤を添加してなる樹脂組成物において、赤外
線を透過し可視光を遮断する機能を有する色素を
含有して構成される。 なお、赤外線を透過し可視光を遮断する機能を
有する色素として最大吸収波長700〜800nmの範
囲の２−フエニルカルバモイル−１，４−ナフト
キノン−４−（4′−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ−
2′−メチルフエニル）イミンと赤色色素を用いる
ことにより効果が発揮できる。 また、本発明の第２の発明の樹脂封止型半導体
装置は、エポキシ樹脂と有機酸無水物とを主成分
とし、適宜な硬化促進剤を添加してなり、かつ赤
外線を透過し可視光を遮断する機能を有する色素
を含む樹脂組成物を用いて赤外線受光素子を封止
して構成される。 なお、赤外線を透過し可視光を遮断する機能を
有する色素としては上記したものを使用すること
により受光素子の機能をより信頼性のあるものと
することができる。 〔実施例〕 以下、本発明の実施例について図面を参照して
説明する。 第１図は本発明の樹脂組成物の実施例の波長特
性図である。なお、第１図に示す実施例１〜４は
第１表に示す配合で構成されている。なお実施例
１〜４には赤外線を透過し可視光を遮断する機能
を有する色素として２−フエニルカルバモイル−
１，４−ナフトキノン−４（4′−Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルアミノ−2′−メチルフエニル）イミンを用い、
その添加量を変えたものである。
【表】
【表】
ここで(6)２−フエニルカルボモイル−１，４−
ナフトキノン−４（4′−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ
−2′−メチルフエニル）イミンは下記の化学構造
である。
ナフトキノン−４（4′−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ
−2′−メチルフエニル）イミンは下記の化学構造
である。
以上のように本実施例の受光半導体装置は可視
光を完全に遮断でき、かつ、950nm付近の赤外光
を効率よく透過できる樹脂組成物によつて封止さ
れているので、従来の問題であつた室内光（白熱
灯、蛍光燈）の外乱光の影響を全く受ける事がな
い。従つて本実施例の半導体装置にさらに高価フ
イルターを貼り付ける必要もない。 本発明は赤外受光半導体装置の価格低減、性能
改善に大いに寄与するものである。
光を完全に遮断でき、かつ、950nm付近の赤外光
を効率よく透過できる樹脂組成物によつて封止さ
れているので、従来の問題であつた室内光（白熱
灯、蛍光燈）の外乱光の影響を全く受ける事がな
い。従つて本実施例の半導体装置にさらに高価フ
イルターを貼り付ける必要もない。 本発明は赤外受光半導体装置の価格低減、性能
改善に大いに寄与するものである。
第１図は本発明の実施例の樹脂組成物の波長特
性図、第２図ａ，ｂは本発明の一実施例の樹脂封
止型受光半導体装置の平面図と断面図、第３図
ａ，ｂ及び第４図ａ，ｂは何れも従来の樹脂封止
型受光半導体装置の平面図及び断面図、第５図は
従来の樹脂組成物の一例の波長特性図である。 １ａ，１ｂ……外部取出しリード、２……樹脂
組成物、３……受光半導体素子、４……赤外フイ
ルター、５……樹脂組成物。
性図、第２図ａ，ｂは本発明の一実施例の樹脂封
止型受光半導体装置の平面図と断面図、第３図
ａ，ｂ及び第４図ａ，ｂは何れも従来の樹脂封止
型受光半導体装置の平面図及び断面図、第５図は
従来の樹脂組成物の一例の波長特性図である。 １ａ，１ｂ……外部取出しリード、２……樹脂
組成物、３……受光半導体素子、４……赤外フイ
ルター、５……樹脂組成物。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ エポキシ樹脂と有機酸無水物を主成分とし、
適宜な硬化促進剤を添加してなる樹脂組成物にお
いて、赤外線を透過し、可視光を遮断する機能を
有する色素として最大吸収波長が700〜800nmの
範囲の２−フエニルカルバモイル−１，４−ナフ
トキノン−４−（4′−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ−
2′−メチルフエニル）イミンを有し、さらに赤色
色素を含み、立ち上がり波長が760〜850nmで、
かつ950nmの光透過率が75〜90％の分光特性を有
することを特徴とする樹脂組成物。 ２ エポキシ樹脂と有機酸無水物を主成分とし、
適宜な硬化促進剤を添加してなる樹脂組成物によ
り封止された樹脂封止型半導体装置において、赤
外線を透過し、可視光を遮断する機能を有する色
素として最大吸収波長が700〜800nmの範囲の２
−フエニルカルバモイル−１，４−ナフトキノン
−４−（4′−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ−2′−メチ
ルフエニル）イミンを有し、さらに赤色色素を含
み、立ち上がり波長が760〜850nmで、かつ
950nmの光透過率が75〜90％の分光特性を有する
樹脂組成物により封止されたことを特徴とする樹
脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60002734A JPS61162515A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 樹脂組成物及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60002734A JPS61162515A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 樹脂組成物及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61162515A JPS61162515A (ja) | 1986-07-23 |
| JPH0587537B2 true JPH0587537B2 (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=11537553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60002734A Granted JPS61162515A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 樹脂組成物及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61162515A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10241033B2 (en) | 2010-03-05 | 2019-03-26 | Seiko Epson Corporation | Spectroscopic sensor device and electronic equipment |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6477355B2 (ja) * | 2015-08-20 | 2019-03-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| TW202302803A (zh) | 2021-03-31 | 2023-01-16 | 日商日東電工股份有限公司 | 光半導體密封用樹脂組合物、光半導體密封用樹脂成形物、光半導體密封材及光半導體裝置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5771155A (en) * | 1980-10-21 | 1982-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
| JPS5779678A (en) * | 1980-11-05 | 1982-05-18 | Toshiba Corp | Photocoupling semiconductor device |
| JPS58118164A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-14 | Nec Corp | 光電半導体装置 |
| JPS6035018A (ja) * | 1983-08-05 | 1985-02-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 素子封止に好適なエポキシ樹脂組成物 |
-
1985
- 1985-01-11 JP JP60002734A patent/JPS61162515A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5771155A (en) * | 1980-10-21 | 1982-05-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
| JPS5779678A (en) * | 1980-11-05 | 1982-05-18 | Toshiba Corp | Photocoupling semiconductor device |
| JPS58118164A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-14 | Nec Corp | 光電半導体装置 |
| JPS6035018A (ja) * | 1983-08-05 | 1985-02-22 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 素子封止に好適なエポキシ樹脂組成物 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10241033B2 (en) | 2010-03-05 | 2019-03-26 | Seiko Epson Corporation | Spectroscopic sensor device and electronic equipment |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61162515A (ja) | 1986-07-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1529807A3 (en) | Epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same | |
| JPH0587537B2 (ja) | ||
| JP2001261367A (ja) | 透明樹脂用ガラスフィラー | |
| JPH05315652A (ja) | 光半導体装置 | |
| KR102313269B1 (ko) | 광센서 장치 | |
| JP2007036264A (ja) | 光センサ用透光性樹脂組成物 | |
| JPH04142070A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS5457983A (en) | Optical semiconductor device | |
| JPS55157278A (en) | Photo coupling device | |
| JPS5921076A (ja) | 受光半導体装置 | |
| JPS61176167A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH0416464Y2 (ja) | ||
| JPS58118164A (ja) | 光電半導体装置 | |
| JPS6035018A (ja) | 素子封止に好適なエポキシ樹脂組成物 | |
| JPS61176165A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPS598367Y2 (ja) | 発光装置 | |
| CN206098389U (zh) | 一种心率传感器 | |
| JPH046214Y2 (ja) | ||
| GB1291956A (en) | Semiconductor element coated with organic resin and its method of manufacture | |
| JPS6125268Y2 (ja) | ||
| RU1835423C (ru) | Термостойка клеева композици | |
| JPH0440287Y2 (ja) | ||
| JPS60241278A (ja) | 光半導体装置 | |
| TW561633B (en) | LED light-emitting device | |
| TH22821B (th) | องค์ประกอบที่ใช้ทางปาก |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |