JPS61176167A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPS61176167A JPS61176167A JP60015333A JP1533385A JPS61176167A JP S61176167 A JPS61176167 A JP S61176167A JP 60015333 A JP60015333 A JP 60015333A JP 1533385 A JP1533385 A JP 1533385A JP S61176167 A JPS61176167 A JP S61176167A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photoelectric conversion
- conversion element
- coloring matter
- coating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 abstract 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 abstract 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、入射光を電気信号に変換、又は入力電気信号
を光に変換する光半導体装置に関する。
を光に変換する光半導体装置に関する。
従来、光半導体装置は入射光路に光補正フィルタを有す
るものであった。
るものであった。
すなわち、従来の光半導体装置の構成は、第1図に示す
如く、光電変換素子1をリードフレーム3に固着し、ワ
イヤボンディング4を施す。次に光透過性樹脂5によシ
封止成形し、更に光電変換素子lの入射光路の樹脂5上
に赤外域の波長域の光線を吸収する光補正フィルタ6を
固着する。その結果、光補正フィルタ6の取付けに関し
、特殊な技術を必要とする上、工程数が多く、コストの
高いものであった。
如く、光電変換素子1をリードフレーム3に固着し、ワ
イヤボンディング4を施す。次に光透過性樹脂5によシ
封止成形し、更に光電変換素子lの入射光路の樹脂5上
に赤外域の波長域の光線を吸収する光補正フィルタ6を
固着する。その結果、光補正フィルタ6の取付けに関し
、特殊な技術を必要とする上、工程数が多く、コストの
高いものであった。
また、入射光の補正の為には光学フィルタを選択した上
、調整しなければならない欠点があった@〔発明の目的
〕 本発明の目的は、前述の欠点を解消した、入射光補正を
広範囲に且つ容易に行うことのできる、低コストで製造
の容易な光半導体装置を提供するととにある。
、調整しなければならない欠点があった@〔発明の目的
〕 本発明の目的は、前述の欠点を解消した、入射光補正を
広範囲に且つ容易に行うことのできる、低コストで製造
の容易な光半導体装置を提供するととにある。
本発明の光半導体装置は、光電変換素子の入射光路の樹
脂面上に色素を含有せる塗材層を有することを特徴とし
ている。
脂面上に色素を含有せる塗材層を有することを特徴とし
ている。
以下、本発明を図面に従りて具体的に説明する。
尚、各図の符号は、同一成分、物質については同じもの
が用いられている。
が用いられている。
第2図は本発明の実施態様の一つであフ、−重モールド
での実施例である。第2図においで、光電変換素子1は
基板となるリードフレーム3に固定され、必要な部分は
ワイヤがンディング3が行なわれる。
での実施例である。第2図においで、光電変換素子1は
基板となるリードフレーム3に固定され、必要な部分は
ワイヤがンディング3が行なわれる。
次に光透過性樹脂4で封止され、光電変換素子1への入
射光路にある該樹脂面上にC,1,(カラーインチ、ク
ス:ljl際規格)7″イス/4’−スゲリーン(C,
1,Disperm Green)を含有せる塗剤が吹
き付は塗布され塗材層5が形成される。
射光路にある該樹脂面上にC,1,(カラーインチ、ク
ス:ljl際規格)7″イス/4’−スゲリーン(C,
1,Disperm Green)を含有せる塗剤が吹
き付は塗布され塗材層5が形成される。
本発明にかかる上記実施例は、以上のような構成となっ
ているので、入射光があると、赤外域の波長の光が塗材
層5に含有されているC、1.ディスノ!−スゲリーン
に吸収されるため光電変換素子1には赤外域を除いた光
が入射する。
ているので、入射光があると、赤外域の波長の光が塗材
層5に含有されているC、1.ディスノ!−スゲリーン
に吸収されるため光電変換素子1には赤外域を除いた光
が入射する。
本発明は上記実施例に限らず、以下の如き場合にも明白
に適用可能である。
に適用可能である。
すなわち、塗材中の色素としては、各種の色素の中から
目的に応じ適宜選択され、例えばC,I。
目的に応じ適宜選択され、例えばC,I。
disp@rs@Blu@l rc、I disper
se Green 3Bdisp@rse Viol@
を等の色素を含有する塗材である。
se Green 3Bdisp@rse Viol@
を等の色素を含有する塗材である。
本発明の光半導体装置は、上述の色素の種類及び市有量
を変えることによ)、吸収カ、トシない光の波長を簡単
にしかも広範囲に調整することができる点において光補
正フィルタを用いる従来のものに比べて優れている。
を変えることによ)、吸収カ、トシない光の波長を簡単
にしかも広範囲に調整することができる点において光補
正フィルタを用いる従来のものに比べて優れている。
上記色素は必要に応じ光透過性のバインダーに分散して
用いられる。バインダーとしては、塗布した状態におい
て光透過性のものであれば特に限定されない。
用いられる。バインダーとしては、塗布した状態におい
て光透過性のものであれば特に限定されない。
塗材層形成の方法は吹き付けに限らず、蒸着。
塗布等の方法によることもできる。
本発明に用いられる樹脂としては、光半導体装置の封入
に用いられる光透過性樹脂の中から適宜選択される。
に用いられる光透過性樹脂の中から適宜選択される。
本発明に用いられる光電変換素子としては、特に限定さ
れず、光半導体装置に用いられる光電変換素子の中から
適宜選択され、上記シリコンの外、GaAs系光電変換
素子が例示される。
れず、光半導体装置に用いられる光電変換素子の中から
適宜選択され、上記シリコンの外、GaAs系光電変換
素子が例示される。
また、素子に関する構成は、リードフレーム、ワイヤゴ
ンディンダに限らずどのようなものでも良い。また光電
変換素子は周辺回路を持つものでも良い。
ンディンダに限らずどのようなものでも良い。また光電
変換素子は周辺回路を持つものでも良い。
本発明は第3図の如き、二重、三重の多重封止において
は、それらの内の少なくとも一封正に本発明が実施され
ていれば良い。
は、それらの内の少なくとも一封正に本発明が実施され
ていれば良い。
以上、説明した様に、本発明によれば入射光のうち塗材
層中の色素の吸収スペクトルにある波長の光は吸収力、
トされる。その為光電変換素子に入射する光は、装置に
入射する光を補正した光となる。従って、別途光福正フ
ィルタを備える必要がなくな夛、入射光補正を任意且つ
容易に調整できる製造の容易な光半導体装置を提供する
ことができる。
層中の色素の吸収スペクトルにある波長の光は吸収力、
トされる。その為光電変換素子に入射する光は、装置に
入射する光を補正した光となる。従って、別途光福正フ
ィルタを備える必要がなくな夛、入射光補正を任意且つ
容易に調整できる製造の容易な光半導体装置を提供する
ことができる。
第1図は従来の光半導体装置の縦断面図である。
第2図、第3図は本発明に係る光半導体装置の実施例を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
Claims (1)
- 光電変換素子の入射光路の樹脂面上に色素を含有せる塗
材層を有する光半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60015333A JPS61176167A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60015333A JPS61176167A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 光半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61176167A true JPS61176167A (ja) | 1986-08-07 |
Family
ID=11885855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60015333A Pending JPS61176167A (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61176167A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1589586A1 (en) * | 2003-01-20 | 2005-10-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transparent resin composition for optical sensor filter, optical sensor and production method therefor |
WO2009070286A1 (en) * | 2007-11-27 | 2009-06-04 | Tyco Electronics Corporation | Filtered photosensors and photo control devices including the same and methods for forming the same |
-
1985
- 1985-01-31 JP JP60015333A patent/JPS61176167A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1589586A1 (en) * | 2003-01-20 | 2005-10-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Transparent resin composition for optical sensor filter, optical sensor and production method therefor |
EP1589586A4 (en) * | 2003-01-20 | 2010-10-13 | Sharp Kk | TRANSPARENT RESIN COMPOSITION FOR OPTICAL SENSOR FILTER, OPTICAL SENSOR AND METHOD OF MANUFACTURE |
WO2009070286A1 (en) * | 2007-11-27 | 2009-06-04 | Tyco Electronics Corporation | Filtered photosensors and photo control devices including the same and methods for forming the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4395629A (en) | Solid-state color imager and method of manufacturing the same | |
CA1133614A (en) | Color solid-state imager and method of making the same | |
KR20050097946A (ko) | 광센서 필터용의 투명 수지 조성물, 광센서 및 그 제조방법 | |
JP2002076154A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6228596B2 (ja) | ||
JPS61176167A (ja) | 光半導体装置 | |
US20070034784A1 (en) | Photosensitive device that easily achieves a required photosensitive response | |
JPS61176166A (ja) | 光半導体装置 | |
JP2007036264A (ja) | 光センサ用透光性樹脂組成物 | |
JP2002016194A (ja) | 半導体装置 | |
JPS63240078A (ja) | 受光型半導体装置 | |
JPH01246505A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPH05343655A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPS61176165A (ja) | 光半導体装置 | |
JPS62190776A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2002043451A (ja) | 半導体装置 | |
JPH01266751A (ja) | 光半導体装置 | |
JPH01191481A (ja) | 受光素子 | |
JPH05182999A (ja) | 半導体装置 | |
JPS5910762Y2 (ja) | 光結合半導体装置 | |
JPH046214Y2 (ja) | ||
JP2785595B2 (ja) | 固体撮像装置の遮光キャップガラスの製造方法 | |
JPS60103682A (ja) | 樹脂封止型光電変換モジユ−ル | |
JP2002100692A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0587537B2 (ja) |