JPH01266751A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH01266751A JPH01266751A JP63096158A JP9615888A JPH01266751A JP H01266751 A JPH01266751 A JP H01266751A JP 63096158 A JP63096158 A JP 63096158A JP 9615888 A JP9615888 A JP 9615888A JP H01266751 A JPH01266751 A JP H01266751A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は光信号の授受において機能する光半導体装置
に関するものである。
に関するものである。
第２図は従来の光半導体装置の一例を示す部分破断側面
図で、Ｉｌ＋は光半導体素子、（２１はこの光半導体素
子＋１１が装着されたパッケージ、（３）はパッケージ
（２１に設けられ、光半導体素子（１）に電気的接続を
するためのリード、（４）は光半導体素子ｆｉｌとリー
ド（３）とを接続する導線、（５）は光半導体素子ｆｉ
＋のホトセンサ部の上に重ねて設けられ赤、青、緑等の
光を選択的に透過させるフィルタ部、（６）は光半導体
素子ｔｉｌ′に気密に保持し、光を自由に透過させる透
明なガラス板、（７）はこの光半導体装置をカメラ等に
組み込むときに必要となる赤外カット用ガラス板、（８
）は光散乱板である。
図で、Ｉｌ＋は光半導体素子、（２１はこの光半導体素
子＋１１が装着されたパッケージ、（３）はパッケージ
（２１に設けられ、光半導体素子（１）に電気的接続を
するためのリード、（４）は光半導体素子ｆｉｌとリー
ド（３）とを接続する導線、（５）は光半導体素子ｆｉ
＋のホトセンサ部の上に重ねて設けられ赤、青、緑等の
光を選択的に透過させるフィルタ部、（６）は光半導体
素子ｔｉｌ′に気密に保持し、光を自由に透過させる透
明なガラス板、（７）はこの光半導体装置をカメラ等に
組み込むときに必要となる赤外カット用ガラス板、（８
）は光散乱板である。
この従来装置の動作は、上記構成の説明から携らかであ
るので、その説明は省略する。
るので、その説明は省略する。
従来の光半導体装置では、このように、光散乱板や、余
分な光をカットする赤外カット用フィルタ板、紫外カッ
ト用フィルタ板を必要とするので、カメラへの装着部品
が多くなる。そして、これらの光学用フィルタ板等は高
価なので、装置全体が非常に高価になるという課題があ
った。
分な光をカットする赤外カット用フィルタ板、紫外カッ
ト用フィルタ板を必要とするので、カメラへの装着部品
が多くなる。そして、これらの光学用フィルタ板等は高
価なので、装置全体が非常に高価になるという課題があ
った。
この発明は以上のような課題を解決する念めになされた
もので、小形、簡略で、省スペースも達成できる光半導
体装置を得ることを目的とする。
もので、小形、簡略で、省スペースも達成できる光半導
体装置を得ることを目的とする。
この発明になる光半導体装置は透明樹脂によるｖＡ脂封
止構造とし、その封止樹脂中に赤外カットガラスの粉末
や、微細な光散乱材をフィシとして混入させたものであ
る。
止構造とし、その封止樹脂中に赤外カットガラスの粉末
や、微細な光散乱材をフィシとして混入させたものであ
る。
この発明では、光半導体素子を封止する透明樹脂に赤外
カットガラスの粉末および微細な光散乱材をフィシとし
て混入させたので、それ自体で赤外カットフィルタ特性
を示し、光散乱作用をはたし、極めて簡略な構成となる
。
カットガラスの粉末および微細な光散乱材をフィシとし
て混入させたので、それ自体で赤外カットフィルタ特性
を示し、光散乱作用をはたし、極めて簡略な構成となる
。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図で、ｇ
ＩＪ２図の従来例と同一符号は同等部分を示す。図にお
いて、（９）はリードフレームで、そのダイパッド部（
９１）には光半導体素子ｉｌ＋が装着される。（１０）
はこれらを封止固定するためにトランスファーモールド
方法等によって成形された透明樹脂、（１１）および（
１２）はそれぞれ透明樹脂＋１０１の中に配合されてい
る赤外カット用充填材および光拡散用充填材で、これら
の充填材は単に光学特性を満足するのみではなく、熱膨
張係数の小さい材料、例えば石英ガラス等を用いる。そ
して、これらの樹脂への充填率は容１ｔｉｆｆ分率で、
１０〜９０％が望ましく、１０チ以下では光学特性、す
なわち赤外線のカットと十分な散乱光が得られない。ま
た９０％を越えると、樹脂の成形が困難になる。
ＩＪ２図の従来例と同一符号は同等部分を示す。図にお
いて、（９）はリードフレームで、そのダイパッド部（
９１）には光半導体素子ｉｌ＋が装着される。（１０）
はこれらを封止固定するためにトランスファーモールド
方法等によって成形された透明樹脂、（１１）および（
１２）はそれぞれ透明樹脂＋１０１の中に配合されてい
る赤外カット用充填材および光拡散用充填材で、これら
の充填材は単に光学特性を満足するのみではなく、熱膨
張係数の小さい材料、例えば石英ガラス等を用いる。そ
して、これらの樹脂への充填率は容１ｔｉｆｆ分率で、
１０〜９０％が望ましく、１０チ以下では光学特性、す
なわち赤外線のカットと十分な散乱光が得られない。ま
た９０％を越えると、樹脂の成形が困難になる。
このように、赤外カットフィルタ特性を有する充填材や
、光散乱作用を行う充填材を配合した透明モールド樹脂
を用いて、光半導体素子を直接封止することによって、
この光半導体素子のセンサ部にはパッケージを通過する
入射光のうち必要な光だけが到達するようになる。そこ
で、光半導体素子としては、オートホワイトバランス素
子等の小形で低価格が要求されるカメラ用センサデバイ
スとして有効である。
、光散乱作用を行う充填材を配合した透明モールド樹脂
を用いて、光半導体素子を直接封止することによって、
この光半導体素子のセンサ部にはパッケージを通過する
入射光のうち必要な光だけが到達するようになる。そこ
で、光半導体素子としては、オートホワイトバランス素
子等の小形で低価格が要求されるカメラ用センサデバイ
スとして有効である。
以上説明したように、この発明によれば、赤外カット用
充填材および光散乱用充填材を配合した透明樹脂で光半
導体素子を直接封止したので、光半導体装置は小形、簡
略化が可能で、安価にでき、カメラ等に実装したときの
スペースを小さくできる。
充填材および光散乱用充填材を配合した透明樹脂で光半
導体素子を直接封止したので、光半導体装置は小形、簡
略化が可能で、安価にでき、カメラ等に実装したときの
スペースを小さくできる。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図、第２
図は従東の光半導体装置の一例を示す部分破断側面図で
ある。 図において、（ｌ）は光半導体素子、（１０１は封止透
明樹脂、（ｕｌは赤外カット用充填材、（Ｉ２１は光拡
散用充填材である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
図は従東の光半導体装置の一例を示す部分破断側面図で
ある。 図において、（ｌ）は光半導体素子、（１０１は封止透
明樹脂、（ｕｌは赤外カット用充填材、（Ｉ２１は光拡
散用充填材である。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）光半導体素子を透明樹脂で封止してなるものにお
いて、 上記透明樹脂中に赤外カット用充填材と、この赤外カッ
ト用充填材より粒径の小さい光散乱用充填材とからなる
充填部材を上記透明樹脂の１０〜９０容量パーセント添
加したことを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63096158A JPH01266751A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63096158A JPH01266751A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01266751A true JPH01266751A (ja) | 1989-10-24 |
Family
ID=14157550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63096158A Pending JPH01266751A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01266751A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006202971A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体光センサ |
| JP2007149905A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Sony Corp | 光電変換素子パッケージ及び光電変換素子パッケージの製造方法 |
| JP2007201137A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体光センサ |
| JP2008024789A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその製造方法 |
| JP2013168510A (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-29 | Seiko Instruments Inc | 光検出デバイス及び光検出デバイスの製造方法 |
| JP2015165551A (ja) * | 2014-02-04 | 2015-09-17 | セイコーインスツル株式会社 | 光センサ装置 |
-
1988
- 1988-04-18 JP JP63096158A patent/JPH01266751A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006202971A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体光センサ |
| JP2007149905A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Sony Corp | 光電変換素子パッケージ及び光電変換素子パッケージの製造方法 |
| JP2007201137A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | New Japan Radio Co Ltd | 半導体光センサ |
| JP2008024789A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその製造方法 |
| JP2013168510A (ja) * | 2012-02-15 | 2013-08-29 | Seiko Instruments Inc | 光検出デバイス及び光検出デバイスの製造方法 |
| JP2015165551A (ja) * | 2014-02-04 | 2015-09-17 | セイコーインスツル株式会社 | 光センサ装置 |
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