JPH046214Y2 - - Google Patents

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JPH046214Y2
JPH046214Y2 JP1986121588U JP12158886U JPH046214Y2 JP H046214 Y2 JPH046214 Y2 JP H046214Y2 JP 1986121588 U JP1986121588 U JP 1986121588U JP 12158886 U JP12158886 U JP 12158886U JP H046214 Y2 JPH046214 Y2 JP H046214Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、発光素子と受光素子の樹脂封止構造
に改良を加えたホトカプラに関する。
〔従来の技術〕
従来の樹脂封止型のホトカプラは、第4図に示
す如く、一方の支持板1上に発光素子3を固着
し、他方の支持板2上に受光素子4を固着し、図
示されていないリードに対して発光素子3及び受
光素子4を内部リード5,6で接続し、発光素子
3及び受光素子4を共通に被覆するように光透過
性(透明性)樹脂から成る光結合用樹脂7を設
け、この光結合用樹脂7を囲むように封止用樹脂
8を設けた構造になつている。なお、各支持板
1,2に延長してリード1a,2aが設けられて
いる。
このホトカプラにおいて、発光素子3から受光
素子4への光伝達は、主として界面9による反射
光路10で行われる。つまり、受光素子4の光入
力の大部分は、発光素子3から放射した光が光結
合用樹脂7と封止用樹脂8との界面9で反射する
ことに基づいて得られる。従つて、発光素子3と
受光素子4との光結合効率を高めるためには、光
結合用樹脂7の透明度が高いこと、及び封止用樹
脂8の光反射率が高いことが望ましい。
〔考案が解決しようとする問題点〕
ところで、第4図の従来構造のホトカプラに
は、次の問題点がある。
(1) 第4図のホトカプラにおいて、封止用樹脂8
に白色系樹脂を使用し、光反射率を高めると、
封止用樹脂8を設ける前の光結合効率をRC
したとき、2.5RC程度の高い光結合効率を得る
ことができる。しかし、白色系樹脂では外部光
を完全に遮断することが困難であり、外部光の
一部が受光素子4まで達し、ホトカプラが誤動
作することがある。従つて、従来の多くのホト
カプラでは、封止用樹脂8として光遮断性能の
高い黒色系樹脂が使用されている。この様に黒
色系樹脂を使用すると、光結合効率は0.2RC
度に低下する。
(2) 光結合用樹脂7と封止用樹脂8とは異質のも
のであるから、ホトカプラを長期に渡つて使用
すると、界面9が変質し、ひどいときは光結合
用樹脂7から封止用樹脂8がはく離し、この変
質やはく離が起こると、界面9の光反射率が変
化し、光結合効率が変動する。このため、ホト
カプラの特性安定性及び信頼性の面で改善の余
地がある。
(3) 光結合用樹脂7は一般に液状のシリコン樹脂
を発光素子3及び受光素子4の上に滴下し、熱
処理して硬化されたラバー状又はゲル状の軟質
樹脂である。従つて、光結合用樹脂7及び封止
用樹脂8の形状を厳密に制御することができな
い。このため、光結合用樹脂7及び封止用樹脂
8の形状のバラツキが光結合効率のバラツキと
なり、ホトカプラの製造歩留りが悪くなる。
なお、上記(1)の外部光によるホトカプラの誤動
作の問題点を解決するために、光結合用樹脂7の
上に光反射率の大きい白色系樹脂を薄く被覆し、
その上を光遮断性能の高い黒色系樹脂で封止する
三層封止構造も考えられる。しかし、光結合用樹
脂7の上に薄く被覆できるような流動性を持つた
白色系樹脂が見当らないのが実状である。適当な
白色系樹脂があつたとしても、製造工程は複雑化
するし、上記(2)(3)の問題点の解決にはならない。
そこで本考案の目的は、光結合効率が大きく、
外部光による誤動作が起らず、光結合効率の変動
及びバラツキが小さく、かつ製造が容易なホトカ
プラを提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的を達成するための本考案は、支持部材
上に固着された発光素子と、前記支持部材又は別
の支持部材上に固着された受光素子と、前記発光
素子と前記受光素子とを共通に被覆する光結合用
樹脂と、前記光結合用樹脂を被覆する封止用樹脂
とを有するホトカプラにおいて、前記光結合用樹
脂がSiO2系ガラスの微粉末から成る光散乱物質
を6〜13重量%混入した光透過性樹脂であり、前
記封止用樹脂が白色系樹脂よりも光遮断性能の高
い非白色系樹脂であり、前記発光素子から放射さ
れた光が前記光結合用樹脂と前記封止用樹脂の界
面で反射して前記受光素子に至る量に比べて、前
記発光素子から放射された光が前記界面の反射を
伴なわないで前記光結合用樹脂内で光散乱して前
記受光素子に至る量が多くなるように前記光結合
用樹脂及び前記封止用樹脂が構成されていること
を特徴とするホトカプラに係わるものである。
〔作用〕
発光素子から出た光は、光結合用樹脂で散乱さ
れ、その一部が受光素子に到達する。発光素子か
ら出た光が光結合用樹脂によつて散乱すると、光
結合用樹脂と封止用樹脂の界面まで届く量が少な
くなる。このため、封止用樹脂の光反射率が発光
素子と、受光素子との光結合効率に及ぼす影響が
少なくなり、封止用樹脂として光遮断性能の高い
非白色系樹脂を使用しても封止用樹脂を形成した
ことによる光結合効率の低下は従来より少ない。
また、外部光が光結合用樹脂に到達しても、この
外部光は光結合用樹脂の光散乱作用によつて受光
素子まで到達し難く、外部光の光遮断が強化され
る。更にまた、封止用樹脂と光結合用樹脂との界
面の変質、はく離及び光結合用樹脂の形状のバラ
ツキが生じても、光結合効率に及ぼす影響が小さ
い。
〔実施例〕
次に、第1図及び第2図によつて本考案の実施
例に係わるホトカプラを説明する。第1図のホト
カプラは、一方の金属板製支持板1の上にGaAs
赤外発光ダイオードチツプから成る発光素子3を
固着し、他方の金属板製支持板2の上にSiホトト
ランジスタチツプから成る受光素子4を固着し、
それぞれに内部リード5,6を接続し、発光素子
3と受光素子4とを光散乱物質入り光結合用樹脂
11で共通に被覆し、更に光遮断性能の高い黒色
系封止樹脂12で被覆したものである。なお、一
対の支持板1,2はリードフレームに基づいて得
られたものであり、この延長部にリード1a,2
aを有する。また、内部リード5,6は図示がさ
れていない外部リードに接続されている。
本考案に関係する光散乱物質入り光結合用樹脂
11は、光透過性(透明性)樹脂であるラバー状
又はゲル状のシリコン樹脂に光散乱物質として
SiO2系ガラスの微粉末を約10重量%混入したも
のである。また、黒色系封止樹脂12は、受光素
子4が外部光に応答することを阻止するために、
光吸収体となる顔料、色素、粒子を多く含ませた
黒色エポキシ樹脂である。
この様に構成されたホトカプラにおいては、発
光素子3から放射された光(赤外光)は光路13
で示す様に散乱物質で反射して受光素子4に至
る。光結合用樹脂11と封止用樹脂12と界面に
至り、ここで反射して受光素子4に向う光もある
が、これは光散乱で受光素子4に至るものに比較
して少ない。
このホトカプラの光結合効率は、第4図の従来
の光結合用樹脂7のみを設けた場合の光結合効率
RCを基準にして、約0.5RC(約半分)であるが、
従来の封止用樹脂8を黒色樹脂とした場合の光結
合効率約0.2RCよりは向上している。
第1図の構成にすれば、勿論、外部光による誤
動作は完全に防止される。また、光結合用樹脂1
1の形状が少々変化しても、光結合効率の変化は
少なく、±10%以下である。プレツシヤークツカ
ー試験においても、光結合効率の変化(低下)は
従来の1/3以下と良好な成績を示し、光結合効率
が界面9の変質やはく離の影響を受け難くなつて
いることを確認できた。
第2図は、光散乱物質の混合率(SiO2系ガラ
ス微粉末の透明性シリコン樹脂への混合率)と、
発光素子3と受光素子4間の光結合効率の関係を
示す。なお、発光素子3と受光素子4との間隔が
約1mm、ドーム状に盛り上がつた光結合用樹脂1
1の頂部の高さが支持板1,2の上面から1.5mm
のときのデータである。本考案では、光結合用樹
脂11からできるだけ外へ光を出さないようにす
る訳であるから、外部に光を出す発光ダイオード
のレンズ体の場合(混合率1〜3%)と比べ、混
合率をかなり大きくすることが望ましい。一般的
には、封止用樹脂12を設けない状態において、
光混合用樹脂11から外に出る光量が発光素子3
から放射された全光量の1/2未満になるように光
散乱物質を混入することが望ましい。勿論、混合
率があまり大きくなり過ぎると、発光素子3から
出た光が受光素子4に到達しなくなる。この例で
は6〜13%の混合率が実用範囲である。
〔変形例〕
本考案は、上述の実施例に限定されるものでな
く、変形可能なものである。例えば、第3図に示
す如く、ハイブリツドICのセラミツク基板14
の上に厚膜導体15,16を設け、この厚膜導体
15,16の上に発光素子3と受光素子4を固着
し、結合用樹脂11と封止用樹脂12とを第1図
と同様に設けてもよい。
〔考案の効果〕
上述から明らかなように、本考案は次の効果を
有する。
(イ) 光結合用樹脂にSiO2系ガラスの微粉末から
成る光散乱物質を6〜13重量%混入することに
より、光結合効率が高くなる。
(ロ) 光結合用樹脂による光結合が大きく、光結合
用樹脂と封止用樹脂との界面における反射に基
づく光結合が小さいので、界面の変質又は劣化
による光結合特性の変動が少なくなる。
(ハ) 封止用樹脂は非白色系樹脂であるので、外部
光による誤動作を起し難いホトカプラを得るこ
とができる。
(ニ) 光結合用樹脂と封止用樹脂との間に反射層を
設けることが不要であるので、構造が簡単であ
り、ホトカプラの低コスト化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例に係わるホトカプラを
示す断面図、第2図は光散乱物質の混合率と光結
合効率との関係を示す図、第3図は変形例のホト
カプラを示す断面図、第4図は従来のホトカプラ
を示す断面図である。 1,2……支持板、3……発光素子、4……受
光素子、11……光散乱物質入り光結合用樹脂、
12……封止用樹脂。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 支持部材上に固着された発光素子と、前記支持
    部材又は別の支持部材上に固着された受光素子
    と、前記発光素子と前記受光素子とを共通に被覆
    する光結合用樹脂と、前記光結合用樹脂を被覆す
    る封止用樹脂とを有するホトカプラにおいて、 前記光結合用樹脂がSiO2系ガラスの微粉末か
    ら成る光散乱物質を6〜13重量%混入した光透過
    性樹脂であり、 前記封止用樹脂が白色系樹脂よりも光遮断性能
    の高い非白色系樹脂であり、 前記発光素子から放射された光が前記光結合用
    樹脂と前記封止用樹脂の界面で反射して前記受光
    素子に至る量に比べて、前記発光素子から放射さ
    れた光が前記界面の反射を伴なわないで前記光結
    合用樹脂内で光散乱して前記受光素子に至る量が
    多くなるように前記光結合用樹脂及び前記封止用
    樹脂が構成されていることを特徴とするホトカプ
    ラ。
JP1986121588U 1986-08-06 1986-08-06 Expired JPH046214Y2 (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS55166971A (en) * 1979-06-14 1980-12-26 Nec Corp Photocoupling device

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JPS55166971A (en) * 1979-06-14 1980-12-26 Nec Corp Photocoupling device

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