JPH0529648A - 光学装置 - Google Patents
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- JPH0529648A JPH0529648A JP18247691A JP18247691A JPH0529648A JP H0529648 A JPH0529648 A JP H0529648A JP 18247691 A JP18247691 A JP 18247691A JP 18247691 A JP18247691 A JP 18247691A JP H0529648 A JPH0529648 A JP H0529648A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 インクレジストの確認を容易にできる光学装
置を提供する。 【構成】 インクレジスト3に、光を吸収する物質と、
光を反射する物質を共に混入する。 【効果】 インクレジストの外観上の色は、可視光を反
射する物質の色と、光を吸収する物質の色との混合色と
なり、基板の色と異なる。
置を提供する。 【構成】 インクレジスト3に、光を吸収する物質と、
光を反射する物質を共に混入する。 【効果】 インクレジストの外観上の色は、可視光を反
射する物質の色と、光を吸収する物質の色との混合色と
なり、基板の色と異なる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光学装置に関し、特に
リードフレームレス型の表面実装対応反射型フォトイン
タラプタに係る。
リードフレームレス型の表面実装対応反射型フォトイン
タラプタに係る。
【0002】
【従来の技術】従来のリードフレームレス型の表面実装
対応反射型フォトインタラプタの製造方法としては、メ
ッキが可能な高耐熱性樹脂でケース基板を成形し、その
上に金属メッキで3次元立体配線を施してチップラン
ド、配線、端子部を形成する。そして、発光素子および
受光素子を各々隣合ったケース基板の凹部にダイボン
ド、ワイヤーボンドし、この状態で透光性樹脂を注入し
て発光素子および受光素子が光学的に結合されるよう封
止を行う。
対応反射型フォトインタラプタの製造方法としては、メ
ッキが可能な高耐熱性樹脂でケース基板を成形し、その
上に金属メッキで3次元立体配線を施してチップラン
ド、配線、端子部を形成する。そして、発光素子および
受光素子を各々隣合ったケース基板の凹部にダイボン
ド、ワイヤーボンドし、この状態で透光性樹脂を注入し
て発光素子および受光素子が光学的に結合されるよう封
止を行う。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術におい
て、樹脂を注入する際に、注入した樹脂がケース基板外
に染み出す場合がある。そこで、注入した樹脂がケース
基板外に染み出さないように、ケース基板上面にインク
レジストを塗布することが考えられる。この際、発光素
子より放出した光がケース基板やインクレジスト内を通
って受光素子に伝わらないように、ケース基板材料やイ
ンクレジストには、カーボン等の光を吸収する物質を混
入する。
て、樹脂を注入する際に、注入した樹脂がケース基板外
に染み出す場合がある。そこで、注入した樹脂がケース
基板外に染み出さないように、ケース基板上面にインク
レジストを塗布することが考えられる。この際、発光素
子より放出した光がケース基板やインクレジスト内を通
って受光素子に伝わらないように、ケース基板材料やイ
ンクレジストには、カーボン等の光を吸収する物質を混
入する。
【0004】しかしながら、ケース基板材料およびイン
クレジストを遮光性にするために、カーボン等の光を吸
収する物質を混入すると、ケース基板材料およびインク
レジストは共に黒色となり、ケース基板上に色を重ねて
塗布した場合、非常に見分けがつきにくくなり、インク
レジスト塗布の確認が非常に困難となってしまう。
クレジストを遮光性にするために、カーボン等の光を吸
収する物質を混入すると、ケース基板材料およびインク
レジストは共に黒色となり、ケース基板上に色を重ねて
塗布した場合、非常に見分けがつきにくくなり、インク
レジスト塗布の確認が非常に困難となってしまう。
【0005】本発明は、上記に鑑み、インクレジストの
確認を容易にできる光学装置の提供を目的とする。
確認を容易にできる光学装置の提供を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の課題解決手段
は、図1ないし図3の如く、基板1に光学素子4,5が
搭載され、該光学素子4,5が封止樹脂7で封止され、
該封止樹脂7に対し表面染み出しを制御するインクレジ
スト3が基板1の上面に塗布され、該インクレジスト3
中に、光を吸収する物質と共に可視光を反射させる物質
が混入されたものである。
は、図1ないし図3の如く、基板1に光学素子4,5が
搭載され、該光学素子4,5が封止樹脂7で封止され、
該封止樹脂7に対し表面染み出しを制御するインクレジ
スト3が基板1の上面に塗布され、該インクレジスト3
中に、光を吸収する物質と共に可視光を反射させる物質
が混入されたものである。
【0007】
【作用】上記課題解決手段において、インクレジスト3
に、光を吸収する物質と、光を反射する物質を共に混入
することにより、インクレジスト3の表面に当たった光
の多くは、可視光を反射する物質の表面で反射および散
乱を起こす。一方、反射せずにインクレジスト3の中に
透過した光は、光を吸収する物質により吸収されるた
め、光の遮光機能を損なわないで済む。したがって、光
の遮光性を持たせて光の漏れを防ぐことができる。
に、光を吸収する物質と、光を反射する物質を共に混入
することにより、インクレジスト3の表面に当たった光
の多くは、可視光を反射する物質の表面で反射および散
乱を起こす。一方、反射せずにインクレジスト3の中に
透過した光は、光を吸収する物質により吸収されるた
め、光の遮光機能を損なわないで済む。したがって、光
の遮光性を持たせて光の漏れを防ぐことができる。
【0008】また、インクレジスト3の外観上の色は、
可視光を反射する物質の色と、光を吸収する物質の色と
の混合色となる。このため、インクレジスト3の外観上
の色を基板1と異ならせることができるから、基板1上
にインクレジスト3を塗布しても、インクレジスト3を
容易に見分けることが可能となる。
可視光を反射する物質の色と、光を吸収する物質の色と
の混合色となる。このため、インクレジスト3の外観上
の色を基板1と異ならせることができるから、基板1上
にインクレジスト3を塗布しても、インクレジスト3を
容易に見分けることが可能となる。
【0009】
【実施例】図1は本発明の一実施例に係る反射型フォト
インタラプタの構造を示しており、同図(a)は平面
図、同図(b)は正面図、同図(c)は底面図、同図
(d)は側面図、同図(e)は同図(a)のA−A断面
図、同図(f)は同図(a)のB−B断面図、同図
(g)は同図(a)のC−C断面図、同図(h)は同図
(g)のE部拡大図である。図2は多分割前のケース基
板を示しており、同図(a)は平面図、同図(b)は底
面図である。
インタラプタの構造を示しており、同図(a)は平面
図、同図(b)は正面図、同図(c)は底面図、同図
(d)は側面図、同図(e)は同図(a)のA−A断面
図、同図(f)は同図(a)のB−B断面図、同図
(g)は同図(a)のC−C断面図、同図(h)は同図
(g)のE部拡大図である。図2は多分割前のケース基
板を示しており、同図(a)は平面図、同図(b)は底
面図である。
【0010】本実施例のリードフレームレス型の表面実
装対応反射型フォトインタラプタは、光を吸収する物質
と、可視光を反射する物質とを共に混入したインクレジ
ストを用い、遮光性樹脂から成る黒色ケース基板に対し
インクレジストを塗布したものである。
装対応反射型フォトインタラプタは、光を吸収する物質
と、可視光を反射する物質とを共に混入したインクレジ
ストを用い、遮光性樹脂から成る黒色ケース基板に対し
インクレジストを塗布したものである。
【0011】ここで、図1,2に基づいて本実施例を詳
述すると、図において、1はケース基板であって、ケー
ス基板1は、例えば液晶ポリマー等のメッキ加工性と半
田耐熱性を有する機能性高分子材料に光遮蔽性を有する
物質(例えば、カーボン、シリコン、InSb等の粉
体)を混入して射出成形にて作られており、表面に金属
メッキ(例えば、Cu−Ni−Au、Cu−Ni−A
g、Ni−Au、Ni−Ag等)を施し、部分的にエッ
チングを行い3次元立体配線2が形成されている。
述すると、図において、1はケース基板であって、ケー
ス基板1は、例えば液晶ポリマー等のメッキ加工性と半
田耐熱性を有する機能性高分子材料に光遮蔽性を有する
物質(例えば、カーボン、シリコン、InSb等の粉
体)を混入して射出成形にて作られており、表面に金属
メッキ(例えば、Cu−Ni−Au、Cu−Ni−A
g、Ni−Au、Ni−Ag等)を施し、部分的にエッ
チングを行い3次元立体配線2が形成されている。
【0012】また、ケース基板1の上面には、上述の光
遮蔽性を有する物質をおよそ1wt%と、さらに可視光
を反射する物質(例えば、チタンホワイト(Ti
O2))を前記物質の5倍以上共に混入したインクレジ
スト3が塗布されている。なお、インクレジスト3は、
後述する封止樹脂のケース基板外への染み出しを防止す
る目的で使用されており、封止樹脂に対して表面染み出
しを制御する機能を有している。
遮蔽性を有する物質をおよそ1wt%と、さらに可視光
を反射する物質(例えば、チタンホワイト(Ti
O2))を前記物質の5倍以上共に混入したインクレジ
スト3が塗布されている。なお、インクレジスト3は、
後述する封止樹脂のケース基板外への染み出しを防止す
る目的で使用されており、封止樹脂に対して表面染み出
しを制御する機能を有している。
【0013】そして、ケース基板1の隣合った凹面1
a,1bには、導電ペースト(例えば、銀ペースト)8
を介して発光素子4と受光素子5がそれぞれダイボンド
されると共に、金線等のボンディングワイヤー6で結線
されている。さらに、透光性樹脂(例えば、エポキシ樹
脂)7を凹面1a,1b内に注入し硬化して封止を行い
発光素子4と受光素子5が光学的に結合されている。そ
の後、ケース基板1をダイシング等により多分割して製
品とされている。
a,1bには、導電ペースト(例えば、銀ペースト)8
を介して発光素子4と受光素子5がそれぞれダイボンド
されると共に、金線等のボンディングワイヤー6で結線
されている。さらに、透光性樹脂(例えば、エポキシ樹
脂)7を凹面1a,1b内に注入し硬化して封止を行い
発光素子4と受光素子5が光学的に結合されている。そ
の後、ケース基板1をダイシング等により多分割して製
品とされている。
【0014】上記構成において、インクレジスト3に、
発光素子4より放出された光を吸収する物質と、可視光
を反射する物質を共に混入することにより、インクレジ
スト3の表面に当たった光の多くは、可視光を反射する
物質(例えば、チタンホワイトの粉体)の表面で反射お
よび散乱を起こす。一方、反射せずにインクレジスト3
の中に透過した光は、光を吸収する物質(例えば、カー
ボンの粉体)により吸収されるため、光の遮光機能を損
なわないで済む。したがって、発光素子4と受光素子5
の間を光の遮光性を持たせて光の漏れを防ぐことができ
る。
発光素子4より放出された光を吸収する物質と、可視光
を反射する物質を共に混入することにより、インクレジ
スト3の表面に当たった光の多くは、可視光を反射する
物質(例えば、チタンホワイトの粉体)の表面で反射お
よび散乱を起こす。一方、反射せずにインクレジスト3
の中に透過した光は、光を吸収する物質(例えば、カー
ボンの粉体)により吸収されるため、光の遮光機能を損
なわないで済む。したがって、発光素子4と受光素子5
の間を光の遮光性を持たせて光の漏れを防ぐことができ
る。
【0015】また、インクレジスト3の外観上の色は、
可視光を反射する物質の色と、光を吸収する物質の色と
の混合色(例えば、チタンホワイトとカーボンの場合で
は灰色)となる。このため、インクレジスト3の外観上
の色をケース基板1と異ならせることができるから、光
遮蔽性を持たせた黒色のケース基板1上にインクレジス
ト3を塗布しても、インクレジスト3を容易に見分ける
ことが可能となる。
可視光を反射する物質の色と、光を吸収する物質の色と
の混合色(例えば、チタンホワイトとカーボンの場合で
は灰色)となる。このため、インクレジスト3の外観上
の色をケース基板1と異ならせることができるから、光
遮蔽性を持たせた黒色のケース基板1上にインクレジス
ト3を塗布しても、インクレジスト3を容易に見分ける
ことが可能となる。
【0016】本発明は、上記実施例に限定されるもので
はなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修正およ
び変更を加え得ることは勿論である。
はなく、本発明の範囲内で上記実施例に多くの修正およ
び変更を加え得ることは勿論である。
【0017】例えば、本発明に係るインクレジストの応
用例として、光遮蔽性を有した黒色プリント回路基板の
絶縁コーティングペーストとして利用してもよい。図3
に黒色プリント基板を使用したドットマトリックス型L
ED表示装置の斜視断面図を示している。このLED表
示装置では、発光素子1より発した光が隣のドットにプ
リント回路基板9やインクレジスト3を介して漏れない
ので、明瞭な表示が可能となり、しかも基板上へのイン
クレジストの塗布状態が容易に確認できる。なお、図
中、10は反射ケースである。
用例として、光遮蔽性を有した黒色プリント回路基板の
絶縁コーティングペーストとして利用してもよい。図3
に黒色プリント基板を使用したドットマトリックス型L
ED表示装置の斜視断面図を示している。このLED表
示装置では、発光素子1より発した光が隣のドットにプ
リント回路基板9やインクレジスト3を介して漏れない
ので、明瞭な表示が可能となり、しかも基板上へのイン
クレジストの塗布状態が容易に確認できる。なお、図
中、10は反射ケースである。
【0018】
【発明の効果】以上の説明から明らかな通り、本発明に
よると、インクレジストに、光を吸収する物質と、可視
光を反射する物質とを共に混入しているため、光の遮蔽
性を持たせて光の漏れを防ぐことができ、しかもインク
レジストの外観上の色をケース基板と異ならせることが
できるから、インクレジストの塗布状態が容易に確認で
きるといった優れた効果がある。
よると、インクレジストに、光を吸収する物質と、可視
光を反射する物質とを共に混入しているため、光の遮蔽
性を持たせて光の漏れを防ぐことができ、しかもインク
レジストの外観上の色をケース基板と異ならせることが
できるから、インクレジストの塗布状態が容易に確認で
きるといった優れた効果がある。
【図1】図1は本発明の一実施例に係る反射型フォトイ
ンタラプタの構造を示しており、同図(a)は平面図、
同図(b)は正面図、同図(c)は底面図、同図(d)
は側面図、同図(e)は同図(a)のA−A断面図、同
図(f)は同図(a)のB−B断面図、同図(g)は同
図(a)のC−C断面図、同図(h)は同図(g)のE
部拡大図である。
ンタラプタの構造を示しており、同図(a)は平面図、
同図(b)は正面図、同図(c)は底面図、同図(d)
は側面図、同図(e)は同図(a)のA−A断面図、同
図(f)は同図(a)のB−B断面図、同図(g)は同
図(a)のC−C断面図、同図(h)は同図(g)のE
部拡大図である。
【図2】図2は多分割前のケース基板を示しており、同
図(a)は平面図、同図(b)は底面図である。
図(a)は平面図、同図(b)は底面図である。
【図3】図3は本発明の応用例としてのLED表示装置
の斜視断面図である。
の斜視断面図である。
1 ケース基板 1a,1b 凹面 2 立体配線 3 インクレジスト 4 発光素子 5 受光素子 6 ボンディングワイヤー 7 透光性樹脂
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項1】 基板に光学素子が搭載され、該光学素子
が封止樹脂で封止され、該封止樹脂に対し表面染み出し
を制御するインクレジストが基板の上面に塗布され、該
インクレジスト中に、光を吸収する物質と共に可視光を
反射する物質が混入されたことを特徴とする光学装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18247691A JPH0529648A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18247691A JPH0529648A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 光学装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0529648A true JPH0529648A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16118940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18247691A Pending JPH0529648A (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 光学装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0529648A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009088435A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトリフレクタ及びその製造方法 |
US8129494B2 (en) | 2006-12-26 | 2012-03-06 | Asahi Kasei E-Materials Corporation | Resin composition for printing plate |
US8168728B2 (en) | 2007-11-16 | 2012-05-01 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | Polycarbonate diol with ease of reaction stabilization |
US8318890B2 (en) | 2005-02-18 | 2012-11-27 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | Polycarbonate diol |
WO2020179483A1 (ja) | 2019-03-07 | 2020-09-10 | 旭化成株式会社 | ポリカーボネートジオール及びその用途 |
JP2021082687A (ja) * | 2019-11-18 | 2021-05-27 | シャープ福山セミコンダクター株式会社 | 画像表示素子及び画像表示素子の製造方法 |
-
1991
- 1991-07-23 JP JP18247691A patent/JPH0529648A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8318890B2 (en) | 2005-02-18 | 2012-11-27 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | Polycarbonate diol |
US8129494B2 (en) | 2006-12-26 | 2012-03-06 | Asahi Kasei E-Materials Corporation | Resin composition for printing plate |
EP2567995A2 (en) | 2006-12-26 | 2013-03-13 | Asahi Kasei E-materials Corporation | Resin composition for printing plate |
JP2009088435A (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-23 | Citizen Electronics Co Ltd | フォトリフレクタ及びその製造方法 |
US8168728B2 (en) | 2007-11-16 | 2012-05-01 | Asahi Kasei Chemicals Corporation | Polycarbonate diol with ease of reaction stabilization |
WO2020179483A1 (ja) | 2019-03-07 | 2020-09-10 | 旭化成株式会社 | ポリカーボネートジオール及びその用途 |
JP2021082687A (ja) * | 2019-11-18 | 2021-05-27 | シャープ福山セミコンダクター株式会社 | 画像表示素子及び画像表示素子の製造方法 |
US11908847B2 (en) | 2019-11-18 | 2024-02-20 | Sharp Fukuyama Laser Co., Ltd. | Image display element and method for manufacturing image display element |
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