JPS61174371A - 薄膜作成装置 - Google Patents

薄膜作成装置

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Publication number
JPS61174371A
JPS61174371A JP1242285A JP1242285A JPS61174371A JP S61174371 A JPS61174371 A JP S61174371A JP 1242285 A JP1242285 A JP 1242285A JP 1242285 A JP1242285 A JP 1242285A JP S61174371 A JPS61174371 A JP S61174371A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
vapor deposition
vacuum chamber
chamber
film forming
Prior art date
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Pending
Application number
JP1242285A
Other languages
English (en)
Inventor
Isao Hashimoto
勲 橋本
Yuzo Oka
岡 勇蔵
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP1242285A priority Critical patent/JPS61174371A/ja
Publication of JPS61174371A publication Critical patent/JPS61174371A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明のオU用分野〕 本発明は薄膜作成装置に係シ、蒸着とイオン注入を同時
、あるいは交互に行って薄M?作成するに好適な薄膜作
成装置に関する。
〔発明の背景〕
近年、チタンやボロン等を金属表面に蒸着し、かつ、こ
の蒸着と同時に、又は交互に窒素イオンビームを照射し
、きわめて密着性の強いTiNやBNの膜を金属表面に
作る方法が各方面で注目され実用段階に入りつつある。
尚、イオンビームと蒸着技術を組合せて薄膜を形成する
ものとしては、特開昭58−2022号公報で提案され
ている。ところで、装置のシステム化に伴い、イオン源
が大形化し、この大形化により、使用ガス量も犬きくな
シ、真空排気装置もきわめて大容tなものが必要となる
。ところが、通常圧力を、あるレベル以下に下げるのは
経済的に問題となる。一方、蒸着膜は高真空はど良く、
イオン注入は蒸着はど高真空は要求されない。また、イ
オン源が大形化しても構造的に排気速度はある一定以上
のものは付けられない恐れがおる。
〔発明の目的〕
本発明は上述の点に鑑み成され比もので、その目的とす
るところは、蒸着部とイオン注入部の圧力を各々独立制
御出来るようにし、排気速度の小さなもので良好な膜の
作成が可能な薄膜作成装置を提供するにある。
〔発明の概要〕
本発明は内部が真空に保持されている真空チェンバ内に
回転可能に収納されている薄膜作成用の基材に対するイ
オン源によるイオンビームの照射と蒸着装置による蒸着
用金属の蒸気を照射する室とを、前記真空チェンバ内に
仕切板を設けて仕切ることにより、所期の目的を達成す
るように成したものである。
〔発明の実施例〕
以下、図面の実施例に基づいて本発明を説明する。
第1図に本発明の薄膜作成装置の一実施例を示す。
該図において、lは真空チェンバで、この真空チェンバ
l内に回転円板8が収納されると共忙、回転円板8上に
は複数の薄膜作成用の基材3が取付けられ、これが真空
チェンバl外に配置されている駆動装置9により矢印の
ように回転される。
一方、基材3と相対向するよう所定の距離をもって真空
チェンバlの図示左側には、回転中の基材3の表向にイ
オンビームを照射するイオン源5が設けられ、更に1真
空チエンバlの図示右側内部には、イオン源5によるイ
オンビームの照射と同時、又は交互に基材3に蒸着用金
属の蒸気を照射する蒸着装置4が設けられている。そし
て、本実施例では真空チェンバl内に仕切板2を設け、
この仕切板2で左匈のイオン源5によるイオン注入室と
右側の蒸着装置4による蒸着室とに仕切ると共に、各々
のNVc排気装置6,7をそれぞれ設けている。尚、1
0はイオン源5にガスを供給するガス供給装置である。
このような本実施例の構成とすることにより、イオン注
入室と蒸着室とが分離できるため、各基を排気装置6,
7により排気することにより、ガス供給装置lOからイ
オン源5を通って出てくるガスに対し、蒸着室はほぼ独
立とな〕、蒸着室は高真空、イオン注入室はある一定の
圧力で運転可能となるため、排気速度の小さなもので良
好な膜の作成が可能となる効果がある。
第2図は本発明の他の実施例を示すもので、ロール基材
を処理するのに適している。
該図忙示す如く、本実施例では真空チェンバ11を円形
状にし、その内部にロール基材13を収納し、該ロール
基材13は駆動装置9により回転される。一方、ガス供
給装aioを備えているイオン源5は、真空チェンバ1
1の横側面に、蒸着装置4は内部下側にそれぞれ設置さ
几、この蒸着装置4の両側に仕切板12を設けて、真空
チェンバ11内會イオン注入室と蒸着室とに区切ると共
に、各室には排気!116.7がそれぞれ接続されてい
る。
このような本実施例の構成とすることにより、駆動装置
9にてロール基材13を回転させ、蒸着とイオン注入を
交互に高速で行えるため、ロール基材13の処理には好
適である。
第3図は第2図に示したロール基材13の処理の変形例
である。
該図では、イオン源5を真空チェンバ11の上側に設け
ると共に、−DI’気装置6を11固とし、この排気装
置6にイオン注入室と蒸気室からの排気路を接続し、か
つ、イオン注入室側の排気路に開度調整弁14を設けて
いる。
このようにすると、開度調整弁14により差動排気の片
室の排気コンダクタ全制御し、各室の圧力制御が可能と
なる。
第4図に示す例は、ロール基材13のサイズが変っても
対応できるよう、仕切板15’に矢印の如く調整可能と
したものである。例えば、図示の如く、実線のロール基
材13のサイズから、点線のサイズのロール基材13に
変った場合には、外側に仕切板15を縮めれば、ロール
基材13のサイズが大きくなっても対応可能となる。
〔発明の効果〕
以上説明した本発明の薄膜作成装置によれば、内部が真
空に保持されている真空チェンバ内に回転可能に収納さ
れている薄膜作成用の基材に対するイオン源に二るイオ
ンビームの照射と蒸着装置による蒸着用金属の蒸気を照
射する室とを、真空チェンバ内に仕切板を設けて仕切っ
たものであるから、イオン圧入部と蒸着部の圧力が各々
独立して制御できるため、排気速度の小さなもので良好
な膜の作成が可能となり、此稽薄膜作成装置には非常に
有効である。
【図面の簡単な説明】
第10は本発明の薄膜作成装置の一実施例を示す概略断
面図、第2図は本発明の他の実施例を示す概略断面図、
第3図、及び第4図はそれぞれ第2図に示した例の変形
例を示す概略断面図である。 1.11・・・真空チェンバ、2,12.15・・・仕
切板、3・・・基材、4・・・蒸着装置、5・・・イオ
ン源、6゜7・・・排気装置、8・・・回転円板、9・
・・駆動装置、10・・・ガス供給装置、13.13’
・・・ロール基材、14・・・開度調整弁。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、内部が真空に保持されている真空チエンバと該真空
    チエンバ内に回転可能に収納されている薄膜作成用の基
    材と、回転中の該基材の表面にイオンビームを照射する
    イオン源と、該イオン源によるイオンビームの照射と同
    時に、又は交互に、前記基材に蒸着用金属の蒸気を照射
    する蒸着装置とを備えた薄膜作成装置において、前記基
    材に対するイオン源によるイオンビームの照射と蒸着装
    置による蒸着用金属の蒸気の照射する室を区切るよう、
    前記真空チエンバ内を仕切板で仕切つたことを特徴とす
    る薄膜作成装置。 2、前記基材と相対向するよう所定の距離をもつて前記
    イオン源と蒸着装置をそれぞれ配置し、前記仕切板によ
    り仕切られたイオンビームの照射室と蒸気の照射室にそ
    れぞれ排気装置を設けたことを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の薄膜作成装置。 3、前記基材は回転円板に複数個取付けられ、該回転円
    板は前記真空チエンバ外の駆動装置により回転されるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項、又は第2項記載
    の薄膜作成装置。 4、前記真空チエンバを円形状に形成すると共にこの内
    部に収納される基材をロール基材とし、該ロール基材は
    前記真空チエンバ外の駆動装置により回転されることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の薄膜作成装置。 5、前記円形状真空チエンバの横側面に前記イオン源を
    、下側に前記蒸着装置をそれぞれ配置し、該イオン源に
    よるイオンビームの照射室と蒸着装置による蒸気の照射
    室とを仕切る仕切板を、前記蒸着装置の両側に設けて前
    記両照射室を区切つたことを特徴とする特許請求の範囲
    第4項記載の薄膜作成装置。 6、前記仕切板により区切られた両照射室にそれぞれ排
    気装置が設けられていることを特徴とする特許請求の範
    囲第5項記載の薄膜作成装置。 7、前記仕切板により区切られた両照射室からそれぞれ
    排気路が外部に延び、該両排気路は共通の排気装置に接
    続されると共に、両排気路のいずれか一方に、前記両照
    射室の圧力差が制御できる範囲第5項記載の薄膜作成装
    置。 8、前記仕切板は、その長さが調整可能なように形成さ
    れていることを特徴とする特許請求の範囲第4項、第5
    項、第6項、又は第7項記載の薄膜作成装置。
JP1242285A 1985-01-28 1985-01-28 薄膜作成装置 Pending JPS61174371A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6261315A (ja) * 1985-09-11 1987-03-18 Sharp Corp 分子線エピタキシ−装置
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KR100392811B1 (ko) * 2001-08-14 2003-07-28 주식회사 삼원진공 이중챔버형 다중 진공증착 장치
JP2006169585A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Toppan Printing Co Ltd 導電性ガスバリア積層体の製造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPS61163269A (ja) * 1985-01-12 1986-07-23 Nissin Electric Co Ltd イオン蒸着薄膜形成装置

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