JPS62112776A - イオンプレ−テイング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、被処理物の表面に薄膜を形成するためのイオ
ンプレーティング装置に係り、特に蒸？１ｔ４料を連続
的にｈｌｉ給しようとする場合に打利な装置に関するし
のである。

［従来の技術］ イオンプレーティング装置により、大きい基板に薄膜を
形成する場合、蒸着＋材料を適宜蒸発源にｈ１１給する
必要がある。

第３図は、そのようなｈｌｔ給機能を持ｆこせた従来の
イオンプレーティング装置ηを示している。図中１は工
“Ｌ空容器であり、この真空容器１の内部上方には、Ｍ
ｉ膜を形成する対象の堪仮２か配置され、また下方には
Ｖｈ　ｄ材料３を蒸発さ仕る蒸発源４が配置されている
。そして、基板２に負の１ｕ圧を印加し、７Ａｎ源４の
電子銃５を作動させてるつぼＧ内の材料３を蒸発さＵる
ことにより、イオンホノバードしながら蒸発物質をＪｋ
仮２に付着さ仕ろ。

７は、Ｔｆｔ子銃５により発生させられる電子ヒーム軌
跡を示し、８は基板用電源を示している。

また、るつぼ６内の（材料３が蒸発して括仮２に到達ず
ろ流路途中には、必要時に、その流路をと断するための
ツヤツタ板９が配置されている。ＩＯは、ツヤツタ板９
を旋回させろための回転軸、１１は駆動モータである。

また、１２は、１’＋ｒｊ記蒸発源４に対して蒸着（オ
料をｈｌｉ給投大投入ための（オ料投入装置ξである。

この付４［役人装置η１２は、付料仮１３を収納した本
体１．１を、シリング１５により適宜蒸発源、４直とに
、二点鎖線で示すように移動することができるようにし
たらので、本体１・１下面に設けたゲート１６を開くこ
とにより付料仮１３を蒸発源４に投入する乙のである。

ところで、新しい蒸着十オ料を蒸発させると、蒸発切期
において材料表面あるいは内部にある不純物質、たとえ
ばＨ，Ｏや油等がアウトガスとして蒸発し真空容器内に
拡散する。これらの不純物質かＪＩ＋）仮に付着すると
、製品の品質が低下するので、一般には、まず事前洗浄
を行ない、その段階で可能な範囲の不純物質を取り除き
、その上で蒸発源に投入して蒸発させるようにしている
。

しかし、＋Ｉｉ　Ｄｉ洗浄を行なってら、完全に不純物
質を除去することは困難であるため、前記従来装置にお
いては、初期蒸発時にツヤツタ板９で蒸発源４の上方を
覆い、不純物質が基板に達しないようにしている。

［発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、」１記のような操作を行なって乙、不純
物質はツヤツタ板９や真空容器１内面に付着しており、
これか実際のＦＡ着作業中に、再び拡散してノ、（仮２
に付着したり、あるいは不純物質がツヤツタ板９を廻り
こんで基板２に付着し、生成薄膜の品質を低下させると
いう問題がある。

本発明は、このような点を芳慮し、基板に形成する膜中
への不純物質の混入を防止し、薄膜品質を向上させるこ
とのできるイオンブレーティノブ装置を提供ずろことを
目的とする。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は、上記の問題点を解決するしのであって、イオ
ンプレーティング作業を行なう蒸着室と、材料投入及び
初期蒸発を行なう室を別々に設け、これら画室を連通路
で連絡するとともに、この連通路を介して蒸発源が画室
間を自由に移動できるようにしたものである。

詳しくは、真空に保持可能な二つの室を連通路で連絡し
、一方の室を蒸着室として、その内部の前記連通路から
離れた位置に、薄膜形成対象である＞、Ｉ、仮を配置し
、また能力の室を蒸着材料を補給投入しかつ初期蒸発を
行なうためのナオ料投入室とし、さらに１Ｉｉｊ記基板
に付着させるための蒸着材料をノベ発さ０る蒸発源を、
１ｍ記蒸着室と（材料投入室の間に、［５いて連通路を
介して移動可能に設けたらのである。

［作用］ 」二記構成のイオンブレーティノブ装置においては、蒸
着作業を行なう場合は、蒸発源を蒸着室に移動して、通
常通りの作業を行なう。また、蒸着（オ料が少なくなり
（オネ１をｈｌｉ給する場合は、蒸発源を（４料投入室
に一旦移動して蒸発源にＶｒ料を投入する。そして加熱
溶解させる。このとき、投入した＋オ料の表面や内部か
ら不純物質がアウトガスとして蒸発４゛るが、ＪＡ仮を
配置した蒸着室とは区切られた（Ａ料投入室内で拡散す
るのみで、蒸ｎ室に不純物質が拡散４゛るおそれはない
。

ｌ実施例］ 以Ｆ、本発明の一実施例を第１図を参照して説明４“る
。

図中２０は真空容器であり、内部が垂直な隔壁２Ｉによ
り１分され、一方の室２３は蒸着室、他方の室２１１は
材料投入室とされている。蒸着室２３の内部」三方には
、薄膜を形成する対象の堰板２５が配置されている。ま
た、前記隔壁２Ｉの下部には、蒸着室２３と材料投入室
２４とを連絡する連通路２６が設けられ、この連通路２
６を介して、蒸発源２７を両室２３．２１間において自
由にＦ多動さＵ°得るようになっている。

蒸発源２７を移動さ仕るための機溝としては、材料投入
室２４の外部に図示しないシリング装置が設置されてお
り、このシリング装置により水平方向に矢印（イ）（ロ
）の如く移動させられるロット２８の先端に蒸発源２７
が設けられている。そして、シリング装置を動作させる
ことに上り、蒸発あ；Ｉ２７を蒸着室２３内の所定位置
と＋４１’）投入室２４内の所定位置との間て移動４°
ろことがてきるようになっている。

なお、蒸発源２７の構成、すなわちるつぼ６、電子銃５
等の＋１が成は従来のらのと同様である。７は電子ヒー
ム軌跡、３は蒸着（材料を示している。

また、前記ロット２８の内部には、るつぼ冷却用バイブ
や電子銃用高圧ケーブル（図示略）か通っている。

また、材料投入室２４側には、前記連通路２６から離れ
た位置に、真空容器２０内のガスを排気するための排気
孔２９が設けられるとともに、その下方に材料投入装置
！２か配置されている。この場合のｔ材料投入装置Ｉ２
は、従来のらのと同様であるので、説明は略す。３０は
電源である。

以上の４＋Ｗ成のイオンプレーティング装置において、
蒸ｄ作業を行なう場合は、蒸発源２７を蒸着室２３側に
移動して、従来通りのイオンプレーティング作業を行な
う。また、蒸発源２７の蒸着材料３が残り少なくなり材
料を補給する場合は、蒸発源２７を材料投入室２４側に
一旦移動して、材料投入装置Ｉ２を動作し蒸発源２７に
新たな材料１３を投入する。

そして、この状陣で、１４料投入装置′Ｉ￥１２の本体
１４を待機位置に退避させて電子銃５を作動さＵてＲ行
（４科を加熱溶解させる。このとき、投入した材料の表
面や内部から不純物質がアウトガスとして蒸発するが、
材料投入室２４は、基板２５を配置した蒸着室２３とは
区切られているゴー、ｕｒ気孔２つより材料投入室２４
内のガスを導出ケることにより、蒸着室２３側に配置さ
れている）、（仮２５まで、拡散した不純物質が達する
ことはない。

より拡散の防ＩＦを図りたい場合には、連通路２６に図
中二点鎖線て示ずようにンヤノタ３１を設ければよい。

なお、このように；材料投入室２Ｉを蒸ｎ室２３と別に
、役はて、基板２５に不純物質か到達しない構成としで
あるから、たとえば第２図に示づ−ように、蒸着＋４科
を巻いたコイル３２から、連続的に蒸着（４料を供給す
るように構成することらできる。

また、上記実施例においては、７Ｊ、４室とす４１１投
入室を、一つの真空容器を隔壁で仕切ることにより構成
したが、最初から別々の容器で各室を構成してらよいの
は勿論である。

１発明の効果コ 本発明によれば、蒸着室とす４料投入室とを別々に設（
１ているので、投入（オ科より発生ずるアウトガスが堰
板に併行するのを極力防止することかできる。このため
、堰板の生成膜質の品質向上を図ることかできる。

まｆ二、従来では、投入するキオ料の小面洗浄に気をつ
かっていたが、本発明の装置の場合、そイ１はと気をつ
かわなくてらよくなる。すなわち、若干不純物質があっ
て６、材料投入室内で拡散し、蒸着室側にはほとんど及
ばないからである。

さらに、＋４料投入を蒸着室と別の室でてきろようにし
たから、不純物質の拡散の心配なく（オ科投入の連続化
を図ることか可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の側断面図、第２図はその一
部変形例を示す側断面図、第３図はｔ；ｆ＝来装置の説
明図である。 Ｉ２・・　ｋｎｎ付設投入装置２０・・・・・真空容器
、２Ｉ・・・・・・隔壁、２３・・・・・蒸着室、２４
　・・・・（４科投入室、２５・・・基板、２６　　連
通路、２７−・蒸発源、２９　・・・排気孔、３０・・
・７Ｉｌｉ源。 代理人　　弁理士　　志　Ｔ（ｌ　　正　武゛′傭。 二寒′ 第１図 スｎ ｔ（２ｅｉ　　　５１　　　　＜／ 第２図 ス○

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 真空に保持可能な二つの室を連通路で連絡し、一方の室
   を蒸着室として、その内部の前記連通路から離れた位置
   に、薄膜形成対象である基板を配置し、また他方の室を
   蒸着材料を補給投入しかつ初期蒸発を行なうための材料
   投入室とし、さらに前記基板に付着させるための蒸着材
   料を蒸発させる蒸発源を、前記蒸着室と材料投入室の間
   において連通路を介して移動可能に設けたことを特徴と
   するイオンプレーティング装置。