JPS61152789A - 発光材料 - Google Patents
発光材料Info
- Publication number
- JPS61152789A JPS61152789A JP27729784A JP27729784A JPS61152789A JP S61152789 A JPS61152789 A JP S61152789A JP 27729784 A JP27729784 A JP 27729784A JP 27729784 A JP27729784 A JP 27729784A JP S61152789 A JPS61152789 A JP S61152789A
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- JP
- Japan
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- phosphor
- green
- conductive material
- activation amount
- amount
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、低速電子線励起によって緑色の発光を示す発
光材料に関するものである。
光材料に関するものである。
従来、低速電子線励起で高輝度忙発光し実用に供されて
いる螢光体としては、自己付活酸化亜鉛螢光体［ＺｎＯ
：Ｚｎ）が知られている。この螢光体は低速電子線励起
によって青緑色発光を示し、電卓、各種計測器等の螢光
表示管用螢光体として使用されている。最近、螢光表示
管の多様化に伴りて低速電子線励起下で青緑以外の発光
を示す螢光体が望まれるようになった。
いる螢光体としては、自己付活酸化亜鉛螢光体［ＺｎＯ
：Ｚｎ）が知られている。この螢光体は低速電子線励起
によって青緑色発光を示し、電卓、各種計測器等の螢光
表示管用螢光体として使用されている。最近、螢光表示
管の多様化に伴りて低速電子線励起下で青緑以外の発光
を示す螢光体が望まれるようになった。
低速電子線励起下で青緑以外の高輝度の発光を示す螢光
体としては酸化錫系導電材料（ＳｎＯ□：ｓｂ）あるい
は酸化インジウム導電材料（ｉｎ２ｏ、）と、緑色発光
螢光体、赤色発光螢光体あるいは青色発光螢光体とを混
合した組成物が知られている（特願昭５３−１６１７３
３号、特願昭５４−８１４号、特願昭５４−１６１３２
７号、特願昭５７−０３８５４９号、特願昭５８−００
７８８４号、特願昭５８−００７８８５号）。
体としては酸化錫系導電材料（ＳｎＯ□：ｓｂ）あるい
は酸化インジウム導電材料（ｉｎ２ｏ、）と、緑色発光
螢光体、赤色発光螢光体あるいは青色発光螢光体とを混
合した組成物が知られている（特願昭５３−１６１７３
３号、特願昭５４−８１４号、特願昭５４−１６１３２
７号、特願昭５７−０３８５４９号、特願昭５８−００
７８８４号、特願昭５８−００７８８５号）。
これらの発光組成物は、加速電圧が１ｋＶ以下。
特ｉ／ｃ１００Ｖ以下の低速電子線励起下で高輝度の発
光を示すが、実用的な面からさらに発光輝度の向上が望
まれている。
光を示すが、実用的な面からさらに発光輝度の向上が望
まれている。
本発明は加速電圧が１ｓｃｖ以下、特ｋ １００Ｖ以下
の低速電子線励起下における発光輝度の向上した緑色発
光組成物上提供することを目的とするものである。
の低速電子線励起下における発光輝度の向上した緑色発
光組成物上提供することを目的とするものである。
本発明は〔（ｚｎ、−、ｃｄり：Ｃｕ、Ａｔ但し０≦Ｘ
≦ＯＪ〕。
≦ＯＪ〕。
［：（Ｚｎ１−、Ｃｄｘ）Ｓ：Ａｇ、ＡＡ但し０．３≦
Ｘ≦０５〕あるいはＺｎＳ ：Ａｕ 、ｋＬ螢光体のう
ち少くとも１つの螢光体と、酸化インジウム系導電材料
（工ｎ２０．：ｘｓｎｏ□、但し０ ＜ ｘ≦０１）と
を１４：１〜１：１４の重量比で混合してなることを特
徴とする発光材料である。
Ｘ≦０５〕あるいはＺｎＳ ：Ａｕ 、ｋＬ螢光体のう
ち少くとも１つの螢光体と、酸化インジウム系導電材料
（工ｎ２０．：ｘｓｎｏ□、但し０ ＜ ｘ≦０１）と
を１４：１〜１：１４の重量比で混合してなることを特
徴とする発光材料である。
本発明は上述の構成をとるととによ〕、低速電子線励起
下において著るしく発光輝度の向上した発光組成物を得
た。
下において著るしく発光輝度の向上した発光組成物を得
た。
本発明者等は従来知られている緑色発光組成物の発光輝
度を向上させるため、種々の研究を行う過程で螢光体自
身に導電性を付与せしめ、螢光体粒子表面での電子の帯
電を防止することが必要で、特に導電物質の特性の向上
及び螢光体との適合性が重要であるとの知見を得た。
度を向上させるため、種々の研究を行う過程で螢光体自
身に導電性を付与せしめ、螢光体粒子表面での電子の帯
電を防止することが必要で、特に導電物質の特性の向上
及び螢光体との適合性が重要であるとの知見を得た。
これらを基に低速電子線では発光を示さない（：（Ｚｎ
、−、Ｃｄｘ）：Ｃｕ、ＡＡ但し０≦Ｘ≦０ユ〕。
、−、Ｃｄｘ）：Ｃｕ、ＡＡ但し０≦Ｘ≦０ユ〕。
（（Ｚｎ、 、、Ｃｄｘ）８：Ａｇ、Ａｔ但し０．３≦
Ｘ≦０．５〕あるいは１’Ｚｎｓ ：Ａｕ 、Ａｔ）
＠光体に、錫をドーグした酸化インジウム導電材料（Ｉ
ｎ２０３：ｘｓｎＱ’２ ｅ但しＯ（ｘ≦０１）とを加
えて混合した本のを低速電子線で励起すると、高輝度の
緑色発光することが見い出され本発明を完成するに至り
た。
Ｘ≦０．５〕あるいは１’Ｚｎｓ ：Ａｕ 、Ａｔ）
＠光体に、錫をドーグした酸化インジウム導電材料（Ｉ
ｎ２０３：ｘｓｎＱ’２ ｅ但しＯ（ｘ≦０１）とを加
えて混合した本のを低速電子線で励起すると、高輝度の
緑色発光することが見い出され本発明を完成するに至り
た。
本発明の発光組成物の構成成分である錫をドープした酸
化インジウム系導電材料（Ｉｎ２０３ ：ｘＳｎＯ□）
は第２図に示されるように−５ｎｏ２の増加に伴って粉
体の層抵抗は急激に低くなシ、およそｘ ＝ ０．０１
以上からは約ＯＢΩ一定となる。又Ｉｎ２Ｏ，Ｉ Ｓｎ
Ｏ□等粉体層の抵抗はＩｎ２Ｏ２単体で約１０４Ω、Ｓ
ｎＯ□単体で約３ Ｘ １０６Ωであシ、Ｉｎ２Ｏ３’
ｘＳｎ０２導電材料は非常に低抵抗であることが明らか
である。導電材料の低抵抗化によって螢光体への導電性
付与がよシ十分行なわれるので、よシ低い励起電圧から
発光が始ｉ）、本発明の目的に適している。一方、螢光
体と導電粉との適合性が輝度特性を大きく変えるもので
、特に両者の粒子径分布が重要である。本発明のＩ ｎ
２０５・ｘｓｎ０２導電材料の粒子径分布は中央値が
０．１μ〜４μ、標準偏差値が０．７以下を有するもの
が用いられる。中央値が上記範囲外であシ、標準偏差値
が０．７よシ大きい粒度分布を有するものは得られる組
成物の発光輝度が低く使用されない。よプ好ましい中央
値範囲は緑色発光螢光体の粒子分布によりて異るが、本
発明では０３〜２μである。また標準偏差値は中央値が
一定である場合、できるだけ小さい方が好ましく、一般
には０５以下であるのが好ましい。上記のような粒子径
分布を有するＩｎ２Ｏ３：ｘＳｎＯ□導電材料のＩの範
囲はＸの増加と共に中央値が大きくなる傾向にあシ、中
央値がＯｉμ〜４μの粒子径分布は０ ＜ ｘ≦０．１
の範囲で得られた。
化インジウム系導電材料（Ｉｎ２０３ ：ｘＳｎＯ□）
は第２図に示されるように−５ｎｏ２の増加に伴って粉
体の層抵抗は急激に低くなシ、およそｘ ＝ ０．０１
以上からは約ＯＢΩ一定となる。又Ｉｎ２Ｏ，Ｉ Ｓｎ
Ｏ□等粉体層の抵抗はＩｎ２Ｏ２単体で約１０４Ω、Ｓ
ｎＯ□単体で約３ Ｘ １０６Ωであシ、Ｉｎ２Ｏ３’
ｘＳｎ０２導電材料は非常に低抵抗であることが明らか
である。導電材料の低抵抗化によって螢光体への導電性
付与がよシ十分行なわれるので、よシ低い励起電圧から
発光が始ｉ）、本発明の目的に適している。一方、螢光
体と導電粉との適合性が輝度特性を大きく変えるもので
、特に両者の粒子径分布が重要である。本発明のＩ ｎ
２０５・ｘｓｎ０２導電材料の粒子径分布は中央値が
０．１μ〜４μ、標準偏差値が０．７以下を有するもの
が用いられる。中央値が上記範囲外であシ、標準偏差値
が０．７よシ大きい粒度分布を有するものは得られる組
成物の発光輝度が低く使用されない。よプ好ましい中央
値範囲は緑色発光螢光体の粒子分布によりて異るが、本
発明では０３〜２μである。また標準偏差値は中央値が
一定である場合、できるだけ小さい方が好ましく、一般
には０５以下であるのが好ましい。上記のような粒子径
分布を有するＩｎ２Ｏ３：ｘＳｎＯ□導電材料のＩの範
囲はＸの増加と共に中央値が大きくなる傾向にあシ、中
央値がＯｉμ〜４μの粒子径分布は０ ＜ ｘ≦０．１
の範囲で得られた。
上記Ｉ ｎ ２０３ ： ｘｓ ｎｏ□導電材料のＳ
ｎｏ２の他にゲルマニウム、鉛、シリコンをドーグした
場合にも粉体層の低抵抗化、又は上記の粒子径分布を有
し、有効な低速電子線励起用緑色発光螢光体を構成し得
る。
ｎｏ２の他にゲルマニウム、鉛、シリコンをドーグした
場合にも粉体層の低抵抗化、又は上記の粒子径分布を有
し、有効な低速電子線励起用緑色発光螢光体を構成し得
る。
これらの導電材料を作成するｋは、ＺｎｚＯ粉末にゲル
マニウム、錫、鉛、シリコンのうち少くとも１つの塩の
溶液をその添加量に応じた量を加えて泥状にし、蒸発乾
固したものを空気中で１０００℃〜１３０００℃で焼成
すればよい・ 一方、本発明の発光組成物のもう１つの構成成分である
（Ｚｎ、−エＣｄｘ）８：Ｃｕ、ｊｕ螢光体。
マニウム、錫、鉛、シリコンのうち少くとも１つの塩の
溶液をその添加量に応じた量を加えて泥状にし、蒸発乾
固したものを空気中で１０００℃〜１３０００℃で焼成
すればよい・ 一方、本発明の発光組成物のもう１つの構成成分である
（Ｚｎ、−エＣｄｘ）８：Ｃｕ、ｊｕ螢光体。
（Ｚｎ 、−ｘＣｄ ｘ ）Ｓ ”Ａｇ ｅ ＡＪＬ螢
光体＠ Ｚｎ８：Ａｕ＠Ａｔ螢光体は従来から知られて
いる方法で製造したものである。
光体＠ Ｚｎ８：Ａｕ＠Ａｔ螢光体は従来から知られて
いる方法で製造したものである。
これら螢光体は一般に中央値が１μ〜２０μ標準偏差値
が０．７以下の粒子分布を有している６本発明において
は、特に好ましいのは中央値が３μ〜１０μのものであ
る６両者は導電材料／緑色発光螢光体の値が１／１４〜
１４／１と壜る重量比で混合され、導電材料の値が１／
１４よル小さいとき、導電材料によるチャージアップ防
止効果は得られず、従って組成物はその特性が緑色発光
螢光体に近いものとなり。
が０．７以下の粒子分布を有している６本発明において
は、特に好ましいのは中央値が３μ〜１０μのものであ
る６両者は導電材料／緑色発光螢光体の値が１／１４〜
１４／１と壜る重量比で混合され、導電材料の値が１／
１４よル小さいとき、導電材料によるチャージアップ防
止効果は得られず、従って組成物はその特性が緑色発光
螢光体に近いものとなり。
低速電子線励起下で発光しなくなる。一方、導電材料／
緑色発光螢光体の値が１４／１よシ大きいとき得られる
組成物の発光は、非常に弱いものとなる。
緑色発光螢光体の値が１４／１よシ大きいとき得られる
組成物の発光は、非常に弱いものとなる。
これはチャージアップ防止効果は充分であるが、導電材
料によって螢光体からの発光が遮われるためと考えられ
る。
料によって螢光体からの発光が遮われるためと考えられ
る。
本発明で得られる発光組成物を例えば第５図に示すよう
な真空槽１内にセットしてカソード２の電子線３をグリ
ッド４に通して発光材料５に照射することによシ低速電
子線励起で十分明るい発光をさせることが出来る。６は
陽極、７は絶縁基板である。
な真空槽１内にセットしてカソード２の電子線３をグリ
ッド４に通して発光材料５に照射することによシ低速電
子線励起で十分明るい発光をさせることが出来る。６は
陽極、７は絶縁基板である。
第１図はＩｎ２Ｏ５：ｘＳｎＯ２とＺｎ８：Ｃｕ、ｊｕ
螢光体とを混合した発光組成物における８ｎＯ□含有量
（Ｘ）と組成物の発光輝度との関係を示すグラフである
。
螢光体とを混合した発光組成物における８ｎＯ□含有量
（Ｘ）と組成物の発光輝度との関係を示すグラフである
。
第１図から明らかなように、Ｘが増加すると、発光輝度
は増加し、！＝０００５付近で最大発光輝度を示し、更
にＸの増加と共に発光輝度は減少している。ここでのＩ
ｎ Ｏ：ｘＳｎＯ，導電材料の粒子分布は、Ｘ＝０．０
０１では中央値が０．５μ、ｘ＝０．００５で中央値が
０．６μ、ｘ ＝ ０．０１で中央値が１．５μ、ｘ
＝ ０１で中央値が４μであった。すなわち、Ｉｎ２Ｏ
，・ｘｓｎｏ□導電材料の粉子分布はＸの増加と共に大
きくなる傾向にあるが、Ｘが少い範囲では低抵抗化され
た効果と粉子分布とが適合し、ｘ＝０．００５で最高輝
度を示したが、更ＶＣｘの増加に伴って粉子分布の中央
値の増加によって低抵抗化された効果が減少したことに
よる輝度低下である。即ち、螢光体と導電材料とを混合
した低速電子線励起螢光体では、導電粉粒子近傍の帯電
電荷が吸収されて電位が下った部分のみが発光している
。この発光領域は導電材料の粒径に依存し粒径が大きい
ほど広い。しかし、導電材料の中央値が大きいと、螢光
体の隠す割合が増して発光効率が低下する。導電材料の
粒子分布の中央値が小さいと、帯電電荷除去能力が低く
螢光体の電位が高（なシ十分励起できなくなるためと考
えられる。
は増加し、！＝０００５付近で最大発光輝度を示し、更
にＸの増加と共に発光輝度は減少している。ここでのＩ
ｎ Ｏ：ｘＳｎＯ，導電材料の粒子分布は、Ｘ＝０．０
０１では中央値が０．５μ、ｘ＝０．００５で中央値が
０．６μ、ｘ ＝ ０．０１で中央値が１．５μ、ｘ
＝ ０１で中央値が４μであった。すなわち、Ｉｎ２Ｏ
，・ｘｓｎｏ□導電材料の粉子分布はＸの増加と共に大
きくなる傾向にあるが、Ｘが少い範囲では低抵抗化され
た効果と粉子分布とが適合し、ｘ＝０．００５で最高輝
度を示したが、更ＶＣｘの増加に伴って粉子分布の中央
値の増加によって低抵抗化された効果が減少したことに
よる輝度低下である。即ち、螢光体と導電材料とを混合
した低速電子線励起螢光体では、導電粉粒子近傍の帯電
電荷が吸収されて電位が下った部分のみが発光している
。この発光領域は導電材料の粒径に依存し粒径が大きい
ほど広い。しかし、導電材料の中央値が大きいと、螢光
体の隠す割合が増して発光効率が低下する。導電材料の
粒子分布の中央値が小さいと、帯電電荷除去能力が低く
螢光体の電位が高（なシ十分励起できなくなるためと考
えられる。
上記の螢光体はいずれも加速電圧が数ｋＶ以上の高速電
子線励起の下では明るい緑色発光を示すが、加速電圧が
数１０Ｖ８１度の低速電子線励起の下ではほとんど発光
を示さない。
子線励起の下では明るい緑色発光を示すが、加速電圧が
数１０Ｖ８１度の低速電子線励起の下ではほとんど発光
を示さない。
本発明は上記の螢光体の少くとも１つと、酸化インジウ
ム系導電材料とを乳鉢、？−ルミル等で充分に混合する
ことによシ、数１０Ｖ又はそれ以下の加速電圧でも明る
い緑色発光を示す発光材料を提供するものである。
ム系導電材料とを乳鉢、？−ルミル等で充分に混合する
ことによシ、数１０Ｖ又はそれ以下の加速電圧でも明る
い緑色発光を示す発光材料を提供するものである。
以下に本発明の実施例を示す。実施例の記述では酸化イ
ンジウム系導電材料として錫をドーグした酸化インジウ
ム（Ｉｎ２０５ ：ｘ８ｎＯ□）を選ぶが、他のダルマ
ニウム、鉛、シリコンのうち少くとも１つ管ドープした
酸化インジウム系導電材料のどれを用いても結果はほと
んど同である。
ンジウム系導電材料として錫をドーグした酸化インジウ
ム（Ｉｎ２０５ ：ｘ８ｎＯ□）を選ぶが、他のダルマ
ニウム、鉛、シリコンのうち少くとも１つ管ドープした
酸化インジウム系導電材料のどれを用いても結果はほと
んど同である。
Ｉｎ２Ｏ，：０．００５ＳｎＯ□になるように塩化第二
錫（５ｎＣ２２ｅ ２Ｍ２０ ）およびＩｎ２Ｏ３を溶
解し、アンそニア水を加えて水酸化物を沈澱させ、水洗
し、−過乾燥した後１２００℃１時間空気中で焼成し得
た導電粉３．９と、ＣｕおよびＭの付活量がそれぞれ２
ｘ１０−’Ｉ／ｌ 、 １ｘｌＯ−’ＩＩ／！Ｉである
Ｚｎ８ ： Ｃｕ 、Ａｔ（ｘ＝ｏ ）螢光体７Ｉとを
乳鉢を用い充分混合した後、第５図に示した装置内で低
速電子線で励起すると、明るい緑色発光を示した。同様
にして両方の混合重量比を種々変えた粉末を加速電圧２
０Ｖの低速電子線で励起すると、第３図に示すように混
合重量比が１４７１〜１／１４で明るい発光を示す。特
にψ〜１／４では高輝度である。又低速電子線励起の加
速電圧に対する発光輝度特性は第４図（ａ）の実線で示
すようになシ、（ｂ）の点線で示した従来（ＺｎＳ：Ｃ
ｕ−ｊｕ＋Ｉｎ２０ｇ）のものよシかなシ低い電圧で発
光が始まシ、加速電圧が数１０Ｖで十分実用に供し得る
輝度が得られた。
錫（５ｎＣ２２ｅ ２Ｍ２０ ）およびＩｎ２Ｏ３を溶
解し、アンそニア水を加えて水酸化物を沈澱させ、水洗
し、−過乾燥した後１２００℃１時間空気中で焼成し得
た導電粉３．９と、ＣｕおよびＭの付活量がそれぞれ２
ｘ１０−’Ｉ／ｌ 、 １ｘｌＯ−’ＩＩ／！Ｉである
Ｚｎ８ ： Ｃｕ 、Ａｔ（ｘ＝ｏ ）螢光体７Ｉとを
乳鉢を用い充分混合した後、第５図に示した装置内で低
速電子線で励起すると、明るい緑色発光を示した。同様
にして両方の混合重量比を種々変えた粉末を加速電圧２
０Ｖの低速電子線で励起すると、第３図に示すように混
合重量比が１４７１〜１／１４で明るい発光を示す。特
にψ〜１／４では高輝度である。又低速電子線励起の加
速電圧に対する発光輝度特性は第４図（ａ）の実線で示
すようになシ、（ｂ）の点線で示した従来（ＺｎＳ：Ｃ
ｕ−ｊｕ＋Ｉｎ２０ｇ）のものよシかなシ低い電圧で発
光が始まシ、加速電圧が数１０Ｖで十分実用に供し得る
輝度が得られた。
又上記のＺｎＳ：Ｃｕ、ＡＬの代りに（ＺｎｃＬ、Ｃｄ
、、）ｆ！！：Ａｇ、ＡＡ。
、、）ｆ！！：Ａｇ、ＡＡ。
螢光体、あるいはＺｎＳ：Ａｕ、Ａｔ螢光体を用いた場
合でも同様の結果を得た。
合でも同様の結果を得た。
更に上記で使用したＳｎＯ□の代シに他の酸化インジウ
ム系導電材料を用いた場合でも上述′のことに関し全く
同様の結果を得た。
ム系導電材料を用いた場合でも上述′のことに関し全く
同様の結果を得た。
〔発明の効果〕
上記の実施例から明らかなように本発明の発光材料にお
いて［（Ｚｎ １−ＩＣａｘ）ｓ ：Ｃｕ ｅＡＡ但し
Ｏ≦Ｘ≦０．１〕螢光体ｙ ［：（ｚｎｌ−、ｃａｘ）
ｓ：Ａｇ＊Ｍ但し０．３≦Ｘ≦ｏ、５〕螢光体あるいは
ＺｎＳ：Ａｕ、ＡＡ螢光体の少くとも１つの螢光体と、
酸化インジウム系導電材料との混合化よって、低速電子
線励起で実用に供し得る発光輝度を示し、低速電子線励
起用螢光体として唯一の緑色発光を示し、この発光材料
によって低速電子線励起でカラー表示が可能となシ１本
発明の工業的価値は大きい。
いて［（Ｚｎ １−ＩＣａｘ）ｓ ：Ｃｕ ｅＡＡ但し
Ｏ≦Ｘ≦０．１〕螢光体ｙ ［：（ｚｎｌ−、ｃａｘ）
ｓ：Ａｇ＊Ｍ但し０．３≦Ｘ≦ｏ、５〕螢光体あるいは
ＺｎＳ：Ａｕ、ＡＡ螢光体の少くとも１つの螢光体と、
酸化インジウム系導電材料との混合化よって、低速電子
線励起で実用に供し得る発光輝度を示し、低速電子線励
起用螢光体として唯一の緑色発光を示し、この発光材料
によって低速電子線励起でカラー表示が可能となシ１本
発明の工業的価値は大きい。
第１図はＩｎ２Ｏ５：ｘ８ｎ０２とＺｎＳ：Ｃｕ、Ａｊ
：螢光体とを混合した発光組成物における５ｎ０２含有
量ＣＸ’）と組成物の発光輝度を示す特性図、第２図は
Ｉｎ２Ｏ５・ｘｓｎ０２導電粉におけるＳｎＯ□含有量
と層抵抗を示す特性図、第３図はＩｎＯ・０β０５Ｓｎ
ＯｚとｚｎＳ：Ｃｕ、Ａｔ螢光体との混合重量比に対す
る相対発光強度を示す特性図、第４図は励起電圧におけ
る相対発光強度を示す特性図でｌ）、（ａ）はＺｎ８：
Ｃｕ、ＡＡにＩ ｎ２０Ｂ ”０．００５ＳｎＯ□をａ
ｏｗｔ ｓ混合したときの相対発光強度を示す特性図、
（ｂ）はＺｎ８：Ｃｕ、Ａｊ ｋＣＩｎ２Ｏ３ｔ−３０
ｗｔ１混合したときの相対発光強度を示す特性図、第５
図は低速電子線励起用装置を示す断面図である。 特許出願人 日本電気株式会社 ハ・−、−、’ｒ）。 代理人 弁理士 内 原 晋 ；、：
’、：、：；： ｉ躬釆ボビ ５ｎＯｚ／Ｉｚ０３（ｌ量％） ＺｒｔＳ：Ｃｕ、Ａｔ 、、合、、比１ｎ２１１
７ｊ−０，α）５ＳｎＯｚ第４図 電／Ｉ （Ｖ）
：螢光体とを混合した発光組成物における５ｎ０２含有
量ＣＸ’）と組成物の発光輝度を示す特性図、第２図は
Ｉｎ２Ｏ５・ｘｓｎ０２導電粉におけるＳｎＯ□含有量
と層抵抗を示す特性図、第３図はＩｎＯ・０β０５Ｓｎ
ＯｚとｚｎＳ：Ｃｕ、Ａｔ螢光体との混合重量比に対す
る相対発光強度を示す特性図、第４図は励起電圧におけ
る相対発光強度を示す特性図でｌ）、（ａ）はＺｎ８：
Ｃｕ、ＡＡにＩ ｎ２０Ｂ ”０．００５ＳｎＯ□をａ
ｏｗｔ ｓ混合したときの相対発光強度を示す特性図、
（ｂ）はＺｎ８：Ｃｕ、Ａｊ ｋＣＩｎ２Ｏ３ｔ−３０
ｗｔ１混合したときの相対発光強度を示す特性図、第５
図は低速電子線励起用装置を示す断面図である。 特許出願人 日本電気株式会社 ハ・−、−、’ｒ）。 代理人 弁理士 内 原 晋 ；、：
’、：、：；： ｉ躬釆ボビ ５ｎＯｚ／Ｉｚ０３（ｌ量％） ＺｒｔＳ：Ｃｕ、Ａｔ 、、合、、比１ｎ２１１
７ｊ−０，α）５ＳｎＯｚ第４図 電／Ｉ （Ｖ）
Claims (1)
- （１）組成式が〔（Ｚｎ＿１＿−＿ｘＣｄ＿ｘ）Ｓ＝
Ｃｕ，Ａｌ但し０≦ｘ≦０．１〕で表わされ、鋼および
アルミエウム付活量が母体（Ｚｎ＿１＿−＿ｘＣｄ＿ｘ
）Ｓ１ｇに対しそれぞれ１×１０＾−＾５〜５×１０＾
−＾２ｇ，０〜５×１０＾−＾２ｇである緑色発光螢光
体、組成式が〔（Ｚｎ＿１＿−＿ｘＣｄ＿ｘ）Ｓ：Ａｇ
，Ａｌ但し０．３≦ｘ≦０．５〕で表わされ、銀および
アルミエウム付活量が母体（Ｚｎ＿１＿−＿ｘＣｄ＿ｘ
）Ｓ１ｇに対しそれぞれ１×１０＾−＾５〜５×１０＾
−＾２ｇ，０〜５×１０＾−＾２ｇである緑色発光螢光
体、組成式が〔ＺｎＳ：Ａｕ，Ａｌ〕で表わされ、金お
よびアルミエウムの付活量が母体ＺｎＳ１ｇに対しそれ
ぞれ１×１０＾−＾５〜５×１０＾−＾２ｇ，０〜５×
１０＾−＾２ｇである緑色発光螢光体のうち少くとも１
つの螢光体と、酸化インジウム系導電材料（Ｉｎ＿２Ｏ
＿３：ＸＳｎＯ＿２，但し０＜ｘ≦０．１）とを１４：
１〜１：１４の重量比で混合してなることを特徴とする
発光材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27729784A JPS61152789A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 発光材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27729784A JPS61152789A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 発光材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61152789A true JPS61152789A (ja) | 1986-07-11 |
Family
ID=17581569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27729784A Pending JPS61152789A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 発光材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61152789A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0333185A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 蛍光体及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-12-26 JP JP27729784A patent/JPS61152789A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0333185A (ja) * | 1989-06-29 | 1991-02-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 蛍光体及びその製造方法 |
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