JPS59142278A - 発光材料 - Google Patents
発光材料Info
- Publication number
- JPS59142278A JPS59142278A JP1565483A JP1565483A JPS59142278A JP S59142278 A JPS59142278 A JP S59142278A JP 1565483 A JP1565483 A JP 1565483A JP 1565483 A JP1565483 A JP 1565483A JP S59142278 A JPS59142278 A JP S59142278A
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- JP
- Japan
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- indium oxide
- electron beam
- conductive material
- phosphor
- low
- Prior art date
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- Pending
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- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は赤色発光を示す新規な低速電子線励起用発光材
料、さらに詳しくは酸化インジウム糸導電性材料上、銀
およびアルミニウムのうち少くとも1つで付活された硫
化亜鉛カドニウム螢光体とを適当量混合してなる低速電
子線励起用発光材料に関するものである。
料、さらに詳しくは酸化インジウム糸導電性材料上、銀
およびアルミニウムのうち少くとも1つで付活された硫
化亜鉛カドニウム螢光体とを適当量混合してなる低速電
子線励起用発光材料に関するものである。
従来、低速電子線励起によって高輝度に発光し、実用に
供されている螢光体としては自己付活酸化亜鉛螢光体(
ZnO:Zn)が知られている。この螢光体は低速電子
線励起によって緑色発光を示し、電卓、各種計測機器等
の螢光表示骨用螢光体として使用されている。この自己
付活酸化亜鉛螢光体の発光する緑色以外の色、たとえは
赤色、黄色、青色等を低速′電子線励起で発光する螢光
体としては実験室的にはY2O28:’Eu、Zus
:AgなどζこInzOa で導電性を付与したもの
か開発されているが導電性付与が不十分なため表示管に
実用化される才でには到っていないのが実状である。
供されている螢光体としては自己付活酸化亜鉛螢光体(
ZnO:Zn)が知られている。この螢光体は低速電子
線励起によって緑色発光を示し、電卓、各種計測機器等
の螢光表示骨用螢光体として使用されている。この自己
付活酸化亜鉛螢光体の発光する緑色以外の色、たとえは
赤色、黄色、青色等を低速′電子線励起で発光する螢光
体としては実験室的にはY2O28:’Eu、Zus
:AgなどζこInzOa で導電性を付与したもの
か開発されているが導電性付与が不十分なため表示管に
実用化される才でには到っていないのが実状である。
その結果発光色が緑色だけの螢光表示管で用途は限定さ
れ、表示管の用途拡大Oこはどうしても緑色以外の明る
い発光を示す発光を示す発光材料の開発が強く変車され
てきた。
れ、表示管の用途拡大Oこはどうしても緑色以外の明る
い発光を示す発光を示す発光材料の開発が強く変車され
てきた。
本発明は上記の要望に応えるべく、低速電子線励起によ
って緑色以外の発光色を示す発光材料を得ることを目的
とする。本発明は種々の4iJf究を付う過程で螢光体
自身に導電性を付与させ、螢光体粒子表面での帯電を防
ぐことが低速電子線では必要であるとの知見を得た。
って緑色以外の発光色を示す発光材料を得ることを目的
とする。本発明は種々の4iJf究を付う過程で螢光体
自身に導電性を付与させ、螢光体粒子表面での帯電を防
ぐことが低速電子線では必要であるとの知見を得た。
これらのことを基に、低速電子線励起では発光を示さな
い銀およびアルミニウム付活硫化亜鉛・カドミウム螢光
体(Znl−xodx)8:Ag、Al(但し0.6≦
X≦09月こスズをドープした酸化インジウム系導電材
料を加えて混合したものを低速電子線で励頓すると高輝
度の赤色発光することが見い出された。
い銀およびアルミニウム付活硫化亜鉛・カドミウム螢光
体(Znl−xodx)8:Ag、Al(但し0.6≦
X≦09月こスズをドープした酸化インジウム系導電材
料を加えて混合したものを低速電子線で励頓すると高輝
度の赤色発光することが見い出された。
すなわち本発明は組成式が(Zn1−xOdx)S:A
g、Al(但し0.6≦X≦0.9)で表わされ銀およ
びアルミニウムの付活量か(Znl xcdx)S1
gに対し10−“〜5刈o ”g、 o〜5X10”g
である螢光体と酸化インジウム系導電材料(In203
: X S n O2但しO<X≦0.008) と
を14:l〜1:14の重量比で混合してなることを特
徴とする発光材料である。スズをドープした酸化インジ
ウム導電材料はスズがドナーとなってフリーキャリアー
が堆太し、その比抵抗が10 〜10 Ω・儂と低(
なり低速電子線励起による発光の閾値電圧を低下させる
のに有効である。
g、Al(但し0.6≦X≦0.9)で表わされ銀およ
びアルミニウムの付活量か(Znl xcdx)S1
gに対し10−“〜5刈o ”g、 o〜5X10”g
である螢光体と酸化インジウム系導電材料(In203
: X S n O2但しO<X≦0.008) と
を14:l〜1:14の重量比で混合してなることを特
徴とする発光材料である。スズをドープした酸化インジ
ウム導電材料はスズがドナーとなってフリーキャリアー
が堆太し、その比抵抗が10 〜10 Ω・儂と低(
なり低速電子線励起による発光の閾値電圧を低下させる
のに有効である。
一方スズをドープした酸化インジウム導電材料はスズの
ドープ量の増加に供い粉末の粒子分布の中央値が増加す
る傾向にあり適当な混合tit比範囲は、導電材料がよ
り多い方に移動する(TなAつち(Znl−xOdx)
S:Ag、Al q光体がより少い方)その各中央値Q
こおいて得られる最大発光輝度を比較した場合その最大
発光輝度は一般に中央値の小さい場合の方が高い。但し
中央値が著し。
ドープ量の増加に供い粉末の粒子分布の中央値が増加す
る傾向にあり適当な混合tit比範囲は、導電材料がよ
り多い方に移動する(TなAつち(Znl−xOdx)
S:Ag、Al q光体がより少い方)その各中央値Q
こおいて得られる最大発光輝度を比較した場合その最大
発光輝度は一般に中央値の小さい場合の方が高い。但し
中央値が著し。
く小さくなると最大発光輝度は低下する。以上の点から
最大発光輝度が最も筒いIn 203 :X5nOz導
電材料はo<x<o、oosで得られた。
最大発光輝度が最も筒いIn 203 :X5nOz導
電材料はo<x<o、oosで得られた。
従来、螢光体への導電性を付与することを目的として酸
化亜鉛(ZnO)単体あるいは酸化インジウム(Inz
Oa)が使用される場合があるが、上記の酸化インジウ
ム系の導電性材料と比較して、ZnOは、比抵抗が3〜
4桁はど大きく、InzOaは比抵抗も2〜3桁はど太
きい。従ってZnO’。
化亜鉛(ZnO)単体あるいは酸化インジウム(Inz
Oa)が使用される場合があるが、上記の酸化インジウ
ム系の導電性材料と比較して、ZnOは、比抵抗が3〜
4桁はど大きく、InzOaは比抵抗も2〜3桁はど太
きい。従ってZnO’。
In 20 a を使用するより酸化インジウム糸カ阜
電性材料を用いた方が螢光体への4電性付与がより1−
分村なわれるので、より低い励起電圧から発光が始まり
本発明の目的に適っている。
電性材料を用いた方が螢光体への4電性付与がより1−
分村なわれるので、より低い励起電圧から発光が始まり
本発明の目的に適っている。
本発明による発光材料の構成成分である酸化インジウム
系導電材料はスズの他にゲルマニウム、鉛、シリコンを
ドープしても同様に比抵抗が低下し、有効な低速電子線
励起発光材料を構成し得る。
系導電材料はスズの他にゲルマニウム、鉛、シリコンを
ドープしても同様に比抵抗が低下し、有効な低速電子線
励起発光材料を構成し得る。
これらの導電材料を作成するにはInzOa 粉末にゲ
ルマニウム、スズ、鉛、シリコンのうち少くとも1つの
塩の溶液をその添加量に応じた量を加えて泥状にし、蒸
発乾固したものを空気中で1000℃〜1300℃で焼
成すれはよい。又、発光栃料のもう一万の構成成分であ
る銀およびアルミニウム付活硫化亜鉛のカドミウム螢光
体(Zrz−=)x 0dx)8:Ag、Al 螢光体
は次のようにして作製される。硫化亜1(ZnS) 生
粉と硫化カドミ′ウム(OdS)生粉とをOdS xモ
ルに対しZnS生粉が(1−x)モルとなる割合例えば
所定量の硝酸銀(AgNO3)水溶液、硫酸アルミニウ
ム(A12(So、) 3・18H20)水溶液中に浸
して泥状にし、蒸発乾固して粉砕した粉末を還元雰囲気
中で900〜1200℃で数時間焼成することによって
得られる。付活量Ag、klの量はそれぞれIC“〜5
×10−′、O〜5X10”gである。なおXの値が0
.6より少くなるに従い黄色発光を示し、Xの値が0.
9より大きくなるに従(1)赤外光となるため、本発明
の発光却代物の構成成分とはなり得ない。以上の螢光体
作製において、ハロゲン化アルカリ金属、ノhロケン化
アルカリ土類金属等の融剤を添加して焼成することが望
ましい。上記の螢光体はいずれも加速室、圧が数KV以
上の高速電子線励起の下では明るい赤色発光を示すが加
速電圧が数10V程度の低速電子線1助の下ではほとん
ど発光を示さない。
ルマニウム、スズ、鉛、シリコンのうち少くとも1つの
塩の溶液をその添加量に応じた量を加えて泥状にし、蒸
発乾固したものを空気中で1000℃〜1300℃で焼
成すれはよい。又、発光栃料のもう一万の構成成分であ
る銀およびアルミニウム付活硫化亜鉛のカドミウム螢光
体(Zrz−=)x 0dx)8:Ag、Al 螢光体
は次のようにして作製される。硫化亜1(ZnS) 生
粉と硫化カドミ′ウム(OdS)生粉とをOdS xモ
ルに対しZnS生粉が(1−x)モルとなる割合例えば
所定量の硝酸銀(AgNO3)水溶液、硫酸アルミニウ
ム(A12(So、) 3・18H20)水溶液中に浸
して泥状にし、蒸発乾固して粉砕した粉末を還元雰囲気
中で900〜1200℃で数時間焼成することによって
得られる。付活量Ag、klの量はそれぞれIC“〜5
×10−′、O〜5X10”gである。なおXの値が0
.6より少くなるに従い黄色発光を示し、Xの値が0.
9より大きくなるに従(1)赤外光となるため、本発明
の発光却代物の構成成分とはなり得ない。以上の螢光体
作製において、ハロゲン化アルカリ金属、ノhロケン化
アルカリ土類金属等の融剤を添加して焼成することが望
ましい。上記の螢光体はいずれも加速室、圧が数KV以
上の高速電子線励起の下では明るい赤色発光を示すが加
速電圧が数10V程度の低速電子線1助の下ではほとん
ど発光を示さない。
本発明は上記の螢光体の少くとも1つと酸化スズをドー
プした酸化インジウム導電材料とを乳鉢、ボールヌル等
で充分に混合することにより数10V又はそれ以下の加
速電圧でも明るい赤色発光を示す発光材料を提供するも
のである。
プした酸化インジウム導電材料とを乳鉢、ボールヌル等
で充分に混合することにより数10V又はそれ以下の加
速電圧でも明るい赤色発光を示す発光材料を提供するも
のである。
本発明で得られる発光材料粉末を例えば第1図に示すよ
うな低速電子線励起装置内1にセットしてカソード2か
らの電子線3をグリッド4を通して発光面5に照射する
ことにより低速電子線の下で十分に明るい発光をさせる
ことができる。
うな低速電子線励起装置内1にセットしてカソード2か
らの電子線3をグリッド4を通して発光面5に照射する
ことにより低速電子線の下で十分に明るい発光をさせる
ことができる。
本発明の実施例の記述では酸化インジウム系導電材料と
してスズをドープした酸化インジウム(In203 :
X8nO2) を選ぶが、スズをドープした酸化イン
ジウム糸導電材料を用いても結果はほとんど同一である
。つぎに本発明の実施例について説明する。
してスズをドープした酸化インジウム(In203 :
X8nO2) を選ぶが、スズをドープした酸化イン
ジウム糸導電材料を用いても結果はほとんど同一である
。つぎに本発明の実施例について説明する。
実施例l
In2.−Oa :0.005SnOz &Cなるよう
’m化fり二錫・(5nOA!2 ・2H20)および
(InzOa)B溶解し、アンモニア水を加えて水酸化
物を沈澱させ水洗し濾過乾燥した後1200℃1時間空
気中で焼成し得た4電粉3gとAg付活量10 ’g/
g、kl付活量5 ”g/gである( Zno、20
do、s )S=Ag 。
’m化fり二錫・(5nOA!2 ・2H20)および
(InzOa)B溶解し、アンモニア水を加えて水酸化
物を沈澱させ水洗し濾過乾燥した後1200℃1時間空
気中で焼成し得た4電粉3gとAg付活量10 ’g/
g、kl付活量5 ”g/gである( Zno、20
do、s )S=Ag 。
Aノ螢光体7g(!:を乳鉢を用い充分混合した後、第
1図に示した装置内で低速電子線で励起すると明るい赤
色・発光を示した。同様にして、両方の混合屯姓比を種
々変えた粉末を加速電圧20Vの低速電子線で励起する
と第2図(こ示すように混合重量比が14/1〜1/1
4 で明るい発光を示す。特に4/1〜1/4では誦輝
度である。又低速電子線励起したときの発光スペクトル
は第3図のようになり、加速電圧に対する発光輝度特性
は第4図の突線のようになり、点線で示した従来のZn
O,InzOaを用いたものよりかなり低い電圧で発光
が始韮り、加速電圧か数10 vで十分実用に供し得る
輝度が得られた。上記で使用した5nOz の代りに
他の酸化インジウム糸導電材料を用いた場合でも上述の
ことζこ関して全く同様の結果を得た。
1図に示した装置内で低速電子線で励起すると明るい赤
色・発光を示した。同様にして、両方の混合屯姓比を種
々変えた粉末を加速電圧20Vの低速電子線で励起する
と第2図(こ示すように混合重量比が14/1〜1/1
4 で明るい発光を示す。特に4/1〜1/4では誦輝
度である。又低速電子線励起したときの発光スペクトル
は第3図のようになり、加速電圧に対する発光輝度特性
は第4図の突線のようになり、点線で示した従来のZn
O,InzOaを用いたものよりかなり低い電圧で発光
が始韮り、加速電圧か数10 vで十分実用に供し得る
輝度が得られた。上記で使用した5nOz の代りに
他の酸化インジウム糸導電材料を用いた場合でも上述の
ことζこ関して全く同様の結果を得た。
上記の実施例から明らかなように、本発明によって得ら
れる発光材料において螢光体と酸化インジウム糸4電拐
料との混合の重量比、すなわち螢光体/導電材料の値が
1/14より小さいと螢光体の量が少ないために発光が
非常に弱いものとなり、一方14/1より太きいと導電
材料が少ないために螢光体への導電刊与が十分でなく低
速電子線励起では螢光面での帯電が起り発光しなくなる
。したがって螢光体と導電材料との混右@量比は14/
1〜1/1.4 であることが必要であり好ましくは
471〜1/4 である。
れる発光材料において螢光体と酸化インジウム糸4電拐
料との混合の重量比、すなわち螢光体/導電材料の値が
1/14より小さいと螢光体の量が少ないために発光が
非常に弱いものとなり、一方14/1より太きいと導電
材料が少ないために螢光体への導電刊与が十分でなく低
速電子線励起では螢光面での帯電が起り発光しなくなる
。したがって螢光体と導電材料との混右@量比は14/
1〜1/1.4 であることが必要であり好ましくは
471〜1/4 である。
上述のごとく銀、アルミニウムを伺活した螢光体(Zn
1−x Odx ) 8 : A、g 、 、Al(m
し0.6≦X≦0.9)と酸化インジウム糸導電材料は
低速電子線励起で実用に供し得る輝度を示し、従来低速
電子線用螢光体として唯一の緑色発光螢光体(ZnO:
Zn)が使用されているのに対し赤色発光を示しこの発
光材料Qこより低速電子線励起でカラー表示が可能とな
り本発明の工業的価(i口は大きい。
1−x Odx ) 8 : A、g 、 、Al(m
し0.6≦X≦0.9)と酸化インジウム糸導電材料は
低速電子線励起で実用に供し得る輝度を示し、従来低速
電子線用螢光体として唯一の緑色発光螢光体(ZnO:
Zn)が使用されているのに対し赤色発光を示しこの発
光材料Qこより低速電子線励起でカラー表示が可能とな
り本発明の工業的価(i口は大きい。
第1図は低速電子線1励起用装#を示す断面図で1は真
空槽、2はカソード、3は照射電子、4はグリッド、5
は発光材料、6は陽極、7は絶縁基板である。第2図は
本発明の実施例における(Zno、20do、s)S:
Ag、AA螢光体とInzOa;0.0058nOz
との混合重量比に対する発光強度の変化を示す図、第
3図は本発明の実施例の発光材料の発光スペクトルを示
す図、第4図は励起楊―圧に対する発光輝度特性を示す
図である。 オ / 閉 102 (zn。 牙 2回 λCA os )S =AB 凡OヨO0
θSδ初。 見合V量瓦 −+3 四 波長(A) オ 4 圓 0 10 20 30 .4θ鴨電
汗 (V)
空槽、2はカソード、3は照射電子、4はグリッド、5
は発光材料、6は陽極、7は絶縁基板である。第2図は
本発明の実施例における(Zno、20do、s)S:
Ag、AA螢光体とInzOa;0.0058nOz
との混合重量比に対する発光強度の変化を示す図、第
3図は本発明の実施例の発光材料の発光スペクトルを示
す図、第4図は励起楊―圧に対する発光輝度特性を示す
図である。 オ / 閉 102 (zn。 牙 2回 λCA os )S =AB 凡OヨO0
θSδ初。 見合V量瓦 −+3 四 波長(A) オ 4 圓 0 10 20 30 .4θ鴨電
汗 (V)
Claims (1)
- 組成式が(Z n I−AX Od X ) 8 二A
g r A l(但し0.6≦X≦0.9)で表わさ
れ銀およびアルミニウムの付活量が(Zn1−xOdx
)81g に対しそれぞれ1メ10 〜5X10
g、0〜5X10gである螢光体と酸化インジウム系導
電材料(In203:XS、nOz但しO<X≦0.0
08)とを14:1〜1:14の重量比で混合してなる
ことを特徴とする発光材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1565483A JPS59142278A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 発光材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1565483A JPS59142278A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 発光材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59142278A true JPS59142278A (ja) | 1984-08-15 |
Family
ID=11894704
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1565483A Pending JPS59142278A (ja) | 1983-02-02 | 1983-02-02 | 発光材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59142278A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56109278A (en) * | 1980-02-04 | 1981-08-29 | Nec Corp | Luminous material |
JPS56109279A (en) * | 1980-02-04 | 1981-08-29 | Nec Corp | Luminous material |
-
1983
- 1983-02-02 JP JP1565483A patent/JPS59142278A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56109278A (en) * | 1980-02-04 | 1981-08-29 | Nec Corp | Luminous material |
JPS56109279A (en) * | 1980-02-04 | 1981-08-29 | Nec Corp | Luminous material |
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