JPS61146765A - 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 - Google Patents

窒化アルミニウム焼結体の製造方法

Info

Publication number
JPS61146765A
JPS61146765A JP59265853A JP26585384A JPS61146765A JP S61146765 A JPS61146765 A JP S61146765A JP 59265853 A JP59265853 A JP 59265853A JP 26585384 A JP26585384 A JP 26585384A JP S61146765 A JPS61146765 A JP S61146765A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
aluminum nitride
sintered body
nitride sintered
powder
sintering aid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59265853A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0660060B2 (ja
Inventor
沢村 建太郎
山口 雅靖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP59265853A priority Critical patent/JPH0660060B2/ja
Priority to US06/875,099 priority patent/US4672046A/en
Publication of JPS61146765A publication Critical patent/JPS61146765A/ja
Priority to US07/016,957 priority patent/US4711861A/en
Publication of JPH0660060B2 publication Critical patent/JPH0660060B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ■ 発明の前景 技術分野 本発明は、窒化アルミニウム焼結体とその製造方法に関
する。
先行技術とその間勝点 従来、集積回路の絶縁基板材料としてアルミナの焼結体
が使用されてきた。 しかし、アルミナ基板では熱伝導
率が悪く、熱膨張率がシリコンに比へて大キいため、大
型のシリコンチップへの接着性が悪いなど欠点が多い。
これにかえて、酸化ベリリウムを用いると。
熱伝導率はアルミナの10倍以上となるが、この物質は
毒性があり、その上高価なことから供給の点で難がある
また、SiC基板も開発されているが、焼結の際、ホッ
トプレスを使用するため、コスト面で不利である上、誘
電率が大きく、本来。
SiCが半導体であることから絶縁耐圧が小さいなどの
問題がある。
そこで、熱伝導率が高く、抵抗も大きい窒化アルミニウ
ム(AiN)を使用したAIN焼結体が注目されてきて
いる。 このものは、さらに熱膨張率もシリコンの値に
近く、誘電率も小さいという利点を有する。
ただし、このような利点をそのまま生かすには、AIL
H焼結体が緻密で、かつ酸素含有量の少ないことが要求
される。
しかし、酸素含有量の少ないAIN粉末単独では焼結性
が良くないため、焼結助剤を用いる必要性が生じる。
これまで、この焼結助剤についていくつか提案がなされ
ている。
例えば、AILN粉末に酸化アルミニウム(Affi2
03 ) ヤ4 ッ) !77 (Y203 )を添加
して、常圧焼結あるいはホットプレスする方法。
AIN粉末に酸化カルシウム(CaO)、酸化バリウム
(Bad)、酸化ストロンチウム(SrO)を添加して
常圧焼結する方法(特願昭48−74166号)、 A!LN粉末に窒化ホウ素(B N)を添加して非酸化
性雰囲気中で常圧焼結あるいはホットプレスする方法(
特願昭58−32073号)。
AiN粉末に、Cab、Bad、SrOを含む化合物か
ら選らばれた少なくともl−の粉末を含有した混合粉末
を添加し、非酸化性雰囲気中でホ?)プレスする方法(
特願昭59−50077号) 等が挙げられる。
これらのうち、酸化物を添加する方法では。
熱伝導率の点で不充分である。
他方、BNを添加する方法では、他と比較して、高い熱
伝導率を有するAjlN焼結体を与え、また緻密性の点
でも他より良好であるとされる。
しかし、上記のように作製した従来のA!LN焼結体は
いずれも焼きムラが生じゃすく、表面にでる白い模様が
肉眼で観測できるほどであり、また焼きムラによって電
気抵抗率(体積抵抗率)の値にバラツキが多くなる。
従って、このような点を改善するため、新たな焼結助剤
を用いたAjLN焼結体の開発が望まれる。
■ 発明の目的 本発明の目的は、焼きムラがなく、かつ緻密で熱伝導性
および電気抵抗性が高く、電気絶縁用基板材料として好
適な性能を有し、しかも成形焼結が容易で、安価な窒化
アルミニウム焼結体とその製造方法を提供することにあ
る。
■ 発明の開示 このような目的は、下記の第1および第2の発明によっ
て達成される。
すなわち、第1の発明は、窒化アルミニウムに、焼結助
剤として、カルシウム、バリウム、ストロンチウムおよ
び希土類金属の7フ化物のラちの1挿具とを添加して焼
成してなることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体で
ある。
また、第2の発明は、窒化アルミニウム粉末に、焼結助
剤として、カルシウム、バリウム。
ストロンチウムおよび希土類金属のフッ化物のうちの1
種以上の粉末を添加して混合したのち、成形および非酸
化性雰囲気中での焼成を行うことを特徴とする窒化アル
ミニウム焼結体の製造方法である。
■ 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウム
(AiN)の粉末に、焼結助剤としてCa、Ba、Sr
もしくは希土類金属のフッ化物を添加する。 アルカリ
土類金属のフッ化物は、CaF2 、SrF2およびB
aF2である。
これらと近似したMgF2では、本発明の効果は実現し
ない。
希土類金属の(S c、Y、La NLu)の塩化物と
しては、例えばYF3.LaF3、CeF3 、PrF
3 、SmF3 、NdF3等が挙げられる。
AiN粉末は微粉化することが好ましく、平均粒子径が
0.1”lOILm、特に0.5〜64mであることが
好ましい。
焼結助剤の平均粒子径は、0.1〜44ILmであるこ
とが好ましく、#に0.5〜20gmであることが好ま
しい。
そして、これらの焼結助剤の添加量はAINに対して0
.01−10重最%であり、特に1〜3重量%であるこ
とが好ましい。
添加量が0.01重量%より少ないと緻密な焼結体が得
られず% 10重事務より多いと0.01重量%未満の
場合と同様、常圧焼成では緻密な焼結体が得られないか
らである。
これらの焼結助剤は、従来の焼結助剤である7′ルカリ
土類金属の酸化物、イアトリア等と異なり、酸素を含有
しておらず、熱伝導性を阻害する酸素等の不純物が生成
しにくいと考えられる。
AIJN焼結体は、通常AiN粉末に上述の焼結助剤の
粉末を添加混合して室温で加圧成形し、非酸化性雰囲気
中での常圧焼結法によりこの成形体を焼結した後、放冷
して得られる。
なお、上述の焼結助剤のなかには、CaF2(沸点25
00℃)、5rF2(沸点246゜’C)、BaF2 
(沸点2280”0)(7)ように焼結時に揮散しない
ものもあれば、はとんどが揮散してしまうものもある。
加圧成形の際の圧力は500〜2000kg/C層2程
度である。
焼結時の非酸化性雰囲気としては、N2゜Ar、He等
の不活性ガス、N2 、Go、各種炭化水素など、ある
いはこれらの混合雰囲気、さらには真空等種々のもので
あってよい。
非酸化性雰囲気にするには、微粉化したARMの表面の
酸化を防止するためである。
この場合、非酸化性雰囲気としては、窒素を含むものが
好ましく、窒素50%以上にて、必要に応じAr、He
等の不活性ガス等が混入されてもよい。
雰囲気圧としては、大気圧でよく、通常、窒素気流中と
する。
焼結時の温度は1600〜1900℃、好ましくは17
50〜1800℃が有効である。
温度が1600℃より低い場合は、長時間焼成しても十
分には緻密化せず、1900℃より高い場合は、A皇N
の揮散が認められ、また1800℃より高い場合は含有
酸素がAIN内に固溶しやすく、フォノン散乱の原因、
すなわち熱伝導率低下の原因となるからである。
焼結時間は、普通0.5〜2時間であり、特に、175
0℃では、1時間程度であることが好ましい。
なお、焼結に際しては、100〜300kg/C■2程
度の圧力を加えて、ホットプレス法を用いてもよい。
このようにして得られたAIN焼結体は、焼きムラがな
く、しかも室温でA9.Hの理論密度の90%以上の密
度を有し、室温で、電気抵抗率が1012Ω14以上、
熱伝導率80 W/mk以上である。 また、熱膨張率
は5X10″11程度である。
電気抵抗率は、従来のAIN焼結体では値に10〜20
%のバラツキが生じるが、本発明のものは、焼きムラが
ないため1%程度のバラツキしか生じない。
V 発明の具体的作用効果 本発明によれば、Ca、Ba、Srおよび希土類金属の
フッ化物のうちの1種以上を焼結助剤に用いて、これを
窒化アルミニウム粉末に0.01−10重量%添加して
混合したのち成形体とし、この成形体を非酸化性雰囲気
中で焼成しているため、焼きムラのない窒化アルミニウ
ム焼結体が得られる。
また、緻密で熱伝導性および電気絶縁性が高く、しかも
焼きムラがないため、接着性がよく、かつ電気抵抗率の
値にバラツキがなく、集積回路に使用する電気絶縁用基
板やその他の放熱基板の材料として好適な性能を有する
さらに、製法も焼結の際常圧焼結法を適用しているため
、容易で、コスト面でも有利である。
■ 発明の具体的実施例 以下1本発明の具体的実施例を示し、本発明の効果をさ
らに詳細に説明する。
実施例 平均粒子径が3pmc7)AiN粉末に、平均粒径10
Bmの表1に示す焼結助剤の粉末を2重量%添加し混合
した。 次に、この混合物を室温で約1000kg/c
■2の圧力を加えて成形体゛とした。
その後、成形体をN2気流中で1750℃まで昇温し、
1750℃で1時間保持した後、放冷した。
このようにして、表1に示すAiN焼結体(試料101
〜104および105)を作製した。
また、比較のために、焼結助剤に炭酸カルシウム(Ca
C03)を用い、これをAJLN粉末に対して0.1重
量%、0.5重量%および1.0重量%とじた以外は試
料101〜105と同様に作製した。 それぞれ順に、
試料201、試料202および試料203とする。
焼結助剤にイツトリア(Y203 )を用い。
AIN粉末に対して1.0重量%添加した以外は試料1
01〜104と同様に作製したものを試料301とする
さらに、AiNにBNを3重量%添加したものを試料4
01とする。
上記の試料101〜105.201〜 203.301および401についての特性を表1に示
す。
特性の測定は下記のとおりである。
(1)密度および相対密度 実測密度と、その理論密度に対する相対値を求めた。
(2)電気抵抗率およびそのバラツキ 305mφ、2讃腸厚の試料の表裏面にA g ペース
トを焼きつけて電極とし、23℃、相対湿度50%にて
、10個の試料を測定し、その最大値と最小値との範囲
を求めた。
(3)熱伝導率 (2)の試料について、銀ペーストのついていない状態
で室温にて測定した。
(4)焼きムラ面積 白く析出した焼きムラ面積を算出した。
表1より、本発明のAJIN焼結体は焼きムチが少なく
、その結果、電気抵抗率の値のバラツキも少ないことが
わかる。 その上、緻密性、熱伝導性、電気抵抗性も良
好で、電気絶縁基板材料として好適な性能を有すること
がわかる。
なお、試料201,401は密度が低く、実用上満足で
きる特性を示さなかった。
以上より、本発明の効果は明らかである。
なお1本発明のA皇N焼結体を、半導体パワーモジュー
ルの電気絶縁基板に適用したところ、ヒートサイクルに
対し、良好な耐性を示した。
また、他の遷移金属のフッ化物でも表1と同等の効果か
えられた。 さらに、本発明の助剤の複合添加でも同等
の効果かえられた。  ただ、MgF2では1表1に示
されるように1本発明の効果はえられなかった。
−qζ7一

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)窒化アルミニウムに、焼結助剤とし て、カルシウム、バリウム、ストロンチウムおよび希土
    類金属のフッ化物のうちの1種以上を添加して焼成して
    なることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。
  2. (2)窒化アルミニウムおよび上記の焼結助剤が粉末の
    形で混合され、窒化アルミニウムに対して上記の焼結助
    剤が0.01〜10重量%添加される特許請求の範囲第
    1項に記載の窒化アルミニウム焼結体。
  3. (3)焼成が非酸化性雰囲気中で行われる特許請求の範
    囲第1項または第2項のいずれかに記載の窒化アルミニ
    ウム焼結体。
  4. (4)熱伝導率80W/mk以上である特許請求の範囲
    第1項ないし第3項のいずれかに記載の窒化アルミニウ
    ム焼結体。
  5. (5)相対密度が90%以上である特許請求の範囲第1
    項ないし第4項のいずれかに記載の窒化アルミニウム焼
    結体。
  6. (6)体積抵抗率が10^1^2Ωcm以上である特許
    請求の範囲第1項ないし第5項のいずれかの記載の窒化
    アルミニウム焼結体。
  7. (7)窒化アルミニウム粉末に、焼結助剤として、カル
    シウム、バリウム、ストロンチウムおよび希土類金属の
    フッ化物のうちの1種以上の粉末を添加して混合したの
    ち、成形および非酸化性雰囲気中での焼成を行うことを
    特徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
  8. (8)非酸化性雰囲気が窒素を含む特許請求の範囲第7
    項に記載の窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
JP59265853A 1984-10-15 1984-12-17 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 Expired - Lifetime JPH0660060B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59265853A JPH0660060B2 (ja) 1984-12-17 1984-12-17 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
US06/875,099 US4672046A (en) 1984-10-15 1986-06-17 Sintered aluminum nitride body
US07/016,957 US4711861A (en) 1984-10-15 1987-02-20 Sintered aluminum nitride body and method for making

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59265853A JPH0660060B2 (ja) 1984-12-17 1984-12-17 窒化アルミニウム焼結体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61146765A true JPS61146765A (ja) 1986-07-04
JPH0660060B2 JPH0660060B2 (ja) 1994-08-10

Family

ID=17422982

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59265853A Expired - Lifetime JPH0660060B2 (ja) 1984-10-15 1984-12-17 窒化アルミニウム焼結体の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0660060B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6241766A (ja) * 1985-08-13 1987-02-23 株式会社トクヤマ 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法
US5063183A (en) * 1985-08-13 1991-11-05 Tokuyama Soda Kabushiki Kaisha Sinterable aluminum nitride composition, sintered body from this composition and process for producing the sintered body

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3238018A (en) * 1961-07-21 1966-03-01 Morganite Res & Dev Ltd Making articles of aluminum nitride
JPS5950078A (ja) * 1982-09-17 1984-03-22 株式会社トクヤマ 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JPS6110073A (ja) * 1984-06-26 1986-01-17 株式会社東芝 窒化アルミニウム焼結体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3238018A (en) * 1961-07-21 1966-03-01 Morganite Res & Dev Ltd Making articles of aluminum nitride
JPS5950078A (ja) * 1982-09-17 1984-03-22 株式会社トクヤマ 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JPS6110073A (ja) * 1984-06-26 1986-01-17 株式会社東芝 窒化アルミニウム焼結体

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6241766A (ja) * 1985-08-13 1987-02-23 株式会社トクヤマ 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法
US5063183A (en) * 1985-08-13 1991-11-05 Tokuyama Soda Kabushiki Kaisha Sinterable aluminum nitride composition, sintered body from this composition and process for producing the sintered body
JPH0569793B2 (ja) * 1985-08-13 1993-10-01 Tokuyama Soda Kk

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0660060B2 (ja) 1994-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4711861A (en) Sintered aluminum nitride body and method for making
JP3593707B2 (ja) 窒化アルミニウムセラミックスとその製造方法
JPS6256109B2 (ja)
JPS61146765A (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPS61146766A (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JP2899893B2 (ja) 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法
JPS61146764A (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JPH075371B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JP2807430B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JPH0881267A (ja) 窒化アルミニウム焼結体、その製造方法と窒化アルミニウム回路基板、その製造方法
JPH0549628B2 (ja)
JPS61215265A (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JPS61215264A (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JP2772580B2 (ja) 窒化アルミニウム質焼結体の製造方法
JPS61146767A (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JPS62252374A (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPS62176961A (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JPS61215262A (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JPS61215263A (ja) 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法
JPS61227967A (ja) 高熱伝導性セラミツクス及びその製造法
JP2851712B2 (ja) 窒化アルミニウム質回路基板
JPS61286267A (ja) 窒化アルミニウム質焼結体の製造方法
JP3049941B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPS63195175A (ja) 窒化アルミニウム焼結体用組成物
JP2698014B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法