JPS61146766A - 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 - Google Patents

窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法

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JPS61146766A
JPS61146766A JP59265854A JP26585484A JPS61146766A JP S61146766 A JPS61146766 A JP S61146766A JP 59265854 A JP59265854 A JP 59265854A JP 26585484 A JP26585484 A JP 26585484A JP S61146766 A JPS61146766 A JP S61146766A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 工 発明の背景 技術分野 本発明は、窒化アルミニウム焼結体とその製造方法に関
する。
先行技術とその問題点 従来、集積回路の絶縁基板材料としてアルミナの焼結体
が使用されてきた。 しかし、アルミナ基板では熱伝導
率が悪く、熱膨張率がシリコンに比へて大きいため、大
型のシリコンチップへの接着性が悪いなど欠点が多い。
これにかえて、酸化ベリリウムを用いると、熱伝導率は
アルミナの10倍以上となるが、この物質は毒性があり
、その上高価なことから供給の点で難がある。
また、SiC基板も開発されているが、焼結の際、ホッ
トプレスを使用するため、コスト面で不利である上1M
電率が大きく、本来、SiCが半導体であることから絶
縁耐圧が小さいなどの問題がある。
そこで、熱伝導率が高く、抵抗も大きい窒化アルミニウ
ム(AQN)を使用したAil、N焼結体が注目されて
きている。 このものは、さらに熱膨張率もシリコンの
値に近く、誘電率も小さいという利点を有する。
ただし、このような利点をそのまま生かすには、A見N
焼結体が緻密で、かつ酸素含有量の少ないことが要求さ
れる。
しかし、酸素含有量の少ないAiN粉末単独では焼結性
が良くないため、焼結助剤を用いる必要性が生じる。
これまで、この焼結助剤についていくつか提案がなされ
ている。
例えば、AJIN粉末に、酸化アルミニウムCAl20
3 )やイツトリア(Y203 )を添加して、常圧焼
結あるいはホットプレスする方法、 AiN粉末に酸化カルシウム(Cab)、酸化バリウム
(Bad)、酸化ストロンチウム(SrO)を添加して
常圧焼結する方法(特願昭48−74166号)、 AiN粉末に窒化ホウ素(B N)を添加して、非酸化
性雰囲気中で常圧焼結あるいはホットプレスする方法(
特願昭58−32073号)、 AIN粉末に、Cab、BaO1SrOを含む化合物か
ら選ばれた少なくとも1種の粉末を含有した混合粉末を
添加し、非酸化性雰囲気中でホットプレスする方法(特
願昭59−50077号) 等が挙げられる。
これらのうち、酸化物を添加する方法では。
熱伝導率の点で不充分である。
他方、BNを添加する方法では、他と比較して、高い熱
伝導率を有するA見N焼結体を与え、また緻密性の点で
も他より良好であるとされる。
しかし、上記のように作製した従来のAiN焼結体はい
ずれも焼きムラが生じやすく、表面にでる白い模様が肉
眼で観測できるほどであり、また焼きムラによって電気
抵抗率(体積抵抗率)の値にバラツキが多くなる。
従って、このような点を改善するため、新たな焼結助剤
を用いたAIN焼結体の開発が望まれる。
■ 発明の目的 本発明の目的は、焼きムラがなく、かつ緻密で熱伝導性
および電気抵抗性が高く、電気絶縁用基板材料として好
適な性能を有し、しかも成形焼結が容易で、安価な窒化
アルミニウム焼結体とその製造方法を提供することにあ
る。
■ 発明の開示 このような目的は、下記の第1および第2の発明によっ
て達成される。
すなわち、第1の発明は、窒化アルミニウムに、焼結助
剤として、カルシウム、バリウム、ストロンチウムおよ
び希土類金属の塩化物のうちの1種以上を添加して焼成
してなることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体であ
る。
また、第2の発明は、窒化アルミニウム粉末に、焼結助
剤として、カルシウム、バリウム、ストロン、チウムお
よび希土類金属の塩化物のうちの1種以上の粉末を添加
して混合したのち。
成形および非酸化性雰囲気中での焼成を行うことを特徴
とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法である。
■ 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウム
(A x N)の粉末に、焼結助剤としてCa、Ba、
Srもしくは希土類金属の塩化物を添加する。 アルカ
リ土類金属の塩化物は、CaCl12 、S rcn2
および13aCJL2である。
これらと近似したM g Cl 2では、本発明の効果
は実現しない。
希土類金属(1)(Sc、Y、La−Lu)の塩化物と
しては、例えばYCl3 、LaCJ13、CeCl3
 、PrCl3 、SmCu3、NdC文3等が挙げら
れる。
ARN粉末は微粉化することが好ましく、平均粒子径が
0.1〜1OIL腸、特に0.5〜6gmであることが
好ましい。
焼結助剤の平均粒子径は、0.1〜44ILmであるこ
とが好ましく、特に0.5〜204mであることが好ま
しい。
そして、これらの焼結助剤の添加量はAIHに対して0
.01N10重量%であり、特に1〜7重景重量あるこ
とが好ましい。
添加量が0.01重量%より少ないと緻密な焼結体が得
られず、lO重重電より多いと0.01重量%未満の場
合と同様、常圧焼成では緻密な焼結体が得られないから
である。
これらの焼結助剤は、従来の焼結助剤であるアルカリ土
類金属の酸化物、イツトリア等と異なり、酸素を含有し
ておらず、熱伝導性を阻害する酸素等の不純物が生成し
にくいと考えられる。
Al1N焼結体は、通常ARM粉末に上述の焼結助剤の
粉末を添加混合して室温で加圧成形し、非酸化性雰囲気
中での常圧焼結法によりこの成形体を焼結した後、放冷
して得られる。
なお、上述の焼結助剤のなかKは、焼成温度(1750
℃)以下で揮散あるいは分散するものがある。 例えば
、BaCl2は1000”0で分散してバリウムと塩化
バリウムになる。
また、CaCl2の沸点は1600℃以上であるが、焼
成時に一部揮散すると考えられる。
このような理由から、いずれの場合も添加量を多くして
いる。
加圧成形の際の圧力は500〜2000kg/C履2程
度である。
焼結時の非酸化性雰囲気としては、N2、Ar、He等
の不活性ガス、N2.Co、各種炭化水素など、あるい
はこれらの混合雰囲気。
さらには真空等積々のものであってよい。
非酸化性雰囲気にするには、微粉化したAINの表面の
酸化を防止するためである。
この場合、非酸化性雰囲気としては、窒素を含むものが
好ましく、窒素50%以上にて、必要に応じAr、He
等の不活性ガス等が混入されてもよい。
雰囲気圧としては、大気圧でよく、通常、窒素気流中と
する。
焼結時の温度は1600〜1900℃、好ましくは17
50〜1800℃が有効である。
温度が1600℃より低い場合は、長時間焼成しても十
分には緻密化せず、1900℃より高い場合は、AIN
の揮散が認められ、また1800℃より高い場合は含有
酸素がAIH内に固溶しやすく、フォノン散乱の原因、
すなわち熱伝導率低下の原因となるからである。
焼結時間は、普通0.5〜2時間であり、特に、175
0℃では、1時間程度であることが好ましい。
なお、焼結に際しては、100〜300kg1082程
度の圧力を加えて、ホットプレス法を用いてもよい。
このようにして得られたAfLN焼結体は、焼きムラが
なく、しかも室温でAJINの理論密度の90%以上の
密度を有し、室温で、電気抵抗率が1Q12Ωcm以上
、熱伝導率80 W/mk以上である。 また、熱膨張
率は5X104程度である。
電気抵抗率は、従来のAILN焼結体では値に10〜2
0%のバラツキが生じるが1本発明のものは、焼きムラ
がないため1%程度のバラツキしか生じない。
■ 発明の具体的作用効果 本発明によれば、Ca、Ba、Srおよび希土類金属の
塩化物のうちの1種以上を焼結助剤に用いて、これを電
化アルミニウム粉末に0.01〜lO重畢%添加して混
合したのち成形体とし、この成形体を非酸化性雰囲気中
で焼成しているため、焼きムラのない窒化アルミニウム
焼結体が得られる。
また、緻密で熱伝導性および電気絶縁性が高く、しかも
焼きムラがないため、接着性がよく、かつ電気抵抗率の
値にバラツキがなく、集積回路に使用する電気絶縁用基
板やその他の放熱基板の材料として好適な性能を有する
さらに、製法も焼結の際常圧焼結法を適用しているため
、容易で、コスト面でも有利である。
■ 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し1本発明の効果をさ
らに詳細に説明する。
実施例 平均粒子径が31LmのAiN粉末に、平均粒径10#
Lmの表1に示す焼結助剤の粉末を5重量%添加し混合
した。 次に、この混合物を室温で約1000 kg/
c*2の圧力を加えて成形体とした。
その後、成形体をN2気流中で1750℃まで昇温し、
1750℃で1時間保持した後、放冷した。
このようにして、表1に示すAiN焼結体(試料101
−104および105)を作製した。
また、比較のために、焼結助剤に炭酸カルシウム(Ca
co3)を用い、これをAIN粉末に対して0.1重量
%、0.5重量%およびi、o重量%とした以外は試料
101−105と同様に作製した。 それぞれ順に、試
料201、試料202および試料203とする。
焼結助剤にイツトリア(Y203)を用い。
AiN粉末に対して1.0重量%添加した以外は試料1
01−105と同様に作製したものを試料301とする
さらに、AIHにBNを3重壷%添加したものを試料4
01とする。
上記の試料101〜105.201〜 203.301および401についての特性を表1に示
す。
特性の測定は下記のとおりである。
(1)密度および相対密度 実測密度と、その理論密度に対する相対値を求めた。
(2)電気抵抗率およびそのバラツキ 301φ、2mm厚の試料の表裏面にAgペーストを焼
きつけて電極とし、23℃、相対湿度50%にて、10
個の試料を測定し、その最大値と最小値との範囲を求め
た。
(3)熱伝導率 (2)の試料について、銀ペーストのついていない状態
で室温にて測定した。
(4)焼きムラ面積 白く析出した焼きムラ面積を算出した。
表1より、本発明のAIN焼結体は焼きムラが少なく、
その結果、電気抵抗率の値のバラツキも少ないことがわ
かる。 その上、緻密性、熱伝導性、電気抵抗性も良好
で、電気絶縁基板材料として好適な性能を有することが
わかる。
なお、試料201,401は密度が低く、実用上満足で
きる特性を示さなかった。
以上より1本発明の効果は明らかである。
なお、本発明のAJIN焼結体を、半導体パワーモジュ
ールの電気絶縁基板に適用したところ、ヒートサイクル
に対し、良好な耐性を示した。
また、他の遷移金属の塩化物でも表1と同等の効果かえ
られた。 さらに、本発明の助剤の複合添加でも同等の
効果がえられた。 ただ。
M g Cl 2では、表1に示されるように1本発明
の効果はえられなかった。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)窒化アルミニウムに、焼結助剤とし て、カルシウム、バリウム、ストロンチウムおよび希土
    類金属の塩化物のうちの1種以上を添加して焼成してな
    ることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。
  2. (2)窒化アルミニウムおよび上記の焼結助剤が粉末の
    形で混合され、窒化アルミニウムに対して上記の焼結助
    剤が0.01〜10重量%添加される特許請求の範囲第
    1項に記載の窒化アルミニウム焼結体。
  3. (3)焼成が非酸化性雰囲気中で行われる特許請求の範
    囲第1項または第2項のいずれかに記載の窒化アルミニ
    ウム焼結体。
  4. (4)熱伝導率80W/mk以上である特許請求の範囲
    第1項ないし第3項のいずれかに記載の窒化アルミニウ
    ム焼結体。
  5. (5)相対密度が90%以上である特許請求の範囲第1
    項ないし第4項のいずれかに記載の窒化アルミニウム焼
    結体。
  6. (6)体積抵抗率が10^1^2Ωcm以上である特許
    請求の範囲第1項ないし第5項のいずれかに記載の窒化
    アルミニウム焼結体。
  7. (7)窒化アルミニウム粉末に、焼結助剤として、カル
    シウム、バリウム、ストロンチウムおよび希土類金属の
    塩化物のうちの1種以上の粉末を添加して混合したのち
    、成形および非酸化性雰囲気中での焼成を行うことを特
    徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
  8. (8)非酸化性雰囲気が窒素を含む特許請求の範囲第7
    項に記載の窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5063183A (en) * 1985-08-13 1991-11-05 Tokuyama Soda Kabushiki Kaisha Sinterable aluminum nitride composition, sintered body from this composition and process for producing the sintered body
US5077245A (en) * 1987-01-30 1991-12-31 Kyocera Corporation Aluminum nitride-based sintered body and process for the production thereof
US5154863A (en) * 1985-10-31 1992-10-13 Kyocera Corporation Aluminum nitride-based sintered body and process for the production thereof

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US5077245A (en) * 1987-01-30 1991-12-31 Kyocera Corporation Aluminum nitride-based sintered body and process for the production thereof

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