JPS61146766A - 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS61146766A JPS61146766A JP59265854A JP26585484A JPS61146766A JP S61146766 A JPS61146766 A JP S61146766A JP 59265854 A JP59265854 A JP 59265854A JP 26585484 A JP26585484 A JP 26585484A JP S61146766 A JPS61146766 A JP S61146766A
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- aluminum nitride
- sintered body
- nitride sintered
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- sintering aid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
工 発明の背景
技術分野
本発明は、窒化アルミニウム焼結体とその製造方法に関
する。
する。
先行技術とその問題点
従来、集積回路の絶縁基板材料としてアルミナの焼結体
が使用されてきた。 しかし、アルミナ基板では熱伝導
率が悪く、熱膨張率がシリコンに比へて大きいため、大
型のシリコンチップへの接着性が悪いなど欠点が多い。
が使用されてきた。 しかし、アルミナ基板では熱伝導
率が悪く、熱膨張率がシリコンに比へて大きいため、大
型のシリコンチップへの接着性が悪いなど欠点が多い。
これにかえて、酸化ベリリウムを用いると、熱伝導率は
アルミナの10倍以上となるが、この物質は毒性があり
、その上高価なことから供給の点で難がある。
アルミナの10倍以上となるが、この物質は毒性があり
、その上高価なことから供給の点で難がある。
また、SiC基板も開発されているが、焼結の際、ホッ
トプレスを使用するため、コスト面で不利である上1M
電率が大きく、本来、SiCが半導体であることから絶
縁耐圧が小さいなどの問題がある。
トプレスを使用するため、コスト面で不利である上1M
電率が大きく、本来、SiCが半導体であることから絶
縁耐圧が小さいなどの問題がある。
そこで、熱伝導率が高く、抵抗も大きい窒化アルミニウ
ム(AQN)を使用したAil、N焼結体が注目されて
きている。 このものは、さらに熱膨張率もシリコンの
値に近く、誘電率も小さいという利点を有する。
ム(AQN)を使用したAil、N焼結体が注目されて
きている。 このものは、さらに熱膨張率もシリコンの
値に近く、誘電率も小さいという利点を有する。
ただし、このような利点をそのまま生かすには、A見N
焼結体が緻密で、かつ酸素含有量の少ないことが要求さ
れる。
焼結体が緻密で、かつ酸素含有量の少ないことが要求さ
れる。
しかし、酸素含有量の少ないAiN粉末単独では焼結性
が良くないため、焼結助剤を用いる必要性が生じる。
が良くないため、焼結助剤を用いる必要性が生じる。
これまで、この焼結助剤についていくつか提案がなされ
ている。
ている。
例えば、AJIN粉末に、酸化アルミニウムCAl20
3 )やイツトリア(Y203 )を添加して、常圧焼
結あるいはホットプレスする方法、 AiN粉末に酸化カルシウム(Cab)、酸化バリウム
(Bad)、酸化ストロンチウム(SrO)を添加して
常圧焼結する方法(特願昭48−74166号)、 AiN粉末に窒化ホウ素(B N)を添加して、非酸化
性雰囲気中で常圧焼結あるいはホットプレスする方法(
特願昭58−32073号)、 AIN粉末に、Cab、BaO1SrOを含む化合物か
ら選ばれた少なくとも1種の粉末を含有した混合粉末を
添加し、非酸化性雰囲気中でホットプレスする方法(特
願昭59−50077号) 等が挙げられる。
3 )やイツトリア(Y203 )を添加して、常圧焼
結あるいはホットプレスする方法、 AiN粉末に酸化カルシウム(Cab)、酸化バリウム
(Bad)、酸化ストロンチウム(SrO)を添加して
常圧焼結する方法(特願昭48−74166号)、 AiN粉末に窒化ホウ素(B N)を添加して、非酸化
性雰囲気中で常圧焼結あるいはホットプレスする方法(
特願昭58−32073号)、 AIN粉末に、Cab、BaO1SrOを含む化合物か
ら選ばれた少なくとも1種の粉末を含有した混合粉末を
添加し、非酸化性雰囲気中でホットプレスする方法(特
願昭59−50077号) 等が挙げられる。
これらのうち、酸化物を添加する方法では。
熱伝導率の点で不充分である。
他方、BNを添加する方法では、他と比較して、高い熱
伝導率を有するA見N焼結体を与え、また緻密性の点で
も他より良好であるとされる。
伝導率を有するA見N焼結体を与え、また緻密性の点で
も他より良好であるとされる。
しかし、上記のように作製した従来のAiN焼結体はい
ずれも焼きムラが生じやすく、表面にでる白い模様が肉
眼で観測できるほどであり、また焼きムラによって電気
抵抗率(体積抵抗率)の値にバラツキが多くなる。
ずれも焼きムラが生じやすく、表面にでる白い模様が肉
眼で観測できるほどであり、また焼きムラによって電気
抵抗率(体積抵抗率)の値にバラツキが多くなる。
従って、このような点を改善するため、新たな焼結助剤
を用いたAIN焼結体の開発が望まれる。
を用いたAIN焼結体の開発が望まれる。
■ 発明の目的
本発明の目的は、焼きムラがなく、かつ緻密で熱伝導性
および電気抵抗性が高く、電気絶縁用基板材料として好
適な性能を有し、しかも成形焼結が容易で、安価な窒化
アルミニウム焼結体とその製造方法を提供することにあ
る。
および電気抵抗性が高く、電気絶縁用基板材料として好
適な性能を有し、しかも成形焼結が容易で、安価な窒化
アルミニウム焼結体とその製造方法を提供することにあ
る。
■ 発明の開示
このような目的は、下記の第1および第2の発明によっ
て達成される。
て達成される。
すなわち、第1の発明は、窒化アルミニウムに、焼結助
剤として、カルシウム、バリウム、ストロンチウムおよ
び希土類金属の塩化物のうちの1種以上を添加して焼成
してなることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体であ
る。
剤として、カルシウム、バリウム、ストロンチウムおよ
び希土類金属の塩化物のうちの1種以上を添加して焼成
してなることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体であ
る。
また、第2の発明は、窒化アルミニウム粉末に、焼結助
剤として、カルシウム、バリウム、ストロン、チウムお
よび希土類金属の塩化物のうちの1種以上の粉末を添加
して混合したのち。
剤として、カルシウム、バリウム、ストロン、チウムお
よび希土類金属の塩化物のうちの1種以上の粉末を添加
して混合したのち。
成形および非酸化性雰囲気中での焼成を行うことを特徴
とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法である。
とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法である。
■ 発明の具体的構成
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウム
(A x N)の粉末に、焼結助剤としてCa、Ba、
Srもしくは希土類金属の塩化物を添加する。 アルカ
リ土類金属の塩化物は、CaCl12 、S rcn2
および13aCJL2である。
(A x N)の粉末に、焼結助剤としてCa、Ba、
Srもしくは希土類金属の塩化物を添加する。 アルカ
リ土類金属の塩化物は、CaCl12 、S rcn2
および13aCJL2である。
これらと近似したM g Cl 2では、本発明の効果
は実現しない。
は実現しない。
希土類金属(1)(Sc、Y、La−Lu)の塩化物と
しては、例えばYCl3 、LaCJ13、CeCl3
、PrCl3 、SmCu3、NdC文3等が挙げら
れる。
しては、例えばYCl3 、LaCJ13、CeCl3
、PrCl3 、SmCu3、NdC文3等が挙げら
れる。
ARN粉末は微粉化することが好ましく、平均粒子径が
0.1〜1OIL腸、特に0.5〜6gmであることが
好ましい。
0.1〜1OIL腸、特に0.5〜6gmであることが
好ましい。
焼結助剤の平均粒子径は、0.1〜44ILmであるこ
とが好ましく、特に0.5〜204mであることが好ま
しい。
とが好ましく、特に0.5〜204mであることが好ま
しい。
そして、これらの焼結助剤の添加量はAIHに対して0
.01N10重量%であり、特に1〜7重景重量あるこ
とが好ましい。
.01N10重量%であり、特に1〜7重景重量あるこ
とが好ましい。
添加量が0.01重量%より少ないと緻密な焼結体が得
られず、lO重重電より多いと0.01重量%未満の場
合と同様、常圧焼成では緻密な焼結体が得られないから
である。
られず、lO重重電より多いと0.01重量%未満の場
合と同様、常圧焼成では緻密な焼結体が得られないから
である。
これらの焼結助剤は、従来の焼結助剤であるアルカリ土
類金属の酸化物、イツトリア等と異なり、酸素を含有し
ておらず、熱伝導性を阻害する酸素等の不純物が生成し
にくいと考えられる。
類金属の酸化物、イツトリア等と異なり、酸素を含有し
ておらず、熱伝導性を阻害する酸素等の不純物が生成し
にくいと考えられる。
Al1N焼結体は、通常ARM粉末に上述の焼結助剤の
粉末を添加混合して室温で加圧成形し、非酸化性雰囲気
中での常圧焼結法によりこの成形体を焼結した後、放冷
して得られる。
粉末を添加混合して室温で加圧成形し、非酸化性雰囲気
中での常圧焼結法によりこの成形体を焼結した後、放冷
して得られる。
なお、上述の焼結助剤のなかKは、焼成温度(1750
℃)以下で揮散あるいは分散するものがある。 例えば
、BaCl2は1000”0で分散してバリウムと塩化
バリウムになる。
℃)以下で揮散あるいは分散するものがある。 例えば
、BaCl2は1000”0で分散してバリウムと塩化
バリウムになる。
また、CaCl2の沸点は1600℃以上であるが、焼
成時に一部揮散すると考えられる。
成時に一部揮散すると考えられる。
このような理由から、いずれの場合も添加量を多くして
いる。
いる。
加圧成形の際の圧力は500〜2000kg/C履2程
度である。
度である。
焼結時の非酸化性雰囲気としては、N2、Ar、He等
の不活性ガス、N2.Co、各種炭化水素など、あるい
はこれらの混合雰囲気。
の不活性ガス、N2.Co、各種炭化水素など、あるい
はこれらの混合雰囲気。
さらには真空等積々のものであってよい。
非酸化性雰囲気にするには、微粉化したAINの表面の
酸化を防止するためである。
酸化を防止するためである。
この場合、非酸化性雰囲気としては、窒素を含むものが
好ましく、窒素50%以上にて、必要に応じAr、He
等の不活性ガス等が混入されてもよい。
好ましく、窒素50%以上にて、必要に応じAr、He
等の不活性ガス等が混入されてもよい。
雰囲気圧としては、大気圧でよく、通常、窒素気流中と
する。
する。
焼結時の温度は1600〜1900℃、好ましくは17
50〜1800℃が有効である。
50〜1800℃が有効である。
温度が1600℃より低い場合は、長時間焼成しても十
分には緻密化せず、1900℃より高い場合は、AIN
の揮散が認められ、また1800℃より高い場合は含有
酸素がAIH内に固溶しやすく、フォノン散乱の原因、
すなわち熱伝導率低下の原因となるからである。
分には緻密化せず、1900℃より高い場合は、AIN
の揮散が認められ、また1800℃より高い場合は含有
酸素がAIH内に固溶しやすく、フォノン散乱の原因、
すなわち熱伝導率低下の原因となるからである。
焼結時間は、普通0.5〜2時間であり、特に、175
0℃では、1時間程度であることが好ましい。
0℃では、1時間程度であることが好ましい。
なお、焼結に際しては、100〜300kg1082程
度の圧力を加えて、ホットプレス法を用いてもよい。
度の圧力を加えて、ホットプレス法を用いてもよい。
このようにして得られたAfLN焼結体は、焼きムラが
なく、しかも室温でAJINの理論密度の90%以上の
密度を有し、室温で、電気抵抗率が1Q12Ωcm以上
、熱伝導率80 W/mk以上である。 また、熱膨張
率は5X104程度である。
なく、しかも室温でAJINの理論密度の90%以上の
密度を有し、室温で、電気抵抗率が1Q12Ωcm以上
、熱伝導率80 W/mk以上である。 また、熱膨張
率は5X104程度である。
電気抵抗率は、従来のAILN焼結体では値に10〜2
0%のバラツキが生じるが1本発明のものは、焼きムラ
がないため1%程度のバラツキしか生じない。
0%のバラツキが生じるが1本発明のものは、焼きムラ
がないため1%程度のバラツキしか生じない。
■ 発明の具体的作用効果
本発明によれば、Ca、Ba、Srおよび希土類金属の
塩化物のうちの1種以上を焼結助剤に用いて、これを電
化アルミニウム粉末に0.01〜lO重畢%添加して混
合したのち成形体とし、この成形体を非酸化性雰囲気中
で焼成しているため、焼きムラのない窒化アルミニウム
焼結体が得られる。
塩化物のうちの1種以上を焼結助剤に用いて、これを電
化アルミニウム粉末に0.01〜lO重畢%添加して混
合したのち成形体とし、この成形体を非酸化性雰囲気中
で焼成しているため、焼きムラのない窒化アルミニウム
焼結体が得られる。
また、緻密で熱伝導性および電気絶縁性が高く、しかも
焼きムラがないため、接着性がよく、かつ電気抵抗率の
値にバラツキがなく、集積回路に使用する電気絶縁用基
板やその他の放熱基板の材料として好適な性能を有する
。
焼きムラがないため、接着性がよく、かつ電気抵抗率の
値にバラツキがなく、集積回路に使用する電気絶縁用基
板やその他の放熱基板の材料として好適な性能を有する
。
さらに、製法も焼結の際常圧焼結法を適用しているため
、容易で、コスト面でも有利である。
、容易で、コスト面でも有利である。
■ 発明の具体的実施例
以下、本発明の具体的実施例を示し1本発明の効果をさ
らに詳細に説明する。
らに詳細に説明する。
実施例
平均粒子径が31LmのAiN粉末に、平均粒径10#
Lmの表1に示す焼結助剤の粉末を5重量%添加し混合
した。 次に、この混合物を室温で約1000 kg/
c*2の圧力を加えて成形体とした。
Lmの表1に示す焼結助剤の粉末を5重量%添加し混合
した。 次に、この混合物を室温で約1000 kg/
c*2の圧力を加えて成形体とした。
その後、成形体をN2気流中で1750℃まで昇温し、
1750℃で1時間保持した後、放冷した。
1750℃で1時間保持した後、放冷した。
このようにして、表1に示すAiN焼結体(試料101
−104および105)を作製した。
−104および105)を作製した。
また、比較のために、焼結助剤に炭酸カルシウム(Ca
co3)を用い、これをAIN粉末に対して0.1重量
%、0.5重量%およびi、o重量%とした以外は試料
101−105と同様に作製した。 それぞれ順に、試
料201、試料202および試料203とする。
co3)を用い、これをAIN粉末に対して0.1重量
%、0.5重量%およびi、o重量%とした以外は試料
101−105と同様に作製した。 それぞれ順に、試
料201、試料202および試料203とする。
焼結助剤にイツトリア(Y203)を用い。
AiN粉末に対して1.0重量%添加した以外は試料1
01−105と同様に作製したものを試料301とする
。
01−105と同様に作製したものを試料301とする
。
さらに、AIHにBNを3重壷%添加したものを試料4
01とする。
01とする。
上記の試料101〜105.201〜
203.301および401についての特性を表1に示
す。
す。
特性の測定は下記のとおりである。
(1)密度および相対密度
実測密度と、その理論密度に対する相対値を求めた。
(2)電気抵抗率およびそのバラツキ
301φ、2mm厚の試料の表裏面にAgペーストを焼
きつけて電極とし、23℃、相対湿度50%にて、10
個の試料を測定し、その最大値と最小値との範囲を求め
た。
きつけて電極とし、23℃、相対湿度50%にて、10
個の試料を測定し、その最大値と最小値との範囲を求め
た。
(3)熱伝導率
(2)の試料について、銀ペーストのついていない状態
で室温にて測定した。
で室温にて測定した。
(4)焼きムラ面積
白く析出した焼きムラ面積を算出した。
表1より、本発明のAIN焼結体は焼きムラが少なく、
その結果、電気抵抗率の値のバラツキも少ないことがわ
かる。 その上、緻密性、熱伝導性、電気抵抗性も良好
で、電気絶縁基板材料として好適な性能を有することが
わかる。
その結果、電気抵抗率の値のバラツキも少ないことがわ
かる。 その上、緻密性、熱伝導性、電気抵抗性も良好
で、電気絶縁基板材料として好適な性能を有することが
わかる。
なお、試料201,401は密度が低く、実用上満足で
きる特性を示さなかった。
きる特性を示さなかった。
以上より1本発明の効果は明らかである。
なお、本発明のAJIN焼結体を、半導体パワーモジュ
ールの電気絶縁基板に適用したところ、ヒートサイクル
に対し、良好な耐性を示した。
ールの電気絶縁基板に適用したところ、ヒートサイクル
に対し、良好な耐性を示した。
また、他の遷移金属の塩化物でも表1と同等の効果かえ
られた。 さらに、本発明の助剤の複合添加でも同等の
効果がえられた。 ただ。
られた。 さらに、本発明の助剤の複合添加でも同等の
効果がえられた。 ただ。
M g Cl 2では、表1に示されるように1本発明
の効果はえられなかった。
の効果はえられなかった。
Claims (8)
- (1)窒化アルミニウムに、焼結助剤とし て、カルシウム、バリウム、ストロンチウムおよび希土
類金属の塩化物のうちの1種以上を添加して焼成してな
ることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体。 - (2)窒化アルミニウムおよび上記の焼結助剤が粉末の
形で混合され、窒化アルミニウムに対して上記の焼結助
剤が0.01〜10重量%添加される特許請求の範囲第
1項に記載の窒化アルミニウム焼結体。 - (3)焼成が非酸化性雰囲気中で行われる特許請求の範
囲第1項または第2項のいずれかに記載の窒化アルミニ
ウム焼結体。 - (4)熱伝導率80W/mk以上である特許請求の範囲
第1項ないし第3項のいずれかに記載の窒化アルミニウ
ム焼結体。 - (5)相対密度が90%以上である特許請求の範囲第1
項ないし第4項のいずれかに記載の窒化アルミニウム焼
結体。 - (6)体積抵抗率が10^1^2Ωcm以上である特許
請求の範囲第1項ないし第5項のいずれかに記載の窒化
アルミニウム焼結体。 - (7)窒化アルミニウム粉末に、焼結助剤として、カル
シウム、バリウム、ストロンチウムおよび希土類金属の
塩化物のうちの1種以上の粉末を添加して混合したのち
、成形および非酸化性雰囲気中での焼成を行うことを特
徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法。 - (8)非酸化性雰囲気が窒素を含む特許請求の範囲第7
項に記載の窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59265854A JPH068220B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59265854A JPH068220B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61146766A true JPS61146766A (ja) | 1986-07-04 |
JPH068220B2 JPH068220B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=17422997
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59265854A Expired - Lifetime JPH068220B2 (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH068220B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5063183A (en) * | 1985-08-13 | 1991-11-05 | Tokuyama Soda Kabushiki Kaisha | Sinterable aluminum nitride composition, sintered body from this composition and process for producing the sintered body |
US5077245A (en) * | 1987-01-30 | 1991-12-31 | Kyocera Corporation | Aluminum nitride-based sintered body and process for the production thereof |
US5154863A (en) * | 1985-10-31 | 1992-10-13 | Kyocera Corporation | Aluminum nitride-based sintered body and process for the production thereof |
-
1984
- 1984-12-17 JP JP59265854A patent/JPH068220B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5063183A (en) * | 1985-08-13 | 1991-11-05 | Tokuyama Soda Kabushiki Kaisha | Sinterable aluminum nitride composition, sintered body from this composition and process for producing the sintered body |
US5154863A (en) * | 1985-10-31 | 1992-10-13 | Kyocera Corporation | Aluminum nitride-based sintered body and process for the production thereof |
US5077245A (en) * | 1987-01-30 | 1991-12-31 | Kyocera Corporation | Aluminum nitride-based sintered body and process for the production thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH068220B2 (ja) | 1994-02-02 |
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