JPS61146767A - 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 - Google Patents
窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS61146767A JPS61146767A JP59265855A JP26585584A JPS61146767A JP S61146767 A JPS61146767 A JP S61146767A JP 59265855 A JP59265855 A JP 59265855A JP 26585584 A JP26585584 A JP 26585584A JP S61146767 A JPS61146767 A JP S61146767A
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- Japan
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- aluminum nitride
- sintered body
- nitride sintered
- sintering aid
- boride
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
工 発明の背景
技術分野
本発明は、窒化アルミニウム焼結体とその製造方法に関
する。
する。
先行技術とその問題点
従来、集積回路の絶縁基板材料としてアルミナの焼結体
が使用されてきた。 しかし、アルミナ基板では熱伝
導率が悪く、熱膨張率がシリコンに比べて大きいため、
大型のシリコンチップへの接着性が悪いなど欠点が多い
。
が使用されてきた。 しかし、アルミナ基板では熱伝
導率が悪く、熱膨張率がシリコンに比べて大きいため、
大型のシリコンチップへの接着性が悪いなど欠点が多い
。
これにかえて、酸化ベリリウムを用いると、熱伝導率は
アルミナの10倍以上となるが、この物質は毒性があり
、その上高価なことから供給の点で難がある。
アルミナの10倍以上となるが、この物質は毒性があり
、その上高価なことから供給の点で難がある。
また、SiC基板も開発されているが、焼結の際、ホッ
トプレスを使用するため、コスト面で不利である玉、誘
電率が大きく、本来、SiCが半導体であることから絶
縁耐圧が小さいなどの問題がある。
トプレスを使用するため、コスト面で不利である玉、誘
電率が大きく、本来、SiCが半導体であることから絶
縁耐圧が小さいなどの問題がある。
そこで、熱伝導率が高く、抵抗も大きい窒化アルミニウ
ム(A I N)を使用したAIN焼結体が注目されて
きている。 このものは、さらに熱膨張率もシリコンの
値に近く、誘電率も小さいという利点を有する。
ム(A I N)を使用したAIN焼結体が注目されて
きている。 このものは、さらに熱膨張率もシリコンの
値に近く、誘電率も小さいという利点を有する。
ただし、このような利点をそのまま生かすには、A文N
焼結体が緻密で、かつ酸素含有量の少ないことが要求さ
れる。
焼結体が緻密で、かつ酸素含有量の少ないことが要求さ
れる。
しかし、酸素含有量の少ないAIN粉末単独では焼結性
が良くないため、焼結助剤を用いる必要性が生じる。
が良くないため、焼結助剤を用いる必要性が生じる。
これまで、この焼結助剤についていくつか提案がなされ
ている。
ている。
例えば、AIN粉末に酸化アルミニウム(AjL20:
i ) やイー/ トリフ(Y2O2)を添加して、常
圧焼結あるいはホットプレスする方法、 A!LN粉末に酸化カルシウム(Cab)、酸化バリウ
ム(Bad)、酸化ストロンチウム(SrO)を添加し
て常圧焼結する方法(特願昭48−74166号) A9.N粉末に窒化ホウ素(B N)を添加して非酸化
性雰囲気中で常圧焼結あるいはホットプレスする方法(
特願昭58−32073号)。
i ) やイー/ トリフ(Y2O2)を添加して、常
圧焼結あるいはホットプレスする方法、 A!LN粉末に酸化カルシウム(Cab)、酸化バリウ
ム(Bad)、酸化ストロンチウム(SrO)を添加し
て常圧焼結する方法(特願昭48−74166号) A9.N粉末に窒化ホウ素(B N)を添加して非酸化
性雰囲気中で常圧焼結あるいはホットプレスする方法(
特願昭58−32073号)。
AfLN粉末に、Cab、Bad、SrOを含む化合物
から選らばれた少なくとも1種の粉末を含有した混合粉
末を添加し、非酸化性雰囲気中でホットプレスする方法
(特願昭59−50077号)等が挙げられる。
から選らばれた少なくとも1種の粉末を含有した混合粉
末を添加し、非酸化性雰囲気中でホットプレスする方法
(特願昭59−50077号)等が挙げられる。
これらのうち、酸化物を添加する方法では、熱伝導率の
点で不充分である。
点で不充分である。
他方、BNを添加する方法では、他と比較して、高い熱
伝導率を有するAJIN焼結体を与え、また緻密性の点
でも他より良好であるとされる。
伝導率を有するAJIN焼結体を与え、また緻密性の点
でも他より良好であるとされる。
しかし、上記のように作製した従来のA見N焼結体はい
ずれも焼きムラが生じやすく、表面にでる白い模様が肉
眼で観測できるほどであり、また焼きムラによって電気
抵抗率(体積抵抗率)の値にバラツキが多くなる。
ずれも焼きムラが生じやすく、表面にでる白い模様が肉
眼で観測できるほどであり、また焼きムラによって電気
抵抗率(体積抵抗率)の値にバラツキが多くなる。
従って、このような点を改善するため、新たな焼結助剤
を用いたA交N焼結体の開発が望まれる。
を用いたA交N焼結体の開発が望まれる。
■ 発明の目的
本発明の目的は、焼きムラがなく、かつ緻密で熱伝導性
および電気抵抗性が高く、電気絶縁用基板材料として好
適な性能を有し、しかも成形焼結が容易で、安価な窒化
アルミニウム焼結体とその製造方法を提供することにあ
る。
および電気抵抗性が高く、電気絶縁用基板材料として好
適な性能を有し、しかも成形焼結が容易で、安価な窒化
アルミニウム焼結体とその製造方法を提供することにあ
る。
■ 発明の開示
このような目的は、下記の第1および第2の発明によっ
て達成される。
て達成される。
すなわち、第1の発明は、 −
窒化アルミニウムに、焼結助剤としてホウ化ストロンチ
ウム、ホウ化バリウムおよび希土類金属のホウ化物のう
ちの1種以上を添加して焼成してなることを特徴とする
窒化アルミニウム焼結体である。
ウム、ホウ化バリウムおよび希土類金属のホウ化物のう
ちの1種以上を添加して焼成してなることを特徴とする
窒化アルミニウム焼結体である。
また、第2の発明は、窒化アルミニウム粉末に焼結助剤
として、ホウ化ストロンチウム、ホウ化バリウムおよび
希土類金属のホウ化物のうちのIR4以上の粉末を添加
して混合したのち、成形および非酸化性雰囲気中での焼
成を行うことを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の1
遣方法である。
として、ホウ化ストロンチウム、ホウ化バリウムおよび
希土類金属のホウ化物のうちのIR4以上の粉末を添加
して混合したのち、成形および非酸化性雰囲気中での焼
成を行うことを特徴とする窒化アルミニウム焼結体の1
遣方法である。
■ 発明の具体的構成
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウム
(A I N)の粉末に、焼結助剤としてホウ化ストロ
ンチウム5rB6.ホウ化バリウムBaB6または希土
類金属のホウ化物を添加する。
(A I N)の粉末に、焼結助剤としてホウ化ストロ
ンチウム5rB6.ホウ化バリウムBaB6または希土
類金属のホウ化物を添加する。
希土類金属(S c、Y、La−Lu)c7)ホウ化物
としては1例えばYB6 、LaB6 、CeB6 、
P rB6 、SmBB 、NdB6等が挙げられる。
としては1例えばYB6 、LaB6 、CeB6 、
P rB6 、SmBB 、NdB6等が挙げられる。
AIN粉末は微粉化することが好ましく、モ均粒子径が
0.1=lOpm、特に0.5〜6ILlであることが
好ましい。
0.1=lOpm、特に0.5〜6ILlであることが
好ましい。
上記の焼結助剤では、それぞれの金属とBとの成分比は
多少の偏倚はあってもほぼ上記式に従うと考えてよい。
多少の偏倚はあってもほぼ上記式に従うと考えてよい。
焼結助剤の平均粒子径は、0.1〜44#L■であるこ
とが好ましく、特に0.5〜20#L11であることが
好ましい。
とが好ましく、特に0.5〜20#L11であることが
好ましい。
そして、これらの焼結助剤の添加量はAINに対して0
.01−10重最%であり、特に1〜3重量%であるこ
とが好ましい。
.01−10重最%であり、特に1〜3重量%であるこ
とが好ましい。
添加量が0.01重量%より少ないと緻密な焼結体が得
られず、10重量%より多いと0.01重量%未満の場
合と同様、常圧焼成では緻密な焼結体が得られないから
である。
られず、10重量%より多いと0.01重量%未満の場
合と同様、常圧焼成では緻密な焼結体が得られないから
である。
これらの焼結助剤は、従来の焼結助剤であるアルカリ土
類金属の酸化物、イツトリア等と異なり、酸素を含有し
ておらず、金属ホウ化物のホウ素分は窒化すれば電気抵
抗性および熱伝導性の良好なりNとなるだけなので、熱
伝導性を阻害する酸素等の不純物が生成しにくいと考え
られる。
類金属の酸化物、イツトリア等と異なり、酸素を含有し
ておらず、金属ホウ化物のホウ素分は窒化すれば電気抵
抗性および熱伝導性の良好なりNとなるだけなので、熱
伝導性を阻害する酸素等の不純物が生成しにくいと考え
られる。
A9.N焼結体は、通常A文N粉末に一ヒ述の焼結助剤
粉末を添加混合して室温で加圧成形し。
粉末を添加混合して室温で加圧成形し。
非酸化性雰囲気中での常圧焼結法によりこの成形体を焼
結した後、放冷して得られる。
結した後、放冷して得られる。
加圧成形の際の圧力は500〜2000kg/c*2程
度である。
度である。
焼結時の非酸化性雰囲気としては、N2゜Ar、He等
の不活性ガス、N2.CO1各種炭化水素など、あるい
はこれらの混合雰囲気、さらには真空等種々のものであ
ってよい。
の不活性ガス、N2.CO1各種炭化水素など、あるい
はこれらの混合雰囲気、さらには真空等種々のものであ
ってよい。
非酸化性雰囲気にするには、微粉化したAnNの表面の
酸化を防止するためである。
酸化を防止するためである。
この場合、非酸化性雰囲気としては、窒素を含むものが
好ましく、窒素50%以上にて、必要に応じAr、He
等の不活性ガス等が混入されてもよい。
好ましく、窒素50%以上にて、必要に応じAr、He
等の不活性ガス等が混入されてもよい。
雰囲気圧としては、大気圧でよく、通常、窒素気流中と
する。
する。
焼結時の温度は1600〜1900℃、好ましくは17
50〜1800℃が有効である。
50〜1800℃が有効である。
温度゛が1600℃より低い場合は、長時間焼成しても
十分には緻密化せず、1900℃より高い場合は、AI
Nの揮散が認められ、また1800℃より高い場合は含
有酸素がAuN内に固溶しやすく、フォノン散乱の原因
、すなわち熱伝導率低下の原因となるからである。
十分には緻密化せず、1900℃より高い場合は、AI
Nの揮散が認められ、また1800℃より高い場合は含
有酸素がAuN内に固溶しやすく、フォノン散乱の原因
、すなわち熱伝導率低下の原因となるからである。
焼結時間は、普通0.5〜2時間であり、特に、175
0℃では、1時間程度であることが好ましい。
0℃では、1時間程度であることが好ましい。
なお、焼結に際しては、100〜300kg/c膳2程
度の圧力を加えて、ホットプレス法を用いてもよい。
度の圧力を加えて、ホットプレス法を用いてもよい。
このようにして得られたAIN焼結体は、焼きムラがな
く、しかも室温でA!LNの理論密度の90%以上の密
度を有し、室温で、電気抵抗率が1Q12Ωcm以上、
熱伝導率80W/腸に以上である、 また、熱膨張率は
5X10”8程度である。
く、しかも室温でA!LNの理論密度の90%以上の密
度を有し、室温で、電気抵抗率が1Q12Ωcm以上、
熱伝導率80W/腸に以上である、 また、熱膨張率は
5X10”8程度である。
電気抵抗率は従来のAJIN焼結体では、値に10〜2
0%のバラツキが生じるが、本発明のものは、焼きムラ
がないため1%程度のバラツキしか生じない。
0%のバラツキが生じるが、本発明のものは、焼きムラ
がないため1%程度のバラツキしか生じない。
■ 発明の具体的作用効果
本発明によれば、ホウ化ストロンチウム、ホウ化バリウ
ムおよび希土類金属のホウ化物のうちの1種以上を焼結
助剤に用いて、これを窒化アルミニウム粉末に0.01
〜10重量%添加して混合したのち成形体とし、この成
形体を非酸化性雰囲気中で焼成しているため、焼きムラ
のない窒化アルミニウム焼結体が得られる。
ムおよび希土類金属のホウ化物のうちの1種以上を焼結
助剤に用いて、これを窒化アルミニウム粉末に0.01
〜10重量%添加して混合したのち成形体とし、この成
形体を非酸化性雰囲気中で焼成しているため、焼きムラ
のない窒化アルミニウム焼結体が得られる。
また、緻密で熱伝導性および電気絶縁性が高く、シかも
焼きムラがないため、接着性がよく、かつ電気抵抗率の
値にバラツキがなく、集積回路に使用する電気絶縁用基
板やその他の放熱基板の材料として好適な性能を有する
。
焼きムラがないため、接着性がよく、かつ電気抵抗率の
値にバラツキがなく、集積回路に使用する電気絶縁用基
板やその他の放熱基板の材料として好適な性能を有する
。
さらに、袈法も焼結の際常圧焼結法を適用しているため
、容易で、コスト面でも有利である。
、容易で、コスト面でも有利である。
■ 発明の具体的実施例
以下、本発明の具体的実施例を示し1本発明の効果をさ
らに詳細に説明する。
らに詳細に説明する。
実施例
モ均粒子径が3終腸のA皇N粉末に、平均粒子径10終
履の表1に示す焼結助剤の粉末を2重量%添加し混合し
た。 次に、この混合物を室温で約1000 kg/
cs2の圧力を加えて成形体とした。
履の表1に示す焼結助剤の粉末を2重量%添加し混合し
た。 次に、この混合物を室温で約1000 kg/
cs2の圧力を加えて成形体とした。
その後、成形体をN2気流中で1750℃まで昇温し、
1750℃で1時間保持した後、放冷した。
1750℃で1時間保持した後、放冷した。
このようにして表1に示すAJIN焼結体(試料101
−103)を作製した。
−103)を作製した。
また、比較のために、焼結助剤に炭酸カルシウム(Ca
CO3)を用い、これを/IIN粉末に対して0.1重
量%、0.5重量%および1.0重量%とした以外は試
料101−103と同様に作製した。 それぞれ順に、
試料201、試料202および試料203とする。
CO3)を用い、これを/IIN粉末に対して0.1重
量%、0.5重量%および1.0重量%とした以外は試
料101−103と同様に作製した。 それぞれ順に、
試料201、試料202および試料203とする。
焼結助剤にイツトリア(Y203 )を用I/)。
AIN粉末に対して1.0重量%添加した以外は試料1
01〜103と同様に作製したものを試料301とする
。
01〜103と同様に作製したものを試料301とする
。
また、試料101〜103において、助剤としてM g
B eを用いたものを、試′I4501とすφ・ さらに、AiNにBNを3重量%添加したものを試料4
01とする。
B eを用いたものを、試′I4501とすφ・ さらに、AiNにBNを3重量%添加したものを試料4
01とする。
上記の試料101〜103,201〜
203.301,401および501につし〜ての特性
を表1に示す。
を表1に示す。
特性の測定は下記のとおりである。
(1)密度および相対密度
実測密度と、その理論密度に対する相対イ直を求めた。
(2)電気抵抗率およびそのI(ラツキ30層■φ、2
層■厚の試料の表裏面にAgペーストを焼きつけて電極
とし、23℃、相対湿度50%にて、10個の試料を測
定し、また、その最大値と最小値との範囲を求めた。
層■厚の試料の表裏面にAgペーストを焼きつけて電極
とし、23℃、相対湿度50%にて、10個の試料を測
定し、また、その最大値と最小値との範囲を求めた。
(3)熱伝導率
(2)の試料について、銀ペーストのついていない状態
で室温にて測定した。
で室温にて測定した。
(4)焼きムラ面積
白く析出した焼きムラ面積を算出した。
表1より、本発明のAIN焼結体は焼きムラが少なく、
その結果、電気抵抗率の値のバラツキも少ないことがわ
かる。 その上、緻密性。
その結果、電気抵抗率の値のバラツキも少ないことがわ
かる。 その上、緻密性。
熱伝導性、電気抵抗性も良好で、電気絶縁基板材料とし
て好適な性能を有することがわかる。
て好適な性能を有することがわかる。
なお、試料201,401は密度が低く。
実用上満足できる特性を示さなかった。
以とより1本発明の効果は明らかである。
なお1本発明のAIIN焼結体を、半導体パワーモジュ
ールの電気絶縁基板に適用したところ、ヒートサイクル
に対し、良好な耐性を示した。
ールの電気絶縁基板に適用したところ、ヒートサイクル
に対し、良好な耐性を示した。
なお、外の希土類金属のホウ化物は、これら各化合物の
複合添加でも1表1と同等の効果を得た。
複合添加でも1表1と同等の効果を得た。
ただし、ホウ化マグネシウムでは、良好な特性を得られ
なかった。
なかった。
手続補正書(自発)
昭和60年 3月11日
1、事件の表示
昭和59年特許願第265855号
2、発明の名称
窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法3、補正を
する者 本件との関係 特許出願大佐 所
東京都中央区日本橋−丁目13番1号名 称
(306) ティーディーケイ株式会社代表膚 大
歳 寛 4、代理人 〒101 住 所 東京都千代田区岩本町3丁目2番2号
千代田岩木ビル4階 明細書の「3、発明の詳細な説明」の欄6、補正の内容 l)明細書第14頁第5行目〜7行目の「また、・・・
・試料501とする。」を削除する。
する者 本件との関係 特許出願大佐 所
東京都中央区日本橋−丁目13番1号名 称
(306) ティーディーケイ株式会社代表膚 大
歳 寛 4、代理人 〒101 住 所 東京都千代田区岩本町3丁目2番2号
千代田岩木ビル4階 明細書の「3、発明の詳細な説明」の欄6、補正の内容 l)明細書第14頁第5行目〜7行目の「また、・・・
・試料501とする。」を削除する。
2)同第16頁表1の最下行目の試料501の行を1行
削除する。
削除する。
3)同第17頁下より2行目〜1行目の「ただし、得ら
れなかった。」を削除する。
れなかった。」を削除する。
Claims (8)
- (1)窒化アルミニウムに、焼結助剤としてホウ化スト
ロンチウム、ホウ化バリウムおよび希土類金属のホウ化
物のうちの1種以上を添加して焼成してなることを特徴
とする窒化アルミニウム焼結体。 - (2)窒化アルミニウムおよび上記焼結助剤が粉末の形
で混合され、窒化アルミニウムに対して上記焼結助剤が
0.01〜10重量%添加される特許請求の範囲第1項
に記載の窒化アルミニウム焼結体。 - (3)焼成が非酸化性雰囲気中で行われる特許請求の範
囲第1項または第2項に記載の窒化アルミニウム焼結体
。 - (4)熱伝導率80W/mk以上である特許請求の範囲
第1項ないし第3項のいずれかに記載の窒化アルミニウ
ム焼結体。 - (5)相対密度が90%以上である特許請求の範囲第1
項ないし第4項のいずれかに記載の窒化アルミニウム焼
結体。 - (6)体積抵抗率が10^1^2Ωcm以上である特許
請求の範囲第1項ないし第5項のいずれかに記載の窒化
アルミニウム焼結体。 - (7)窒化アルミニウム粉末に焼結助剤として、ホウ化
ストロンチウム、ホウ化バリウムおよび希土類金属のホ
ウ化物のうちの1種以上の粉末を添加して混合したのち
、成形および非酸化性雰囲気中での焼成を行うことを特
徴とする窒化アルミニウム焼結体の製造方法。 - (8)非酸化性雰囲気が窒素を含む特許請求の範囲第7
項に記載の窒化アルミニウム焼結体の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59265855A JPS61146767A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
US06/875,099 US4672046A (en) | 1984-10-15 | 1986-06-17 | Sintered aluminum nitride body |
US07/016,957 US4711861A (en) | 1984-10-15 | 1987-02-20 | Sintered aluminum nitride body and method for making |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59265855A JPS61146767A (ja) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61146767A true JPS61146767A (ja) | 1986-07-04 |
Family
ID=17423013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59265855A Pending JPS61146767A (ja) | 1984-10-15 | 1984-12-17 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61146767A (ja) |
-
1984
- 1984-12-17 JP JP59265855A patent/JPS61146767A/ja active Pending
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