JPH0549628B2 - - Google Patents

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JPH0549628B2
JPH0549628B2 JP59215971A JP21597184A JPH0549628B2 JP H0549628 B2 JPH0549628 B2 JP H0549628B2 JP 59215971 A JP59215971 A JP 59215971A JP 21597184 A JP21597184 A JP 21597184A JP H0549628 B2 JPH0549628 B2 JP H0549628B2
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JP
Japan
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aluminum nitride
sintered body
aln
sintering
powder
Prior art date
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JP59215971A
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JPS6197168A (ja
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Kentaro Sawamura
Yoshio Kosaka
Masayasu Yamaguchi
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TDK Corp
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TDK Corp
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Priority to US07/016,957 priority patent/US4711861A/en
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Description

【発明の詳細な説明】
I 発明の背景 技術分野 本発明は、窒化アルミニウム焼結体に関する。 先行技術とその問題点 従来、集積回路の絶縁基板材料としてアルミナ
の焼結体が使用されてきた。しかし、アルミナ基
板では熱伝導率が悪く、熱膨張率がシリコンに比
べて大きいため、大型のシリコンチツプへの接着
性が悪いなど欠点が多い。 これにかえて、酸化ベリリウムを用いると、熱
伝導率はアルミナの10倍以上となるが、この物質
は毒性があり、その上高価なことから供給の点で
難がある。 また、SiC基板も開発されているが、焼結の
際、ホツトプレスを使用するため、コスト面で不
利である上、誘電率が大きく、本来、SiCが半導
体であることから絶縁耐圧が小さいなどの問題が
ある。 そこで、熱伝導率が高く、抵抗も大きい窒化ア
ルミニウム(AlN)を使用したAlN焼結体が注
目されてきている。このものは、さらに熱膨張率
もシリコンの値に近く、誘電率も小さいという利
点を有する。 ただし、このような利点をそのまま生かすに
は、AlN焼結体が緻密で、かつ酸素含有量の少
ないことが要求される。 しかし、酸素含有量の少ないAlN粉末単独で
は焼結性が良くないため、焼結助剤を用いる必要
性が生じる。 これまで、この焼結助剤についていくつか提案
がなされている。 例えば、AlN粉末に酸化アルミニウム
(Al2O3)やイツトリア(Y2O3)を添加して、常
圧焼結あるいはホツトプレスする方法、 AlN粉末に酸化カルシウム(CaO)、酸化バリ
ウム(BaO)、酸化ストロンチウム(SrO)を添
加して常圧焼結する方法(特願昭48−74166号)、 AlN粉末に窒化ホウ素(BN)を添加して非酸
化性雰囲気中で常圧焼結あるいはホツトプレスす
る方法(特開昭58−32073号)、 AlN粉末に、CaO、BaO、SrOを含む化合物か
ら選ばれた少なくとも1種の粉末を含有した混合
粉末を添加し、非酸化性雰囲気中でホツトプレス
する方法(特開昭59−50077号)等が挙げられる。 これらのうち、酸化物を添加する方法では、熱
伝導率の点で不充分である。 他方、BNを添加する方法では、他と比較し
て、高い熱伝導率を有するAlN焼結体を与え、
また緻密性の点でも他より良好であるとされる。 しかし、上記のように作製した従来のAlN焼
結体はいずれも焼きムラが生じやすく、表面にで
る白い模様が肉眼で観測できるほどであり、また
焼きムラによつて電気抵抗率(体積抵抗率)の値
にバラツキが多くなる。 従つて、このような点を改善するため、新たな
焼結助剤を用いたAlN焼結体の開発が望まれる。 発明の目的 本発明の目的は、焼きムラがなく、かつ緻密で
熱伝導性および電気抵抗性が高く、電気絶縁用基
板材料として好適な性能を有し、しかも成形焼結
が容易で、安価な窒化アルミニウム焼結体を提供
することにある。 発明の開示 このような目的は、下記の本発明によつて達成
される。 すなわち、本発明は、 窒化アルミニウムに、ホウ化カルシウムを添加
して焼成してなることを特徴とする窒化アルミニ
ウム焼結体である。 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明
する。 本発明の窒化アルミニウム焼結体は、窒化アル
ミニウム(AlN)の粉末に、ホウ化カルシウム
を焼結助剤として添加する。 AlN粉末は微粉化することが好ましく、平均
粒子径が0.1〜10μm、特に0.5〜6μmであること
が好ましい。 焼結助剤として用いるホウ化カルシウムは、化
学式CaB6で示されるもので、CaとBとの成分比
は多少の偏倚はあつてもほぼこの式に従うと考え
てよい。CaB6の平均粒子径は、0.1〜44μmであ
ることが好ましく、添加量はAlNに対して0.01〜
10重量%であり、特に1〜3重量%であることが
好ましい。 添加量が0.01重量%より少ないと緻密な焼結体
が得られず、30重量%より多いと0.01重量%未満
の場合と同様、常圧焼成では緻密な焼結体が得ら
れないからである。 CaB6は銅精錬時に大量に使用される材料であ
り、安価でかつ安定に供給される。また、CaB6
は、従来の焼結助剤であるアルカリ土類金属の酸
化物、酸化イツトルウム等と異なり、酸素を含有
しておらず、CaB6のホウ素分は窒化すれば電気
抵抗性および熱伝導性の良好なBNとなるだけな
ので、熱伝導性を阻害する酸素等の不純物が生成
しにくいと考えられる。 AlN焼結体は、通常AlN粉末にCaB6粉末を添
加混合して室温で加圧成形し、非酸化性雰囲気中
での常圧焼結法によりこの成形体を焼結した後、
放冷して得られる。 加圧成形の際の圧力は500〜2000Kg/cm2程度で
ある。 焼結時の非酸化性雰囲気としては、N2、Ar、
He等の不活性ガス、H2、CO、各種炭化水素な
ど、あるいはこれらの混合雰囲気、さらには真空
等種々のものであつてよい。 非酸化性雰囲気にするには、微粉化したAlN
の表面の酸化を防止するためである。 この場合、非酸化性雰囲気としては、窒素を含
むものが好ましく、窒素50%以上にて、必要に応
じAr、He等の不活性ガス等が混入されてもよ
い。 雰囲気圧としては、大気圧でよく、通常、窒素
気流中とする。 焼結時の温度は1600〜1900℃、好ましくは1750
〜1800℃が有効である。 温度が1600℃より低い場合は、長時間焼成して
も十分には緻密化せず1900℃より高い場合は、
AlNの揮散が認められ、また1800℃より高い場
合は含有酸素がAlN内に固溶しやすく、フオノ
ン散乱の原因、すなわち熱伝導率低下の原因とな
るからである。 焼結時間は、普通0.5〜2時間であり、特に、
1750℃では、1時間程度であることが好ましい。 なお、焼結に際しては、100〜300Kg/cm2程度の
圧力を加えて、ホツトプレス法を用いてもよい。 このようにして得られたAlN焼結体は、焼き
ムラがなく、しかも室温でAlNの理論密度の90
%以上の密度を有し、室温で、電気抵抗率が1012
Ωcm以上、熱伝導率80W/m・K以上である。ま
た、熱膨張率は5×10-6程度である。 電気抵抗率は従来のAlN焼結体では値に10〜
20%のバラツキが生じるが、本発明のものは、焼
きムラがないため1%程度のバラツキしか生じな
い。 発明の具体的作用効果 本発明によれば、ホウ化カルシウムを焼結助剤
に用いて、これを窒化アルミニウム粉末に0.01〜
10重量%添加して混合したのち成形体とし、この
成形体を非酸化性雰囲気中で焼成しているため、
焼きムラのない窒化アルミニウム焼結体が得られ
る。 また、緻密で熱伝導性および電気絶縁性が高
く、しかも焼きムラがないため、接着性がよく、
かつ電気抵抗率の値にバラツキがなく、集積回路
に使用する電気絶縁用基板やその他の放熱基板の
材料として好適な性能を有する。 さらに、製法も焼結の際常圧焼結法を適用して
いるため、容易で、コスト面でも有利である。 発明の具体的実施例 以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明の
効果をさらに詳細に説明する。 実施例 平均粒子径が5μmのAlN粉末に、平均粒径10μ
mのCaB6粉末を0.1重量%添加し混合した。次
に、この混合物を室温で約1000Kg/cm2の圧力を加
えて成形体とした。 その後、成形体をN2気流中で1750℃まで昇温
し、1750℃で1時間保持した後、放冷した。 このようにして作製したAlN焼結体を試料101
とする。 また、CaB6粉末をAlN粉末に対して1.0重量%
および5.0重量%とした以外は試料101と同様に作
製したものを、それぞれ試料102および試料103と
する。 さらに、比較のために、焼結助剤に炭酸カルシ
ウム(CaCO3)を用い、これをAlN粉末に対し
て0.1重量%、0.5重量%および1.0重量%とした以
外は試料101と同様に作製した。それぞれ順に、
試料201、試料202および試料203とする。 焼結助剤にイツトリア(Y2O3)を用い、AlN
粉末に対して1.0重量%添加した以外は試料101と
同様に作製したものを試料301とする。 さらに、AlNにBNを3重量%添加したものを
試料401とする。 上記の試料101〜103、201〜203、301および401
についての特性を表1に示す。 特性の測定は下記のとおりである。 (1) 密度および相対密度 実測密度と、その理論密度に対する相対値を
求めた。 (2) 電気抵抗率およびそのバラツキ 30mmφ、2mm厚の試料の表裏面にAgペース
トを焼きつけて電極とし、23℃、相対湿度50%
にて、10個の試料の平均値を測定した。 また、その最大値と最小値との範囲を求め
た。 (3) 熱伝導率 (2)の試料について、銀ペーストのついていな
い状態で室温にて測定した。 (4) 焼きムラ面積 白く析出した焼きムラ面積を算出した。
【表】 表1より、本発明のAlN焼結体は焼きムラが
少なく、その結果、電気抵抗率の値のバラツキも
少ないことがわかる。その上、緻密性、熱伝導
性、電気抵抗性も良好で、電気絶縁基板材料とし
て好適な性能を有することがわかる。 なお、試料201、401は密度が低く、実用上満足
できる特性を示さなかつた。 以上より、本発明の効果は明らかである。 なお、本発明のAlN焼結体を、半導体パワー
モジユールの電気絶縁基板に適用したところ、ヒ
ートサイクルに対し、良好な耐性を示した。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 窒化アルミニウムに、ホウ化カルシウムを添
    加し焼成してなることを特徴とする窒化アルミニ
    ウム焼結体。 2 窒化アルミニウムおよびホウ化カルシウムが
    粉末の形で混合され、窒化アルミニウムに対して
    ホウ化カルシウムが0.01〜10重量%添加される特
    許請求の範囲第1項に記載の窒化アルミニウム焼
    結体。 3 焼成が非酸化性雰囲気中で行われる特許請求
    の範囲第1項または第2項に記載の窒化アルミニ
    ウム焼結体。 4 熱伝導率80W/m・K以上である特許請求の
    範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載の窒化
    アルミニウム焼結体。 5 相対密度が90%以上である特許請求の範囲第
    1項ないし第4項のいずれかに記載の窒化アルミ
    ニウム焼結体。 6 体積抵抗率が1012Ωcm以上である特許請求の
    範囲第1項ないし第5項のいずれかに記載の窒化
    アルミニウム焼結体。
JP59215971A 1984-10-15 1984-10-15 窒化アルミニウム焼結体 Granted JPS6197168A (ja)

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JP59215971A JPS6197168A (ja) 1984-10-15 1984-10-15 窒化アルミニウム焼結体
US06/875,099 US4672046A (en) 1984-10-15 1986-06-17 Sintered aluminum nitride body
US07/016,957 US4711861A (en) 1984-10-15 1987-02-20 Sintered aluminum nitride body and method for making

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JPS6197168A JPS6197168A (ja) 1986-05-15
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