JPS61137300A - メモリ検査方法 - Google Patents
メモリ検査方法Info
- Publication number
- JPS61137300A JPS61137300A JP59258301A JP25830184A JPS61137300A JP S61137300 A JPS61137300 A JP S61137300A JP 59258301 A JP59258301 A JP 59258301A JP 25830184 A JP25830184 A JP 25830184A JP S61137300 A JPS61137300 A JP S61137300A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- address
- memory
- data
- address signal
- bits
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はメモリ検査方法、特にランダム・アクセス・メ
モリのアドレス端子を検査する方法に関する。
モリのアドレス端子を検査する方法に関する。
メモリ、特にランダム・アクセス・メモリ(RAM)の
検査を行なう従来の方法では、パターン発生器が発生し
た順次異なる所定データをRAMの全アドレス位置に順
次書込み、書込んだテークを読出して、書込んだデータ
と比較している。このような検査は、RAMの製造過程
、受入検査、及び製品に組入れた際の自己診断の1つと
して必要である0 〔発明が解決しようとする問題点〕 メモリを組入れた製品は、工場出荷の時点では正常であ
るが、その後種々の原因での故障を検知するために自己
診断を行なっている。特にメモリまうことか多い。よっ
てメモリに関する大ざっば彦自己診断では、アドレス端
子及びデータ入力・出力端子の検査を行々えばよい。し
かし、従来のようにメモリ、特にRAMの全アドレス位
置に関して検査していたのでは、長時間を要し、自己診
断にかかる時間が長くなるという問題点がある。
検査を行なう従来の方法では、パターン発生器が発生し
た順次異なる所定データをRAMの全アドレス位置に順
次書込み、書込んだテークを読出して、書込んだデータ
と比較している。このような検査は、RAMの製造過程
、受入検査、及び製品に組入れた際の自己診断の1つと
して必要である0 〔発明が解決しようとする問題点〕 メモリを組入れた製品は、工場出荷の時点では正常であ
るが、その後種々の原因での故障を検知するために自己
診断を行なっている。特にメモリまうことか多い。よっ
てメモリに関する大ざっば彦自己診断では、アドレス端
子及びデータ入力・出力端子の検査を行々えばよい。し
かし、従来のようにメモリ、特にRAMの全アドレス位
置に関して検査していたのでは、長時間を要し、自己診
断にかかる時間が長くなるという問題点がある。
本発明では、2ビット以上のアドレス信号によりアドレ
ス指定されるメモリを検査する際に、1ビットのみが論
理「1」又は「0」の第1アドレス信号をメモリに供給
して第1データを書込むと共に、全ビットが論理rOJ
又は「1」の第2アドレス信号をメモリに供給して第2
データを書込む第1過程と、この第1過程で最初の書込
みに用いたアドレス信号をメモリに供給してデータを読
出し、書込んだデータと比較する第2過程とを実行する
が、第1過程の第1アドレス信号の論理「1」又は「0
」になるビットを順次変更して第1及び第2過程を繰返
すことを特徴にしている。
ス指定されるメモリを検査する際に、1ビットのみが論
理「1」又は「0」の第1アドレス信号をメモリに供給
して第1データを書込むと共に、全ビットが論理rOJ
又は「1」の第2アドレス信号をメモリに供給して第2
データを書込む第1過程と、この第1過程で最初の書込
みに用いたアドレス信号をメモリに供給してデータを読
出し、書込んだデータと比較する第2過程とを実行する
が、第1過程の第1アドレス信号の論理「1」又は「0
」になるビットを順次変更して第1及び第2過程を繰返
すことを特徴にしている。
本発明では従来のようにメモリの全アドレスに関して検
査せず、アドレス端子の各ビットが論理「0」又は「1
」に固定された場合を考慮して各ビット毎に検査を行な
っている。よってメモリが正常の場合は、最初に書込ん
だアドレス信号を供給してデータを読出すと、それは最
初に書込んだデータと等しい。またメモリのアドレス端
子が不良の場合、最初に書込んだアドレス信号を供給し
てデータを読出すど、そのデータは2番目に書込んだデ
ータと等しくなる。このようにアドレス端子の各ビット
毎に検査を行々えばよいので、メモリのアドレス端子及
びデータ端子に関する検査時間が大巾に短縮する。
査せず、アドレス端子の各ビットが論理「0」又は「1
」に固定された場合を考慮して各ビット毎に検査を行な
っている。よってメモリが正常の場合は、最初に書込ん
だアドレス信号を供給してデータを読出すと、それは最
初に書込んだデータと等しい。またメモリのアドレス端
子が不良の場合、最初に書込んだアドレス信号を供給し
てデータを読出すど、そのデータは2番目に書込んだデ
ータと等しくなる。このようにアドレス端子の各ビット
毎に検査を行々えばよいので、メモリのアドレス端子及
びデータ端子に関する検査時間が大巾に短縮する。
第1図は本発明の好適な一実施例の流れ図を示し、第2
図は本発明を実施するだめの装置のブロック図を示す。
図は本発明を実施するだめの装置のブロック図を示す。
、第2図において、検査装置10は、マイクロプロセッ
サ等の処理装置(CPU)、とのCPUによりメモリの
検査を行々うためのプログラムを記憶したリード・オン
リ・メモリ(ROM)、検査結果を表示するだめの表示
装置等を含んでおり、これら各構成要素はバスで相互接
続されている。また被検査メモリであるRAM12は、
検査装置10から書込み/読出しくW/R)制御信号及
びアドレス信号を受け、検査装置10との間でデータの
授受を行なう。なお、検査装置10はCPU及びROM
等を組込んだ製品であり、またメモリ12ばその製品内
に組込まれたものであってもよい。この場合、自己診断
機能が働いたとき、CPU及びROM等が検査装置とし
て作用し、メモリが被検査素子と々る。
サ等の処理装置(CPU)、とのCPUによりメモリの
検査を行々うためのプログラムを記憶したリード・オン
リ・メモリ(ROM)、検査結果を表示するだめの表示
装置等を含んでおり、これら各構成要素はバスで相互接
続されている。また被検査メモリであるRAM12は、
検査装置10から書込み/読出しくW/R)制御信号及
びアドレス信号を受け、検査装置10との間でデータの
授受を行なう。なお、検査装置10はCPU及びROM
等を組込んだ製品であり、またメモリ12ばその製品内
に組込まれたものであってもよい。この場合、自己診断
機能が働いたとき、CPU及びROM等が検査装置とし
て作用し、メモリが被検査素子と々る。
次に本発明の実施例を第1図の流れ図に沿って説明する
。以下の説明は、検査装置10内のROMに記憶された
プログラムによシCPUが実行する。
。以下の説明は、検査装置10内のROMに記憶された
プログラムによシCPUが実行する。
ステップ20においてメモリ12の全記憶腸所をクリア
する。これはメモリの最小アドレスから最大アドレスに
順次変化するアドレス信号をメモリに供給すると共に、
書込みモードにし、全ビットが論理「0」又は「1」の
データを供給することにより実行する。以下の説明では
メモリ12のアドレスを4ビットとする。まず、メモリ
12の各アドレス端子が断線又は短絡により論理「0」
に々っていないかを検査する。ステップ22において、
アドレス端子のLSBを検査するだめ検査アドレス信号
Rをro OOIJに設定する。ステップ24において
、このアドレス信号R及び特定の第17’−タ、例えば
rAJをメモリ12のアドレス端子及びデータ端子に夫
々供給する。メモリ12は書込みモ・−ドなので、この
メモリが正常ならアドレス位置R(この場合roooI
J)にデータAが書込まれる。またメモリ12のアドレ
ス端子のLSBが「0」に固定されていれば、アドレス
位置roooOJにデータAが書込まれる。
する。これはメモリの最小アドレスから最大アドレスに
順次変化するアドレス信号をメモリに供給すると共に、
書込みモードにし、全ビットが論理「0」又は「1」の
データを供給することにより実行する。以下の説明では
メモリ12のアドレスを4ビットとする。まず、メモリ
12の各アドレス端子が断線又は短絡により論理「0」
に々っていないかを検査する。ステップ22において、
アドレス端子のLSBを検査するだめ検査アドレス信号
Rをro OOIJに設定する。ステップ24において
、このアドレス信号R及び特定の第17’−タ、例えば
rAJをメモリ12のアドレス端子及びデータ端子に夫
々供給する。メモリ12は書込みモ・−ドなので、この
メモリが正常ならアドレス位置R(この場合roooI
J)にデータAが書込まれる。またメモリ12のアドレ
ス端子のLSBが「0」に固定されていれば、アドレス
位置roooOJにデータAが書込まれる。
次にステップ26において、アドレス信号ro000j
及び第2データ、例えばrBJをメモリ12のアドレス
端子及びデータ端子に夫々供給する。この場合、メモリ
12のアドレス端子のLSBが「0」に固定されていて
も、い々くても関係なく、アドレスro OOOJにデ
ータBが書込まれる。ステップ28において、メモリ1
2を読出しモードとし、ステップ24及び26の内、最
初に供給したアドレス信号、即ちアドレス信号R(この
場合IQ OOIJ)を供給して、メモリ12からデー
タを読出す。ステップ30において、この読出したデー
タがrAJか否かを比較する。メモリ12のアドレス端
子のLSBが論理「0」に固定されている場合、ステッ
プ28での読出しは、アドレス位置ro 001Jを指
定したにもかかわらず、アドレス位置IQ OOOJの
内容を読出してしまう。このアドレス位置較結果が不一
致(ノー)の場合、メモリ12は不良と判断する。しか
し、メモリ12が正常ならばステップ30の比較結果が
一致(イエス)し、ステップ32に進む。
及び第2データ、例えばrBJをメモリ12のアドレス
端子及びデータ端子に夫々供給する。この場合、メモリ
12のアドレス端子のLSBが「0」に固定されていて
も、い々くても関係なく、アドレスro OOOJにデ
ータBが書込まれる。ステップ28において、メモリ1
2を読出しモードとし、ステップ24及び26の内、最
初に供給したアドレス信号、即ちアドレス信号R(この
場合IQ OOIJ)を供給して、メモリ12からデー
タを読出す。ステップ30において、この読出したデー
タがrAJか否かを比較する。メモリ12のアドレス端
子のLSBが論理「0」に固定されている場合、ステッ
プ28での読出しは、アドレス位置ro 001Jを指
定したにもかかわらず、アドレス位置IQ OOOJの
内容を読出してしまう。このアドレス位置較結果が不一
致(ノー)の場合、メモリ12は不良と判断する。しか
し、メモリ12が正常ならばステップ30の比較結果が
一致(イエス)し、ステップ32に進む。
この実施例では、アドレス端子の各ビットをLSBから
MSHに向って順次検査しているので、ステップ32に
おいて、アドレス端子の全ビットを検査し終わったかを
判断する。最終検査アドレス・ビットはMSHなので、
アドレス信号RがII OOOJと一致すれば第1B図
の別の検査ステップに進み、不一致ならばステップ34
に進む。ステップ34は、検査するビットを順次変更す
る過程であり、アドレス信号Rにrloj(10進数の
「2」)を掛ける。アドレス信号Rが「0001」、I
Q O10J及びrol、oOJの掛算結果は夫々「0
010」、IQ 100J及びrl OOOJ となり
、即ち、1ビットのみが論理「1」のアドレスの「1」
のビットを順次変更する。その後ステップ24に戻り、
上述の各ステップを繰返す。なお、メモリ12のアドレ
ス端子の第2LSBビットが論理「0」に固定されてい
る場合は、アドレス信号ro O10Jを供給しても、
メモリ12のアドレス位置IQ OOOjが指定される
。同様にアドレス端子の第3LSB又はMSB(第4
LSB )ビットが論理「0」に固定されている場合は
、アドレス信号「0100」又は「1000」を夫々供
給しても、アドレス位置「0000」が指定される。
MSHに向って順次検査しているので、ステップ32に
おいて、アドレス端子の全ビットを検査し終わったかを
判断する。最終検査アドレス・ビットはMSHなので、
アドレス信号RがII OOOJと一致すれば第1B図
の別の検査ステップに進み、不一致ならばステップ34
に進む。ステップ34は、検査するビットを順次変更す
る過程であり、アドレス信号Rにrloj(10進数の
「2」)を掛ける。アドレス信号Rが「0001」、I
Q O10J及びrol、oOJの掛算結果は夫々「0
010」、IQ 100J及びrl OOOJ となり
、即ち、1ビットのみが論理「1」のアドレスの「1」
のビットを順次変更する。その後ステップ24に戻り、
上述の各ステップを繰返す。なお、メモリ12のアドレ
ス端子の第2LSBビットが論理「0」に固定されてい
る場合は、アドレス信号ro O10Jを供給しても、
メモリ12のアドレス位置IQ OOOjが指定される
。同様にアドレス端子の第3LSB又はMSB(第4
LSB )ビットが論理「0」に固定されている場合は
、アドレス信号「0100」又は「1000」を夫々供
給しても、アドレス位置「0000」が指定される。
メモリ12の全アドレス端子が論理「0」に固定されて
いない場合、ステップ32を介してステップ36に進む
。ステップ36では検査アドレス信号Sをro OOI
Jに設定する。以下のステップではメモリの12の各ア
ドレス端子が断線又は短絡により論理「1」に固定され
ていないか否かを検査する。ステップ38において、ア
ドレス信号rlllll−8及びデータrBJをメモリ
12のアドレス端子及びデータ端子に供給すると共に、
メモリ12を書込みモードにする。アドレス信号Sがr
oooIJの場合はrllllJ−8はrl 110J
であり、同様にアドレス信号Sが「001旧、rolo
oJ及びrlooOJ (D場合、rllllJ−8は
夫々「11o1」、1’−1011J及びro 111
Jである。即ち、アドレス信号rl 111J−8とは
アドレス信号Sの相補アドレス信号であり、1ビットの
みが「0」となる。このステップ38では、メモリ12
が正常ならばアドレス位置rl 111J−8にデータ
rBJが書込まにデータrBJが書込まれる。
いない場合、ステップ32を介してステップ36に進む
。ステップ36では検査アドレス信号Sをro OOI
Jに設定する。以下のステップではメモリの12の各ア
ドレス端子が断線又は短絡により論理「1」に固定され
ていないか否かを検査する。ステップ38において、ア
ドレス信号rlllll−8及びデータrBJをメモリ
12のアドレス端子及びデータ端子に供給すると共に、
メモリ12を書込みモードにする。アドレス信号Sがr
oooIJの場合はrllllJ−8はrl 110J
であり、同様にアドレス信号Sが「001旧、rolo
oJ及びrlooOJ (D場合、rllllJ−8は
夫々「11o1」、1’−1011J及びro 111
Jである。即ち、アドレス信号rl 111J−8とは
アドレス信号Sの相補アドレス信号であり、1ビットの
みが「0」となる。このステップ38では、メモリ12
が正常ならばアドレス位置rl 111J−8にデータ
rBJが書込まにデータrBJが書込まれる。
ステップ40ではアドレス信号rl 111J及びデー
タrAJをメモリ12に供給して書込みを行なう。ステ
ップ42において、メモリ12を読出しモードにし、ス
テップ38と同じアドレス信号rllllJ−8(Sが
ro OOIJならば[1110j)を供給してデータ
の読出しを行なう。この場合、メモリ12が正常ならば
、アドレス位置II 111J〜Sが指定され、ステッ
プ38で書込丑れたデータrBJが読出される。また、
論理rOJの供給されたアドレス端子「1」に固定され
ているならば、アドレス位置rl 111Jが指定され
、ステップ40で書込寸れたデータrAJが読出される
。
タrAJをメモリ12に供給して書込みを行なう。ステ
ップ42において、メモリ12を読出しモードにし、ス
テップ38と同じアドレス信号rllllJ−8(Sが
ro OOIJならば[1110j)を供給してデータ
の読出しを行なう。この場合、メモリ12が正常ならば
、アドレス位置II 111J〜Sが指定され、ステッ
プ38で書込丑れたデータrBJが読出される。また、
論理rOJの供給されたアドレス端子「1」に固定され
ているならば、アドレス位置rl 111Jが指定され
、ステップ40で書込寸れたデータrAJが読出される
。
ならばメモリ12は不良と々す、寸た一致ならばステッ
プ46に進む。次のステップ46及び48はステップ3
2及び34と夫々同じである。このようにアドレス端子
の各ビットが「1」に固定されていないかを検査する。
プ46に進む。次のステップ46及び48はステップ3
2及び34と夫々同じである。このようにアドレス端子
の各ビットが「1」に固定されていないかを検査する。
ステップ46が「イエス」の場合に、メモリの全アドレ
ス端子が正常と判断されたことになる。また、この際、
データ端子も検査されたことになる。
ス端子が正常と判断されたことになる。また、この際、
データ端子も検査されたことになる。
上述は本発明の好適々実施例について説明したが、種々
の変更及び変形が可能である。例えば、メモリのアドレ
ス端子は2以上の任意の数でよく、またRAM以外のE
FROM等のメモリにも本発明を適用できる。アドレス
端子が[]」に固定されていないかを検査するには、ス
テップ38〜48の代りにステップ24〜34を利用で
きるが、この場合、ステップ24及び26の順序を入れ
替え、ステップ28ではアドレス信号ro o o o
ゴを供給し、ステップ30で比較するデータは「B」で
ある。同様にアドレス端子が「0」に固定されてい々い
かを検査するには、ステップ24〜34の代りにステッ
プ38〜48を利用できる。しかしこの場合、ステップ
38及び40の順序を入れ替え、ステップ42ではアド
レス信号rl 111Jを供給し、ステップ44で比較
するデータはrAJである。また書き込むデータもrA
J、rBJは「0001」とかrl 110jのパター
ンを左にシフトしながら検査するループに置き替えても
よい。
の変更及び変形が可能である。例えば、メモリのアドレ
ス端子は2以上の任意の数でよく、またRAM以外のE
FROM等のメモリにも本発明を適用できる。アドレス
端子が[]」に固定されていないかを検査するには、ス
テップ38〜48の代りにステップ24〜34を利用で
きるが、この場合、ステップ24及び26の順序を入れ
替え、ステップ28ではアドレス信号ro o o o
ゴを供給し、ステップ30で比較するデータは「B」で
ある。同様にアドレス端子が「0」に固定されてい々い
かを検査するには、ステップ24〜34の代りにステッ
プ38〜48を利用できる。しかしこの場合、ステップ
38及び40の順序を入れ替え、ステップ42ではアド
レス信号rl 111Jを供給し、ステップ44で比較
するデータはrAJである。また書き込むデータもrA
J、rBJは「0001」とかrl 110jのパター
ンを左にシフトしながら検査するループに置き替えても
よい。
上述の如く本発明によれば、メモリの各アドレス端子の
異常を検査するのに、全アドレス位置を検査せずに、ア
ドレス信号の順次変更する1ビットのみが論理「1」又
はrOJの場合と、アドレス信号の全ビットが「0」又
は「1」の場合のみを検査すればよいので、検査時間が
大巾に短縮される。才だ、この際、データ端子の短絡及
び断線も検査したことになる。
異常を検査するのに、全アドレス位置を検査せずに、ア
ドレス信号の順次変更する1ビットのみが論理「1」又
はrOJの場合と、アドレス信号の全ビットが「0」又
は「1」の場合のみを検査すればよいので、検査時間が
大巾に短縮される。才だ、この際、データ端子の短絡及
び断線も検査したことになる。
第1A図及び第1B図は本発明の好適な一実施例を説明
するだめの流れ図、第2図はメモリと検査装置の関係を
示すブロック図である。 図において、12はメモリである。
するだめの流れ図、第2図はメモリと検査装置の関係を
示すブロック図である。 図において、12はメモリである。
Claims (1)
- 2ビット以上のアドレス信号によりアドレス指定され
るメモリの検査方法において、1ビットのみが論理「1
」又は「0」の第1アドレス信号を上記メモリに供給し
て第1データを書込むと共に、全ビットが論理「0」又
は「1」の第2アドレス信号を上記メモリに供給して第
2データを書込む第1過程と、該第1過程で最初の書込
みに用いたアドレス信号を上記メモリに供給してデータ
を読出し、書込んだデータと比較する第2過程とを有し
、上記第1過程の上記第1アドレス信号の論理「1」又
は「0」になるビットを順次変更して上記第1過程及び
上記第2過程を繰返すことを特徴とするメモリ検査方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59258301A JPS61137300A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | メモリ検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59258301A JPS61137300A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | メモリ検査方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61137300A true JPS61137300A (ja) | 1986-06-24 |
Family
ID=17318352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59258301A Pending JPS61137300A (ja) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | メモリ検査方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61137300A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63202000A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-22 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | アドレス・ライン・テスト方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5769599A (en) * | 1980-10-17 | 1982-04-28 | Fujitsu Ltd | Checking method of memory device |
-
1984
- 1984-12-06 JP JP59258301A patent/JPS61137300A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5769599A (en) * | 1980-10-17 | 1982-04-28 | Fujitsu Ltd | Checking method of memory device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63202000A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-22 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | アドレス・ライン・テスト方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100197636B1 (ko) | 페일메모리 장치 | |
EP0447995B1 (en) | Analyzing device for saving semiconductor memory failures | |
US6715117B2 (en) | Method of testing a semiconductor memory device | |
JPH103800A (ja) | 半導体メモリ装置の併合データ出力モードの選択方法 | |
JP2002504255A (ja) | メモリセルを有する装置およびメモリセルの機能検査のための方法 | |
JP2002312252A (ja) | メモリ診断装置及び診断方法 | |
JPS61137300A (ja) | メモリ検査方法 | |
JP3098700B2 (ja) | Ic試験装置 | |
KR19990023399A (ko) | 반도체 집적 회로 | |
JP2865035B2 (ja) | 半導体記憶装置の試験方法 | |
JPH07307100A (ja) | メモリ集積回路 | |
JPH05266694A (ja) | メモリテスト方式 | |
JP3284401B2 (ja) | メモリの検査方法 | |
JP3004886B2 (ja) | 内容アドレス式メモリ | |
JP2006163811A (ja) | 不揮発性メモリのデータ制御方法 | |
JPH04339399A (ja) | メモリテスタの救済アドレス解析回路 | |
KR100252303B1 (ko) | 반도체칩 슬레이브 검사장치 | |
JP3017174B1 (ja) | メモリー検査方法およびメモリー検査装置 | |
JPH1166888A (ja) | 不良救済処理方法及びその装置並びにそのシステム | |
JPH01187475A (ja) | 半導体集積回路の試験装置 | |
KR0171110B1 (ko) | 불량 메모리칩의 모듈화방법 | |
JP2000030490A (ja) | 半導体試験装置および冗長救済判定方法 | |
JPH05307900A (ja) | 半導体メモリ素子 | |
JPH086863A (ja) | メモリ試験方法並びに試験装置 | |
JPS63250755A (ja) | メモリのテスト方法 |