JPS63250755A - メモリのテスト方法 - Google Patents
メモリのテスト方法Info
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- JPS63250755A JPS63250755A JP62085581A JP8558187A JPS63250755A JP S63250755 A JPS63250755 A JP S63250755A JP 62085581 A JP62085581 A JP 62085581A JP 8558187 A JP8558187 A JP 8558187A JP S63250755 A JPS63250755 A JP S63250755A
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- banks
- memory
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- bank
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Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 40
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000011990 functional testing Methods 0.000 claims description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 3
- 238000004092 self-diagnosis Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
人、脆築上の利用分野
本発明は、メそりのテスト方法に関する。
B0発明の5.要
本発明は、大容量メモリの機能テストを行うfおいて。
複数のメモリバンクを一括選択し、各バンクに並列的に
かつ正論理と負論理の切換をしたデータb℃出しを行う
ことにより。
かつ正論理と負論理の切換をしたデータb℃出しを行う
ことにより。
テスト時間を大幅に短縮しなからそ1実なテストができ
ろようにしたものである。
ろようにしたものである。
C1従来の技術
−iに、コンピュータシステムに使用さnろダイナミッ
クRAM又はスタティックRAM等の半導体メモリは、
そのデータ書込み、読出し機能のチェックを行う機能テ
ストプログラムが用意される1例えば、メモリは電源投
入時にデータ及び冗長ビットを初期化するファームウェ
アやホストプログラムが用意され、メモリの全エリアに
渡ってデータ書込み処理を行うようにしている。
クRAM又はスタティックRAM等の半導体メモリは、
そのデータ書込み、読出し機能のチェックを行う機能テ
ストプログラムが用意される1例えば、メモリは電源投
入時にデータ及び冗長ビットを初期化するファームウェ
アやホストプログラムが用意され、メモリの全エリアに
渡ってデータ書込み処理を行うようにしている。
薗2図は、従来のメモリとCpUの結合構成図を示す、
n個のメモリバンク11〜1つとCPU2とはメモリコ
ントローラ3を介して、結合され、メモリコントローラ
3はデコーダ3Jからのバンク選択信号でメモリバンク
11%1r1の1つを選択し。
n個のメモリバンク11〜1つとCPU2とはメモリコ
ントローラ3を介して、結合され、メモリコントローラ
3はデコーダ3Jからのバンク選択信号でメモリバンク
11%1r1の1つを選択し。
メモリアドレスバス4によってバンク内のアドレスを選
択し、データバス5によって書込み又は読出しデータの
授受を行う、デコーダ3.はCPU2から与えられたア
ドレスデータの上位アドレスをデコードし、該当するバ
ンク選択信号を得る。
択し、データバス5によって書込み又は読出しデータの
授受を行う、デコーダ3.はCPU2から与えられたア
ドレスデータの上位アドレスをデコードし、該当するバ
ンク選択信号を得る。
こうした構成により、メモリテストにはバンク選択と当
該バンクのアドレスを語単位で設定し、この各アドレス
についてデータと冗長ピットの沓込みで初期化を行うし
、データ書込みと読出しで機能の正当性を確認する。
該バンクのアドレスを語単位で設定し、この各アドレス
についてデータと冗長ピットの沓込みで初期化を行うし
、データ書込みと読出しで機能の正当性を確認する。
D0発明が解決しようとする問題点
従来のメモリテスト方法では、テスト対象のバンクの1
語単位で書込み読出し処理を行い、この処理を全バンク
について繰り返し行う、このため。
語単位で書込み読出し処理を行い、この処理を全バンク
について繰り返し行う、このため。
大容量メモリのテストには畏い時間を要し、簡単な自己
診断的なメモリテストでもそのテスト時間の制約から実
行できないことがあった。
診断的なメモリテストでもそのテスト時間の制約から実
行できないことがあった。
E0問題点を解決するための手段と作用本発明は、上記
問題点に鑑みてなされたもので、各メモリバンクのバン
ク選択信号を一括選釈にし。
問題点に鑑みてなされたもので、各メモリバンクのバン
ク選択信号を一括選釈にし。
各メモリバンクに対して同じアドレス部分圧は同じデー
タの書込みを並列的にかつ正論理と負論理を切換えた読
出しを並列的に行い、算出しデータから当該アドレス部
分の正当性をチェックするようにし、メモリバンクの並
列的アドレッシングによるデータの並列的書込みとワイ
ヤードオアによる望出しで機能テストを行う。
タの書込みを並列的にかつ正論理と負論理を切換えた読
出しを並列的に行い、算出しデータから当該アドレス部
分の正当性をチェックするようにし、メモリバンクの並
列的アドレッシングによるデータの並列的書込みとワイ
ヤードオアによる望出しで機能テストを行う。
F、実施例
第1図は本発明の一実施例を示す構成図である。
同図が第2図と異なる部分は、デコーダ3.の各出力を
夫々オアゲート01〜G!l、ヲ通してメモリバンク1
.〜l!、のバンク選択信号とし、各オアゲートGI−
Grlの他方の共通入力としてモード切換回路7からの
出力を与える構成にされる。また、メモリバンク11〜
1.のデータバスへの出力を正論理と負論理に切換えで
きるようバスドライバ回路81〜8つを制御する構成に
される。
夫々オアゲート01〜G!l、ヲ通してメモリバンク1
.〜l!、のバンク選択信号とし、各オアゲートGI−
Grlの他方の共通入力としてモード切換回路7からの
出力を与える構成にされる。また、メモリバンク11〜
1.のデータバスへの出力を正論理と負論理に切換えで
きるようバスドライバ回路81〜8つを制御する構成に
される。
こうした構成において1通常のシステム状態では、CP
U2がメモリアクセスするには該当アドレスをコントロ
ーラ3に指定し、コントローラ3がその上位アドレスを
デコードし、該当バンクをバンク選択信号によって選択
し、下位アドレスをアドレスバス4に送出する。これに
より、バンク選択信号によって選択されたバンクは、ア
ドレスバス4のアドレスから該当する語を選択し、その
とき書込み指令であればデータバス5上のデータを当該
アドレスに書込み、読出し指令であれば当該アドレスの
データをデータバス5上に送出する。
U2がメモリアクセスするには該当アドレスをコントロ
ーラ3に指定し、コントローラ3がその上位アドレスを
デコードし、該当バンクをバンク選択信号によって選択
し、下位アドレスをアドレスバス4に送出する。これに
より、バンク選択信号によって選択されたバンクは、ア
ドレスバス4のアドレスから該当する語を選択し、その
とき書込み指令であればデータバス5上のデータを当該
アドレスに書込み、読出し指令であれば当該アドレスの
データをデータバス5上に送出する。
次に、メモリテストには、メモリコントローラ3はCP
U2から与えられたアドレスの上位アドレスに関係なく
、CPU2からの指定でモード切換回路7の出力を能動
にして全バンクのバンク選択信号を出力する。これによ
り、各バンク1.〜1、に対してアドレスバス4のアド
レスデータで指定するアドレスへの書込み又は読出しが
行われる。読出し時には各バンクの出力データがワイヤ
ードオアされてデータバス5に出力される。
U2から与えられたアドレスの上位アドレスに関係なく
、CPU2からの指定でモード切換回路7の出力を能動
にして全バンクのバンク選択信号を出力する。これによ
り、各バンク1.〜1、に対してアドレスバス4のアド
レスデータで指定するアドレスへの書込み又は読出しが
行われる。読出し時には各バンクの出力データがワイヤ
ードオアされてデータバス5に出力される。
従って、メモリテストにはn個のメモリバンクに対して
一括したバンク選択がなされ、従来のテスト方法に較べ
て1//r1のテスト時間に減縮される。
一括したバンク選択がなされ、従来のテスト方法に較べ
て1//r1のテスト時間に減縮される。
なお、テスト時のデータチェックは、各バンクに同時に
オール@01のデータ書込みを行うデータとし、このデ
ータを複数のバンクから同時に読出し、この読出しデー
タがオールlOlであればテスト対象の当該アドレス部
分は正常と判1断できる。
オール@01のデータ書込みを行うデータとし、このデ
ータを複数のバンクから同時に読出し、この読出しデー
タがオールlOlであればテスト対象の当該アドレス部
分は正常と判1断できる。
また、オール101でなければ、テスト対象となったバ
ンク内の当該アドレス部分に不良個所が存在していると
判断できる。
ンク内の当該アドレス部分に不良個所が存在していると
判断できる。
上述のメモリテストに加えて、メモリの不良が常に10
°を出力する場合についてもテストするには、CPU2
からの指定でバスドライバ回路8.〜8n の出力を正
論理と負論理に切換えて上述と同根の処理を行う、この
テストは、各バンクに同時にオール“11のデータを書
込み、バンク出力を負論理モードにして各バンクのデー
タを読出し、この読出しデータがオール10“であると
きには正常と判断し、オール”01でなければ不良個所
が存在していると判断する。
°を出力する場合についてもテストするには、CPU2
からの指定でバスドライバ回路8.〜8n の出力を正
論理と負論理に切換えて上述と同根の処理を行う、この
テストは、各バンクに同時にオール“11のデータを書
込み、バンク出力を負論理モードにして各バンクのデー
タを読出し、この読出しデータがオール10“であると
きには正常と判断し、オール”01でなければ不良個所
が存在していると判断する。
α発明の効果
以上のとおり1本発明は複数のメモリバンクのテストに
各メモリバンクを一括選択し、データの並列的書込みと
読出しを正負論理を切換えて行うテスト方法とするため
、メモリの初期化や自己診断【でnバンク構成で1/n
の時間に短縮で煮、シかも正負論理の切換により確実な
テストになる。
各メモリバンクを一括選択し、データの並列的書込みと
読出しを正負論理を切換えて行うテスト方法とするため
、メモリの初期化や自己診断【でnバンク構成で1/n
の時間に短縮で煮、シかも正負論理の切換により確実な
テストになる。
1lls 1図は本発明の一実施例を示す構成図、第2
図は従来の構成図である。 l□1f]・・・メモリバンク、2・・・CPU、3・
・・メモリコントa−ラ、31・・・デコーダ、7・・
・モード切1回路、 8t+8n・・・バスドライバ
回路。 第1図 8フ+8n・・・・・
図は従来の構成図である。 l□1f]・・・メモリバンク、2・・・CPU、3・
・・メモリコントa−ラ、31・・・デコーダ、7・・
・モード切1回路、 8t+8n・・・バスドライバ
回路。 第1図 8フ+8n・・・・・
Claims (1)
- 複数のメモリバンクに対してデータの書込みと読出しに
よって機能テストを行うにおいて、各メモリバンクのバ
ンク選択信号を一括選択にし、各メモリバンクに対して
同じアドレス部分には同じデータの書込みを並列的にか
つ正論理と負論理を切換えた読出しを並列的に行い、読
出しデータから当該アドレス部分の正当性をチェックす
ることを特徴とするメモリのテスト方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62085581A JPS63250755A (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | メモリのテスト方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62085581A JPS63250755A (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | メモリのテスト方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63250755A true JPS63250755A (ja) | 1988-10-18 |
Family
ID=13862777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62085581A Pending JPS63250755A (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | メモリのテスト方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63250755A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0214149U (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-29 |
-
1987
- 1987-04-07 JP JP62085581A patent/JPS63250755A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0214149U (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-29 |
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