JPH06349299A - メモリテスト結果回収方法、及びメモリテスト装置 - Google Patents

メモリテスト結果回収方法、及びメモリテスト装置

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JPH06349299A
JPH06349299A JP5160488A JP16048893A JPH06349299A JP H06349299 A JPH06349299 A JP H06349299A JP 5160488 A JP5160488 A JP 5160488A JP 16048893 A JP16048893 A JP 16048893A JP H06349299 A JPH06349299 A JP H06349299A
Authority
JP
Japan
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memory
test
fail
under test
data
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP5160488A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoshi Kamata
聡 鎌田
Yoshiyuki Sumi
義之 角
Yoshinobu Nakayama
好信 中山
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Hitachi Ltd
Hitachi Computer Engineering Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Computer Engineering Co Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Computer Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPH06349299A publication Critical patent/JPH06349299A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的は、メモリテストの時間短縮を
図ることにある。 【構成】 11はメモリテスト装置本体、30はこのメ
モリテスト装置本体11によってテストされる被測定メ
モリであり、この被測定メモリ30のビット構成情報に
基づいて、フェイルメモリ25から上記ビット構成情報
に対応する部分のみを読出すことにより、フェイルメモ
リ25からの読出し動作において冗長な処理を排除し、
それによってメモリテスト時間の短縮を達成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、被測定メモリに書込ま
れたテストパターンを読出して、それを期待値と比較す
ることによって得られたフェイルデータを、それが格納
されたフェイルメモリから回収するためのメモリテスト
結果回収方法、及びそれを実施するためのメモリテスト
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体メモリの評価において、フェイル
メモリに格納されたフェイルビットマップによる不良解
析は非常に重要な手法の一つとされる。半導体メモリの
セルはマトリックス状に規則正しく配置され、それぞれ
のメモリセルは、外部から入力されるアドレスと1対1
で対応しており、通常の評価では、あるアドレスに書込
んだ情報を読出し、その出力データと期待値とが一致す
るか否かで判定される。フェイルビットマップはそのよ
うな判定結果をそれぞれのメモリセルに対応する位置に
表示したものであり、不良解析を視覚的に示す有力な解
析手段の一つとされる。
【0003】フェイルメモリを用いた従来のメモリテス
トにおいては、先ずフェイルメモリにフェイルデータを
書込み、しかる後に、フェイルメモリから半導体メモリ
の不良判定結果(フェイルデータと称される)を読出
し、欠陥救済のアルゴリズムの対象となる規模まで重ね
合せる処理をしたり、また、解析手段においては、半導
体メモリを構成するメモリセルの物理的配置に対応する
ように再配置したり、不良ビットの分布状態をマクロ的
に観測可能とするため複数ビットを縮約する等の処理を
行っている。
【0004】ところで、一般にメモリテストのフェイル
データは、フェイルメモリの先頭アドレスから順に格納
され、マイクロプロセッサによってそれが読出される
が、マイクロプロセッサによる処理は、現在テスト中の
LSIのビット構成にかかわらず、共通化されているた
め、常にフェイルメモリの最終アドレスまで読出し動作
が行われる。
【0005】尚、メモリテスト技術について記載された
文献の例としては、特開平4−218785号公報があ
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】例えば図5に示される
ように、半導体メモリは、n個のマクロセル(100,
110,120)を有し、一つのマクロセルは、m個の
メモリマット(7,8,9)を含んで構成されている。
メモリマットは、y本のライン上にxビットのメモリセ
ルを備えた記憶単位である。このような半導体メモリの
機能評価において、フェイルメモリへのフェイルデータ
の書込みや読出しはメモリマット単位に行われる。その
ため、一つの半導体メモリ当り、合計(m×n)回のメ
モリアクセスが必要とされる。従来技術では1回毎にフ
ェイルメモリの全アドレス(pアドレス)をスキャンす
ることから、トータルで(m×n×p)アドレスについ
て読出し動作が行われる。このためメモリテスト時間に
占めるフェイルメモリ読出し時間の割合が極めて高く、
このことが、メモリテスト時間短縮を阻害する要因の一
つとされている。
【0007】本発明の目的は、メモリテストの時間短縮
を図るための技術を提供することにある。
【0008】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【0010】すなわち、被測定メモリに書込まれたテス
トパターンを読出して、それを期待値と比較することに
よって得られたフェイルデータをフェイルメモリから回
収するに際して、被測定メモリのビット構成情報に基づ
いて上記フェイルメモリから上記ビット構成情報に対応
する部分のみを読出すようにする。
【0011】また、被測定メモリに書込まれたテストパ
ターンの当該被測定メモリからの読出しデータと、その
期待値とを比較するための比較手段と、この比較結果を
フェイルデータとして格納するためのフェイルメモリと
を含んでメモリテスト装置が構成されるとき、指定され
たビット構成情報に基づいて、上記フェイルメモリから
上記ビット構成情報に対応する部分のみを読出すための
制御手段を設ける。
【0012】
【作用】上記した手段によれば、被測定メモリのビット
構成情報に基づいて、上記フェイルメモリから上記ビッ
ト構成情報に対応する部分のみを読出すようにすること
は、フェイルメモリからのデータ読出し動作において冗
長な読出し処理を排除し、このことが、メモリテストの
時間短縮を達成する。
【0013】
【実施例】図1には本発明の一実施例に係るメモリテス
ト装置が示される。
【0014】図1において11はメモリテスト装置本体
であり、このメモリテスト装置本体11は、ホストコン
ピュータ10に結合され、さらにパフォーマンスボード
29を介して被測定メモリ30に結合されることによっ
て、当該被測定メモリ30のテストを可能とする。上記
ホストコンピュータ10は、ユーザによって作成された
テスト制御プログラムのコンパイルや、上記被測定メモ
リ30のテスト結果の表示及びデータベース化などに使
用される。上記パフォーマンスボード29は、メモリテ
スト装置11と被測定メモリ30とのインタフェースと
して機能するボードであり、被測定メモリ30の外部端
子と結合可能なソケットを含み、このソケットに被測定
メモリ30が結合されるようになっている。被測定メモ
リ30は、特に制限されないが、複数のスタティック型
メモリセルをアレイ状に配列して成るスタティックRA
M(ランダム・アクセス・メモリ)とされる。
【0015】上記メモリテスト装置本体11は、以下の
ように構成される。
【0016】特に制限されないが、メモリテスト装置本
体11内にはシステムバス16が設けられ、このシステ
ムバス16を介してホストインタフェース12、プロセ
ッサ13、ワークレジスタ14、タイマ15、バッファ
メモリ17、テストコントローラ21、タイミングジェ
ネレータ22、デバイス電源コントローラ23が、相互
に結合されることによって、各種データや制御信号のや
り取りが可能とされる。
【0017】上記ホストインタフェース12はホストコ
ンピュータ10に結合され、メモリテスト装置本体11
とホストコンピュータ10との間のデータのやり取りを
可能とする。上記プロセッサ13は、メモリテスト装置
本体11内のハードウェアの動作制御を司るもので、そ
の制御においてワークレジスタ14に形成されるワーク
エリアを使用する。バッファメモリ17は、ホストコン
ピュータ10から転送されたデータや、これからホスト
コンピュータ10へ転送するためのデータを保持するた
めに使用される。特に制限されないが、このバッファメ
モリ17に保持されるデータには、オブジェクトデー
タ、テスト結果、テストパターンが含まれる。上記テス
トコントローラ21は、上記バッファメモリ17内のテ
ストパターンを、ピンコントローラ26に伝達する。伝
達されたデータはテストパターンメモリ24に格納され
る。そしてこのテストパターンは、ピンコントローラ2
6の制御により、タイミングジェネレータ22によって
発生されたタイミングで、ピンエレクトロニクス27及
びパフォーマンスボード29を介して被測定メモリ30
に伝達可能とされる。また、被測定メモリ30からの読
出しデータは、ピンエレクトロニクス27で期待値と比
較され、その比較結果が、ピンコントローラを介してフ
ェイルメモリ25に格納される。そのような意味で、本
実施例における比較手段は、このピンエレクトロニクス
27によって機能的に実現される。デバイス電源28は
デバイス電源コントローラ23の制御により、被測定メ
モリ30の動作用電源を供給する。
【0018】次に、被測定メモリ30の測定における各
部の動作について説明する。
【0019】テスタユーザはホストコンピュータ10に
よってテスト制御プログラムを作成し、それをコンパイ
ルすることによってオブジェクトデータを生成し、それ
を磁気ディスク等に格納する。被測定メモリ30のテス
トを行う場合、ホストコンピュータ10の操作端末装置
からテストプログラムを起動する。当該テストプログラ
ムの起動により、上記磁気ディスク等に格納されている
オブジェクトデータがホストインタフェース12を介し
てバッファメモリ17に展開される。しかる後に、上記
バッファメモリ17内のオブジェクトデータがリードさ
れ、それがプロセッサ13で実行されることによって、
テスト制御プログラムに記述された環境が形成される。
【0020】被測定メモリ30のフェイルデータ収集及
びその回収は以下のように行われる。
【0021】オブジェクトデータの処理において、プロ
セッサ13によりテストコントローラ21が起動され、
バッファメモリ17内のテストパターン20がテストパ
ターンメモリ24に転送させると、それが、タイミング
ジェネレータ22によって生成されるタイミングで、ピ
ンエレクトロニクス27、パフォーマンスボード29を
介して被測定メモリ30に伝達され、内部のメモリセル
に記憶される。そしてこの記憶データが上記メモリセル
から読出され、パフォーマンスボード29を介してピン
エレクトロニクス27に取込まれ、ここで期待値とビッ
ト単位で比較される。この比較において、上記メモリセ
ルからの読出しデータが期待値と一致していればパス
(正常)とされ、期待値と異なっていればフェイル(異
常)とされる。そのようなフェイルデータが、フェイル
メモリ25に、それの先頭アドレスから順次格納されて
行く。図2には被測定メモリ30に与えられるテストパ
ターンが、また、図3にはフェイルビットマップが、そ
れぞれ模式的に示される。図3において、○印はパスを
示し、×印はフェイルを示している。プロセッサ13
は、このフェイルメモリ13に格納されたフェイルデー
タを読込み、それを、ホストコンピュータ10が理解で
きるフォーマットに変換してからバッファメモリ17へ
格納する。
【0022】ここで、従来装置においては、フェイルメ
モリ25内のフェイルデータが、0〜10kワード程度
の場合でも、0〜64kワード迄の全アドレスについて
データ読出し動作を行うようにしているが、メモリマッ
ト内のライン本数、ビット数が少ない場合、フェイルメ
モリに格納されるフェイルデータは、当該フェイルメモ
リ内の先頭からわずかな範囲であり、それ以降のアドレ
スをスキャンする処理は、冗長な処理と考えられること
から、本実施例装置では、ホストコンピュータ10によ
って作成されるテストプログラム上でフェイルメモリ2
5の読出し範囲情報を予め指定することによって、無駄
な読出し動作を省略するようにしている。例えば図4に
示されるように、フェイルメモリ25において、領域5
01にのみフェイルデータが存在し、それ以外の領域に
フェイルデータが存在しないにもかかわらず、従来装置
においては、領域502の全てについてフェイルデータ
の読出し動作を行うようにしていたが、本実施例では、
フェイルメモリ25の読出し範囲情報を含むオブジェク
トデータがホストコンピュータ10から転送されたと
き、プロセッサ13によって、フェイルメモリ25の読
出し範囲情報がワークレジスタ14に格納され、当該プ
ロセッサ13によって実際にフェイルメモリ25からフ
ェイルデータが読出される際に、このワークレジスタ1
4の記憶内容が参照されることによって、フェイルメモ
リ25の読出し範囲が領域501に制限される。そのよ
うにフェイルメモリ25の読出し範囲が制限されること
によって、フェイルデータ読出しにおける冗長処理が軽
減され、必要以上の広範囲な読出し動作に起因する無駄
時間が削減される。ここで、本発明における制御手段
は、上記プロセッサ13によって機能的に実現される。
【0023】尚、回収されたフェイルデータはホストコ
ンピュータ10において、欠陥救済のアルゴリズムの対
象となる規模まで重ね合せられたり、また、被測定メモ
リ30を構成するメモリセルの物理的配置に対応するよ
うに再配置されたりする。
【0024】上記実施例によれば以下の作用効果が得ら
れる。
【0025】被測定メモリ30のビット構成情報に基づ
いて、上記フェイルメモリ25から上記ビット構成情報
に対応する部分のみを読出すことにより、フェイルメモ
リ25からの読出し動作において冗長な処理が排除さ
れ、それによりメモリテスト時間が短縮される。すなわ
ち、図4に示されるように、フェイルメモリ25におい
て、領域501にのみフェイルデータが存在する場合に
おいて、プロセッサ13によって、フェイルメモリ25
の読出し範囲情報がワークレジスタ14に格納され、実
際にフェイルメモリ25からフェイルデータが読出され
る際に、このワークレジスタ14の記憶内容がプロセッ
サ13によって参照されることにより、フェイルメモリ
25の読出し範囲が、領域501に制限されるので、フ
ェイルデータ読出し(回収)における冗長処理が軽減さ
れ、必要以上の広範囲な読出し動作に起因する無駄時間
が削減され、テストに要する時間の短縮が可能とされ
る。
【0026】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲におい
て種々変更可能であることは言うまでもない。
【0027】例えば、上記実施例では、先行して処理を
開始しても特に支障の無い項目については、積極的に処
理を開始することによってウェイト中の無駄時間の短縮
を図るようにしたが、このウェイト中の無駄時間につい
ては従来通りとしても、つまり、ウェイトに起因する無
駄時間を積極的に利用した先行処理を行わない場合にで
も、フェイルメモリから上記ビット構成情報に対応する
部分のみを読出すようにすれば、フェイルメモリからの
読出し動作において冗長な処理が排除され、その分、メ
モリテスト時間が短縮されるから、本発明の目的を達成
する。
【0028】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるスタテ
ィックRAMのテストに適用した場合について説明した
が、本発明はそれに限定されるものではなく、ダイナミ
ックRAMやその他の各種半導体メモリのテストに適用
することができる。
【0029】本発明は、少なくとも、テスト結果を格納
するメモリが存在することを条件に適用することができ
る。
【0030】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【0031】すなわち、被測定メモリのビット構成情報
に基づいて、上記フェイルメモリから上記ビット構成情
報に対応する部分のみを読出すことにより、フェイルメ
モリからの読出し動作において冗長な処理を排除するこ
とができ、それによってメモリテストの時間短縮を図る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例であるメモリテスト装置の構
成ブロック図である。
【図2】上記実施例装置から被測定メモリに与えられる
テストパターンの摸式図である。
【図3】上記実施例装置によって得られるフェイルビッ
トマップの摸式図である。
【図4】上記実施例装置におけるフェイルメモリの読出
し領域説明図である。
【図5】テスト対象とされる半導体メモリの基本構成ブ
ロック図である。
【符号の説明】
10 ホストコンピュータ 11 メモリテスト装置本体 12 ホストインタフェース 13 プロセッサ 14 ワークレジスタ 15 タイマ 16 システムバス 17 バッファメモリ 18 オブジェクトデータ 19 テスト結果 20 テストパターン 21 テストコントローラ 22 タイミングジェネレータ 23 デバイス電源コントローラ 24 テストパターンメモリ 25 フェイルメモリ 26 ピンコントローラ 27 ピンエレクトロニクス 28 デバイス電源 29 パフォーマンスボード 30 被測定メモリ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 角 義之 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 中山 好信 神奈川県秦野市堀山下1番地 日立コンピ ュータエンジニアリング株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被測定メモリに書込まれたテストパター
    ンの当該被測定メモリからの読出しデータと、それの期
    待値との比較結果をフェイルメモリに書込むことによっ
    て上記被測定メモリのテストを可能とするメモリテスト
    装置からのメモリテスト結果回収方法において、上記被
    測定メモリのビット構成情報に基づいて、上記フェイル
    メモリから上記ビット構成情報に対応する部分のみを読
    出すことを特徴とするメモリテスト結果回収方法。
  2. 【請求項2】 上記被測定メモリのテスト内容が記述さ
    れたテスト制御プログラムが外部装置から取込まれ、こ
    のテスト制御プログラムに従って上記被測定メモリのテ
    ストが行われるとき、上記被測定メモリのビット構成情
    報を、このテスト制御プログラムに記述するようにした
    請求項1記載のメモリテスト結果回収方法。
  3. 【請求項3】 被測定メモリに書込まれたテストパター
    ンの当該被測定メモリからの読出しデータと、それの期
    待値とを比較するための比較手段と、この比較結果を格
    納するためのフェイルメモリとを含むメモリテスト装置
    において、上記被測定メモリのビット構成情報に基づい
    て、上記フェイルメモリから上記ビット構成情報に対応
    する部分のみを読出すための制御手段とを含むことを特
    徴とするメモリテスト装置。
JP5160488A 1993-06-04 1993-06-04 メモリテスト結果回収方法、及びメモリテスト装置 Withdrawn JPH06349299A (ja)

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JPH06349299A true JPH06349299A (ja) 1994-12-22

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001349928A (ja) * 2000-06-06 2001-12-21 Advantest Corp 半導体試験システム
US6553528B1 (en) 1999-06-22 2003-04-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Test circuit for semiconductor integrated circuit
KR100885051B1 (ko) * 2007-02-23 2009-02-23 주식회사 엑시콘 반도체 메모리 테스트 장치 및 반도체 메모리 테스트 방법

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